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的 176 层 4D NAND 结合而成的模组产品,支持 PCIe 第五代 (Gen 5) 标准。 与上一代相比,读写速度分别最高提升了 130% 和 49%。另外,该产品具备改善 75% 以上......
能上,PCB01固态硬盘表现出色。其顺序读写速度分别高达14GB/s和12GB/s,为PC用户带来了前所未有的极速体验。与上一代产品相比,PCB01的能效提升了30%以上,这一显著的提升对于确保大规模AI计算......
正在与全球PC客户紧密合作,对新产品进行严格的验证。预计验证完成后,将在今年内正式开启大规模生产,同时面向大型客户和普通消费者推出这一卓越产品。 在性能上,PCB01固态硬盘表现出色。其顺序读写速度......
的重要部件。毕竟闪存决定着手机读写数据的速度,手机闪存读写速度越快,手机安装或者启动APP以及存放文件的速度也就越快。 手机的闪存的内部构造与U盘和SSD的差异不太,同样具备了NAND(存储......
的缓存空间代表同时可处理和储存的数据更多,属与设备必须的组成部分。 易失性存储器在断电状态下数据会丢失,包括动态随机存储器(DRAM)和静态随机存储器(SRAM)。SRAM的读写速度......
主控芯片承担数据的读取、写入。由于AI应用对数据处理速度、准确性、能效比以及安全性的高要求,相比传统SSD,AI SSD对主控芯片的要求更为严格与复杂。 以高性能为例,AI SSD主控芯片应具备极高的连续读写速度......
器用存储器市场在低迷的情况下也在持续增长,在这种情况下,公司展示了汇聚最高竞争力技术的新产品。”实际上,PS1010与上一代相比,读写速度分别最高提升了130%和49%。另外,该产品具备改善75%以上......
开发适用于智能手机和PC的客户端SSD(Client SSD)解决方案产品,并在5月已开始量产。 从性能角度来看,SK海力士238层TLC NAND IC的关键优势在于其2400 MT/s的接口速度,这比上一代增加了50......
依赖物理分离的服务器进行计算。由于智能手机或PC等终端设备自行收集信息并进行计算,可提升AI功能的反应速度、加强用户定制性AI服务功能。 SK海力士表示:“公司业界率先将PCB01适用了‘PCIe* 5.0......
备本身上实现AI运行,而非依赖物理分离的服务器进行计算。由于智能手机或PC等终端设备自行收集信息并进行计算,可提升AI功能的反应速度、加强用户定制性AI服务功能。 SK海力士表示:“公司......
技术团队解释说:"服务器用存储器市场在低迷的情况下也在持续增长,在这种情况下,公司展示了汇聚最高竞争力技术的新产品。" 实际上,PS1010与上一代相比,读写速度分别最高提升了130%和49%。另外,该产......
技术团队解释说:"服务器用存储器市场在低迷的情况下也在持续增长,在这种情况下,公司展示了汇聚最高竞争力技术的新产品。" 实际上,PS1010与上一代相比,读写速度分别最高提升了130%和49%。另外,该产......
依赖物理分离的服务器进行计算。由于智能手机或PC等终端设备自行收集信息并进行计算,可提升AI功能的反应速度、加强用户定制性AI服务功能。SK海力士表示:“公司业界率先将PCB01适用了‘PCIe* 5.0 x8......
产品采用了先进的制程和存储技术,具备更高的容量、更快的读写速度以及更可靠的数据保护等特点。 在云端服务器领域,江波龙旗下行业类存储品牌FORESEE推出了DDR5 RDIMM与PCIe SSD的产......
内存,总容量为32GB。而HBM拥有更紧凑的结构、更高带宽、更快的数据传输速度以及更低的功耗,Waymo自动驾驶汽车使用HBM2E尚属行业首次。目前还未知,特斯拉汽车是否会跟进采用HBM。不过SK海力士......
(16GB×2)超频到工作频率DDR4-4000时,读写速度分别为:56716MB/s、56618MB/s,延迟为62.3ns。 (金泰克战虎Z3测评数据) 当金泰克战虎Z3(16GB......
文件会先从硬盘复制到内存,然后CPU再跟内存进行数据交换。这是因为内存的读写速度要比硬盘快得多。你甚至可以把CPU看作是皇上,内存看作是太监,硬盘看作是你。你想向皇上提交一份奏章让皇上审批,首先......
SSD控制器支持八条NAND通道,每通道速率高达3600MT/s,提供高达14.5 GB/s的顺序读写速度和2.5M IOPS的随机性能。据悉相较于PCIe Gen 4产品,其性能提升达2倍,同时......
快 50%,并且改善了约 20% 的读写性能。 SK 海力士表示,计划在完成智能手机客户公司的验证后,首先向移动端产品供应 238 层 NAND 闪存,随后将其适用范围扩大到基于 PCIe 5.0......
微控制器具有更广泛的供应基础。 在新型存储器中,RRAM不仅满足高读写速度和存储密度的要求,同时延迟可降低1000倍,可满足未来智能驾驶高实时数据吞吐量。安全性方面,RRAM具备可靠性,未来......
积电的合作成功奠定了RRAM在汽车领域的基础,并使其Autrix系列微控制器具有更广泛的供应基础。 在新型存储器中,RRAM不仅满足高读写速度和存储密度的要求,同时延迟可降低1000倍,可满......
普通电脑用户、游戏玩家以及内容创业者。产品提供高达3500MB/s和3000MB/s顺序读写速度,随机读写性能达到500K和400K。 5月,三星发布了业界首款CXL(Compute Express......
%, 使数据写入速度提高约35%。 除了智能手机,新产品还可用于个人电脑和服务器配备的存储器固态硬盘(SSD)等。目前,SK海力士已开始向客户企业提供样品,计划2021年中期开始量产。 “堆叠......
机械硬盘,在读取速度、震动稳定性上有了显著提升,因此早在电子设备中非常常见,但是其弊端也非常明显,即擦写寿命相对较短。 相比eMMC读写速度通常在几十兆每秒到一百多兆每秒,UFS使用......
前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。DRAM读写速度比Flash快、成本高、功耗较大、寿命长、结构简单集成度高,Flash的优势在 于容量大、成本低。DRAM和NAND Flash分属......
也改善了约20%的读写性能,由此公司自信,可将为采用该产品的智能手机和PC客户提供更高的性能。SK海力士计划在完成智能手机客户公司的验证后,首先向移动端产品供应238层NAND闪存,随后......
SK海力士宣布量产238层4D NAND闪存; 【导读】SK海力士(或‘公司',https://www.skhynix.com)8日宣布,已开始量产238层4D NAND闪存,并正......
SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存;· 开始量产并同时与全球智能手机客户公司进行验证 ·以业界最高层、超小型产品,确保最高水平的成本和品质竞争力 · “以NAND技术......
,并显著改善生产效率、数据传输速度、功耗等特性 · “公司将持续创新并不断突破技术瓶颈” 2022年8月3日,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。 近日......
发光后,更能让原本漆黑一团的机箱下部,拥有靓丽夺目的光彩。顺序读写性能与性能级产品尚有一定差距,但由规格可看出此款为中阶定位产品,而4K读写速度却可以稳居第一梯队,因此日常使用会有着出色的体验。......
手机的同学应该知道,手机内部非易失性存储常见的设备类型应该是eMMC和UFS。了解更深入一些的则可能知道,现在的手机普遍都在用UFS,因为它比eMMC在读写速度上快了很多。比如三星、小米......
、2TB、4TB四种容量版本,其中500GB容量的顺序读写速度分别可达4700MB/s,1900MB/s;1TB容量的顺序读写速度分别可达5000MB/s,3600MB/s;2TB容量的顺序读写速度......
别光想着省钱!32GB iPhone 7读写速度太低;曾有业内人士多次表示,如果今年购买新款iPhone,最好避开存储容量为32GB的iPhone 7和iPhone 7 Plus,多花100美元......
2021年准备迎接存储器成长周期,各厂商摩拳擦掌;根据外媒报导,随着2021年全球三大存储器厂将陆续大规模量产下一代DDR5 DRAM,预计存储器市场将迎接下一个成长周期,这使得三星、SK海力士......
,英特尔第一款NAND闪存产品姗姗来迟,容量为12MB。 在各家追逐市占率和产量的同时,新的技术也在不断出现,最初NAND闪存技术以SLC架构为主,该架构的优点在于读写速度快且稳定性高。1997......
价格下降容量翻升                                  自三星成功推出3D V-NAND技术的固态硬盘后,超过500M/s的读写速度另全新的3D V-NAND技术成为吸引众多消费者的亮点。并且继三星后,SK Hynix、东芝/闪迪、Intel/美光......
果是用在移动硬盘、笔记本电脑等移动设备上,并且恰好在读写数据时“碰撞了一下”,那么机械硬盘就很容易坏了。而固态硬盘因为读写过程中不依赖这种机械结构,所以不用担心这方面的问题。 固态硬盘:随机读写速度快 硬盘的读写速度可以大致分成顺序读写速度和随机读写速度......
-MMC(JEDEC版本5.1)和UFS(JEDEC版本2.1)提供了强大的集成控制器技术,可提供显著的读写速度改进。 与原来的NAND闪存解决方案相比,e-MMC和UFS将NAND闪存......
测试,科赋内存条的表现提升不少,读写速度、复制速度等表现明显比三星2666MHz高不少,3200MHz的表现不俗。 双通道测试: 目前来看,科赋内存条为DDR43200MHz8G......
SK海力士开发新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS 4.0”;· 作为业界最高性能产品,将于今年第3季度开始量产并搭载于端侧AI手机 · 与前一代产品相比,长期......
-26-46下,写入复制带宽分别为61GB/s、61.5GB/s、57GB/s,延迟62.3ns。 这里的读写速度变化不大,主要是延迟增加了不少,从55.1ns直接到了62.3ns。 2......
背面有更为详细的产品参数,不过是全英文书写,对于国内用户来说阅读起来门槛不低。中间位置列出了不同容量C710 M.2固态硬盘的官方读写速度,便于用户上手后实际测试以辨真伪,例如512GB容量的读取速度......
高达 5,000MB/s ,顺序写入速度高达 3,900MB/s。硬盘的随机读写速度也进一步提升,随机写入速度可达 950,000 IOPS ,1TB容量的随机读取速度高达 770,000 IOPS ,2TB容量的随机读取速度......
NAND为主。 从平房到摩天大楼,各大原厂的谋略 随着应用领域和使用场景愈发多样化,市场对NAND Flash的要求也随之提升,譬如想要更高的读写速度、最大化的存储容量、更低的功耗和成本等。可采......
-SC28 的两款显存颗粒现已上线三星半导体官网,分别达 28Gbps / 32Gbps 速率,单颗容量 16Gb。 SK 海力士则表示正在研发速度更快的显存模组,目标定在了更高的 40Gbps......
是“暴风”和“旋风”。 产品包括主打高性价比的旋风120GB以及主打高性能的暴风256GB,二者均面向游戏玩家。 规格方面,旋风120GB版采用的是磨砂质感的外壳,持续读写速度可达580MB/s以及......
是“暴风”和“旋风”。 产品包括主打高性价比的旋风120GB以及主打高性能的暴风256GB,二者均面向游戏玩家。 规格方面,旋风120GB版采用的是磨砂质感的外壳,持续读写速度可达580MB/s以及......
可分为SLC、MLC、TLC、QLC、PLC,这五种闪存颗粒每单元可存储的信息是层层递进的,以主流TLC为例,其又可被称作三层式存储,成本低,质量、读写速度以及寿命可以满足普通消费者需求,因而......
的82%,而该市场主要由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士和Solidigm领导。第三方市场则由金士顿、希捷和威刚等厂商主导。   数据存储主控芯片是存储器的大脑,负责......
iPhone 7皇帝版比乞丐版快十倍?!彻底真相了;众所周知,SSD的读写速度跟容量有很大关系,一般来说,同一款型号,大容量的要比小容量的读写更快。这主要跟闪存集成芯片数量有关。 比如,主控......

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百兆芯片类似NAS千兆芯片,以每秒10-11MB的网络读写速度运行。 •NDAS技术比NAS技术更加安全,使用更加方便,速度更加迅速稳定。 千兆网络芯片:NDAS3011 停产 :NDAS3012 生产
hynix;海力士;;Hynix 海力士芯片生产商 源于韩国品牌英文缩写"HY"海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士.代表理事:权吾哲(권오철)。 海力士半导体在1983年以
,AUTORUN自动播放;   8、读写速度快:USB2.0 写入速度:4~8MB/s 读取速度:8~12MB/s;   9、数据存储持久稳定,根据存储介质不同,最高使用的次数达10万次。   10
;海奇电子;;主营 三星,海力士memory
;四川星迪科技发展有限公司;;海力士 旺宏 南亚 二三极管
;深圳市科乐微电子商行;;深圳市科乐微电子商行 经营品牌 三星samsung、海力士SK hynix、镁光micron、东芝Toshiba、闪迪Sandisk、南亚Nanya、金士顿Kingston
;深圳市鑫创半导体有限公司;;主要销售:集成电路IC,二三极管 TI 电源类芯片 ST EEPROM 海力士闪存,欢迎各大采购商来电咨询洽谈。
flash和Nand flash支持 在线Flash烧写功能,烧写速度可达120KBytes/S以上 支持ARM7、ARM9、ARM9E系列ARM处理器的调试
卡尔)、Fairchild(仙童)、Vishay(威世)、International Rectifier(国际整流器)、Mxic(旺宏)、Hynix(海力士)、ISSI(芯成半导体)、Infineon