资讯
欧姆龙推出G3VM MOS FET继电器模块系列(2022-12-17)
欧姆龙推出G3VM MOS FET继电器模块系列;
【导读】拥有超200种型号丰富封装种类、接点结构和功能的欧姆龙推出G3VM MOS FET继电器模块系列，其VSON 4引脚......
供需趋稳，MOSFET国产替代的机会在哪里？(2020-03-16)
供需趋稳，MOSFET国产替代的机会在哪里？;金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，又称MOS管)是功率半导体器件的主体之一。由于其具有输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快、无二次击穿、安全......
超结MOS/低压MOS在微型逆变器上的应用(2023-10-23)
等提供电力。故MOS3/4/5/6 推荐使用瑞森半导体超结MOS系列。
瑞森半导体超结MOS系列，采用多层外延工艺技术制造，拥有更优的EMI特性，更容易通过安规认证；超低导通电阻和结电容，有效......
【荣誉】中微半导获评“2022中国IC设计成就奖之中国优秀IC设计团队”(2022-08-23)
年上半年在汽车电子领域，中微半导已启动功能安全标准ISO 26262认证委托，同时发布新一代车规级MCU BAT32A2系列，该产品经过了严苛的可靠性测试，符合AEC-Q100 Grade1车规......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
&SiC MOS 的研制与创新，发挥“芯片设计 + 模块制造 + 车规认证”的综合能力，为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等客户提供性能优越的功率产品和服务。
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Holtek推出HT32F61030/HT32F61041 Power Delivery MCU(2023-08-29)
+ MCU HT32F61030/HT32F61041，通过PD认证，符合USB-PD 3.1规范并兼容Dual Role Port (DRP)双向角色，内建VCONN提供Type-C E-Marker电源......
Vishay推出五款表面贴装沟槽式MOS势垒肖特基整流器(2023-07-06)
Vishay推出五款表面贴装沟槽式MOS势垒肖特基整流器;
【导读】美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年7月6日 — 日前，Vishay......
SiC成车载电源标配？又有3家企业采用(2023-12-19)
双向OBC产品，搭载多颗SiC MOS器件。
● 中国电科：基于碳化硅驱动控制技术，展示了最新的风冷式、集成式车载DC－DC电源。
博格华纳：供应800V SiC OBC
11月7日，博格......
金升阳推出车规级定压推挽控制芯片(2023-06-09)
且采用汽车级工艺流程制造的推挽电源原边控制器。拥有2.7-5.5V的宽电压输入范围，可兼容3.3V、5V输入，最大可满足3W输出系统的应用。9V极限电压冲击1s下也不会损坏。芯片内部功率MOS管的......
突破！晶能车规级IGBT产品流片成功(2023-03-16)
Drive模块
IGBT是现代电力电子中的主导型器件，被誉为电力电子行业里的CPU，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。近期，也有行业开发者讨论将Si IGBT和SiC MOS封装......
突破！晶能车规级IGBT产品流片成功(2023-03-16 10:52)
Drive模块
IGBT是现代电力电子中的主导型器件，被誉为电力电子行业里的CPU，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。近期，也有行业开发者讨论将Si IGBT和SiC MOS......
露笑科技：将有62台新长晶炉投入使用，持续加码碳化硅领域(2022-01-10)
产替代正在进行中，公司6英寸导电型碳化硅衬底已通过外延厂商和下游终端客户认证。
针对下游MOS和SBD应用场景，上游碳化硅衬底端几乎没有区别，只有极少几个参数，差别主要在外延层结构。公司......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
MOS 的研制与创新，发挥“芯片设计 + 模块制造 + 车规认证”的综合能力，为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等客户提供性能优越的功率产品和服务。
IT之家注：
IGBT......
Holtek推出HT45F9160 Power Delivery MCU(2023-08-24)
HT45F9160，通过PD认证，符合USB-PD 3.1规范并支持Dual Role Port (DRP)双角色端口工作，内建VCONN提供Type-C E-Marker电源，允许最大48V/5A......
亦商亦儒 躬身入局半导体江湖——专访深圳市萨科微半导体有限公司总经理宋仕强(2022-05-14)
了北斗领域多项发明专利和软件著作权，取得了ISO9001管理体系认证，成为国家级高新技术企业和“中国卫星导航协会”、“中国信息产业商会”、“广东连接器协会”会员。
一次机缘，宋仕强与正在研发第三代半导体碳化硅MOS管的......
HOLTEK新推出HT32F61730/741锂电池管理MCU(2024-08-24)
池电压侦测精准度提升至±15mV，新增差分OPA提升侦测充/放电电流精准度并且内建硬件短路保护，实现快速响应关闭MOS，适合应用于3~8串产品，如BMS板、电动工具、无线吹风机、无线......
吉利科技旗下晶能车规级IGBT产品成功流片(2023-03-17)
，微电子是集团孵化的功率半导体公司，聚焦于Si &SiC MOS的研制与创新，发挥“芯片设计+模块制造+车规认证”的综合能力，为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等客户提供性能优越的功率产品和服务。
......
近30家展商亮相电动工具会议 充电管理受关注(2022-09-08)
微已经研发成功及量产的产品：高压VDMOS、低压Trench MOS、超结MOS和SGT MOS，同时正在开展第三代半导体(SiC、GaN)功率器件的研发工作。2019年12月，华瑞......
两步走 解决开关电源输入过压的烦恼！(2023-02-06)
，这些电压实际上是通用的。由于不同国家/地区的标称电压要求不同以及安全法规不同，X2 的标签并不一定准确。例如，中国 CQC 认证所要求的标称电压是 310 VAC，而其他国家/地区则是 275 V......
吉利科技旗下晶能车规级IGBT产品成功流片(2023-03-17)
与晶圆代工厂深度绑定，采用工艺共创方式持续提升芯片性能。
据悉，晶能微电子是吉利科技集团孵化的功率半导体公司，聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制与创新，发挥“芯片设计+模块制造+车规认证”的综......
英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场(2023-12-29 09:49)
英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场;英诺赛科宣布推出100V车规级氮化镓器件INN100W135A-Q，该器件已通过AEC-Q101 认证，适用......
汽车矩阵大灯普及趋势下，国产LED控制芯片的新机会(2024-07-03)
，也可对4个子串编程控制，实现子串组合模式。同时支持可编程10-bit PWM调光，每个MOS都支持独立的PWM调节，PWM的同步化有硬件引脚控制与通过指令控制两种方式，实现1024级亮......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算;**1. 关于的极限参数说明：**本文引用地址：
在以上图中，我们需要持续关注的参数主要有：
a. **ID（持续漏极电流）**：该参......
吉利旗下晶能微电子并购益中封装，李书福或发力自主功率半导体(2023-08-28)
IGBT和SiC MOS的研制与创新，发挥“芯片设计+模块制造+车规认证”的综合能力，为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等客户提供功率解决方案。日前，晶能微电子宣布设计开发的两款FRD产品......
南京江智-全系列中低压车规级MOS 碳化硅MOS(2023-11-02)
南京江智-全系列中低压车规级MOS 碳化硅MOS;
全系列中低压车规级MOS 碳化硅MOS
产品描述：
南京江智主要产品为车规级MOS和SIC MOS，车规级MOS已批......
英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场(2023-12-30)
英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场;
【导读】英诺赛科宣布推出100V车规级氮化镓器件INN100W135A-Q，该器件已通过AEC-Q101 认证，适用......
HT3163 宽电压3V-18V供电、AB/D类切换40W单声道音频功放IC应用方案(2023-07-10)
不同喇叭腔体三种防破音可选，满足不同消费群体的音质需求；扩频工作模式方便EMI认证测试；输出无滤波节省外围成本；采用ESOP-10贴片封装，外围元器件少，应用加工简单。
典型应用
针对2-3节锂......
东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET(2023-08-17)
与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”，两款产品于今日开始支持批量出货。
自动......
东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化(2023-08-17)
两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款......
6.6 kW车载电动汽车充电器设计(2024-09-03)
整流器对整流器的帮助不大传导损失。因此，我们省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有内部电隔离功能的大电流单通道IGBT驱动器。它用于驱动LLC级中的SiC
MOS，NCL30059......
大联大友尚集团推出基于ST产品的140W USB PD3.1快充方案(2024-07-18)
的电源产品，其内置两个GaN MOS和高压驱动，相较于传统Si MOS，具有优越的热性能和开关效率等优势。在本方案中，采用MasterGaN1产品，在有效优化PCB的电路设计和体积的同时，提升......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施;在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中，所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应，本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？;
mos 管可能会遭受与其他功率器件相同的故障，例如过电压（半导体的雪崩击穿）、过电流（键合线或者衬底熔化）、过热（半导......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效......
电机控制器中的MOS驱动(2024-10-18 15:10:10)
电机控制器中的MOS驱动;
引言
通用MCU或DSP的IO电压通常是5V3.3V，IO的电流输出能力在20MA以下，不足......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。;管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型，本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话详细描述。本文引用地址：其结......
华大九天全面发力汽车电子市场——产品获ISO 26262 TCL3和IEC 61508 T2国际标准认证证书(2023-07-27 09:34)
华大九天全面发力汽车电子市场——产品获ISO 26262 TCL3和IEC 61508 T2国际标准认证证书;近日，华大九天的可靠性分析工具Empyrean Polas®获ISO 26262......
华大九天全面发力汽车电子市场——产品获ISO 26262 TCL3和IEC 61508 T2国际标准认证证书;近日，华大九天的可靠性分析工具Empyrean Polas®获ISO 26262......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
RS540电机），则不能使用这些集成的芯片（否则会导致芯片严重发热并烧毁）。
此时便需要自行用半桥/全桥驱动芯片和MOS管搭建合适的实现对大电流电机的驱动控制。
二、示例原理图和PCB展示
此原......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
功率MOS体二极管参数分析;
体二极管的作用
MOS的体二极管能够让感性负载电流在MOS处于“关断”状态时绕开MOS。因此，它在同步整流
和续......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
管功耗也越大。
低功耗
低功耗主要反应在ESR（等效电阻）要小，MOS管就能满足要求，因为一般MOS管的Rdson（等效导通电阻）都是毫欧级别。
2.MOS管的......
MOS管子又炸，分享几种常见的MOS管驱动波形的判断(2024-10-16 11:40:39)
MOS管子又炸，分享几种常见的MOS管驱动波形的判断;
回忆起多年前做大功率电源产品的一段经历，那段时间主要调试MOS管的参数，一不小心就炸机，老板......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
MOS管防护电路解析实测;自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。本文引用地址：
保护......
开漏输出和推挽输出(2024-02-23)
-MOS带了一个⚪，说明是低电平导通。
上图是GPIO的示意图，有输入和输出，如果简化为输出，则如下所示。
模拟文件下载
https://download.csdn.net/download......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
使用程序配合硬件电路去实现。
如下图所示，使用4个功率管（可以为MOS管或者IGBT）搭建成桥式电路，在桥臂中心引出两根导线，连接到电机的供电引脚上。
当使用单片机控制Q2,Q3导通，Q1,Q4截止时。电流经过过电源正极，经过......
HT3163 宽电压3V-18V供电、AB/D类切换40W单声道音频功放IC应用方案(2023-07-10)
不同喇叭腔体三种防破音可选，满足不同消费群体的音质需求；扩频工作模式方便EMI认证测试；输出无滤波节省外围成本；采用ESOP-10贴片封装，外围元器件少，应用加工简单。
典型应用
针对2-3节锂......
东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET(2023-08-17)
东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET;电子元件及存储装置株式会社（“”）近日宣布，推出两款采用新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺......
HT3163宽电压3V-18V供电、AB/D类切换40W单声道音频功放IC应用方案(2024-07-09)
不同喇叭腔体三种防破音可选，满足不同消费群体的音质需求；扩频工作模式方便EMI认证测试；输出无滤波节省外围成本；采用ESOP-10贴片封装，外围元器件少，应用加工简单。
典型应用
针对2-3节锂......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
MOS管基础及选型指南;，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址：
和普......
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