资讯
AMD Zen4 IO内核首次揭秘,902亿晶体管(2023-03-07)
倍。
CCD、IOD都算上,Zen4锐龙处理器最多集成165亿个晶体管,霄龙则达到了恐怖的902亿个!
Intel Sapphire Rapids第四代至强没公布有多少晶体管......
干货总结|晶体管的应用知识(2023-03-28)
从一个基极到另一个发射极,决定了从集电极到发射极能流多少电流。
对于MOSFET晶体管,电压栅极和源极之间的电流决定了有多少电流能从漏极流向另一个源极。
2.1 如何打开MOSFET
下面是一个打开MOSFET的电......
西门子S7-200smart PLC不同类型CPU的区别(2024-02-03)
20、30、40或者60,为CPU性能参数等级。
1、SR和ST****的区别
表 1
ST可变为SR,加中间继电器即可,但是SR不能变为ST,因为继电器达不到晶体管的开关速度。
2、20、30、40......
意法半导体为MCU开启FD-SOI时代(2024-03-29)
更多的集成和模拟、功率应用
附录
FDSOI技术简介
FD-SOI是一种平面工艺技术,依赖于两项主要创新。首先,在基底硅的顶部放置一层超薄绝缘体,称为掩埋式氧化物。接着,通过超薄的硅膜实现晶体管沟道。由于......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
做可以得出以下方程式:
方程式7
从方程式4和7中,我们看到,为了增加增益,我们需要增加晶体管的长度。然而,我们也看到,这会导致带宽降低。反之亦然:减少晶体管的长度会导致带宽增加。
展望未来
我们......
半导体工艺变局在即|3nm以下工艺举步维艰,纳米片浮出水面(2023-01-11)
成本太高,有多少代工厂能负担得起尚不可知。不过,幸运的是,这并不是唯一的选择。围点打援似乎也是可以接受的选择:纳米片、先进封装和新的器件架构,可以......
芯片工程师,是时候了解GAA晶体管了(2023-04-14)
被绝缘体包围,绝缘体不太好。设备自热会有所不同,但我们还没有足够的信息来了解它的影响有多大。我们最终将从铸造厂获得这些数字。局部热源会导致热尖峰,这会影响对温度呈指数级敏感的电迁移。如果局部有几个晶体管......
SOI与finFET工艺对比,谁更优?(2017-02-06)
如何拓展到 25nm及以下领域,显示有两种途径可以实现这种目的:一是立体型结构的FinFET晶体管,另外一种是基于SOI的超薄绝缘层上硅体技术 (UTB-SOI,也就是我们常说的FDSOI晶体管技术)。
体硅......
单片机工作电压5V的来历(2023-02-02)
很多单片机的工作电压都是5V。早期(196x)的晶体管电路(TTL)单管的压降是0.7V。一个电路里经常有多个晶体管串联。比如4管串联,电源至少保证0.7x4=2.8v才能保证电路正常工作。所以最早有3V......
台积电和三星的“3nm之争”:谁率先降低代工价格,谁就会是赢家(2022-11-24)
上糟糕的良品率和表现,才迫使高通这样的大客户将旗舰SoC订单转投到台积电。
在未来的技术路线发展上,三星电子计划在2024年推出第二代3nm工艺技术的半导体芯片(SF3)。三星电子表示,其第二代3nm芯片的晶体管......
7nm物理极限!1nm晶体管又是什么鬼?(2016-10-11)
芯片的实际栅长依然有一定差距。
为什么说7nm是物理极限?
缩短晶体管栅极的长度可以使CPU集成更多的晶体管或者有效减少晶体管的面积和功耗,并削减CPU的硅片成本。
正是因此,CPU生产厂商不遗余力地减小晶体管......
stm32全称是什么(2024-07-18)
香港、大陆和***三个地区的业务。
意法半导体是业内半导体产品线最广的厂商之一,从分立二极管与晶体管到复杂的片上系统(SoC)器件,再到包括参考设计、应用软件、制造工具与规范的完整的平台解决方案,其主......
还搞不懂推挽放大电路?看这一文,工作原理+电路图讲解,秒懂(2024-11-19 20:04:21)
被称为推挽放大器。
推挽放大器电路的主要优点是当没有信号时,输出晶体管没有功耗。推挽放大电路有多种类型,但
通常将B类放大器视为推挽放大器。
推挽......
淘汰FinFET 升级革命性GAA晶体管:台积电重申2025量产2nm(2023-01-13)
淘汰FinFET 升级革命性GAA晶体管:台积电重申2025量产2nm;在今天的说法会上,透露了新一代的进展,3nm已经开始量产,2023年放量,有多家客户下单,再下一代的是,CEO重申会在2025......
四张图看懂晶体管现状(2022-11-29)
四张图看懂晶体管现状;在过去的 75 年里,晶体管技术最明显的变化就是我们能制造多少。正如这些图表所示,减小设备的尺寸是一项巨大的努力,而且非常成功。但尺......
TechInsights公布了A16的透视图, 苹果A16芯片到底有多强 ?(2022-11-28)
与标准款相比,在核心性能上有很大的差距,
接下来,我们来分析一下,苹果A16芯片到底有多厉害?相比A15提升多少?
中央处理器的功率
对于处理器芯片,CPU
能力是人们首先关心的事情,这也......
STM32的各个MCU性能评判(2023-08-01)
/eembc/coremark
源码docs目录下包含与源码相关的很多说明,感兴趣可以下载来测试一下你MCU跑分多少。
其实,这里也有多种型号STM32的CoreMark跑分和测试结果:
STM32......
一种可以混合两个音频信号并在输出端产生组合信号的电路(2023-10-20)
路不仅可以混合和混合两个音频信号,还可以将它们提升到更高的水平,以便它可以很容易地用于馈送功率放大器。
它具有一对音频输入,这些输入由配置的通用发射极放大器的独立单晶体管放大器放大。VR1 和 VR2 允许用户选择可以通过两个输入传递多少......
QORVO GAN-ON-SIC晶体管提高战术和公共安全电台的效率和带宽(2017-06-29)
-on-SiC晶体管的唯一供应商。电压更高的晶体管具有多种关键优势,其中包括更大的输出功率,更小的电流损耗,更高的可靠性;系统设计中要求的此类晶体管数量也更少。另外,宽带匹配可以提高能效,从而......
量子计算的能力如何?期望10-15年构建通用量子计算机可行吗?(2022-11-30)
的数目每18个月就可以增长一倍。“目前的晶体管尺寸已经达到4个纳米,预计不到10年时间,就会达到亚纳米尺寸。到了亚纳米尺寸后,量子效应就会开始发生作用。”
量子计算的能力有多强大?潘建......
学子专区—ADALM2000实验:心跳监测电路(2023-07-10)
工具可显示该输出。
在本实验活动中,学生将学习如何驱动红外LED和光电晶体管,设计并理解低通滤波器的行为,同时探索不同配置情况下的运算放大器功能。
结合前面提到的电子设备,本活......
stm32 GPIO(2024-08-19)
辑”关系。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。补充:什么是“线与”?:在一个结点(线)上, 连接一个上拉电阻到电源 VCC 或 VDD 和 n 个 NPN 或 NMOS 晶体管......
汽车生态系统四大特征:CFD、FuSa、Aging、Vision(2023-08-09)
更先进的节点工艺中,老化磨损是一个更大的问题。另一个变化是,在汽车等应用中,芯片需要持续工作几十年或更长时间,而不允许出现任何问题。虽然这个过程被称为老化,但老化并不是因为时间的流逝,而是晶体管经历了多少......
半导体大厂万亿晶体管技术路线曝光,1nm芯片2030年完成?(2023-12-29)
1nm节点。
据台积电称,这种趋势将持续下去,几年后,我们将看到由超过1万亿个晶体管组成的多芯片解决方案。但与此同时,单片芯片将继续变得复杂,根据台积电在IEDM上的演讲,我们将看到拥有多......
STM32GPIO介绍(2024-08-26)
一个上拉电阻到电源 VCC 或 VDD 和 n 个 NPN 或 NMOS 晶体管的集电极 C 或漏极 D, 这些晶体管的发射极 E 或源极 S 都接到地线上, 只要有一个晶体管饱和, 这个结点(线)就被......
晶振为什么没有封装进STM32芯片内部?(2024-08-27)
晶振为什么没有封装进STM32芯片内部?;有一些电子设备需要频率高度稳定的交流信号,而LC振荡器稳定性较差,频率容易漂移,即产生的交流信号频率容易变化。
在振荡器中采用一个特殊的元件——石英晶体......
为什么晶振不集成到芯片内部去?(2024-06-19)
电路) 的材料是硅,而晶体则是石英 (二氧化硅),没法做在一起,但是可以封装在一起,目前已经可以实现了,但是成本就比较高了。
原因3、晶振一旦封装进芯片内部, 频率也固定死了,想再更换频率的话,基本......
基础知识之光遮断器(2024-03-22)
流过电流则LED发光,光电晶体管接收其光产生电流。
读取遮光物有无所伴随的晶体管的电流变化来检测物体。
使用例:读取光电晶体管侧的电压变化
红外LED与光电晶体管
红外LED
红外......
关于PLC的外部接线维修方法(2023-08-25)
示灯亮,com1与Y0导通,Y0输出+24V信号。
FX3SA-20MT为晶体管输出,输出控制电压一般为直流24V,当需要输出交流220电压时可以选择继电器、晶闸管输出的PLC。
晶体管PLC响应......
晶振没有内置到芯片中的原因 stm32f10x系统时钟工作原理(2024-05-31)
荡器中采用一个特殊的元件——石英晶体,可以产生高度稳定的信号,这种采用石英晶体的振荡器称为晶体振荡器。
电子元器件的小型化趋势,有力促进了当下社会的发展进步,电子元器件越小,为主板节约的空间越大,因此,有人......
英特尔发布硅自旋量子芯片:用上EUV工艺(2023-06-16)
半导体工艺就能生产。
日前英特尔宣布推出名为Tunnel
Falls的量子芯片,有12个硅自旋量子比特,进一步提升实用性,这也是英特尔迄今为止研发的最先进的硅自旋量子比特,利用了英特尔数十年来积累的晶体管......
英特尔为何要帮昔日对手 ARM 代工芯片?(2016-10-18)
达成了新的授权协议,英特尔工厂未来将生产 ARM 芯片。此举一出,立即在业内引发了强烈回响。那么为何英特尔要选择为对手代工芯片?英特尔进入 ARM 阵营的代工市场胜算有多少?
英特......
行业首例,通用汽车与格芯签署长期芯片供应协议(2023-02-10)
因为汽车制造商与芯片供应商以前很少直接接触。
根据协议,将在其位于纽约州北部的先进半导体工厂为的主要芯片供应商生产芯片。
表示,这是一项长期协议,但该公司不愿透露协议持续多长时间。两家公司也不愿透露将生产多少晶......
8051单片机由什么组成 8051单片机有多少管脚(2024-03-12)
8051单片机由什么组成 8051单片机有多少管脚;8051单片机介绍
8051单片机是一款广泛应用于嵌入式系统中的8位单片机,由Intel公司在1980年推出,是当时业界最先进的8位单......
特斯拉要削减碳化硅使用量,相关芯片制造商股价应声下跌(2023-03-03)
尔没有透露特斯拉的下一代动力系统何时能够大批量生产并用于电动汽车,也没有具体说明目前在这些晶体管上投入了多少资金。特斯拉高管们也没有透露任何关于“下一代”特斯拉电动汽车的具体细节。
晶体管制成的芯片广泛应用于电动汽车。据美国电气与电子工程师学会(IEEE)介绍......
妙趣横生的电子小知识 第1篇:初识晶体管(2023-03-06)
集电极引脚的电流额定值,是表示“这个晶体管最大允许流过这么大的电流”的指标。该值的大小决定了可以将多少安培电流施加给负载(LED或电机),因此这是一个非常重要的参数。
与各引脚相关的电流名称如图4.1......
妙趣横生的电子小知识 第1篇:初识晶体管(2023-03-03)
集电极引脚的电流额定值,是表示“这个晶体管最大允许流过这么大的电流”的指标。该值的大小决定了可以将多少安培电流施加给负载(LED或电机),因此这是一个非常重要的参数。
与各引脚相关的电流名称如图4.1所示,表示“该晶体管......
苹果A16芯片到底有多厉害? 骁龙8gen2和苹果A16对比介绍(2022-12-04)
iPhone 14 Pro Max,标准款仍然使用前代A15芯片,这使得Pro机型与标准款相比,在核心性能上有很大的差距,
接下来,我们来分析一下,苹果A16芯片到底有多厉害?相比A15提升多少......
新能源汽车解析丨什么是IGBT?结构与拆解(2023-10-08)
新能源汽车解析丨什么是IGBT?结构与拆解;IGBT (绝缘栅双极晶体管)作为一种功率半导体器件,广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。具有节能、安装方便、维护......
英特尔发布硅自旋量子芯片:用上EUV工艺、95%良率(2023-06-16)
走的是硅自旋量子,使用传统的CMOS半导体工艺就能生产。
日前英特尔宣布推出名为Tunnel Falls的量子芯片,有12个硅自旋量子比特,进一步提升实用性,这也是英特尔迄今为止研发的最先进的硅自旋量子比特芯片,利用了英特尔数十年来积累的晶体管......
推挽式B类功率放大器的基本原理(2024-01-22)
在不被损坏的情况下可以燃烧的最大功率方面存在局限性。因此,了解给定功率放大器的晶体管中将会消耗多少功率非常重要。
推挽式配置的两个晶体管中消耗的功率等于电源提供的直流功率减去传输到负载的功率(PCC – PL)。每个晶体管......
IEDM2022:延续摩尔定律,英特尔底层创新不断(2022-12-09)
IEDM2022:延续摩尔定律,英特尔底层创新不断;2022年是晶体管诞生75周年,1947年12月,美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组,研制出一种点接触型的锗晶体管,这是从“电子......
stm32单片机中使用GPIO口模拟PWM输出解析(2024-09-11)
当今科学技术的发展已经没有了学科之间的界限,结合现代控制理论思想或实现无谐振波开关技术将会成为PWM控制技术发展的主要方向之一。其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置,来实现晶体管或MOS管导......
ST推出驱动芯片和GaN晶体管的MasterGaN产品平台(2020-10-10)
(HEMT)。9mm x 9mm GQFN薄型封装保证高功率密度,为高压应用设计,高低压焊盘间的爬电距离大于2mm。
该产品系列有多种不同RDS(ON) 的GaN晶体管,并以......
ST推出驱动芯片和GaN晶体管的MasterGaN产品平台(2020-10-10)
(HEMT)。9mm x 9mm GQFN薄型封装保证高功率密度,为高压应用设计,高低压焊盘间的爬电距离大于2mm。
该产品系列有多种不同RDS(ON) 的GaN晶体管,并以......
ST推出驱动芯片和GaN晶体管的MasterGaN产品平台(2020-10-10)
(HEMT)。9mm x 9mm GQFN薄型封装保证高功率密度,为高压应用设计,高低压焊盘间的爬电距离大于2mm。
该产品系列有多种不同RDS(ON) 的GaN晶体管,并以......
罗姆(ROHM)第4代:技术回顾(2023-01-31)
降低Ronsp,则芯片制造商能缩小芯片尺寸,从而实现RDSon=15 mOhm的产品,这能降低碳化硅用量,从而提高产量。
沟槽式金氧半场效晶体管的较低Ronsp背后有多种原因。首先,在碳......
罗姆(ROHM)第4代:技术回顾(2023-01-31)
的较低Ronsp背后有多种原因。首先,在碳化硅沟槽侧壁上制备的栅极具有更高的沟道迁移率,这意味着与平面器件相比,电子穿过沟槽栅极的阻碍较少。这能降低沟道电阻。其次,沟槽式金氧半场效晶体管可能消除平面金氧半场效晶体管......
罗姆(ROHM)第4代:技术回顾(2023-02-01)
的较低Ronsp背后有多种原因。首先,在碳化硅沟槽侧壁上制备的栅极具有更高的沟道迁移率,这意味着与平面器件相比,电子穿过沟槽栅极的阻碍较少。这能降低沟道电阻。其次,沟槽式金氧半场效晶体管可能消除平面金氧半场效晶体管......
电感负载A类功率放大器简介(2024-01-04)
负载级如何提供大于其电源电压的电压摆动?一种可能的解释是,节点A处的直流电压等于VCC,因为电感器在直流下是短路。RFC只承载直流电流,其值由连接到晶体管基极的偏置电路(图中未显示)确定。由于......
相关企业
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:1.NPN硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件:小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管,晶体管,MOS管,压敏电阻,TVS管,整流管,稳压管,双晶体管,数字晶体管,镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想,急客户之所急的经营思路,快速,高效,灵活
类电子元器件,主要产品包括:高频中、小功率晶体管、玻璃封装硅功率二极管、高压硅堆、单相、三相桥式硅整流器、高频大功率晶体管、低频大功率PNP、NPN晶体管、功率晶体开关管、达林顿PNP、NPN功率晶体管、功率MOS
;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商,公司位于华强北电子大厦。主要产品:稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片
;瀚博(香港)集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管,晶体管,MOS管,TVS管,整流
;瀚博集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管,晶体管,MOS管,压敏电阻,TVS管
;安丘市中惠电子有限公司;;安丘市中惠电子有限公司,毗邻美丽的世界风筝都-潍坊,是国内生产半导体分离器件的专业厂家。主要生产高、低频大功率晶体管,高频小功率晶体管,高反压大功率晶体管、三极管、达琳顿晶体管
;深圳市柏迪佳电子科技有限公司;;专业经销2N系列;2SA系列;2SB系列;2SC系列;2SD系列;BD&;BU系列;MJ系列;MJE系列;TIP系列;高反压系列晶体管;Hi-Fi功放对管;S系列晶体管