目前国内市场上手机、笔记本、平板等电子产品的GaN快充产品的核心器件—GaN驱动IC，基本上都依赖进口，骊微电子推出NCP1342驱动氮化嫁国产替代芯片—PN8213，适用于65W氮化镓充电器芯片方案。

NCP1342替代芯片PN8213特征

■ 内置高压启动电路

■ 供电电压9~57V,适合宽输出电压应用

■ Valley Lock:技术提高效率改善系统噪声

■ 最高工作频率外部可设置

■ 空载待机功耗<55mW@230VAC

■ 优异全面的保护功能。

PN8213工作于准谐振模式的控制芯片，供电电压9~57V，空载待机功耗<55mW@230VAC，通过DMG脚实现精确的谷底开通，最高工作频率可通过FSET脚设置。当系统处于重载或中载下，芯片工作在Valley-Lock Mode;随着负载减轻，芯片会进入PFM降低工作频率；当系统处于极轻载下，芯片会进入Burst Mode以降低待机功耗。内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。

PN8213在驱动、芯片供电、电路等都做了进一步的优化，将驱动集成于芯片内，能够直接供电给氮化镓芯片，可兼容代换ON安森美NCP1342，针对快充应用，PN8213外围电路更为简单，并具有较大的成本及供货优势。凭借其高度集成的芯片和简洁的电路，以及完整的解决方案，实现了65W氮化镓充电器芯片的国产替代