资讯
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策;搞电力电子的同学想必经常被“”这个词困扰。增加开关延时不说，还可能引起寄生导通，增加器件损耗。那么是如何产生的，我们又该如何应对呢？本文引用地址：
我们......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
升到最大电流时，Id不再变化，Cgs也不再变化。
这时输入电压不给Cgs充电，而是给Cgd米勒电容充电，然后MOS管完全导通。
MOS管完全导通之后，输入电压不再经过米勒电容，又继续给Cgs充电......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
幸的是，碳化硅材料形成的SiC-SiO2界面，缺陷密度要比Si-SiO2高得多。这些缺陷在电子流过会捕获电子，电子迁移率下降，从而沟道电阻率上升。
平面型器件怎么解决这个问题呢？再看......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
名：
反馈电容又称米勒电容......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
看出这是一个负反馈的过程。所以Cgd也叫反馈电容。
2. 米勒电容在MOS开通过程中带来的问题
1. dv/dt 限制
当MOS管 DS两端电压迅速上升的时，通过Cgd所产生电流在MOS管GS两端......
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项，您知道吗？(2024-06-14)
能会降至1.5V。这意味着超过1.5V的噪声会导致开启。这具有很大的潜在风险，因此需要考虑抑制噪声，这使得设计变得困难和复杂。
即使成功抑制，由于电桥应用中的米勒电容器，可能会因所谓的寄生导通效应......
正确理解驱动电流与驱动速度(2022-01-27)
时门极驱动电压和驱动电流的简化时序图。t1 到 t2 这段时间是门 极驱动的源电流(IO+)从零开始到峰值电流的建立时间。在 t3 时刻，门极电压达到米勒平台，源电流开始给 MOSFET 的米勒电容充电。在 t4 时刻，米勒电容......
加大柏克莱分校发现新晶体管设计，以帮助芯片降低运算功耗(2022-04-12)
该项由就论文作者的Sayeef Salahuddin指出，当前要透过价值数以兆计美元的半导体产业才能做到的进步，基本上我们的研究已经可以进行突破。据了解，这样的能耗状况的提升，是通过一种叫做负电容效应......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
是时间和门电阻的散热情况。
C.GE 栅极-发射极电容C.CE 集电极-发射极电容C.GC 门级-集电极电容（米勒电容）
Cies = CGE + CGC 输入电容Cres = CGC 反向电容......
英飞凌推出2300 V隔离EiceDRIVER™ 2L-SRC 紧凑型栅极驱动器(2021-06-08)
一个由于经过开通过程会产生几kV/us的dv/dt。这将使该管经由Cgc电容产生电流灌入门极，可能引起门极电压的抬升进而导致器件开通。因为Cgc又被称为米勒电容，所以我们称这样的开通为米勒开通。而把能泻放这一分布电流的电路称为米勒......
纳芯微容隔技术，从容应对电源难题(2023-07-20)
硅驱动芯片的新功能是“米勒钳位”，随着SiC的开关，桥臂中点有很大dv/dt，下管Cgd电容会产生一个米勒电流，即使下管处于关断状态，也会通过下管关断电阻产生一个压降。考虑到碳化硅器件的导通阈值比较低（2V......
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
的快速增加导致电流流过寄生电容 Cgd 或 Cge （该寄生电容称为米勒电容，位于 MOSFET 内），其路径如图 31 所示。相应的关系为：
米勒电流根据栅极电阻以及 Cgd 与 Cgs 之比......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
情况可以通过最小化 mos 管 周围的杂散电感和电容来防止杂散振荡，还应使用低阻抗栅极驱动电路来防止杂散信号耦合到器件的栅极。
十一、“米勒”效应
mos 管 在其......
变频器与漏保一起搭配要注意什么？(2024-08-14)
频器选了相应的漏电保护器。最后的结果是：变频器一起动，漏电保护器就动作，系统根本无法运行。那这是为什么呢？漏电保护器的原理是，零序电流为零。而使用变频器时，零序电流不可能为零。变频器输出侧为PWM波，电机电缆与大地之间有长电缆的电容效应......
电工必会的基础知识，使用得心应手(2024-10-11 08:00:52)
、电容效应或压电效应等原理来测量压力。
7、信号......
真金无惧火炼 ——魏德米勒电气联接方案在钢铁行业的应用(2024-09-25)
真金无惧火炼 ——魏德米勒电气联接方案在钢铁行业的应用; 近年来，国内某知名钢铁集团致力于推动传统钢铁主业的高质量发展，通过提高电控自动化水平，进一步优化产品质量和产能效率，不断......
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识(2023-02-08)
生因素：
1）开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。
图1 功率开通过程
2）功率输出电容COSS储存......
e络盟开售东芝最新智能栅极驱动器(2022-10-14)
保护IGBT免受逆变器应用中产生的过流损坏。米勒钳位功能可绕过IGBT接地时产生的米勒电流来抑制栅极电位升高和IGBT故障。TLP5212需要通过输入侧信号从关机保护重置到正常工作状态，TLP5222则可......
“风”、“光” 无限——魏德米勒电联接技术在新能源储能系统的应用(2024-01-16)
“风”、“光” 无限——魏德米勒电联接技术在新能源储能系统的应用;
缓缓转动的巨大白色风机叶片，在明媚阳光下熠熠生辉的太阳能电池板矩阵……，这些让人越来越熟悉的“风光”新能......
炮弹爆炸弹片速率测试系统的工作原理和方案设计(2023-06-09)
看出，弹片与靶上不同电平的二导线连接时，由于弹片的电感效应和导线间的电容效应，正好形成了LC振荡，等效电路如图5所示，导致采集的波形不再是图4所示的理想波形。为了减小波形振荡，需要选择合适的材料，同时合理布线以减小导线的分布电容......
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法(2022-12-05)
Trench 技术，可以实现具有极高阈值电压 (Vth) 和低米勒电容的 MOSFET器件。相比其他 SiC MOSFET ，它们对于不良的寄生导通效应更具弹性。除了 1200 V 和 1700 V......
基于6N3双三极管的衰减式唱放均衡电路设计(一)(2023-08-02)
后一级电路的Cgk、密勒电容便会迭加在C2上共同影响了电路的高频均衡特性，通常我们要在C2的值上减去后级等效的输入电容数值才会避免因后级密勒电容所带给均衡网络的均衡误差，当然，均衡......
电动汽车直流充电桩设计指南完整版来了，全干货！(2024-06-06)
低边 MOSFET 自导通的风险。主要的原因包括米勒电容、栅极电阻和高 dv/dt。解决方案之一是使用提供负栅极电压的栅极驱动器。
NCP51752 是一款单通道隔离栅极驱动器， 拉电流和灌电流峰值分别为 4.5......
电动汽车直流充电桩设计指南完整版来了，全干货！(2024-07-09)
器由使用宽禁带元件的电桥组成，存在低边 MOSFET 自导通的风险。主要的原因包括米勒电容、栅极电阻和高 dv/dt。解决方案之一是使用提供负栅极电压的栅极驱动器。
NCP51752 是一......
示波器探头的选择和作用及原理(2023-01-05)
的阻性负载
容性负载相当于在被测电路上并联了一个电容，对被测信号有滤波的作用，影响被测信号的上升下降时间，影响传输延迟，影响传输互连通道的带宽。有时，加上探头时，有故障的电路变得正常了，这个电容效应......
功放aux单声道怎么解决(2023-10-26)
功放aux单声道怎么解决;如果您的功放只支持单声道，但您希望使用aux输入播放双声道音频，您可以尝试以下解决方案：
1. 使用一个Y型转换器将左右声道合并成一个单声道信号，并连......
浮球液位传感器被卡死怎么办？(2024-03-26)
式液位传感器如果在含有杂质的液体中检测液位极易出现浮球卡死的现象，因为漂浮的杂质一旦进入到浮球中，浮球就会被卡住无法动作，而液体黏稠的也同样会是浮球卡住。那么我们怎么解决这个问题呢？
浮球......
东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计(2022-08-31)
功率器件在启动上下桥臂功率器件的开关过程中，米勒电流产生噪声或引起这些功率器件故障的现象。......
东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计(2022-08-31)
功率器件在启动上下桥臂功率器件的开关过程中，米勒电流产生噪声或引起这些功率器件故障的现象。......
什么是交流测速发电机的剩余电压？怎么解决？(2023-05-31)
什么是交流测速发电机的剩余电压？怎么解决？; 交流测速发电机是一种常用于工业、船舶等领域的发电机。
交流测速发电机的剩余电压通常是指转子绕组中的电压，这些电压来自于定子绕组中的交变磁场。在测......
type-c耳机插上没反应怎么办(2024-06-24)
type-c耳机插上没反应怎么办;以下内容中，小编将对Type-C耳机的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对Type-C耳机的了解，和小编一起来看看吧。
一、Type-C耳机插上没反应怎么......
中国光伏行业协会发布《关于进一步提升光伏电池效率计量测试能力的倡议》(2024-07-24 13:55)
业签字响应该倡议。
该《倡议》指出，在技术推进过程中，由于受电池结构和工艺差别、各家测试装置不同、标准电池溯源机构差异、电池电容效应等因素影响，准确测量电池效率的难度增大，各家......
我国科研团队发现铁电材料中的“奇点”(2024-05-20)
中观察到了面内面外呈发散和汇聚特征的极化布洛赫点。
极化布洛赫点的负电容效应的相场模拟结果。(a) 负电容区域（绿色）和布洛赫点（红色）的分布；(b-f) 布洛赫点的极化构型图和电场分布图；(g, h) 穿过......
OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点(2022-12-06)
中的应用场景多为高电压和高开关速率的场合，因而在开关时的dVds/dt比普通Si MOSFET显著增加。以桥式电路为例，在上管快速开通、下管关断时，下管的Vds会升高，此时电荷通过米勒电容Cgd转移至下管门极，会造......
汽车传感器故障怎么解决(2023-07-19)
汽车传感器故障怎么解决; 汽车传感器故障怎么解决
汽车传感器故障最常见的两个故障解决办法：
进气压力温度传感器。
损坏现象：
①ON档，发动机故障灯常亮；
②原地......
电能质量分析仪谐波的用途和目的是什么？(2023-03-06)
电能质量分析仪谐波的用途和目的是什么？;什么是谐波？如何计算？结果怎么解读？
谐波那么多算法，有啥区别？我该用哪种？
谐波功率潮流怎么判断？
超高频谐波有啥危害？标准规定是如何计算的？
你有......
电驱动系统故障怎么解决 电驱动系统技术的发展趋势(2023-08-10)
电驱动系统故障怎么解决 电驱动系统技术的发展趋势;豪华车型峰值功率在300KW以上，百公里加速5S左右，最高车速180Km/h左右；主流经济车型峰值功率在100KW左右，百公里加速10S左右，最高......
音箱的红外被阻隔后怎么解决(2022-12-05)
音箱的红外被阻隔后怎么解决;由于酒店的设计原因，导致智能音箱和所控制的设备直接被阻隔，比如：音箱在房间，温控面板在门口。这种情况有两种解决方法。
一。使用红外延长线
这个方案，成本低。但是......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
开关损耗。除了集成化的结构以外，在M-MOSTM中还采用了一种新型的分离栅MOSFET结构，具体可见上图右下图的位置②部分，它可有效降低器件的密勒电容，降低开关损耗。
M-MOSTM结构......
一分钟了解IC电源管脚为啥用0.1uf而不是0.01uF？(2024-11-04 21:17:04)
还有储能的作用，0.01uF电容容值较小，没有0.1uF电容效果好。
......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
半桥电路的控制要求。
2、IGBT驱动
IGBT常被用于中大功率数字电源开发，其驱动电压范围为-15~15V。IGBT驱动电路分为正压驱动和负压驱动，两者的区别在于关断时的门极电位。采用负压关断可以避免因米勒电容......
功放机的混响怎么调_功放机声音小怎么维修(2024-01-26)
输出声音小将会很简单。
功放机输出无声音故障如何解决
大家家里如果有功放的话就比较清楚，使用过程中也会出现一些大大小小的问题，比如说功放机输出无声音故障，大家知道该怎么解决吗？虽然说是声音问题，但是......
SiC MOSFET 器件特性知多少？(2023-10-18)
7.SiC MOSFET 关断顺序
t0→t1：VGS 从 VDD 下降到米勒平坦区域 VGS(MP)。灌电流 IG(SINK) 主要由存储在 CGD 和 CGS 中的电荷提供，而栅极驱动器的大容量电容......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
开关时对于栅极的电流没有任何要求。 其实这样的理解是不正确的。 这里就需要再重新理解下MOS管的开关过程。我们需要引入MOS管的寄生电容与米勒效应。
图中的CGD和CGS和CDS都是mos管的寄生电容，它是由于mos管的......
纳芯微新品，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管的半桥芯片NSD26(2023-02-15)
打线造成的共源极电感Lcs。
其中，栅极环路电感Lg_pcb会在栅极电压开通或关断过程产生振铃，如果振铃超出GaN的栅源电压范围，容易造成栅极击穿；并且在上管开通过程中，高dv/dt产生的米勒电......
MOSFET共源放大器的频率响应(2024-03-04)
器的小信号模型。观察它，我们已经可以看到，这个分析将比之前复杂得多——栅极-漏极电容没有连接到交流接地，这使得事情复杂化。为了简化我们的分析，我们将利用密勒效应。
密勒效应
密勒效应指出，如果一个阻抗（Z......
用于 EV 充电系统栅极驱动的隔离式 DC／DC 转换器(2022-12-05)
，栅极上的负驱动可以确保器件在这些条件下处于“关闭”状态。
SiC MOSFET 中栅极和漏极之间的米勒电容 (C gd ) 可以通过漏极电压耦合在栅极上产生正电压。这也可能会导致虚假设备开启，与上......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
级的输出端和输入端连接在一起，在第二级中补偿电容实际作为密勒电容使用。
通过提供足够的栅源电压值使场效应管导通，衬底驱动MOS晶体管即以耗尽型器件的原理工作，通过施加在衬底端的输入电压调制流经晶体管的电流，完成......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
良好的导体其实讯号跑起来并没这么良好。会跑出讯号经过电容器一般的滤波效应，让讯号变差，但是我们明明没有在导体上面放电容器，这个电容效应是导体自发的物理现象，所以我们叫它寄生电容。
本征电子
就如......
MOS驱动好不好，波形一看就知道(2024-03-01)
基极提供一定的电流。
一般认为是电压驱动型，所以驱动MOS管，只需要提供一定的电压，不需要提供电流。
实际是这样吗？
由于MOS管的制作工艺，决定了本身GS之间有结电容以及GD之间有弥勒电容，DS也有寄生电容......
相关企业
;厦门米勒电气设备有限公司销售部;;厦门米勒电气设备有限公司位于经济特区厦门，公司经销批发魏德米勒、穆勒电气、蓝系列开关、施耐德电气、德国多德DOLD、德国GMC仪表、意大利Finder、法国
;魏德米勒电气有限公司;;
;南京魏德米勒电气有限公司;;
;广州市宝米勒电气技术有限公司;;
;吉米勒电子有限公司;;主营直插 、贴片 二三极管 主要封装220 252 251 247
;上海摩善贸易有限公司;;上海摩善贸易有限公司为德国魏德米勒电联接产品的一级代理商，代理魏德米勒全系列重载接插件、PCB接线端子和接插件、接线盒等工业联接产品。
;魏德米勒电联接国际贸易有限公司;;魏德米勒是电气联接技术产品领域的领先制造商。魏德米勒公司紧紧围绕客户的需求进行研发，生产和销售，并为客户提供全系列的魏德米勒产品和解决方案。作为一个优秀的OEM
;德国魏德米勒沈阳分公司;;德国魏德米勒集团公司成立于1948年，是全球电气联接技术产品领域的领先制造商。 六十多年来，魏德米勒始终以先进的科技作为发展之本，坚持不断变革和创新，开发和生产面向全球客户的全系列专业电联接技术产品和解决
;北京市巴龙机电控制研究所;;魏德米勒电源产品 魏德米勒电源带有CE认证，并且符合DIN EN50081-1和DIN EN 50082-2（从1.4.2002改为 EN 61000-6-2）标准
;厦门米勒电气设备有限公司;;厦门米勒电气设备有限公司以电气装配接线代工、承接自动化工程技术开发和服务为主，同时代理销售电气工控产品；本公司装配技术优良、规范，获得客户好评，代理产品性价比高，能够