特性
- 转换增益： 12.5 dB（典型值）
- 镜像抑制： 28 dBc（典型值）
- 噪声系数： 5 dB（典型值）
- 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率： -9 dBm（典型值）
- 输出三阶交调截点(IP3)： -1 dBm（典型值）
- 输出二阶交调截点(IP2)： 20 dBm（典型值）
- RFIN上6倍本振(LO)泄漏： -40 dBm（典型值）
- IFOUT上1倍LO泄漏： -50 dBm（典型值）
- 射频(RF)回波损耗： 5 dB（典型值）
- LO回损： 20 dB（典型值）
- 裸片尺寸： 3.599 mm × 2.199 mm × 0.05 mm
HMC7586是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)同相和正交(I/Q)下变频器芯片，工作频率范围为71 GHz至76 GHz。 HMC7586在整个频段内提供12.5 dB小信号转换增益和28 dBc镜像抑制性能。 该器件采用低噪声放大器，后接由6倍倍频器驱动的图像抑制混频器。
该镜像抑制混频器使得低噪声放大器之后无需使用滤波器。 可针对直接变频应用提供差分I和Q混频器输出。 或者，可利用外部90°混合型器件和两个外部180°混合型器件将输出合并，以实现单边带应用。 所有数据包括IF端口上1 mil金线焊的效应。
应用
- E频段通信系统
- 高容量无线回程
- 测试与测量
数据手册 1
技术文章 1
产品选型指南 1
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| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC7586 | CHIPS OR DIE |
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| HMC7586-SX | CHIPS OR DIE |
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