氮化镓快充技术
MWC 2022期间亮相的realme GT Neo 3配备了氮化镓闪充技术,功率达到150W,在5分钟内可为手机的4500 mAh电池充满50%的电量,氮化镓快充技术得到了充分发挥。 受惠于手机等消费性快充
资讯
MWC 2022期间亮相的realme GT Neo 3配备了氮化镓闪充技术,功率达到150W,在5分钟内可为手机的4500 mAh电池充满50%的电量,氮化镓快充技术得到了充分发挥。 受惠于手机等消费性快充...
被投企业Demo Day上,展示了下一代GaN产品(包括手机快充、家电、电动车等)。 氮化镓作为第三代半导体技术,其组件开关速度相比硅组件快20倍,在尺寸和重量减半的情况下,可以实现3倍的功率和3...
NCP1342替代料PN8213 65W氮化镓pd充电器方案;氮化镓快充已然成为了当下一个非常高频的词汇,在氮化镓快充市场迅速增长之际,65W这个功率段恰到好处的解决了大部分用户的使用痛点,从而...
; 1.5小时)。OEM厂商是时候开始部署快速充电了,其方法就是利用更高功率进一步推动极限,以减少充电时间。 PEN:与硅器件相比,氮化镓器件的价位是多少? Dogmus: 大功率的氮化镓快充...
的All GaN PD3.1解决方案,使用了中、低压氮化镓单管取代传统的硅MOS,大幅度降低电阻,减小驱动损耗,并进一步缩小封装面积,大大提升了氮化镓快充开关频率,提高转换效率和功率密度,为大功率氮化镓快充...
产品。 特别是作为氮化镓快充控制器国产化先驱,率先实现氮化镓控制芯片的自主可控,至今已成功量产多款集成GaN直驱的控制器,凭借成熟的高集成度GaN解决方案,已与多品牌达成深度合作,得到...
对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试 测试探头:麦科信OIP系列光隔离探头 现场条件 因该氮化镓快充PCBA设计密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是最优方案的同轴延长线连接(通常推荐采用MCX...
对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试 测试探头:麦科信OIP系列光隔离探头 现场条件 因该氮化镓快充PCBA设计密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是最优方案的同轴延长线连接(通常推荐采用MCX...
本电脑的快速充电。另外的USB-C口支持100W输出,USB-A口支持60W快充,都具有很好的快充兼容性。 充电器延续了倍思120W氮化镓快充一样的接口配置和外观设计,可以说是性能加强版,以满...
从手机充电器到汽车充电器,氮化镓开启逆袭之路; 【导读】如今的消费类电源市场,要说「几乎人手一个氮化镓快充充电器」并不过分吧?从 2018 年前后开始,氮化镓快充充电器进入国内市场,随后...
POWERQUARK®赋能绿联新一代充电头提升用户体验; 近日,搭载南芯科技POWERQUARK®系列芯片的绿联闪充湃65W氮化镓快充充电头(X550)发布,这款USB-C氮化镓充电头支持100V...
纳微氮化镓器件助力OPPO新一代快充;Navitas Semiconductor 纳微半导体今日宣布,交付基于其GaNFast技术的第500万颗氮化镓功率IC芯片。7月24日,纳微...
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞,助力氮化镓先进应用;未来已来,氮化镓的社会经济价值加速到来。 本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓...
线经理。其主导规划的快充同步整流MOSFET在国内首个快充产品上实现了量产,长年市场占有率达第一。其主导规划的氮化镓快充专用同步MOSFET以高效率、高可靠性深受业内好评。 演讲主题:《氮化镓...
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞,助力氮化镓先进应用;好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞,助力氮化镓先进应用 未来已来,氮化镓的社会经济价值加速到来。 本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术...
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞,助力氮化镓先进应用;未来已来,的社会经济价值加速到来。本文引用地址: 本文介绍了镓未来和在方面的技术合作方案。 镓未...
代移动通信等。随着技术突破,成本逐渐得到控制,目前氮化镓还被广泛运用到消费类电子等领域,上文提到的充电器便是其中重要的一项。 随着相关技术不断取得突破,未来,氮化镓不再局限于快充...
主动降压等功能,可辅助延长电池使用寿命,即使在 500 次循环后,电池仍能保持 80% 初始容量1,安全耐用。快充充电器采用 12 安 508 瓦氮化镓快充技术,800 瓦时电池电量从 0% 充到 75% 仅需...
驱动在内的产品组合。 广泛布局快充市场 AC/DC氮化镓快充市场是消费电子一直以来的新兴产品。作为AC/DC产品线丰富的MPS,也拥有多种快充方案组合。 此次,MPS展示了氮化镓合封方案, 包括原边集成GaN的反...
接口问题,没有得到迅速推广。包括联发科Pump Express(PE)、魅族mCharge和Pump Express Plus(PEP)、华为早期Fast Charge Protocol(FSP)等快充技术都是这个时期出现的高压快充...
集团有限公司订立合作框架协议,开展为期三年的战略合作,合作内容为氮化镓快速充电桩的技术推广及产品销售。2023年4月,国内最大的充电桩运营商特来电宣布携手德州仪器在直流充电设备、交流...
国产电源IC企业如何掘金快充市场?;快充市场现况 智能手机是快充技术运用较为成熟的细分场景。早在2015年,一句朗朗上口的Slogan“充电5分钟通话2小时”让广大消费者第一次认识到快充带来的“快感...
。 近期,MPS、英诺赛科等知名半导体公司发布了氮化镓“PFC+LLC”设计方案。高性能的方案设计为消费类电源产品提供简单可靠,高效率高功率密度的数字化解决方案,同时也标志着氮化镓快充...
为该系列充电器的名称:G35 Pro 氮化镓快速充电器。 包装盒背面为充电器的基本参数信息,并拥有低碳电源认证标识。 产品名称:G35 Pro 氮化镓快速充电器(以下简称:航嘉G35 Pro 安全快充...
彤指出,同样采用USB-C充电接口,各企业快充技术还存在不互通、不兼容的问题,比如OPPO手机快充功率为100W,而小米手机用这套充电器可能只能达到10W的慢充功率。究其缘由,是近年来各品牌厂商百花齐放,形成了多种快充...
器设计尺寸更小并且更加高效的电源。为什么要在智能手机电源中使用氮化镓?近年来智能手机,平板电脑或笔记本电脑的功率呈指数增长。为了让消费者有更好的使用体验,制造厂商不得不增加电池容量。但是由于电池材料技术的限制,电池...
Power Integrations推出新款可编程、小巧及高效的零电压开关电源IC;InnoSwitch4-Pro系列反激式开关IC可实现效率超过95%、外形小巧、同时兼容USB PD和通用快充技术...
Transphorm GaN技术引领氮化镓革命;长期以来,宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型 (D-mode)和增强型(E-mode)氮化镓。在设计电路时,人们...
积。 InnoSwitch4-Pro系列反激式开关IC可实现效率超过95%、外形小巧、同时兼容USB PD和通用快充技术规范(UFCS)的适配器设计,并且输出功率高达220W (照片:美国...
开关器件产品,主要应用于手机/笔记本快充中,在手订单达数百万颗。2022年将继续推出适用于140W、200W、330W等低功率应用场景的高性能氮化镓功率器件产品及电源整体解决方案。 目前...
能与公司既有的八寸矽晶圆机台设备在开发与生产上相互配合使用,以达最佳生产效率及良率。根据客户端的系统验证结果,世界先进公司提供的氮化镓晶圆于快充市场的应用上,针对65W以上的快充产品,其系...
功率器件已开始被引入手机内部,数据中心、新能源汽车市场等领域应用亦潜力巨大。不过,氮化镓从材料、器件到应用的全产业链虽已初步形成,其供应链生态和产能、技术相比碳化硅仍不够成熟。 消费快充率先放量 氮化镓元件于消费电子快充...
最高能达到120W功率的升降压快充技术,提高放电效率;④研发USB mark芯片和GaN(氮化镓)快充控制芯片等课题。 英集芯在招股书中表示,未来公司将基于在消费电子领域的优势市场地位,以行业前沿技术...
半导体联合创始人兼首席执行官Gene Sheridan指出,“下一代GaNFast技术是电力电子技术重大升级的催化剂,并促使我们在成立的7年时间内实现了IPO。我们已经看到,到2026年,氮化镓将拥有每年130亿美...
案还搭载onsemi旗下同步整流控制器NCP4307和氮化镓FET等产品,以达到最佳的效率表现。凭借大联大的前沿技术和onsemi的先进器件,此方案不仅能够加快USB PD3.1充电器的产品设计,更推动了整个快充...
步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性,同时增加了纳微氮化镓功率芯片技术的节能和快充优势。 )是下一代半导体材料,氮化镓器件的开关速度比传统的硅器件快20倍,在尺寸和重量减半的情况下,可实现高达3倍的功率和3倍的充电速度。纳微...
上百倍的数量增加,因此成本的控制非常关键,而硅基氮化镓在成本上具有巨大的优势,随着硅基氮化镓技术的成熟,它能以最大的性价比优势取得市场的突破。2.GaN在快充市场的应用随着电子产品的屏幕越来越大,充电...
球芯片制造设备领导厂商,其生产的XT400和XT860的i-line和KrF经过升级,能够在硅基晶圆上制造氮化镓功率器件。据悉,ASML的i-line和KrF光刻机能提供最卓越的性能、市场上最高的生产效率以及最低的成本。双工件台技术...
步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性,同时增加了纳微氮化镓功率芯片技术的节能和快充优势。 氮化镓(GaN)是下一代半导体材料,氮化镓器件的开关速度比传统的硅器件快20倍,在尺寸和重量减半的情况下,可实现高达3倍的功率和3...
步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性,同时增加了纳微氮化镓功率芯片技术的节能和快充优势。 氮化镓(GaN)是下一代半导体材料,氮化镓器件的开关速度比传统的硅器件快20倍,在尺寸和重量减半的情况下,可实现高达3倍的...
步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性,同时增加了纳微氮化镓功率芯片技术的节能和快充优势。 氮化镓(GaN)是下一代半导体材料,氮化镓器件的开关速度比传统的硅器件快20倍,在尺寸和重量减半的情况下,可实现高达3倍的功率和3...
步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性,同时增加了纳微氮化镓功率芯片技术的节能和快充优势。 氮化镓(GaN)是下一代半导体材料,氮化镓器件的开关速度比传统的硅器件快20倍,在尺寸和重量减半的情况下,可实现高达3倍的...
,2013年建立了国内首条氮化镓研发中试线后,江苏能华微电子迅速实现产品研发、生产和迭代,运行两年即成功研制和生产出了基于硅基、蓝宝石基以及碳化硅基的氮化镓外延片。 到2020年,江苏能华微电子所研发的氮化镓功率器件在快充...
NCP1342驱动氮化镓国产替代—PN8213;目前国内市场上手机、笔记本、平板等电子产品的GaN快充产品的核心器件—GaN驱动IC,基本上都依赖进口,骊微电子推出NCP1342驱动氮化...
英诺赛科多款TO封装GaN强势出货,为电源设计提供丰富选择; 【导读】英诺赛科推出多款采用TO252 / TO220 封装的直驱氮化镓芯片,基于先进的8英寸硅基氮化镓技术,耐压从650V...
也并非全是优点,由于其成本较高,需要更高的技术水平和更昂贵的材料。例如,为了实现耐高压和抗热性能,800V高压系统必须使用碳化硅或氮化镓等高性能半导体材料。然而,这些材料的价格远高于传统的硅材料,因此...
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计,该方案采用了高性能TO-220封装氮化镓功率管;目前,同业竞争氮化镓技术均未推出插件式封装的氮化镓器件。采用符合产业标准的插件式封装,电源...
整个宽禁带半导体(功率和射频部分)的投资规模达到了709亿,比上一年翻了一倍多。” 同时,第三代半导体应用需求也在增长,随着碳化硅(SiC)进入新能源汽车产业链、氮化镓(GaN)在快充...
的全新GaNFast™氮化镓功率芯片。 在日前的媒体发布会上,纳微半导体发言人向《国际电子商情》等媒体介绍了GaNSense™技术的特点,以及集成GaNSense™技术的GaNFast™芯片...
Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计;Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计,该方案采用了高性能TO-220封装氮化镓功率管 目前,同业竞争氮化镓技术均未推出插件式封装的氮化镓...
相关企业
manufacturing in Taiwan. ; EPC设计,开发,市场,销售基于氮化镓的电源管理设备,采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换,利用优越的半导体材料,EPC是率先推出增强型氮化镓
(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案,满足全球客户需求。我们是市场领导者,专门为移动设备,3G和4G蜂窝基站,WLAN
;东莞中和光电有限公司;;本产品采用树脂封装,材料采用氮化镓(GaN),结构为电解出型,封装形式为直插型,型号有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型号,形状有圆头,椭圆,草帽,钢盔,方形
;璨圆光电深圳市场部;;璨圆光电股份有限公司是一家LED芯片专业生产厂家,提供以氮化镓(GaN)为材质的超高亮度蓝、绿、紫光等LED晶粒!目前产品波长范围可达385nm-560nm;可应
子体 (PDP)显示荧光粉、氮化镓基白光二级管光源材料,新型太阳能光源等新型环保节能产品的研发生产。
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始,在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓(GaAs
;深圳市希奇电子科技有限公司;;希奇电子科技有限公司是一家以台湾LED芯片为龙头,集LED芯片及成品销售、服务于一体的专业团队。提供以氮化镓(GaN)为材质的超高亮度蓝、绿、白、紫外光等LED晶粒
;江苏苏州谷邦(等离子氮化)表面技术有限公司;;谷邦公司拥有多台国内最先进的金属表面离子渗氮设备-真空*辉光*脉冲-等离子氮化炉(可承载直径2000mm氮化工件),炉内气压、气体气氛、温度
度四元晶粒(C系列)、金属基板倒装晶粒(MS)、氮化镓晶粒(AllnGaN)、覆晶晶粒(Flip chip); K*on:红外芯片(940nm)、高速红外芯片(850nm,875nm,880nm) 用过
公司与等离子体研究所专家们精诚协作,致力于金属材料离子氮化工艺的研究和开发,只需要您提出加工零件的技术要求和生产纲领,其余的事就交给我们吧!