资讯

超频神条 科赋CRAS X RGB DDR4-4000MHz内存评测(2020-12-10)
RGB DDR4-4000MHz可以19-25-25-45的时序运行,此时工作频率为4000MHz,工作电压为1.4V。这个时候的系统性能表现如何呢?测试结果如下。
WinRAR性能......

拆解中国首批国产DDR5内存:长鑫颗粒现身 比三星大40%!(2025-01-02 11:45:41)
,工作电压1.35V,16GBx2套装499元。
光威也推出了基于国产存储芯片的DDR5内存条,隶属于光威新推出的“龙武·弈”产品系列,工作频率达到6000MHz,时序为CL36-40-40......

见证历史!首款国产DDR5内存终于来了(2024-12-20 16:50:59)
时序:CL36-40-40-96
工作电压:1.4V
容量:16GBx2套装,构建32G双通......

MAX4038数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:58)
MAX4038数据手册和产品信息;MAX4036/MAX4037单路运算放大器和MAX4038/MAX4039双路运算放大器工作于+1.4V至+3.6V (无基准电压)或+1.8V至+3.6V......

科赋CRAS X RGB DDR4-4000灯条小测(2021-01-22)
2.0下支持到4000MHz频率,CL19-25-25@1.4V。
开箱后两条内存就这样躺在了我的眼前~铝制散热片上通过CNC切割显得个性十足。
不同角度下看过去,显现......

使用双 SPST 开关演示信号的无损切换(2023-09-07)
开关。它可在 1.4V 至 4.3V 的宽电源电压范围内工作,具有通常为 0.5Ω 的低导通电阻,以实现设计灵活性。它具有高电流处理能力、耐过压控制输入、高关断隔离和出色的 ESD 性能。本文引用地址:本文......

布局PCIe Gen5企业级存储,江苏华存电子谈市场竞争与挑战(2021-11-16)
目前存储市场鲜有PCIe Gen5产品,不过值得期待的是,已有不少厂商为此蓄力,国内存储厂商江苏华存电子(以下简称”华存电子”)就是其中之一。
近日,围绕PCIe Gen5存储控制芯片进展、企业......

通过利用简易的元器件和计算机实现PC信号源和示波器的构建(2023-05-24)
,于是二极管VD1 和VD2 串联,可以形成1.4V 的正向电压。由二极管的伏安特性,当VD1 和VD2 上的电压超过1.4V 后,它们导通,于是在“麦克风输入(R)”端,也就是保护电路的输出端,电压......

PCIe5开启企业级存储创新之路,江苏华存电子携全系列产品亮相2022存储产业趋势峰会(2021-11-10)
成熟的硬件和固件设计团队发挥自有优势,能够针对不同用户需求,提供理想的定制化服务。
嵌入式存储产品
华存电子将在本次峰会展出自有技术研发而成的eMMC5.1,内存容量范围涵盖16GB/32GB/64GB......

MAX14548AE数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:31)
MAX14548AE数据手册和产品信息;MAX14548E/MAX14548AE 16通道双向电平转换器(LLT)能够在多电压系统中为100Mbps的数据传输提供必要的电平转换。外部电压VCC和VL......

翠展微电子推出超低功耗数字式热释电传感器(2020-04-01)
案通过热释电红外传感器以非接触方式检测出人体辐射的信号,并将该信号转换成电信号输入到芯片中进行信号处理。该芯片的工作电流极低,典型的功耗只有3µA,并且在正常工作模式下具有1.4V-3.6V的宽电压工作范围。目前......

Linear推出采用 TSSOP 封装的 LT3086 较高温度“H 级”版本(2016-09-26)
件包括可编程电源良好状态标记、电缆压降补偿且非常容易并联。LT308x LDO 系列的电流基准可提供调节,而不受输出电压影响。
LT3086 具 1.4V 至 40V 输入电压范围。可用......

芝奇推出DDR5-6400 CL32 32GB (2x16GB) 超低延迟极速内存套装(2022-01-28)
-6400 CL32-39-39-102 32GB (2x16GB) 1.4V超低延迟极速内存套装。此规格目前已在最新第12代Intel® Core i7-12700K处理器,搭配ASUS ROG......

非正弦周期信号的分解与合成(2022-12-26)
正弦波
② 按周期规律变化:
图1所示为常见的非正弦周期信号。(a)为半波整流电路的输出信号;(b)为示波器内的水平扫描电压;(c)为脉冲电路中的脉冲信号;(d)为三极管输出的交直流共存电......

南芯科技推出完整 LPDDR5/5X和LPDDR4X存储器电源解决方案(2023-08-15)
:
● VDD2的输入电压范围为3.1V至28
● 低静态电流
● LPDDR5内存电源解决方案兼容 LPDDR5X和LPDDR4X......

游戏内存怎么选?科赋BOLT X电竞内存超频测试(2020-12-22)
仅是读写速度方面有了大幅提升,内存的延迟速度也有所降低。
将内存电压增加0.1V,时序保持不变的情况下内存可以轻松超频至4000MHz,此时的内存读取速度为52838MB/s,写入速度为56154MB......

LTC5589数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:30)
输入端施加 90° 相移信号可以实现单边带调制或边带抑制上变频。可把 I/Q 基带输入端口 AC 或 DC 耦合至一个具有大约 1.4V 共模电压电平的电源。SPI 接口负责控制电源电流、调制......

MAX19708数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:12)
= 4.32MHz时,-3dB截止频率为1.32MHz,阻带抑制> 55dB。模拟I-Q满量程输出电压范围可选择为±410mV或±500mV。输出直流共模电压在0.9V至1.4V之间可选。可调节I/Q信道......

Diodes 单信道受控回转率负载切换器进一步提升可靠性(2019-11-07)
功能在装置停用期间处于关闭状态,该装置内部会完全隔离 VIN 和 VOUT 端。 AP22913 负载切换器能够在 1.4V 到 5.5V 的电压下运作,且仅会损耗 1µA 的静态电流,是 1.8V......

英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT(2023-05-18)
IGBT技术,具有最低的导通损耗和开关损耗,这可以使电动商用车的电池电压达到450Vdc。
120-200A 750V......

圣邦微电子推出2A、高精度、低噪音、低压差线性稳压器SGM2049C(2023-08-29)
够提供 2A 输出电流,典型压差仅为 80mV。工作输入电压范围为 1.1V 至 7V(有 BIAS)和 1.4V 至 7V(无 BIAS)。SGM2049C 的输出电压可通过引脚选择设置为 0.8V......

速开关,可提升车载充电机整机效率。
碳化硅肖特基二极管B1D30120HC的特点如下:
1、结温最大额定值为175℃,存储温度范围为-55~175℃,符合车载高温应用要求。
2、反向电压(重复峰值)最大......

兼容C3D02065E,碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源(2023-08-16)
功率开关电源中可以有效提高电子设备的安全系数。
基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D02065E性能优势:
1、B1D02065E直流正向电压典型值仅为VF=1.4V,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压......

展场回顾|你错过了哪些2021 ELEXCON上的存储亮点?(2021-10-02)
克、朗科、宇瞻科技、时创意、宏旺、置富科技、江波龙、华存电子、宏芯宇、沛顿科技、东芯半导体、金胜、东方聚成等,涵盖了主控、模组、封测等产业链各环节。
那么,这些......

13位演讲嘉宾干货集锦!集邦咨询2022存储产业趋势峰会圆满结束(文末有彩蛋)(2021-11-20)
进入市场的元年,DDR5内存挟带着高时脉与低电压的特性,加上国际大厂陆续支援之下,明年下半年将有一定程度的渗透率 ,内存均价跌幅有机会开始收敛,不排除价格走稳的可能性。
西部数据刘钢——数智视野,芯存......

SK海力士重磅消息:NAND Flash达到300层,“两王”之争谁是上风?(2023-03-23)
新的技术。
首先,其拥有三重验证程序(TPGM) 功能可缩小单元阈值电压分布,并将 tPROG (编程时间) 减少 10%,从而......

这家公司PCIe5.0 SSD控制芯片成功流片,下半年投入量产(2022-04-24)
这家公司PCIe5.0 SSD控制芯片成功流片,下半年投入量产;4月24日南通日报消息,江苏华存电子科技有限公司(以下简称“江苏华存电子”)自主研发出国内首颗PCIe5.0 SSD存储......

RGB补完计划之机箱里最靓的仔,科赋CRAS X RGB(2020-12-28)
灿的金手指也标明了它们全新产品的身份,不是别人用过的。
既然是套条,这一对内存自然是连号的,一个37,一个38,同时能看到贴纸上面有标明CL 19-25-25 电压1.4V,频率4000,看着......

AMD Zen底层架构大揭秘,有望挑战Intel(2017-02-10)
单独控制每个CPU核心的电压(以及频率),还有RDL(电压分布层)、RVDD、VDD(核心电压控制)、VDDM(缓存电压控制)等等,二级、三级缓存也都是单独供电,同时加入了大量先进的频率、电压、温度......

DRAM将跨入3D时代(2017-03-17)
还是维持2D架构;在此同时,DRAM制程的微缩也变得越来越困难,主要是因为储存电容的深宽比(aspect ratio)随着元件制程微缩而呈倍数增加。
因此,为了要延长DRAM这种存储的寿命,在短......

企业级存储创新之路如何走?江苏华存电子瞄准PCIe5.0(2021-12-07)
企业级存储创新之路如何走?江苏华存电子瞄准PCIe5.0;2021年11月18日,江苏华存电子技术总工程师魏智汎现身由全球高科技产业研究机构TrendForce集邦咨询在深圳主办的“MTS2022......

翠展微电子推出可编程超低功耗热释电信号调理芯片M8601(2020-11-24)
过处理之后的数字信号或I/O信号以单线通信模式(兼容DOCI)传输给外部单片机或负载电路。在正常工作模式下芯片工作电压范围是1.4V-3.6V,芯片具有极低的功耗电流,在工作电压3V条件下,整个......

巨头们低调发力,3D DRAM或在未来3年成为主要方向(2023-03-16)
成为未来的新增量。
然而,庞大的需求端下,是人们不断增长的对高容量、高性能、小存储单元尺寸以及低功耗存储设备需求,这也使得DRAM在带宽和延迟方面的挑战更为紧迫,带宽指的是可以写入内存......

阻容降压的正确计算方法,再也不会看不懂了!(2024-09-14 14:51:48)
换算成交流的有效值才能计算;
整流桥一个半波周期经过了两个二极管,所以还要减去两个二极管的压降2Ud=1.4V;
根据设计要求,Udc的电压......

三星新设内存研发机构:建立下一代3D DRAM技术优势(2024-01-30)
三星新设内存研发机构:建立下一代3D DRAM技术优势;称其已经在美国硅谷开设了一个新的研发(R&D)机构,专注于下一代3D 的开发。该机构将在设备解决方案部门美国分部(DSA)的硅......

用非常高。
B1D05120K电路图
其次,B1D05120K总电容电荷典型值仅分别为32nC,可以大大提高电路开关效率,基本上没有开关损耗。同时,在常温下,导通正向电压典型值仅为1.4V(2A、25℃时),总功......

平面→立体,3D DRAM重定存储器游戏规则?(2023-03-22)
手机等应用的爆发式增长,使DRAM在半导体存储器市场中占据着举足轻重的地位。
经过数十年的成长,DRAM早已成为半导体主流存储器之一,并成为了目前最常见的内存产品,还形......

平面→立体,3D DRAM重定存储器游戏规则?(2023-03-20)
导体市场中占据着举足轻重的地位。
经过数十年的成长,DRAM早已成为半导体主流存储器之一,并成为了目前最常见的内存产品,还形成了由三星、SK海力士、美光等三大巨头为主导的市场格局。
从本质上讲,DRAM是一种易失性的、基于......

平面→立体,3D DRAM重定存储器游戏规则?(2023-03-20)
电脑、智能手机等应用的爆发式增长,使DRAM在半导体存储器市场中占据着举足轻重的地位。
经过数十年的成长,DRAM早已成为半导体主流存储器之一,并成为了目前最常见的内存产品,还形成了由三星、SK海力......

使用钽电容器的引爆系统与传统雷管对比有何优势?(2023-10-20)
使用电容器作引爆元件的储能器件。与其他电容技术相比,模塑钽 (MnO2) 电容器能够储存电荷(低漏电流),能量密度高,是电子引爆系统的理想选择,可留出更多时间,释放更大电压确保正确起爆。对于......

Bourns 推出全新BMS 信号变压器(2024-02-29)
Bourns 推出全新BMS 信号变压器;专为更高能量储存电池管理系统应用优化而设计
Bourns® SM91801AL 专为配合与 Analog Device 型号 LTC6815 系列、NXP......

Bourns 推出全新BMS 信号变压器 专为更高能量储存电池管理系统应用优化而(2024-02-29)
Bourns 推出全新BMS 信号变压器 专为更高能量储存电池管理系统应用优化而;2024年2月28日 - 美国柏恩 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商,全新......

下半年量产,这家公司首颗PCIe5.0主控芯片在台积电成功流片(2022-04-25)
下半年量产,这家公司首颗PCIe5.0主控芯片在台积电成功流片;据南通日报报道,由江苏华存电子科技有限公司成功自主研发出国内首颗PCIe5.0 SSD存储控制芯片并在台积电成功流片,预计......

总投资100亿,合肥沛顿存储封测项目首线设备搬入(2021-11-01)
为国内自主存储半导体龙头提供封装和测试业务,专注于动态随机存储器DRAM、NAND Flash的颗粒封装测试及晶圆中测Chip Probing和内存模组制造业务。
该项目于2021年3月启动建设,6月26日实......

重磅!平头哥发布首颗存储主控芯片镇岳510,实现4μs超低时延(2023-11-01)
内置了平头哥自研的高性能LDPC纠错算法,编码效率逼近香农极限,同时ErrorFlow相比业内SSD更优一个数量级;同时借助平头哥自研闪存电压预测算法,可以在各种闪存的不同工况、寿命、温度等条件下,准确预测闪存电压......

LTC2362数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:02)
-23小型封装和高采样速率与功率比,因而非常适合紧凑的低功耗、高速系统应用。在许多应用中,高阻抗单端模拟输入和以更小的跨度(低至1.4V满量程)运行的能力允许直接连接到传感器,从而无需增益级。......

陶瓷电容容量衰减与电压的关系(2023-09-01)
瓷电容所用的材料是具高介电常数的陶瓷,主要成分为钛酸钡,其相对介电常数约为5000,介电常数较高。
由于电介质能够将电场的强度降下来,这样就不容易被击穿,因而可以提高电容器储存电荷的能力,也就是提高了电容量。但在高电压下,介质......

领先三星、格罗方德!台积电 ISSCC 2017 首揭 7 纳米 FinFET 技术(2016-11-15)
电设计暨技术平台组织副总侯永清将担任特邀报告(Plenary Talks)讲者。
这次台积电 5 篇论文获选(美国台积电 1 篇),2 篇论文为类比电路领域,内存电路设计则有 3 篇。此次 ISSCC......

汽车定速巡航怎么使用(2023-09-19)
讲解匹配设计与计算
3.3.1.两路MCU ADC冗余设计
鉴于巡航信号危及生命的重要信号,设计上需要考虑一路MCU ADC失效,不能导致巡航功能失效或乱动作,故设计两路MCU ADC采集原始电压值,可在......

超低功耗无线 MCU:玩转睡眠模式(2023-06-29)
并非始终必需,仅在应用有任务调度程序、实时操作系统 (RTOS) 或保持无线连接时为必要选项。需要保留多少内存具体取决于应用需求、无线堆栈和硬件设计。我们可以从硬件设计入手,如果内存电......
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呆料回收】【电子废料回收】【库存电子转卖回收】 【电子呆料收购】【处理积压电子】 【呆料电子收购】【购库存电子料】【电子元器件回收】【电子料处理】 【内存回收】 【回收IC】 【钽电容回收】 【电子
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;金薇电子有限公司;;金薇电子成立于2000年。专业回收电子工厂库存电子料,秉承着专业为本,诚心为原则,帮助客户消化积压库存电子料,迅速回笼资金。。我们的业务分布在华南珠三角地区和华中。 主要
、咪头、肖特基、场效应管等等,回收工厂库存电子产品、电子料。收购U盘、MP3、MP4、MP5、内存卡、液晶屏、GPS、数码相框、数码相机、手机配件等等。(请百度或GOOGLE搜联系方式)回收各种IC。
、咪头、肖特基、场效应管等等,回收工厂库存电子产品、电子料。收购U盘、MP3、MP4、MP5、内存卡、液晶屏、GPS、数码相框、数码相机、手机配件等等。(请百度搜联系方式)回收各种IC。
元件). 大量现金诚购海内外库存呆料,工厂、公司、个人库存电子元件,集成电路/手机芯片/内存芯片/电脑芯片/通讯芯片/二三极管/传感器/SMD电容/电感/钽电容等贴片元器件。热诚欢迎广大客户来电咨询和洽谈合作!