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MOS管的三个极怎么判定？(2024-03-08)
要抓住关键地方 ：
G极，不用说比较好认。S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是。D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。
2. 是N沟道还是P沟道？
三个脚的极性判断完后，接下就该判断是P沟道还是N......
比把大象放冰箱复杂 电子系统中开关电源要分几步？(2022-11-29)
关电源线路
首先，必须决定开关元件是N沟道还是P沟道MOSFET。这两种可能都合适。但是，与P沟道MOSFET相比，N沟道MOSFET的电阻更低，所以在导通状态下损耗也更低。其劣势在于N沟道MOSFET的驱......
比把大象放冰箱复杂 电子系统中开关电源要分几步？(2022-11-29)
决定开关元件是N沟道还是P沟道MOSFET。这两种可能都合适。但是，P沟道MOSFET相比，N沟道MOSFET的电阻更低，所以在导通状态下损耗也更低。其劣势在于N沟道MOSFET的驱动方面。其中，栅极......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
*1.9=2.28V。（备注：1.9为125℃下电阻标准化比率）
这时候您可能心里就要犯嘀咕了：打开了MOSFET后，导通损耗反而变大了？电流到底是走沟道还是体二极管？如果......
【CMOS逻辑IC基础知识】——受欢迎的CMOS逻辑IC(2023-02-22)
得到了最广泛应用。今天我们就详细跟大家一起了解逻辑IC的基本操作。本文引用地址：
什么是呢？
使用互补的p沟道和n沟道MOSFET组合的电路称为CMOS（互补MOS）。CMOS逻辑IC以各种方式组合MOSFET......
过流保护的电路方案——限制的电流1A是怎么来的？(2024-02-26)
不是一个电阻，它俩的作用完全不一样。芯片内部的采样电阻只是负责检测输出的电流，而外围的限流电阻R1，它的阻值是设定限定输出电流的最大值。
如何判断是否过流
既然NCP380芯片......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
方向是从D极指向S极。
这个“桥”的学名叫做“沟道”，沟道是由衬底中电子被吸引来形成的就叫N沟道，沟道是由衬底中空穴被吸引过来形成的就叫P沟道，个人感觉这名字还是挺贴切的。好，到我们敲黑板知识点：P的全......
P沟道功率MOSFETs及其应用(2024-04-09)
P沟道功率MOSFETs及其应用; ，虽不及广泛使用的N沟道出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加， MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用P沟道......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
应，并且持续不活动，系统就会进入复位模式，开始电源循环。
较常用于实现高端电源路径或输入开关的方法是使用MOSFET。N沟道或P沟道MOSFET均可用作输入开关，每种开关的驱动要求各有不同。驱动N......
利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环(2024-01-23)
持续不活动，系统就会进入复位模式，开始电源循环。
较常用于实现高端电源路径或输入开关的方法是使用。N沟道或P沟道均可用作输入开关，每种开关的驱动要求各有不同。驱动N沟道作为高端开关有点复杂，因此......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
组成的电路就是集成电路，由NMOS和两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。
PMOS
PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。
NMOS和PMOS工作原理
P沟道MOS......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。
JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。
MOSFET......
MOSFET选得好，极性反接保护更可靠(2023-02-27)
压过高时提供保护。
图 4. 使用 P 沟道 MOSFET 提供极性反接保护
N 沟道 MOSFET
也可以使用 N 沟道 MOSFET 来提供极性反接保护。当电池正确连接时（源极连接到 VBAT），要使......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高、热稳定性高于GTR等优点。按导电沟道功率MOSFET可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型;对于......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装(2020-05-08)
Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装;
奈梅亨，2020年5月7日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
沟槽有什么好处？
首先，垂直晶面缺陷密度低，沟道电子迁移率高。所以，我们可以使用相对比较厚的栅极氧化层，同样实现很低的导通电阻。因为氧化层的厚度比较厚，不论开通还是关断状态下，它承......
新一代 P 沟道 JPFET 搭配先进 PDFN 封装成就国际领先性能(2022-07-07)
电路板组装 (PCBA) 的焊点良率，进一步保证终端的稳定工作和长期可靠性。
3、100V P沟道 MOSFET 的驱动电路相比 N 沟道 MOSFET 更加简单，满足了超性能运算 (HPC) 、工业......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET(2022-07-06)
沟道Trench MOSFET，带2kV ESD保护(HBM)
PMX300UNE 30 V，N沟道Trench MOSFET
PMX400UP 20 V，P沟道Trench MOSFET......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
复杂的半导体物理推导过程，下面是简化后的工作原理。
IGBT有N沟道型和P沟道型两种，主流的N沟道IGBT的电路图符号及其等效电路如下：
所以整个过程就很简单：
当栅极G为高电平时，NMOS导通，所以PNP的CE也导......
LCD电视背光照明中的设计挑战(2023-07-11)
器的直流电源直接来自系统的主直流电源，其变化范围通常在7V (电池低)至21V (交流适配器)。有些全桥方案要求采用p沟道MOSFET，比n沟道MOSFET更贵。另外，由于固有的高导通电阻，p沟道......
怎么使用万用表测量电路电压、电流、电阻、二极管、三极管、场效应管(2023-02-17)
表笔与该脚相接，红表笔与其他两脚分别接触其他两脚；若两次读数均为0.7V左右，然后再用红笔接A脚，黑笔接触其他两脚，若均显示"1"，则A脚为基极，否则需要重新测量，且此管为PNP管。那么集电极和发射极如何判断......
贸泽电子带你探索汽车设计发展新趋势(2022-12-06)
拥有超丰富的半导体和电子元器件™，包括以下理想的汽车应用解决方案：
● Toshiba SSMx 汽车级N沟道/P沟道MOSFET拥有各种功能，适用于12 V至48
V电池......
如何实现电动汽车电源控制和遥测(2023-06-09)
将栅极连接至输入电压而断开。与 N 沟道 MOSFET 相比，P 沟道 MOSFET 在导通电阻相同时成本更高，而且其选择范围很窄，限于较大电流值 (高于 10A) 情况。N 沟道 MOSFET 是应......
STM32F0单片机 PWM + ADC 控制有刷电机(2023-03-14)
机的两个电极加正向电压，则正向旋转，如果加反向电压，则旋转方向也反过来。电机的转速可以通过控制加在电极上的电压来调节。
在电机控制电路中最常用的器件就是 MOS 管了。可以分为两个大的类型：P 沟道 MOS 和 N 沟道......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点：一旦接反需要更换保险丝，操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点：输入端无论怎样接，电路都可以正常工作。
缺点：存在两个二极管的压降，适用于小电流电路。
4、N沟道......
为敏感电路提供过压及电源反接保护！(2023-10-17)
应用电路是否工作于那种输入电源会瞬变至非常高压或甚至低于地电位的严酷环境中?
即使此类事件的发生概率很低，但只要出现任何一种就将彻底损坏电路板。
为了隔离负电源电压，设计人员惯常的做法是布设一个与电源相串联的功率或 P 沟道 。然而......
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破(2024-04-11)
成本、易加工、高稳定性以及大面积制造均匀等。然而，传统的非晶氢化硅因电学性能不足而急需探索新材料。
目前非晶P型半导体面临着重大挑战，严重阻碍了新型电子器件研发和大规模N-P互补......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
图如图2所示，以及图1中的卡通形式。罗姆选择了更传统的设计，即每个栅极沟槽的每侧都有沟道，并利用每一侧的虚拟沟槽，其中，通过深P型注入保护栅极沟槽。英飞凌让每条沟槽都物尽其用！每条沟槽的一侧均有一条沟道......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
式金氧半场效晶体管可能消除平面金氧半场效晶体管的JFET电阻，在该区域中，来自两个沟道的电流被挤压到p体触点之间的狭窄通道中。但正如我们将看到的那样，实用、务实的设计可能导致再次引入一个类似JFET的区域。第三，与平面栅极的数量相比，垂直......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-02-01)
式金氧半场效晶体管可能消除平面金氧半场效晶体管的JFET电阻，在该区域中，来自两个沟道的电流被挤压到p体触点之间的狭窄通道中。但正如我们将看到的那样，实用、务实的设计可能导致再次引入一个类似JFET的区域。第三，与平......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
可在这两种状态之间瞬间切换。从定量角度来看，由于基于MOSFET的功率器件是单极性器件，因此与这一定义最为接近。功率MOSFET结构中的导通状态电流通过单极传输，这意味着N沟道器件中只有电子。由于......
100W MOSFET功率放大器电路(2023-09-06)
，PNP 晶体管
Q3, Q4： MJE340，NPN 晶体管
Q5、Q6： MJE350，PNP 晶体管
Q7: n 沟道 E-MOSFET，IRF530
Q8： p 沟道 E-MOSFET......
Littelfuse推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道耗尽型MOSFET(2023-10-13)
Littelfuse推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道耗尽型MOSFET;
【导读】芝加哥2023年10月2日讯-- Littelfuse公司......
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道(2023-10-17)
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道;Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力，很高......
添加阈值滞后以实现平滑的欠压／过压锁定(2023-03-06)
交换比较器的两个输入（例如，参见图 2 中下方的比较器），这样一个高电平输入会强制比较器输出为低电平并打开开关。虽然不是本文的重点，但可以使用 N 沟道或 P 沟道功率 MOSFET 来实现开关。前面的讨论假设一个 N 沟道......
ST推出世界最小的高集成度8通道超声波脉冲发生器(2014-08-26)
(noise-blocking)二极管和高功率P沟道和N沟道MOSFET。
每条沟道包含两个输出级(output stage)，一个用于发射脉冲波(PW, pulsed wave)，另一......
贸泽电子带你探索汽车设计发展新趋势(2022-12-02)
拥有超丰富的半导体和电子元器件™，包括以下理想的汽车应用解决方案：
● Toshiba SSMx 汽车级N沟道/P沟道MOSFET拥有各种功能，适用于12 V至48 V电池系统的各种汽车应用。其晶......
贸泽电子带你探索汽车设计发展新趋势(2022-12-02)
以下理想的汽车应用解决方案：• Toshiba SSMx 汽车级N沟道/P沟道MOSFET拥有各种功能，适用于12 V至48 V电池系统的各种汽车应用。其晶圆工艺和低电阻技术有助于抑制开关噪声，降低能耗。 • Microchip......
介绍一款适用于汽车和工业场合的高效同步SEPIC控制器(2023-06-27)
SEPIC和降压应用的电路原理图。
图1示例的动力控制系统原理图是一个基于LT8711的同步SEPIC变换器，其中包含：
● 两个非耦合电感L1和L2
● N沟道调制MOSFET管MN1......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不......
数字万用表使用技巧总结(2023-02-17)
笔与其他两脚分别接触其他两脚；若两次读数均为０.７Ｖ左右，然后再用红笔接Ａ脚，黑笔接触其他两脚，若均显示"１"，则Ａ脚为基极，否则需要重新测量，且此管为ＰＮＰ管。那么集电极和发射极如何判断呢？数字表不能像指针表那样利用指针摆幅来判断......
如何用万用表测试MOSFET(2024-04-03)
源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子。MOSFET 的主体经常连接到源极端子，因此使其成为类似于场效应晶体管的三端器件。
以下是如何判断 MOSFET 是否有缺陷的指南。这些......
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET(2023-10-17 15:33)
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET;非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用Littelfuse公司......
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET(2023-10-17 15:33)
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT－223－2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET;非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用Littelfuse公司......
Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET;非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用
Littelfuse宣布......
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET(2022-12-06)
的英飞凌通用MOSFET包括用于最高250V设计的低压版本，以及用于500V至900V设计的高压版本。低压MOSFET包括各种单/双N沟道和P沟道器件，其漏-源击穿电压范围介于20V至600V。这些......
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET(2022-11-29)
用于最高250V设计的低压版本，以及用于500V至900V设计的高压版本。低压MOSFET包括各种单/双N沟道和P沟道器件，其漏-源击穿电压范围介于20V至600V。这些器件的漏-源电阻额定值为1.1mΩ至......
东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗(2023-08-24)
东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗;
【导读】东芝电子器件与存储株式会社(“东芝”)推出了三款80 V n沟道功率MOSFET产品，采用......
相关企业
器等电子系列产品上。 MOS管系列包含： （CES2301,CES2312,CES2321,CEM9926,CEM9435,CEM4953 ,CEM8958,单N沟道，单P沟道，双N沟道，N+P沟道）等。
;晶科北方科技有限公司;;深圳市晶科北方科技有限公司是一家专业销售半导体元器件的贸易公司。主营台湾华瑞cet的MOS管(单管；双管；P、N沟道)及台湾富晶的保护ic.低廉的价格＋上乘的品质＋热情
;深圳市雅贝轩科技有限公司;;深圳市雅贝轩科技有限公司创立十数年以来，秉承"芯之所在，卓越品质”为目标，“诚信经营，薄利多销”为销售理念。 公司专注P沟道/N沟道 MOSFET管，在市
系列 精工 S－8261/8241系 列 富晶 DW-01 新德 CS213 2. MOSFET 华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N 沟道，P沟道MOS管
R5426N系列精工S－8261/8241系列富晶 DW-01新德CS2132.MOSFET华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N沟道，P沟道MOS管特
DW01+ 新德 CS213 等系列 2. MOS管 华瑞（CET）2301，2312，9926，8205，9435等系列 N 沟道，P沟道MOS管 等系列 特瑞仕（TOREX） XP152A12COMR
;新乡市金桥电子感应洁具厂;;本公司主要生产：感应淋浴器、感应开关、感应水龙头、小便感应冲水器、大便感应冲水器、沟道槽大小便感应冲水器、沟道槽水冲厕所微电脑节水计时器、活动公厕感应开关、一点
器、低电压检测IC、P/N沟道场效应管、音频放大IC、EEPROM IC等，广泛应用于数码相机、数码相框、手机、MID平板电脑、小音箱、蓝牙耳机、无线鼠标、车载MP3/MP4、GPS、遥控玩具、机顶
;深圳市伟仕特微电子有限公司;;我公司与美国MaxPower公司共同合作开发功率MOS，采用当今最先进的技术沟道工艺，在德国慕尼黑流片生产。
软启动电路，可以减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和。 二，韩国信安品牌MOSFET和士兰的高压MOSFET： TSM1N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251