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概伦电子“高精度大容量全芯片晶体管级电路快速仿真技术”荣获“中国芯”EDA技术创新奖;近日，2024“中国芯”首届EDA专项奖颁奖仪式在上海隆重举行。作为国内首家EDA上市公司，关键......
概伦电子“高精度大容量全芯片晶体管级电路快速仿真技术”荣获“中国芯”EDA技术创新奖;近日，2024“中国芯”首届EDA专项奖颁奖仪式在上海隆重举行。作为国内首家EDA上市公司，关键......
），而 比 Arc A310 这款入门级桌面显卡还要弱一些，等效换算一下的话就是 4 个与 6 个 Xe 内核的差距。 但不管怎么说，就算......
7nm物理极限！1nm晶体管又是什么鬼？;适用了20余年的摩尔定律近年逐渐有了失灵的迹象。从芯片的制造来看，7nm就是硅材料芯片的物理极限。不过据外媒报道，劳伦......
工艺是什么概念? 芯片的制造工艺常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm来表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm制造工艺。现在的CPU内集成了以亿为单位的晶体管......
纳米片晶体管架构和背部供电技术。 台积电推出的采用纳米片晶体管架构的2nm制程技术，在相同功耗下较3nm工艺速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。 业内人士指出，三星、台积......
（安世半导体）是闻泰科技的子公司，分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商，其生产的产品包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 以及......
IBM展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管;IBM在2023年12月早些时候的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管。纳米片晶体管......
态系合作，摩尔定律10年内仍有效。 摩尔定律是由英特尔联合创办人Gordon Moore 1960年代提出，芯片晶体管数量每隔一年就会翻倍成长，增强运算能力。想增加晶体管数，必须做得更小，就要......
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术;外媒 eNewsEurope 报道，英特尔 (Intel) 和台积电将在国际电子元件会议 (IEDM) 公布垂直堆叠式 () 场效晶体管进展，使 成为......
消息称台积电正与2nm制程潜在客户商谈，单片晶圆报价2.5万美元; 【导读】据电子时报6月27日消息，台积电正与2nm制程工艺的潜在客户进行商谈。这一制程下的晶体管，采用了GAA全环......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍;12 月 25 日消息，在今年 12 月初旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上，IBM 研究......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍;在今年 12 月初旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上，IBM 研究人员展示了首款专为液氮冷却优化的先进 CMOS......
-Around）架构，今年公布SF3（3纳米GAP）第二代3纳米制程，使用第二代多桥通道场效应晶体管（MBCFET），原有SF3E基础上性能最佳化，还有性能增强型SF3P（3GAP+），适合制造高性能芯片。到......
走到了尽头 有能力制造先进节点芯片的公司数量随着工艺几何结构的变化而不断减少，每增加一个新节点，成本也越来越高。台积电最先进的300毫米晶圆厂耗资达200亿美元。 在20nm节点，人们首次发现平面晶体管......
节点，台积电已全面导入GAAFET晶体管技术，因而其1.6nm工艺更突出的特征还在于背面供电。作为继工艺缩进、3D封装后第三个提高芯片晶体管密度和能效的革新之一，背面......
术还采用了垂直分层双电源漏外延和双金属栅极堆叠，并结合PowerVia背后供电等技术。 为了不被对手超越，台积电也会展示CFET技术。据悉，台积电客制逻辑芯片具有48纳米栅极间距，专注放在p型晶体管......
此前台积电副总经理张晓强透露，目前256Mb SRAM芯片已经可以做到50%良率以上，目标则80%以上。 据了解，台积电2nm工艺会放弃FinFET晶体管工艺，转向GAA晶体管，相较于N3E工艺，N2在相......
制程将结合超级电轨（Super PowerRail）与纳米片晶体管，2026年量产。超级电轨将供电网络移到晶圆背面，晶圆正面释出更多讯号网络空间，提升逻辑密度和效能，适用......
纳米栅极间距，专注放在p型晶体管上的分层n型纳米片晶体管，拥有跨越六个等级的开关电流比。 台积电表示，CFET晶体管已证明耐用性超过90%，且成功通过测试。虽然台积电承认需要研究更多，才能......
五边形恰好出现在碳纳米管的顶端，就形成碳纳米管的封口。出现七边形的地方碳纳米管则向内凹进。 碳纳米管具有硅的半导体特性，而这种特性是它成为芯片晶体管的关键。当接通电流时它们有极好的传输电子的能力。但是芯片制造......
的性能提升来自两个方面：一是按照Denard（登纳德）微缩效应，每代芯片的频率提升带来了40%的改进；二是每代芯片晶体管密度提升带来的体系结构的改进符合波拉克法则，即平方根级别的提升，达41%。将这......
新版摩尔定律来了 ChatGPT之父：AI算量18个月翻倍;行业有个黄金定律，那就是Intel创始人50多年前提出的，指出芯片晶体管18到24个月翻倍，如今是AI时代了，“”之父Sam Altman......
了诸如后端制程(BEOL)通孔电阻升高的挑战。因此，当芯片制造商持续致力于芯片供电传输电路中的电阻问题时，晶背供电传输增强了晶体管的性能、降低其功耗，并消除了数据和电源连接之间的一些潜在干扰。 据应......
Papermaster在最近的一次峰会上发言驳斥了黄仁勋的说法，强调摩尔定律仍然存在。 “并不是说不会有令人兴奋的新晶体管技术。。。。。。对我来说，非常非常清楚的是，我们要不断改进晶体管......
传动等领域。 IGBT 是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。 IGBT 模块是由 IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片......
Intel Tick-Tock(2023-03-28)
上更新微处理器架构，提升性能。一般Tick-Tock周期为两年，Tick和Tock各占一年。 制程工艺决定了芯片内部可以使用的晶体管的数目，晶体管数目越多，则芯片能完成的任务也就越多。 处理器微架构决定了怎么合理的利用这些晶体管......
都经过认证，并针对FINFLEX架构进行了优化。 2纳米家族 在过去的15年中，台积电一直在研究纳米片(nanosheet)晶体管，并坚信N2是导入纳米片晶体管的合适工艺制程。 由于纳米片晶体管......
首发的A17 Pro基于台积电第一代3nm制程(N3B)打造，iPhone 16系列的A18和A18 Pro基于台积电第二代3nm制程(N3E)打造。 相比N3E，采用N3P工艺打造的芯片拥有更高的晶体管......
台积电 3nm 制程工艺月产能逐步提升，下月有望达到 4.5 万片晶圆; 2 月 24 日消息，据外媒报道，在三星电子采用全环绕栅极晶体管架构的 制程工艺量产之后，仍采用鳍式场效应晶体管的 制程......
年增加一倍"。问世已超过50年，人们不无惊奇地看到半导体芯片制造工艺水平以一种令人目眩的速度提高。 摩尔定律手绘图（图片来源于网络） 后人深入研究摩尔定律，发现其核心内容主要有三个，一是集成更多的晶体管......
%，整体 GPU 核心增加了 20%，且由于工艺制程的进步，A17 Pro芯片的整体面积略有缩小，但晶体管数量来到了新高，为190亿，对比上代的160亿晶体管，增加了近20%，能够完成如此大的升级，台积......
于多种产品。业界猜测最有可能的是一些功率晶体管或小信号晶体管产品。 据 ET 报道，这些封装好的元件已运往日本、美国和欧洲的塔塔客户。ET 还报道说，塔塔即将推出自己的芯片设计，目标是 28 纳米......
的重要原因之一。 相比于5nm，台积电3nm工艺具有更好的效能、功耗，其逻辑密度将增加60%，相同速度下功耗降低30-35%，而且3nm工艺的SRAM缓存在晶体管密度上比5nm高出5%。 苹果......
只能依靠14nm制程不断调整，但制程技术无法前进，代表芯片上的晶体管密度就很难有大幅成长，也因此对英特尔来说，摩尔定律成为遥不可及的目标。 然而英特尔停滞不前，其在芯片制造方面的对手，也就是台积电、三星......
进工艺高成本支出的影响，晶体管成本降幅在2012年后趋缓，甚至越往后还有成本增加的趋势。 从上图右下的统计数据可看出，芯片制程在持续微缩和演进，晶体管数也在相应的增长。在2019年以前，单芯片晶体管......
图右下的统计数据可看出，芯片制程在持续微缩和演进，晶体管数也在相应的增长。在2019年以前，单芯片晶体管数量和工艺几何尺寸演进，一直与摩尔定律高度相关。因为单位面积内的晶体管数量，每一周期就会增加一倍，所以......
图右下的统计数据可看出，芯片制程在持续微缩和演进，晶体管数也在相应的增长。在2019年以前，单芯片晶体管数量和工艺几何尺寸演进，一直与摩尔定律高度相关。因为单位面积内的晶体管数量，每一周期就会增加一倍，所以......
图右下的统计数据可看出，芯片制程在持续微缩和演进，晶体管数也在相应的增长。在2019年以前，单芯片晶体管数量和工艺几何尺寸演进，一直与摩尔定律高度相关。因为单位面积内的晶体管数量，每一周期就会增加一倍，所以......
越往后还有成本增加的趋势。 从上图右下的统计数据可看出，芯片制程在持续微缩和演进，晶体管数也在相应的增长。在2019年以前，单芯片晶体管数量和工艺几何尺寸演进，一直与摩尔定律高度相关。因为单位面积内的晶体管......
保证英特尔会在那个时间段内瞄准 CFET：有趣的是，英特尔的幻灯片展示了其下一代 GAA 纳米片晶体管 (RibbonFET)，然后直接跳到 CFET，省略了大多数人认为将是介于纳米片和 CFET 之间。您还可以在上面的幻灯片中看到这种类型的晶体管......
5nm手机芯片功耗过高，先进制程只是噱头?;功耗是芯片制造工艺演进时备受关注的指标之一。比起7nm工艺节点，5nm工艺可以使产品性能提高15%，晶体管密度最多提高1.8倍。三星猎户座1080、华为......
架构——RibbonFET（通常被称为全环绕栅极或纳米片晶体管）以及PowerVia背面供电技术。当被问到这项技术可能涉及的风险时，Kelleher解释......
AI芯片晶体管数量突破4万亿个;据财联社3月14日报道，美国加州半导体公司Cerebras Systems发布了一项重大消息，其第三代晶圆级AI加速芯片“WSE-3”(Wafer Scale......
电先进制程技术正在逐步推进。有行业消息称，台积电已于7月开始在新竹科学园区的宝山晶圆厂风险试产2nm制程，并计划于2025年上半年正式量产。N2为台积电第一个使用GAA纳米片晶体管的节点。 另外，台积电计划于2026年采......
电先进制程技术正在逐步推进。有行业消息称，台积电已于7月开始在新竹科学园区的宝山晶圆厂风险试产2nm制程，并计划于2025年上半年正式量产。N2为台积电第一个使用GAA纳米片晶体管的节点。 另外，台积电计划于2026年采......
同时，如果我们结合半导体制造上游、硅片大厂，其实更能理解这波“晶体管涨价”的大趋势是怎么回事，以及它还将持续多久。 尖端工艺与摩尔定律 对于“摩尔定律停滞”这一论调，反对的厂商自然是不少的。比如......
，台积电也在重新命名工艺节点，标志着「埃级」时代的开始。 的 A16 工艺技术将依赖于环绕栅全包围纳米片晶体管，采用背面电源轨道。预计在相同电压和复杂度下，性能相较 N2P 制程提升 8......
的联盟成功开发出业界第一个全新硅纳米片(nanosheet)晶体管，将芯片制造带入了5纳米时代！中国的芯片制造是否已经被越拉越远？中国芯片制造业是否还有机会？是值得我们思考的问题。 芯片犹如心脏，是很......
士革法多层布线 芯片电路到此已经基本完成，其中经历几百道不同工艺加工，而且全部都是基于精细化操作，任何一个地方出错都会导致整片晶圆报废，在100多平方毫米的晶圆上制造出数十亿个晶体管，是人......

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平面线月生产能力25000片、5英寸生产线月生产能力30000片，主要生产小信号晶体管芯片、开关晶体管芯片、大功率晶体管芯片、开关二极管芯片、肖特基芯片、达林顿芯片、高频晶体管芯片和双极IC芯片；4英寸
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;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管　3DD1-3DD12,3DD21
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;贴片晶振 深圳市泰晶实业有限公司;;深圳市泰晶实业有限公司是一家专业从事石英晶体频率元器件、晶体频率元器件生产自动化设备研发、生产和销售的大型制造企业。是国家级高新技术企业、中国
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