资讯
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
线性区之后，米勒平台结束。根据MOS的特性曲线，在Vds下降到等于此时的Vgs-Vg(th)这个值的时候，MOS进入线性区（t4开始时刻）。此时Vds的大小会由Rds*Id决定，驱动电流开始继续为Cgs和......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
这个过程与MOS管的过程略有不同，同时栅极电压也达到了米勒平台电压。
第3阶段：栅极电流对Cge和Cgc电容充电，这个时候VGE是完全不变的，值得我们注意的是Vce的变化非常快。
第4阶段：栅极......
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
流过电流，同时CE电压下降。CE电压下降过程中，门极电压不再上升，而是维持在一定的电压平台上，称为米勒平台。在这期间，CE电压完全降至0V。随后GE电压继续上升至15V，至此整个开通过程完成。
IGBT......
SiC MOSFET 器件特性知多少？(2023-10-18)
栅极电容形成 RC 时间常数，因此需要提供足够的峰值栅极电流以确保栅极驱动信号的快速上升沿。
t1→t2：当 VGS 从 VTH 上升到米勒平台区域时，由于 RDS 通道电阻在低 VGS 时没......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
电容：
输入电容Cies和米勒电容Cres对栅极的驱动特性影响较大，其中，米勒电容还是驱动电压Vge
米勒平台
的始作俑者，如下......
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您(2023-07-20)
电路时必须考虑这些影响，包括导通电阻、栅极电荷（米勒平台）和过电流（DESAT）保护。
二 导通电阻
在低VGS时，一些SiC器件的导通电阻与结温特性之间的关系曲线看起来是抛物线*（由于内部器件特性的组合）。(*这适......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
进一步打开mos管。同理我们都知道电容充电时的电流要求是比较大的，如果此时我们的栅极不能提供足够的电流能量，那么VGS处于米勒平台的时间将会特别长，显然这不是我们想要的结果。如下图
所以为了使mos管快......
正确理解驱动电流与驱动速度(2022-01-27)
电流的简化时序图。t1 到 t2 这段时间是门 极驱动的源电流(IO+)从零开始到峰值电流的建立时间。在 t3 时刻，门极电压达到米勒平台，源电流开始给 MOSFET 的米勒电容充电。在 t4 时刻，米勒......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
直到Vgs等于输入电压10V。
图中Vgs输入电压保持不变即Qgd阶段，输入电压不给Cgs充电，而是给Cgd米勒电容充电。这是MOS管固有的转移特性。这期间不变的电压也叫平台电压。
此时，MOS管的......
安森美全新SiC MOSFET模块方案实现高性能充电方案(2021-06-09)
/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。
NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入（3.3 V、5 V和15 V）。该高电流器件（在米勒平台......
MOS驱动好不好，波形一看就知道(2024-03-01)
完美。
2、MOS驱动波形略微震荡
描述：肉眼可见这也是方波，上升沿和下降沿都比较陡峭，开关速度比较快，管子损耗小，只是管子有略微的震荡。
解决手段：适度加大栅极驱动电阻。
3、MOS驱动......
MOS管子又炸，分享几种常见的MOS管驱动波形的判断(2024-10-16 11:40:39)
MOS管子又炸，分享几种常见的MOS管驱动波形的判断;
回忆起多年前做大功率电源产品的一段经历，那段时间主要调试MOS管的参数，一不小心就炸机，老板......
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
首先表现在饱和电流随VDS上升而上升，其次表现在栅极电荷曲线中的米勒平台段呈斜线。从图中计算得出SiC的QGD需要将VDS与栅极电荷曲线叠加在一起，通过限定边界条件的方式得出。
来源：，赵佳......
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识(2023-02-08)
生因素：
1）开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。
图1 功率开通过程
2）功率输出电容COSS储存......
IGBT驱动芯片进入可编程时代，英飞凌新品X3有何玄机？(2023-08-21)
IGBT驱动芯片进入可编程时代，英飞凌新品X3有何玄机？;俗话说，好马配好鞍，好自然也要配备好的驱动IC。一颗好的驱动不仅要提供足够的驱动功率，最好还要有完善的保护功能，例如退饱和保护、两电......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
情况可以通过最小化 mos 管 周围的杂散电感和电容来防止杂散振荡，还应使用低阻抗栅极驱动电路来防止杂散信号耦合到器件的栅极。
十一、“米勒”效应
mos 管 在其......
英飞凌推出2300 V隔离EiceDRIVER™ 2L-SRC 紧凑型栅极驱动器(2021-06-08)
开通。而把能泻放这一分布电流的电路称为米勒钳位电路。
该电路一般由一个MOS管来提供低阻抗泻放回路，如上图所示。这个管子的门极受驱动信号控制，在正常开关的时候将关断不工作，呈现高阻，只在器件处于关断状态时开通起钳位保护作用。
......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
电路主要有以下几个方面：
1）防止栅极 di/dt过高：
由于采用驱动芯片，其输出阻抗较低，直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断，有可能造成功率管漏源极间的电压震荡，或者......
OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点(2022-12-06)
布板不够优化，米勒钳位回路过大，可能会由于走线上寄生参数的影响，使得低阻抗路径不够有效，反而会增大栅极震荡。
2.2.3 欠压保护点UVLO
SiC MOSFET具有高功率密度的特性， 一般会使用较高的驱动......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
接连接电源微控制器。同时，芯片具有过电流和短路保护的DESAT检测功能、有源米勒箝位功能以及两级关断（TLTO）功能，常被用于逆变器和DC/DC转换器等场合。
3、其他功率器件驱动
除了常用的MOS管和......
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
件充电所需的平均电流：
该电流是使器件完全导通所需的平均电流。不过，我们 感兴趣的区域是米勒平坦区域，在该区域中栅极电压 在开关瞬态期间保持恒定。栅极驱动器必须能够在该 区域期间提供最大电流，以降......
TI实时可调碳化硅驱动器助力电动汽车续航更上层楼(2023-05-27)
kV/µs
最大工作绝缘电压可达1700 V
驱动能力可达10 A
传输延迟时间和频道不匹配时间小于 10 ns
主动米勒钳位
快速短路保护（SCP）（小于1.8 µs）
可见......
TI实时可调碳化硅驱动器助力电动汽车续航更上层楼(2023-05-29 10:05)
工作绝缘电压可达1700 V• 驱动能力可达10 A• 传输延迟时间和频道不匹配时间小于 10 ns• 主动米勒钳位• 快速短路保护（SCP）（小于1.8 µs）可见随着功率器件的复杂度不断提高，栅极驱动器需要更加灵活地驱动......
双低边驱动芯片NSD1025在开关电源应用中有何优势(2021-03-15)
之间，以帮助减小开关损耗,并为MOSFET提供足够的驱动电流，以跨过米勒平台区域，实现快速打开。在开关MOSFET的时候，有一个高di/dt的脉冲产生，这种快速变化与寄生电感共同作用，产生......
双低边驱动芯片NSD1025在开关电源应用中有何优势(2021-03-15)
之间，以帮助减小开关损耗,并为MOSFET提供足够的驱动电流，以跨过米勒平台区域，实现快速打开。在开关MOSFET的时候，有一个高di/dt的脉冲产生，这种快速变化与寄生电感共同作用，产生......
双低边驱动芯片NSD1025在开关电源应用中有何优势(2021-03-15)
之间，以帮助减小开关损耗,并为MOSFET提供足够的驱动电流，以跨过米勒平台区域，实现快速打开。在开关MOSFET的时候，有一个高di/dt的脉冲产生，这种快速变化与寄生电感共同作用，产生......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片(2024-06-24)
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片;
【导读】相较于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点，越来......
纳芯微容隔技术，从容应对电源难题(2023-07-20)
左右），如果压降较大会造成下管误导通，系统就会有短路风险。
“米勒钳位”功能可以应对碳化硅应用中的这个问题。在芯片中增加一个MOSFET可以直接将GND和碳化硅栅极相连，当下管关断后，会跳过下管驱动......
中国MRO第一股震坤行在美上市，最新市值24.9亿美元(2023-12-18)
中国MRO第一股震坤行在美上市，最新市值24.9亿美元;北京时间 12月15日晚间，中国本土MRO采购服务平台震坤行正式在纽交所挂牌上市，股票代码为“ZKH”。截至今日上午10时，震坤......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
一个固定电平的作用。
▉ G极串联电阻的作用
MOS管是压控型，有的情况下，为什么还需要在G极串联一个电阻呢？
1、减缓Rds从无穷大到Rds(on)。
2、防止震荡，一般单片机的I/O输出口都会带点杂散电感，在电......
大联大世平集团推出基于onsemi产品的100W车内空调循环扇方案(2024-05-14)
案采用NCD83591智能驱动芯片搭配双N-MOS FDS3890场效应管组成的功率级，额定电源输入为12VDC~40VDC，最大驱动功率为200W。
其中，NCD83591是一款高性能的三相60V栅极驱动......
ZS2934SL-24W电源适配器方案(2024-02-22)
品采用原边反馈控制机制.无需光耦和TL431即可实现高精度输出.恒流恒压精度达到正负4%以内.同时内部集成了高压MOS管.内部设计了无电容控制电路.无需外接补偿和采样滤波电容.同时......
ZS2935SL-36W电源适配器方案(2024-02-22)
品采用原边反馈控制机制.无需光耦和TL431即可实现高精度输出.恒流恒压精度达到正负4%以内.同时内部集成了高压MOS管.内部设计了无电容控制电路.无需外接补偿和采样滤波电容.同时......
这位大牛记录下了电路设计的全过程(2024-04-24)
过MOS管耐压等级的80%；同时，对于峰值电流模式控制的反激变换器，CCM 模式条件下，当占空比超过0.5 时，会发生次谐波震荡。综合考虑，对于耐压值为700V（NCP1015）的MOS管，设计......
上海贝岭“功率器件&电源IC”在PD快充中的应用(2024-09-20)
功率随着手机和充电器的协议可以进行调节，而且输出稳定，采用MOS管用来同步整流大大减小了整流时的损耗，输出VBUS MOS管可及时对输出进行保护和调节，安全性高；
2.缺点：元器件多，成本高。
SSR反激电路+协议组合电路
现状......
一文看懂华润微电子IC和新型IPM等产品亮点(2024-01-22)
电路、高压半桥栅极驱动电路和单路低侧栅极驱动电路等产品。
CS57304S是一款高压高速功率半桥驱动电路，主要应用于驱动N型MOS或IGBT功率器件的系统。该电......
德库威勒半导体领域的相关组件生产项目落户浙江平湖(2022-03-28)
德库威勒半导体领域的相关组件生产项目落户浙江平湖;据平湖经开消息，3月25日，德库威勒平湖项目以“云签约”的方式落户平湖经开。
消息显示，德库威勒平湖项目由德国德库威勒集团投资设立，一期......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
极电荷曲线通常与硅功率器件的典型形状不同；特别是，没有明显可见的米勒平台，如图 9 左所示。当 I D = 30 A、V DS = 800 V 且 R G = 3.3 kΩ、V GS(off) =-5 V......
采用STM32F103VBT6处理器实现水下无线能量传输系统的设计(2024-05-29)
，便能取得一个较好的效果。全桥MOS管驱动电路如图2所示。
通过示波器观察可以看到驱动电平已没有常见的下桥干扰毛刺（下臂的驱动电路同理）。在Q14栅极上的R21、R22、R24、D11构成电路对驱动电压进行防震荡......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
需要测试电路在以下几点进行优化：主功率回路电感需要尽量小，以免关断电压尖峰超过器件耐压值而导致器件损坏；驱动回路电感需要尽量小，以免发生不必要的驱动波形震荡；驱动电路需要能够方便地进行改变参数，其电......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
断电压尖峰超过器件电压等级、器件误导通、出现不符合理论的震荡等等现象。
这就需要测试电路在以下几点进行优化：主功率回路电感需要尽量小，以免关断电压尖峰超过器件耐压值而导致器件损坏；驱动......
开关电源电路设计的10个经验(2024-06-03)
将控制IC的地连接到MOS管的S端，这样就不是浮地了，控制IC的输出就可以直接驱动MOS管。
滞环比较器
在保护电路中，为了防止保护电路在保护点附近来回震荡，所以一般都增加一定的滞环。
在下图中，1M......
飞兆半导体推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能栅极驱动光电耦合器(2013-03-20)
飞兆半导体推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能栅极驱动光电耦合器;飞兆半导体推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能栅极驱动光电耦合器。 该器件是一个先进2.5A的输出电流IGBT......
提供米勒箝位的单电源/双电源高电压隔离IGBT栅极驱动器——ADUM4135(2023-10-11 14:25)
提供米勒箝位的单电源/双电源高电压隔离IGBT栅极驱动器——ADUM4135;
ADuM4135是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动绝缘栅双极晶体管(IGBT)进行了优化。ADI公司......
驱动电机控制器IGBT驱动电源设计与验证(2024-07-17)
及导通时间是否异常，通过变压器的参数调整，验证驱动波形有无受到限制。从下图来看 Vds 出现振荡，存在 0.8 µs 振荡时间， 震荡周期在 8 µs 左右。另，在高电平其实出现过冲及下降震荡，震荡周期较小但是震荡......
魏德米勒OMNIMATE 4．0鼠笼式板载连接器解决方案(2023-05-25 15:47)
可以通过WMC软件或easyConnect平台像搭积木一样，将不同的信号、数据和电源组合提出需求，拼装出满足自己需求的连接器解决方案并很快收到自己定制的样品，大大减少与魏德米勒的来回沟通时间和精力，实现......
“风”、“光” 无限——魏德米勒电联接技术在新能源储能系统的应用(2024-01-16)
，该公司找到了电联接技术专家魏德米勒，为其提供BESS平台的整个电源，信号以及通讯的联接。
安全可靠的模块化联接
在BESS大规模应用的同时，储能......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路;在使用ROS机器人构建地图的过程中，需要在房间内自主运行，采集地图信息。这个过程中需要控制电机的正反转，电机的转速，以适应机器人直行，转弯......
魏德米勒OMNIMATE® 4.0鼠笼式板载连接器解决方案(2023-05-25)
了模块化设计，客户可以通过WMC软件或easyConnect平台像搭积木一样，将不同的信号、数据和电源组合提出需求，拼装出满足自己需求的连接器解决方案并很快收到自己定制的样品，大大减少与魏德米勒......
大牛多年研发电源问题汇总（受益匪浅）！(2024-11-14 22:46:54)
。
成本特别高，比LLC还多用2个MOS。
这还不是首要的，主要是驱动复杂，一般的IC驱动能力都达不到，要将驱动放大，采用隔离变压器驱动，这里......
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市泊睿电子有限公司位于国内市场，主营茂达MOS管一级代理商：LED驱动IC ASIC设计、MCU开发、消费类IC、标准品有音乐IC 语音IC 闪灯IC 触膜调光IC以及代理台湾茂达MOS管一系列产品等。公司
％ 一级代理商：深圳惠新晨电子 庞生 MB：13428780186 QQ：2803907163 LIS8510 SOP-8 内置MOS 全电压1-3W LED驱动电源 LIS8511 SOP-8 内置
;合胜科技（深圳）有限公司;;公司是台湾BITEK代理商，主要经营LED驱动IC、视频解码IC、视频驱动IC、MOS管。
;深圳冠辰科技公司;;主要销售 矽恩微电子驱动芯片 亚成微电子驱动芯片 思美思MOS管
;结型场效应管 深圳市福田区天高微新电子商行;;同步、异步升压，降压IC（DC-DC./AC-DC.），LDO。稳压IC，充电IC，音频IC，功放，MOS，二三极管，LED驱动，时钟IC，电路
;继电器 深圳市福田区天高微新电子商行;;同步、异步升压，降压IC（DC-DC./AC-DC.），LDO。稳压IC，充电IC，音频IC，功放，MOS，二三极管，LED驱动，时钟IC，电路检测，传感
;浙江丰源电子科技有限公司;;MOS管 锂电池保护IC LED驱动IC
. 收音IC 马达驱动 公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。 公司成立于2006年，现已发展成为中国最大的电子元器件供应平台，代理国内各大品牌IC，与
;深圳勤力电子有限公司;;生产销售，代理品牌mos管，稳压IC，驱动ＩＣ，电源管理IC
;宁海诚芯电子科技有限公司;;宁海诚芯电子科技有限公司销售部位于中国浙江宁海西店，宁海诚芯电子科技有限公司销售部是一家驱动IC、升压IC、恒流IC、MOS管、驱动