资讯
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型。
根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。
因此......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
的作用相似。
图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图1-6-B所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
图1-6-A 图1-6-B
2. 场效应管是电压控制电流器件，由......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点：一旦接反需要更换保险丝，操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点：输入端无论怎样接，电路都可以正常工作。
缺点：存在两个二极管的压降，适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
于小电流电路。
04
N沟道增强型场效应管......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
，所以电流为0；
当开关S闭合，场效应管栅极获得正电压，上面会带有正电荷，它产生的电场穿过电介质，将P衬底中的电子吸引过来并聚集，从而在两个都是N型掺杂的源漏极之间出现导电沟道，由于......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
P衬底的多子(空穴)极性相反，被称为反型层，并把漏源极N型区连接起来形成导电沟道，当Vgs比较小时，负电荷与空穴中和，仍无法导电，当Vgs超过导通阈值后，感应的负电荷把N型区连接起来形成N沟道，开始......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305(P沟道)，Q4~Q6为IRFR1205(N沟道)。该场效应管内藏续流二极管，为场效应管......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效应管......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305（P沟道），Q4~Q6为IRFR1205（N 沟道......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？;MOSFET即金属氧化物半导体场效应管，是电路设计中常用的功率开关器件，为压控器件;其特点是用栅极电压来控制漏极电流，具备......
可控硅控制器工作原理(2024-01-22)
用于各种频率和波形的脉宽调制电路以及作为其它电力电子变换器的功率元件等.
常见的几种类型
(1)普通型双极型晶体管
双极型晶体管的两个电极各有一个沟道和两个基极组成一个p沟道结构和一个n沟道......
Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装(2020-05-08)
Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装;
奈梅亨，2020年5月7日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
排动级原理如阁7-26所示。差分输入级采用场效应挛生模块NPD5565S，其参数为VDss=55V，iDss=6～15mA，其输入特性非常好（高输入阻抗），如无NPD5565S，也可用其它小功率N沟道管，耐压......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
为射极输出器）和以基极为公共端的共基放大电路。它们的组成原则和分析方法相同，这里不再赘述。
2、场效应管放大电路
场效应管通过栅-源之......
MOS管的三个极怎么判定？(2024-03-08)
要抓住关键地方 ：
G极，不用说比较好认。S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是。D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。
2. 是N沟道还是P沟道？
三个脚的极性判断完后，接下就该判断是P沟道还是N......
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET(2022-07-06)
沟道Trench MOSFET，带2kV ESD保护(HBM)
PMX300UNE 30 V，N沟道Trench MOSFET
PMX400UP 20 V，P沟道Trench MOSFET......
模拟电路入门100个知识点！(2024-11-10 22:13:28)
。
35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻
大
，热稳定性
好......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究;由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
晶体管，以硅片为秤体，利用扩散工艺制作.......有N沟道和P沟道两个型。不仅如此，它还有两个兄弟，分别是结型场效应管以及晶体场效应管.......
面对这么大一段话，我不......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
引用地址：
关于IGBT使用沟槽栅的原因及特点，可以参考下面两篇文章：
● 英飞凌芯片简史
● 平面型与沟槽型IGBT结构浅析
MOSFET全称金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体管的体效应......
怎么使用万用表测量电路电压、电流、电阻、二极管、三极管、场效应管(2023-02-17)
只能直接对如9000系列的小型管测量，若要测量大管，可以采用接线法，即用小导线将三个管脚引出。这样方便了很多哦。
六、MOS场效应管的测量N沟道的有国产的3D01，4D01，日产的3SK系列。G极（栅极......
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代(2024-06-03)
在三面，栅极则环绕在导电沟道周围。与原始平面晶体管相比，FinFET更紧凑，因此使用FinFET，人们现在能够将工艺节点向下进一步延伸。CFET的变化更大，其目的是在单一集成工艺中将n型（nFET）和p型......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
性和数据表范围外特性检测的全面分析。在本文中，我们将公开一些具有启发性的早期分析，以便验证罗姆的上述声明，并理解其所做的改进。
沟槽式金氧半场效晶体管基础知识
传统的“平面”金氧半场效晶体管的栅极和沟道......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
晶体管基础知识
传统的“平面”金氧半场效晶体管的栅极和沟道区设置在半导体表面。平面金氧半场效晶体管易于制造且非常可靠。但在减小芯片尺寸以提高产量的过程中，其横向拓扑结构限制了最终缩小范围。
图1：碳化硅金氧半场效......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-02-01)
解其所做的改进。
沟槽式金氧半场效晶体管基础知识
传统的“平面”金氧半场效晶体管的栅极和沟道区设置在半导体表面。平面金氧半场效晶体管易于制造且非常可靠。但在减小芯片尺寸以提高产量的过程中，其横......
H桥电机正反转换控制电路图(2024-11-01 11:31:00)
H桥电机正反转换控制电路图;
电机控制电路
所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。下图①就是一种简单的H桥电路，它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
的工程师朋友们肯定想知道：在微观世界下，是什么之间的相互作用，导致了上述的结果呢？我们在这里抛砖引玉，尝试性的扒开微观世界的面纱，一瞥其神秘风采：
1.当Vgs=0时， P、N、N+ 掺杂层形成PIN二极管的结构，在外......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
，下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管相当于四个开关。 相对于前文4个N型MOS管的H桥电路，此电......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥，
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场效应管......
P沟道功率MOSFETs及其应用(2024-04-09)
P沟道功率MOSFETs及其应用; ，虽不及广泛使用的N沟道出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用P沟道......
ABLIC推出面向智能手机、可穿戴设备的1节电池保护IC「S－821A/1B系列」(2024-10-31 10:02)
的艾普凌科有限公司（总裁：田中诚司，总部地址：东京都港区，下称“ABLIC”）今天推出使用N沟道MOSFET(※1)实现正端保护(※2)的1节电池保护IC「S-821A/1B系列」。今天......
【CMOS逻辑IC基础知识】——受欢迎的CMOS逻辑IC(2023-02-22)
得到了最广泛应用。今天我们就详细跟大家一起了解逻辑IC的基本操作。本文引用地址：
什么是呢？
使用互补的p沟道和n沟道MOSFET组合的电路称为CMOS（互补MOS）。CMOS逻辑IC以各种方式组合MOSFET......
直流电机驱动控制电路设计(2024-09-24)
常用功率MOSFET构成H桥电路的桥臂。H桥电路中的4个功率MOSFET分别采用N沟道型和P沟道型，而P沟道功率MOSFET一般不用于下桥臂驱动电机，这样就有两种可行方案：一种是上下桥臂分别用2个P沟道功率MOSFET......
Nexperia继续扩充采用小型DFN封装、配有侧边可湿焊盘的分立器件产品(2022-04-27)
，N沟道Trench MOSFET）和BSS84AKQB（50V，P沟道Trench MOSFET）。
如今，新型汽车中使用的电子元件数量越来越多，对电路板空间的需求随之增大，无引脚DFN封装......
国产5nm碳纳米管研究新突破，摩尔定律有救了(2017-01-21)
节点实现突破
近年来，该课题组通过优化器件结构和制备工艺，首次实现了栅长为10纳米的碳纳米管顶栅CMOS场效应晶体管（对应于5纳米技术节点），p型和n型器件的亚阈值摆幅（subthreshold swing......
降低半导体金属线电阻的沉积和刻蚀技术(2024-08-15)
要通孔的区域则可在金属沉积前覆盖绝缘间隔结构。
03 电阻结果与结论
随后，我们测量了大马士革流程和PVD两种工艺下，最顶层金属到FinFET结构P和N沟道通孔的线电阻。图4展示P和N通道电阻测量的起点和终点（其他所有绝缘材料透明）。为弥......
Nexperia推出采用小型无引脚耐用型DFN封装的符合AEC-Q101的分立半导体产品组合(2020-06-24)
开关、肖特基、齐纳和保护二极管、双极结晶体管(BJT)、N沟道及P沟道MOSFET、配电阻晶体管和LED驱动器。
Nexperia提供多种汽车级分立器件无引脚封装，从小尺寸DFN1006BD-2 (1......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
应，并且持续不活动，系统就会进入复位模式，开始电源循环。
较常用于实现高端电源路径或输入开关的方法是使用MOSFET。N沟道或P沟道MOSFET均可用作输入开关，每种开关的驱动要求各有不同。驱动N......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
持续不活动，系统就会进入复位模式，开始电源循环。
较常用于实现高端电源路径或输入开关的方法是使用。N沟道或P沟道均可用作输入开关，每种开关的驱动要求各有不同。驱动N沟道作为高端开关有点复杂，因此......
MOSFET选得好，极性反接保护更可靠(2023-02-27)
压过高时提供保护。
图 4. 使用 P 沟道 MOSFET 提供极性反接保护
N 沟道 MOSFET
也可以使用 N 沟道 MOSFET 来提供极性反接保护。当电池正确连接时（源极连接到 VBAT），要使......
相关企业
器等电子系列产品上。 MOS管系列包含： （CES2301,CES2312,CES2321,CEM9926,CEM9435,CEM4953 ,CEM8958,单N沟道，单P沟道，双N沟道，N+P沟道）等。
;深圳市雅贝轩科技有限公司;;深圳市雅贝轩科技有限公司创立十数年以来，秉承"芯之所在，卓越品质”为目标，“诚信经营，薄利多销”为销售理念。 公司专注P沟道/N沟道 MOSFET管，在市
器、低电压检测IC、P/N沟道场效应管、音频放大IC、EEPROM IC等，广泛应用于数码相机、数码相框、手机、MID平板电脑、小音箱、蓝牙耳机、无线鼠标、车载MP3/MP4、GPS、遥控玩具、机顶
;晶科北方科技有限公司;;深圳市晶科北方科技有限公司是一家专业销售半导体元器件的贸易公司。主营台湾华瑞cet的MOS管(单管；双管；P、N沟道)及台湾富晶的保护ic.低廉的价格＋上乘的品质＋热情
系列 精工 S－8261/8241系 列 富晶 DW-01 新德 CS213 2. MOSFET 华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N 沟道，P沟道MOS管
软启动电路，可以减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和。 二，韩国信安品牌MOSFET和士兰的高压MOSFET： TSM1N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251
R5426N系列精工S－8261/8241系列富晶 DW-01新德CS2132.MOSFET华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N沟道，P沟道MOS管特
DW01+ 新德 CS213 等系列 2. MOS管 华瑞（CET）2301，2312，9926，8205，9435等系列 N 沟道，P沟道MOS管 等系列 特瑞仕（TOREX） XP152A12COMR
封装；P沟道场效应管；三端系列；快速整流；普通管；音响配对管；电源盒配套管、充电器配套管等。 “顾客至上，诚信经营”是本经营部一直秉承的经营理念，坚持“以信为本、以质取胜、客户至上”的经营原则，为广
;结型场效应管 深圳市佰�N电子有限公司;;