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HMC265-DIE数据手册和产品信息;HMC265芯片是一款集成LO和IF放大器的次谐波(x2) MMIC下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.74 mm²。 2LO至......
HMC-SDD112数据手册和产品信息;HMC-SDD112是一款基于GaAs PIN二极管的单芯片单刀双掷(SPDT)MMIC 开关,具有低插入损耗和高隔离特性。 这款全分流式MMIC SPDT......
HEMT MMIC 0.8 W功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用......
MMIC 1 W功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用......
MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 点对......
最好能够用来散热)。使用金刚石代替硅、碳化硅、或者其他基底材料可以把金刚石高导热率优势发挥出来,可以实现非常接近芯片的有效导热面。 金刚石衬底GaN主要是应用于美国国防部高级研究计划署(DARPA......
凌科技股份公司在雷达模块市场上的领先地位已超过15年,并且是雷达单片微波集成电路(MMIC)TOP 1制造商。英飞凌开创了收发器集成(将发射器与接收器集成至同一芯片中)的先河,并在2009年推出了全球首款基于硅锗(SiGe)技术......
贸泽电子开售用于车内监控的英飞凌BGT60ATR24C XENSIV 60GHz雷达MMIC; 2023年12月21日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理......
识别等功能。目前多数高阶智驾产品采用4颗短程角雷达和1颗远程前向雷达的5R方案。 市场方面 在供给端,毫米波雷达上游的MMIC芯片、DSP芯片、PCB板等关键零部件市场基本由国外大厂主导,国产......
展的系列项目和立法是推动雷达模块市场增长的重要驱动力之一。 英飞凌科技股份公司在雷达模块市场上的领先地位已超过15年,并且是雷达单片微波集成电路(MMIC)TOP 1制造商。英飞凌开创了收发器集成(将发射器与接收器集成至同一芯片中)的先......
贸泽电子开售用于车内监控的 英飞凌BGT60ATR24C XENSIV 60GHz雷达MMIC;2023年12月21日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理......
,可采集来自雷达单片微波集成电路(Monolithic microwave integrated circuits ,MMIC)的雷达原始数据,能同时满足实验室集成和车载路试的环境要求。 图1:加特兰毫米波雷达芯片......
目正在开发新的制造工艺和封装解决方案,以打造基于GaN技术的单片微波集成电路芯片 (MMIC) 等5G通信组件。 据介绍,ORanGaN项目得到了英国科学、创新和技术部 (DSIT) 支持,并有INEX......
集信推出一款型号为BR95321TCJ的低噪声放大器,该产品是一款基于GaAs pHEMT工艺设计的高性能MMIC低噪声放大器,能覆盖 30MHz~4GHz 的频率范围,采用+5V或3.3V 单电源供电,芯片......
贸泽电子开售用于车内监控的英飞凌BGT60ATR24C XENSIV 60GHz雷达MMIC; 【导读】贸泽电子即日起供货英飞凌的BGT60ATR24C XENSIV™ 60GHz雷达......
贸泽电子开售用于车内监控的英飞凌BGT60ATR24C XENSIV 60GHz雷达MMIC;提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser......
贸泽电子开售用于车内监控的英飞凌BGT60ATR24C XENSIV 60GHz雷达MMIC;提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser......
Abracon推出800MHz至10.5GHz的全新MMIC低噪声放大器;Abracon最近推出的新产品MMIC低噪声放大器(LNA)专为关键通信和信号处理应用中800 MHz至10.5 GHz的卓......
了根据科学与信息通信技术部"电信用化合物半导体研究代工厂"项目开发的150nm GaN微波集成电路(MMIC)设计套件(PDK),并宣布将使用该套件进行代工服务。 报道指出,GaN半导......
HMC442-DIE数据手册和产品信息;HMC442是一款高效的GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为17.5至25.5 GHz。 HMC442提供15 dB增益,饱和......
%以上的市场份额,已出货数千万颗。Lehmann表示,这主要得益于恩智浦通过完整的产品线,为毫米波雷达提供可扩展的系统解决方案,具体而言,包括了单芯片雷达以及MCU和MMIC在内的多种产品,涵盖......
HMC263-DIE数据手册和产品信息;HMC263芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为24至36 GHz。 由于尺寸较小(3.29 mm²),该芯片可轻松集成到多芯片......
安霸领先业界发布用于自动驾驶的集中式 4D 成像毫米波雷达架构;安霸傲酷自适应 AI 毫米波雷达软件和高能效的 5 纳米制程的 CV3 AI 域控制器主芯片首次实现 4D 成像......
、E波段和Ka波段)单片微波集成电路(MMIC芯片、模组、天线、系统的自主设计研发能力、自主知识产权自主生产制造能力及相关专业技术经验,有助于公司获取更多的业务资源和支持,进一......
博瑞集信推出低噪声、高增益平坦度、低功耗 | 低噪声放大器系列; 【导读】近日,博瑞集信推出两款基于GaAs工艺的宽带MMIC低噪声放大器BR9371DAJ和BR9372FDJ......
HMC1087-DIE数据手册和产品信息;HMC1087是一款8W氮化镓(GaN) MMIC功率放大器,工作范围为2至20 GHz。 该放大器通常提供11 dB小信号增益,+39 dBm饱和......
倍频率比直接生成高频率更加经济的大规模应用。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化。 HMC-XTB110无源x3 MMIC可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混......
HMC329数据手册和产品信息;HMC329为双平衡MMIC混频器,采用芯片(HMC329)、符合RoHS标准的无引脚SMT封装(HMC329LC3B)和SMT无引脚芯片载体封装(HMC329LM3......
HMC392A-DIE数据手册和产品信息;HMC392A是一款GaAs MMIC低噪声放大器裸片,工作频率范围为3.5至7.0 GHz。 该放大器采用+5V电源,提供15.5 dB增益、2.4 dB......
HMC1093数据手册和产品信息;HMC1093芯片是一款集成LO放大器的次谐波 (x4) MMIC混频器。 HMC1093芯片非常适合用作下变频器,RF端口为37至46.5 GHz,IF端口......
HMC1086-DIE数据手册和产品信息;HMC1086是一款25W氮化镓(GaN)功率放大器MMIC,工作范围为2至6 GHz。该放大器通常提供22 dB小信号增益,+44.5 dBm饱和......
供应商 7Hugs Labs S.A.S.以及GaAs 和 GaN 单芯片微波集成电路(MMIC)供应商Custom MMIC。 谈及收购UnitedSiC的缘由,Qorvo表示,Qorvo将利......
HMC424A-DIE数据手册和产品信息;HMC424A芯片是一款宽带、6位、砷化镓(GaAs)、数字衰减器单芯片微波集成电路(MMIC),以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰......
HMC1049-DIE数据手册和产品信息;HMC1049是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为0.3 GHz至20 GHz。该LNA提供16 dB的小信号增益、1.7 dB......
HMC553ALC3B数据手册和产品信息;HMC553ALC3B是一款通用型双平衡、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)混频器,采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装......
HMC797A-DIE数据手册和产品信息;HMC797A是一款GaAs MMIC pHEMT分布式功率放大器,工作频率范围为DC至22 GHz。该放大器提供15 dB增益,+29 dBm输出功率(1......
HMC7586数据手册和产品信息;HMC7586是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)同相和正交(I/Q)下变频器芯片,工作频率范围为71 GHz至76 GHz......
HMC8120数据手册和产品信息;HMC8120是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)可变增益放大器和/或驱动器放大器,工作频率范围为71 GHz至......
HMC-ALH444 产品详情浅谈;HMC-ALH444供应商 HMC-ALH444怎么订货 HMC-ALH444 价格 HMC-ALH444 是一款 GaAs MMIC HEMT 低噪声宽带放大器芯片......
HMC584数据手册和产品信息;HMC584LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC584LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输......
辨率不足一直以来都是毫米波雷达的性能短板。对4D成像雷达来说,一个解决方案是,通过前端射频芯片MMIC级联提供更多的天线虚拟通道,从而增加分辨率。 不过,这就带来了许多问题,比如级联之间的同步信号要做到始终同步,甚至阻抗要完全一致。对于......
USB电源供电,或由两个外部电源供电。 ADMV8818是一款单片式微波集成电路(MMIC),具有可选的数字工作频率。芯片具有4个独立控制的高通和低通滤波器,工作频率范围为2 GHz至18 GHz......
HMC533数据手册和产品信息;HMC533LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC533LP4(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可提......
HMC571-DIE数据手册和产品信息;HMC571是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器芯片,在整个频段内提供10 dB小信号换换增益、3 dB噪声系数和24 dB镜像抑制性能。 该器......
HMC572-DIE数据手册和产品信息;HMC572是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器芯片,在整个频段内提供8 dB小信号换换增益、3.5 dB噪声系数和20 dB镜像抑制性能。 该器......
HMC292数据手册和产品信息;HMC292器件为无源GaAs MMIC双平衡混频器,可用作下变频器或上变频器。 它们采用芯片(HMC292)、符合RoHS标准的无引脚SMT封装......
部分占比约40%,其中MMIC(25%)、PCB(10%)、控制电路(5%);信息处理系统DSP占比10%,后端算法占比最高达50%。 在产业链里,上游是提供射频前端MMIC芯片、数字......
HMC1132PM5E数据手册和产品信息;HMC1132PM5E 是一款四级、砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)功率放大器。该器......
处理器和PCB,占BOM比重分别为20%、30%、10%,得益于MMIC芯片工艺的不断改进下,车载毫米波雷达系统成本已经持续下行至初代工艺对应成本的30%。 1990-2007年间,毫米......
HMC-C582数据手册和产品信息;HMC-C582是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率(pHEMT)功率放大器,封装在微型密封模块中并集成可更换SMA连接......

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foundries.;美国Hittite Microwave公司成立于1985年,是全球领先的基于微波射频MMIC/RFIC方案设计和制造商,主要为射频和微波应用制造从DC到110GHz的单片微波集成电路芯片
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…… Hittite Microwave公司是全球领先的基于微波射频MMIC/RFIC方案设计和制造商,主要为射频和微波应用制造从DC到110GHz的单片微波集成电路芯片和模块。特别是微波MMIC开关,微波MMIC
;深圳市万泰兴电子有限公司;;公司是英国OEi公司在中国的独家代理商,主要代理MMIC
;深圳市永丰信电子商行;;供应微波直放站/基站/通信卫星领域高频元器件.RF功率.功放管.MMIC单片放大.低噪声...
;辉扬电子;;专业现货批发惠普[HP],安捷伦[Agilent],Mini-Circuits;SIRENZA全系列高频/微波管/PIN管/RF管/MMIC/肖特基/菲利蒲射频管/NEC以及各种贴片元件
;得万通实业发展公司;;我公司是UMS公司中国代理,销售各类UMS公司MMIC,包括部分需要出口许可证产品,我公司有正规渠道办理购买。
管、MMIC、混频器、耦合器、功分器、振荡器、合成器、衰减器、滤波器、隔离器、环行器、移相器、调制解调器;光电子元器件和组件:红外发射管、红外接收管、光电开关、光敏管、发光二极管和发光二极管组件、半导
MMIC,MIC的IC设计技术、微小芯片点胶封装专利技术。本公司拥有一支以博士、教授、海外归国专家为核心的高级研发队伍及十多项国际发明专利,其中,多项国际发明专利被评为中国科技计划项目并被国家863
;北京方元明电子技术;;主要经营俄罗斯(乌克兰)电子元器件(IC、晶体管、阻容、接插件、继电器、光电器件和控制器 件);电源高温器件(达到军温以上级别的高端器件);微波器件(电真空器件、MMIC