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积的优势不言而喻，但价格却仍然让许多方案厂商犹豫不决。英诺赛科坐拥全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造基地，规模化量产使氮化镓成本在行业中具备较强的竞争优势。 随着终端产品对氮化镓......
​Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
司提供6英寸产品为主时，英诺赛科已切入8英寸领域。 早在2017年底，英诺赛科珠海制造工厂建成投产，成为中国首条完整的8英寸硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括8英寸硅基氮化镓晶......
全球首款12英寸功率氮化镓晶圆问世！;9月11日，英飞凌宣布，公司已成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆。 英飞凌表示，公司......
Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型(D－Mode)与增强型(E－Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally......
Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比;氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明......
Transphorm 最新技术白皮书：常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比; 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 10 月 19 日 –氮化镓......
半导体产品的产业规模。该公司的产品线涵盖了氮化镓晶圆、分立器件、集成电路以及模组等。在2023年的全球氮化镓功率半导体市场中，英诺赛科以33.7%的市场份额领跑，位居行业之首。 细观其产品结构，英诺赛科的氮化镓......
业务开发部门负责人Kenji Fujito说：“氮化镓能否得到广泛应用，关键在于电动汽车是否采用它。”为此，需要开发大直径基板。 氮化镓半导体器件是通过在基板上生长氮化镓晶......
制造能力等方面均处于绝对优势。 我国在自主替代大趋势下，目前在氮化镓产业链各环节均有所涉足，在政策支持下已在技术与生产方面取得进步，产业结构相对聚焦中游，多家国内企业已拥有氮化镓晶......
福州新区两个GaN项目签约;近日，福州新区集中签约38个重点项目，总投资超220亿元，其中2个项目涉及氮化镓，包括芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目和福州镓谷氮化镓外延片项目。 资料显示，芯睿半导体氮化镓晶......
科技介绍称，GaN系统公司是业界领先且备受好评的氮化镓功率晶体管开发商，其产品已经涉足汽车领域。然而，氮化镓晶体管在汽车应用中仍有很大的潜力，相比硅晶体管它的体积更小，性能更高效、使用更经济。 图片......
和低电感电机驱动器。 作为增强型氮化镓 (eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......
电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小......
电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小......
(eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm......
和12英寸晶圆。 然而，制造尺寸大于4英寸的氮化镓单晶晶圆一直都面临挑战。为此，大阪大学和丰田合成的研究人员制造了一种8英寸的多点籽晶（MPS）衬底，并在衬底上生长出对角线长度略低于8英寸的六方氮化镓晶......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体;作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，氧化镓具备大禁带宽度（4.8eV）、高临界击穿场强（8MV/cm）和良好的导通特性，与碳化硅和氮化镓相比，氧化镓......
热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。 1 国内氧化镓......
热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。 1 国内氧化镓......
成功建成投产全球首条200mm硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括200mm硅基氮化镓晶圆及30V-650V氮化镓功率器件。 受惠于高、低压GaN产品出货量大幅增长，英诺......
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势;常闭耗尽型 (D-Mode) 与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管本质优势对比之简短指南 氮化镓......
国外大厂合作进军此领域，尤其是氮化镓晶圆。魏哲家当初表示，氮化镓拥有高效能、高电压等特性，适合用在高频半导体，而台积电在氮化镓制程技术上已有所进展，符合客户要求，看好未来氮化镓应用前景。如今，小批......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机;三菱电机公司于7月30日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.（以下简称“NCT”），一家开发和销售氧化镓晶......
功率半导体领域的龙头企业正式进入资本市场，并成为港股“第三代半导体”第一股。 公开资料显示，英诺赛科成立于2017年，致力于氮化镓功率半导体行业的发展，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶......
资金近14亿港元，募集资金金额13.02亿港元。根据规划，英诺赛科募集资金将主要用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能、研发及扩大产品组合、扩大氮化镓产品的全球分销网络等。 据英......
人兼CEO Rob Gwynne和qGaN模块 氮化镓晶体管对下一代电力电子的重要性在于其能够在超高频率下工作，以实现开启和关闭。缓慢的转换会浪费能源，因为在晶体管既不开启也不关闭的开关时间内，它要......
人兼CEO Rob Gwynne和qGaN模块 氮化镓晶体管对下一代电力电子的重要性在于其能够在超高频率下工作，以实现开启和关闭。缓慢的转换会浪费能源，因为在晶体管既不开启也不关闭的开关时间内，它要......
Transphorm GaN技术引领氮化镓革命;长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型 （D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电路时，人们......
能与公司既有的八寸矽晶圆机台设备在开发与生产上相互配合使用，以达最佳生产效率及良率。根据客户端的系统验证结果，世界先进公司提供的氮化镓晶圆于快充市场的应用上，针对65W以上的快充产品，其系......
看好氮化镓市场，德州仪器拟扩大日本福岛工厂产能; 【导读】德州仪器(TI)日本负责人Samuel Vicari日前接受日经新闻专访，透露将扩大在日氮化镓晶......
赛科科技有限公司成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓芯片制造的企业。公司成功建成投产全球首条200mm硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括200mm硅基氮化镓晶圆及30V-650V氮化镓......
”），一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高......
衬底。 2021年12月，吴越半导体在无锡高新区举行GaN晶体出片仪式，会上展示了全球范围内首次厚度突破1厘米的氮化镓晶体。 封面图片来源：拍信网......
共封装器件生产线。该项目建成并实现量产后，可年产氮化镓共封装器件2亿颗、氮化镓晶圆6万片，年产值可达到12亿元。 报道显示，去年11月，灿科半导体功率器件项目签约落地徐州高新区电子信息产业园内，由广......
三菱电机投资Novel Crystal Technology，加速开发氧化镓功率半导体;加速研究开发性能卓越的功率半导体为实现低碳社会做出贡献三菱电机集团近日（2023年7月28日）宣布，已投资日本氧化镓晶......
在实验室中取得越来越多研发进展，其量产、商业化脚步也在不断推进。日本分析机构矢野研究所发布宽禁带半导体全球市场研究结果，氧化镓比碳化硅器件具有更高的成本和性能潜力，参与者的数量正在增加。或许不久之后，氧化镓就会加入与碳化硅和氮化镓......
全新MASTERGAN1，让GaN晶体管更具说服力和直观性;前不久意法半导体发布了全新MASTERGAN1产品，它同时集成了半桥驱动器和两个增强模式氮化镓（GaN）晶体管， 类似的竞争产品仅仅只包含单个氮化镓晶......
巩固领先优势作为最新一代半导体材料之一，氮化镓技术及其工艺复杂，具备较高的进入壁垒。英诺赛科凭藉在氮化镓核心技术和关键工艺上的突破，在行业内建立了稳固的先发优势。公司是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶......
中心和汽车应用提供8英寸氮化镓晶圆代工服务。 随着世界范围消费电子、电动汽车领域的技术升级和需求增长，功率半导体的价格一直在上涨。因此，行业寄希望于碳化硅、氮化镓......
驱动，可由专用控制器或通用MCU进行驱动控制，是数据中心模块电源，电机驱动以及D类功率放大器等48V电源系统的最佳选择。   INN040LA015A是一颗耐压40V导阻1.5mΩ的增强型氮化镓晶体管，其采......
与制造。拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产能力，产品设计及性能处于国际先进水平，为客户提供从15V到700V的高、低压全功率氮化镓芯片。自2015年成立至今，英诺赛科已获专利700多项，累计出货量超2.5......
厂商芯联集成披露了2024年上半年业绩电话说明会相关内容。会上，芯联集成表示，其将增加氮化镓产品线，来满足新应用的需求。 值得一提的是，英飞凌近日宣布已成功开发出全球首款12英寸功率氮化镓晶圆。英飞......
您对我们的电机驱动方案感兴趣， 英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶......
性且易驱动性：采用最稳健的硅MOSFET SiO2栅极，不受 e-mode 的 p 栅极限制，可兼容硅基驱动器和控制器。  业务开发和营销高级副总裁Philip Zuk表示，“长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶......
，IEDM2022上，英特尔为打造300毫米硅基氮化镓晶圆开辟了一条可行的路径，从而让世界离超越5G和电源能效问题的解决更进一步。英特尔在这一领域所取得的突破，实现了比行业标准高20倍的增益，并在......
片集成电路。去年，IEDM2022上，英特尔为打造300毫米硅基氮化镓晶圆开辟了一条可行的路径，从而让世界离超越5G和电源能效问题的解决更进一步。英特尔在这一领域所取得的突破，实现了比行业标准高20倍的增益，并在......
是为了满足汽车领域对功率半导体的需求。 报导引用知情人士的说法指出，三星电子近期在韩国、美国举办的“2023三星晶圆代工论坛”活动宣布，将在2025年起，为消费级、资料中心和汽车应用提供8寸氮化镓晶圆代工服务。 据悉，氮化镓......
商务部宣布计划向格芯提供15亿美元的直接资助，用以扩大其在美国的氮化镓晶圆厂产能。 业务进展方面，今年6月，格芯和BAE Systems建立了合作伙伴关系，以加强美国国家安全项目的关键半导体供应。根据该协议，两家......
产品所取代。氮化镓（）预计会快速增长，目前主要应用在消费电子领域，但将逐步进入工业和汽车领域。碳化硅（SiC）则将继续在高功率汽车和工业应用中保持增长并扩大渗透率。具体市场估值方面，到2026年，GaN HEMTs......

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