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他产品生产了5纳米和3纳米芯片。这一次，苹果正与TSMC合作开发2纳米芯片，这将用于未来的产品。3纳米或2纳米制造工艺指的是芯片的具体架构，而纳米计数的减少意味着晶体管将变得更小。 除了2纳米芯片外，先前......
行业参与者都在争先恐后。较小的节点允许在给定区域放置更多晶体管，从而提高电源效率。 第一代 3 纳米芯片将能够将功耗降低近一半，同时大幅提高性能。 在过去的几十年里，芯片制造商一直试图将更多的晶体管......
豪赌先进制程，三星快台积电一步？;6月28日消息，《韩国日报》报道三星将于6月30日开始量产3纳米芯片。 2021年三星在年度晶圆代工论坛（SFF）上，介绍了其基于GAA 晶体管结构的3纳米......
倍。 CCD、IOD都算上，Zen4锐龙处理器最多集成165亿个晶体管，霄龙则达到了恐怖的902亿个! Intel Sapphire Rapids第四代至强没公布有多少晶体管......
当初试图弯道超车的一个重要依靠在于，将传统的FinFET晶体管技术在3纳米制程时冒险更新为GAA技术。该技术优势是可以更加精确地控制电流，提高芯片的电源效率和性能，但太......
在全球先进晶圆中，三星占有25%，而台积电占有66%，知情人士认为三星看到了缩小差距的机会。 该韩国企业去年首次开始量产其3纳米芯片，称为“SF3”，并首次切换到一种名为“全围栅”（GAA）的新晶体管......
密度。Bohr举例称，22纳米进化为14纳米的时候，晶体管密度提升了2.5倍，14纳米进化为10纳米时，密度又提升了2.7倍。“最重要的是，10纳米芯片在运算速度和功耗上有了较大进步。”Bohr表示......
纳米先进制程研发上取得重大突破，已成功找到路径，将切入GAAFET技术。 纵向对比头部厂商，台积电有较大希望率先量产2纳米芯片，毕竟台积电在先进制程上一直处于领先地位，其于2018年推出7纳米......
半年将推出的第一代4纳米芯片的量产计划、2022年第二代4纳米芯片的量产计划，以及2023年第二代3纳米芯片的量产计划。但是，其中就是未包括了先前三星所宣布的，即将在 2022 年推出的第一代3纳米芯片......
计算速度。目前，传统芯片制程精度已经从几十纳米逐步降低到7纳米，台积电甚至已研发出3纳米芯片。随着传统芯片能够容纳的集成电路最终将趋向物理上的临界点，芯片计算能力的进一步提升可能会举步维艰。 因此......
控制互连寄生参数成为性能设计中的重要课题。但夏禹认为，晶体管与互连线模型复杂化只是增加了工作量，并非不能解决，工艺演进最大的拦路虎是功耗密度，类似的设计“如果16纳米芯片功耗密度为1，那么到5纳米功耗密度就可能是10，芯片如何散热，整个......
真假突破(2022-12-29)
服务器样片，而现在距离苹果新手机上市只有一个多月的时间，这个时间点上通常苹果芯片应该也已经量产一段时间。 所以嘉楠耘智先量产7纳米芯片可以证明中国芯片设计业接近第一梯队，谈有多......
很可能将其技术升级到3nm工艺。 本周一，台积电创始人张忠谋对媒体证实了这一消息。 当被媒体问及“台积电目前最先进的3纳米芯片技术是否有可能转移到别的国家，例如美国?”时，张忠谋回答：“对。” 他接......
纳米芯片集体翻车成为热议话题。 功耗和发热指标不好一直是不断追随甚至想超越摩尔定律的厂商没有解决的难题。主要元凶是芯片内部的晶体管漏电。进入深亚微米制造工艺时代之前，动态功耗一直是芯片......
，技术发展速度放缓，为中国企业提供了追赶时间。无疑IBM与三星、GlobalFoundries联盟所发布的全新硅纳米片晶体管新技术为研发5纳米芯片奠定了基础，但随着晶体管尺寸的缩小，源极......
使用N7P，而最新的S9芯片使用N4P。 每一代TSMC节点在晶体管密度、性能和效率方面都超越其前身。本周早些时候，有消息称TSMC已向苹果展示了预计在2025年引入的2纳米芯片的原型。......
可能在接下来几个月开始量产，3纳米芯片则预计2022下半年大规模生产。 台积电宣称，3纳米制程仍采用原有的FinFET（鳍式场效晶体管），比5纳米制程的性能提高15%、功耗降低30%、逻辑密度提高70%，预计2022......
布的iPhone系列的高端机型。 台积电的N3E技术是目前第一代3纳米技术（N3）的升级版，预计将于今年开始进行测试，明年下半年开始批量生产。 纳米尺寸是指芯片上晶体管之间的宽度。当芯片上晶体管......
企业的2纳米节点制程的试产线充满信心。 东哲郎表示，Rapidus 的EUV 光刻设备将于本月交货给工厂， 还有200余台设备陆续交货。 所有设备2025年3月底前到位，启动生产2纳米芯片......
称台积电已经向苹果公司展示了 2 纳米芯片原型，预计将于 2025 年推出。 据说，苹果公司与台积电紧密合作，竞相开发和实施 2 纳米芯片技术，该技术将在晶体管密度、性能和效率方面超越目前的 3 纳米芯片......
韩媒称三星电子3nm芯片将于7月25日上市;据韩媒BK消息显示，三星电子将于7月25日举行3nm纳米芯片上市仪式，且产品在功耗、性能和面积方面有了显著改善。 据悉，三星电子6月30日曾......
元规模，较今年的12亿美元增长将超20倍。目前，三星电子是唯一一家宣布成功量产3纳米芯片的公司，随着三星电子、台积电、英特尔等半导体大厂开始引进EUV设备，工艺技术不断发展，预计3纳米......
电己声称7纳米今年试产，确保明年量产。而三星更为积极，声称它的7纳米处理器芯片今年底有可能提前量产。业界老大英特尔始终不慌忙，声称2018年它的10纳米PC处理器芯片量产,并声称它的10纳米......
运算性能较强，同时也能带来降低功耗。所以从早期微米到晚期纳米芯片对制程工艺大小十分重视。然而制程不可能无限地收缩，电晶体收缩至约20纳米时会遭遇量子物理上的困扰，晶体管漏电，抵消......
尔披露了其AI芯片大战前景规划；三星将于6月揭晓升级版3纳米和4纳米芯片制程；台积电再发200亿元新台币公司债拟扩建厂房设备；日本Rapidus目标2025年4月试产2纳米芯片。 苹果......
三星首次在先进工艺层面反超台积电，3纳米芯片良品率持续提升; 电子已与美国公司Silicon Frontline Technology扩大合作，提高半导体晶片在生产过程中的良率，希望......
圆代工市场中占据最大份额的是5纳米和7纳米工艺，市场规模369亿美元，未来其份额将逐步由3纳米所取代。他还介绍称，3纳米节点需要新的器件结构以提升性能，率先实现量产的三星使用了环栅（GAA）晶体管......
答这两个问题前，我们需要先谈摩尔定律。 摩尔定律最常被表述为半导体芯片可容纳的晶体管数量呈倍数增长，而实现晶体管数量翻倍有三个重要手段：增加芯片面积、缩小......
甚至更高的纳米片（nanosheet）FET（下面将介绍）。 技术进步的最大问题在于，有多少公司会继续资助这种不断缩小的节点，同时这些先进节点芯片......
MI300X预计也将采台积电3纳米制程。 三星去年11月宣布，将于2024下半年量产SF3制程，虽然《朝鲜日报》报道未获三星回复，但从时间看推测相当合理。不过，报道提到芯片良率 60%，但没提到晶体管......
芯片工程师，是时候了解GAA晶体管了;虽然只有12年的历史，但finFET已经走到了尽头。从3nm开始，它们将被环栅 (GAA)取代，预计这将对芯片的设计方式产生重大影响。 如今，GAA主要......
电与加州库比蒂诺科技巨头苹果公司的密切关系，使AMD考虑选择三星作为其3纳米订单。除了AMD，据称高通也对三星公司的3纳米芯片工艺节点感兴趣，该公司使用的晶体管设计与韩国同行不同。 目前，三星方面暂时没有透露关于3nm......
时代，一种能提高晶体管电容的新材料推出。在22纳米时代，三栅极晶体管使芯片性能变得更强大。 但值得注意的是，摩尔定律还被附加了经济色彩。除了性能之外，成本/价格的同时下降也被视作参考标准。按照......
规划建设的两座2纳米工厂将增加至三座，这三座工厂将成为台积电2纳米技术的重要生产基地。 这一系列动作预示着2纳米制程技术的全面爆发，不仅能满足市场对高性能芯片的需求，也将为台积电带来新的增长动力。 更先进的制程技术意味着芯片可以容纳更多的晶体管......
规划建设的两座2纳米工厂将增加至三座，这三座工厂将成为台积电2纳米技术的重要生产基地。这一系列动作预示着2纳米制程技术的全面爆发，不仅能满足市场对高性能芯片的需求，也将为台积电带来新的增长动力。 更先进的制程技术意味着芯片可以容纳更多的晶体管......
结构新纪元。 由于晶体管结构从平面转换到了立体结构，难以继续通过等比例缩小晶体管尺寸来增加芯片上器件密度。随着摩尔定律的不断发展，芯片制程也愈发接近物理极限，为了......
尔联合创始人戈登•摩尔预言，芯片的晶体管密度至少每两年就会翻一番。此举的另一个目的是为自己不断加大投入的芯片代工业务吸引更多客户。 上周二，英特尔高层并未谈论该公司可能怎样支持下一波镜面笔记本电脑、自动......
传英特尔新一代Nova Lake处理器将采用台积电2纳米制程; 【导读】根据市场消息，苹果、英特尔等公司对台积电首批2纳米芯片有兴趣，苹果一直是台积电独家客户，据传已经为下代iPhone......
世代所能达到的密度，将比目前14纳米芯片甚至其他业者的10纳米产品还要高。 该公司日前也公布多项新世代制程数据，包括负责开关的电晶体闸极长度以及闸极间距(gate pitch)都会更小，最小的闸极间距将由70纳米......
台积电市占率进一步上升，预计2024年二季度开始，台积电营收将上升7%。 在2023年四季度业绩说明会上，台积电表示2nm制程（N2）采用纳米片(Nanosheet)晶体管结构，预计在2025年量产，将在......
及多项设计改变。这是几代产品中最难完成的提升，”甚至可能需要从铜线互连层面进行重新设计。 他同时补充称，该款7纳米节点需要新的“CAD工具并改变设备构建乃至晶体管连接的方式——简而言之，要完成7纳米芯片......
2023年四季度业绩说明会上，台积电表示2nm制程（N2）采用纳米片(Nanosheet)晶体管结构，预计在2025年量产，将在密度和能源效率上领先业界。N2背面电轨解决方案将在2025年下半年推出，并于......
的密度和数量都在急剧增加，同时每种工艺设计的整体复杂性也在增加。例如，仅在几年前，我们最大的芯片有 300 亿个晶体管。我们最新的设计提供了超过 500 亿个晶体管。实施 5 纳米设计需要考虑许多因素：从事......
的密度和数量都在急剧增加，同时每种工艺设计的整体复杂性也在增加。例如，仅在几年前，我们最大的芯片有 300 亿个晶体管。我们最新的设计提供了超过 500 亿个晶体管。实施 5 纳米设计需要考虑许多因素：从事......
公司将携手推进下一代逻辑和封装技术。 2021年5月，IBM宣布已成功研制出全球首款采用2纳米规格纳米片技术的芯片。公开资料显示，与当前主流的7纳米芯片相比，IBM 2纳米芯片的性能预计提升45%，能耗降低75%。与当前领先的5纳米芯片相比，2......
达成了新的授权协议，英特尔工厂未来将生产 ARM 芯片。此举一出，立即在业内引发了强烈回响。那么为何英特尔要选择为对手代工芯片？英特尔进入 ARM 阵营的代工市场胜算有多少？ 英特尔为何要为昔日对手代工芯片......
斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，采用碳纳米管复合材料将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。 那么，为何说7nm就是硅材料芯片的物理极限，碳纳米管复合材料又是怎么一回事呢？面对美国的技术突破，中国......
等细分领域较为突出。 据芯擎科技负责人介绍，自芯擎科技成立到首颗车规级7纳米芯片成功流片，“龍鹰一号”的实际研发时间不到三年。目前该芯片的所有参数均达到设计标准，创造了国内团队在7纳米......
效地将设计过渡到台积电N2 2纳米技术。功率是这些万亿晶体管多芯片设计的关键因素。 联发科（Mediatek）也在台积电使用生产就绪的人工智能驱动EDA流程开发2纳米芯片，台积电、新思科技和Ansys......
技术突破延续了IBM 在半导体创新方面的领导地位，包括全球首个 2 纳米芯片技术、首个 7 纳米和 5 纳米工艺技术、纳米片晶体管、垂直晶体管 (VTFET)、单芯片 DRAM 和化学放大光刻胶等。该项......

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