2024年1月18日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基于英诺赛科（）InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件的1KW 方案。 

图示1-诠鼎基于产品的1KW 方案的展示板图

随着“双碳”概念的逐渐深入，智能化和低碳化已经成为数据中心的两大“确定性”发展趋势。据知名机构Research调查显示，现有的采用Si方案的数据中心整体功率转换能效大约为75%，而采用GaN器件则可将能源效率提升到87.5%。其中，DC/DC 48V-12V环节在整个链路中扮演了重要角色。在这种背景下，基于 InnoGaN ISG3201和INN040LA015A器件推出1KW 方案，其利用氮化镓寄生结电容小的特点，配合磁集成方案，将开关频率提升至1MHz，具有高效率和高功率密度特性。  

图示2-基于Innoscience产品的1KW DC/DC电源模块方案的场景应用图

本方案采用全桥LLC DCX拓扑结构，固定变比为4：1，支持48V输入转12V输出，集成Innoscience旗下两颗100V InnoGaN ISG3201和八颗INN040LA015A低压GaN芯片。ISG3201是一颗耐压100V的半桥氮化镓合封芯片，其通过内部集成驱动器，优化驱动回路和功率回路，显著降低寄生电感和开关尖峰，进一步提高1KW 48电源模块系统的整体性能和可靠性。不仅如此，该芯片还具有独立的高侧和低侧PWM信号输入，并支持TTL电平驱动，可由专用控制器或通用MCU进行驱动控制，是数据中心模块电源，电机驱动以及D类功率放大器等48V电源系统的最佳选择。

INN040LA015A是一颗耐压40V导阻1.5mΩ的增强型氮化镓晶体管，其采用FCLGA 5*4封装，体积小巧，同时具备极低栅极电荷和导通电阻，且反向恢复电荷为零，不仅可以降低占板面积，而且具有更高的开关频率，能够为系统提供更高的动态响应。 

图示3-基于Innoscience产品的1KW DC/DC电源模块方案的方块图

本方案能够以39mm×26mm×7.5mm的尺寸为数据中心带来高功率密度与低损耗的优势。在实际测试中，输入电压48V、输出12V/30A时，峰值效率可达98%；输入电压48V、输出12V/85A时，满载效率可达96.29%。未来，随着数据中心向更高效与更智能的方向发展，氮化镓也将成为重要绿色革命的关键角色，在这个进程中，大联大与Innoscience将持续研发以氮化镓为核心的解决方案，为数字时代赋能。

核心技术优势：

 高效率：98%@48V-12V/30A；

 高频率：1MHz；

 高功率密度：2150W/in³；

 超小体积：39mm×26mm×7.5mm。

方案规格：

 尺寸：39mm×26mm×7.5mm；

 效率：

Ø峰值效率：；

Ø满载效率：；

 功率密度：2150W/in³。