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百思特达氮化镓半导体芯片项目竣工，进入试生产阶段(2023-01-11)
百思特达氮化镓半导体芯片项目竣工，进入试生产阶段;据盘锦高新技术产业开发区消息，目前，辽宁百思特达半导体科技有限公司（以下简称“百思特达”）的氮化镓半导体芯片项目已经进入产品试生产阶段。
消息......
百斯特达氮化镓半导体芯片项目建成，将增加10条氮化镓外延生产线(2022-05-16)
百斯特达氮化镓半导体芯片项目建成，将增加10条氮化镓外延生产线;据盘锦日报报道，5月9日，盘锦高新技术产业开发区的氮化镓半导体芯片项目现场，工程施工人员正在接通水电气，辽宁百思特达半导体......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
质量较好，关键技术指标已达领域内的先进水平。
氧化镓行业前景广阔，多国争抢15亿美元市场
当前，以碳化硅、氮化镓为主的第三代半导体材料迅速发展，但不容忽视的是，以氧化镓和锑化镓为主的第四代半导体......
昌龙智芯半导体项目揭牌启动(2024-03-15)
标志着公司正式投入运营。
据官微介绍，昌龙智芯半导体主营业务为高端功率半导体芯片与器件，包括新材料氧化镓功率芯片研发，高压硅基、碳化硅基功率芯片MOSFET、IGBT设计、研发与销售。将打造国际高端功率芯片......
第三代半导体项目遍地开花(2024-03-04)
分两期实施。一期工程计划投资15亿元，建设4/6英寸砷化镓生产线，主要生产砷化镓半导体面射型镭射VCSEL产品，年产芯片6万片。建设期1.5年，预计2025年7月试生产。
二期工程计划投资20亿元......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
下一代半导体：一路向宽，一路向窄;随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化......
现金流短缺，半导体生产商BelGaN申请破产(2024-08-02)
现金流短缺，半导体生产商BelGaN申请破产;据布鲁塞尔时报(The Brussels Times)报道，主要生产硅和氮化镓半导体芯片的BelGaN公司申请了破产保护。
BelGaN团队......
这家企业突破一专业领域芯片研制及试产(2024-10-01)
这家企业突破一专业领域芯片研制及试产;据南光谷消息，9月28日，位于大桥智能制造产业园的武汉鑫威源电子科技有限公司（以下简称“鑫威源”）在高性能氮化镓半导体激光器芯片方面取得重大技术突破，同时氮化镓半导体激光器芯片......
第三代半导体项目遍地开花(2024-03-04)
项目，是由山东水发联合台湾半导体龙头企业共同投资建设，项目总投资35亿元，计划分两期实施。一期工程计划投资15亿元，建设4/6英寸砷化镓生产线，主要生产砷化镓半导体面射型镭射VCSEL产品，年产芯片6万片......
重庆集成电路产业“十四五”规划出炉：这些12英寸半导体项目被划重点(2022-03-23)
提升砷化镓、磷化铟等第二代化合物半导体材料制造能力、产能和化合物半导体芯片生产线良品率，发展激光器芯片、光电器件等产品。研发氮化镓、碳化硅等宽禁带半导体材料，推动功率半导体生产企业开发大功率碳化硅金属氧化物半导体......
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工(2024-02-29)
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工;菏泽市牡丹区吴店镇消息显示，2月26日，吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。
据悉，菏泽市牡丹区砷化镓半导体......
获大基金二期投资，这家拟A股IPO半导体企业的氮化镓项目即将竣工(2022-02-24)
应用模组封装线，年产1亿只超高频AC/DC电源管理芯片，5000万只氮化镓电源模组。
该项目于2020年10月20日开工，2021年8月13日，马鞍山市政府消息显示，东科氮化镓半导体项目一期工程全部结构封顶。据悉......
拟投资不低于100亿元，这家化合物半导体厂商推动新项目落地(2021-09-23)
资已超过25亿，是国内首家提供6吋砷化镓/氮化镓半导体集成电路晶圆制造的芯片制造企业，已完成包括砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）及磷化铟（InP）在内的6大类......
国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产产线投产(2023-03-24)
国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产产线投产;据北部之窗消息，3月22日，飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线举行投产仪式。这意味着国内首条氮化镓半导体激光器芯片......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！(2022-12-09)
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破！;近期，北京铭镓半导体有限公司（以下简称：铭镓半导体）使用导模法成功制备了高质量4英寸（001）主面氧化镓（β-Ga2O3）单晶，完成了4英寸氧化镓......
铭镓半导体预计2023年底完成扩产计划，将建成氧化镓完整产业线(2022-08-04)
铭镓半导体预计2023年底完成扩产计划，将建成氧化镓完整产业线;据北京顺义消息， 8月1日，顺义科创集团与北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）签订承租合同，将腾退的989平方米老厂房变身为氧化镓......
铭镓半导体扩产项目、特思迪半导体二期等项目签约北京(2023-05-29)
资额近18亿元。其中，包括国联万众二期、晶格领域二期、特思迪半导体二期、铭镓半导体扩产项目等6个产业项目。
资料显示，国联万众成立于2015年，由中国电子科技集团公司第十三研究所控股，主营业务为第三代半导体氮化镓......
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破(2023-03-13 14:40)
国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破;近日，从顺义科创集团获悉，入驻企业北京铭镓半导体有限公司实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓......
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破(2024-06-06)
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破;据北京顺义消息，北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破，已领......
国内首条氮化镓半导体激光器芯片产线正式投产(2023-03-24 14:10)
国内首条氮化镓半导体激光器芯片产线正式投产;
“我宣布，飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线正式投产。”3月22日，市长张壮在广西飓芯科技投产仪式上宣布。这意味着，国内首条氮化镓半导体激光器芯片......
我国成功制备6英寸氧化镓单晶，第四代半导体正式“撒网”(2023-03-01)
富加镓业、北京铭镓半导体、深圳进化半导体等。此外，除中电科46所，上海光机所、上海微系统所、复旦大学、南京大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期，我国在氧化镓......
抢占竞争制高点？国内氧化镓功率器件研发取得重要进展(2022-08-31)
院士团队研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应，实现了兼具超高耐压和极低导通电阻的氧化镓功率二极管，功率优值高达13.2GW/cm2，是截止目前氧化镓半导体......
重庆2023年重点项目名单公布：华润微2大项目同时上榜(2023-04-19)
。提升砷化镓、磷化铟等第二代化合物半导体材料制造能力、产能和化合物半导体芯片生产线良品率；同时研发氮化镓、碳化硅等宽禁带半导体材料；开展碳基纳米材料、锑化镓、铟化砷等超宽禁带半导体......
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动(2024-09-29)
义运营，但将更名为Octric Semiconductors UK，管理内容大致相同。实施治理的工作已经开始，以确保适当的财务监督，这将是政府的一个新因素。英国国防大臣约翰·希利表示，这项战略投资将确保该工厂在未来能够生产砷化镓半导体以及更强大的半导体......
上海、山西、辽宁、湖南...国内再添一批第三代半导体项目(2021-08-12)
料产业以及物流产业等领域进行全方位合作。
根据协议，双方将合作建设以氮化镓半导体为核心的第三代半导体产业基地、以金属铜为原料向下游延伸建设5G新材料产业基地，同时搭建金属和新材料等大宗商品交易平台，建设......
新型半导体技术可为人工智能提供动力(2024-04-25 10:29)
提高器件的效率。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）这两种材料尤为重要。这两种材料并不新鲜，但迄今为止，对它们的需求一直受到成本，产能以及可靠性的担忧。不过，这种情况正在开始改变。越来越多的碳化硅和氮化镓半导体......
格芯获3500万美元资金补贴，加速制造下一代氮化镓芯片(2023-10-20)
计划购买更多设备来提升开发和原型设计能力，向大规模200mm硅基氮化镓半导体制造迈进。作为投资的一部分，格芯计划实施新的能力，以减少格芯及其客户面临镓供应链限制的风险，同时提高美国制造氮化镓芯片的开发速度、供应......
东科半导体氮化镓项目迎最新进展(2022-02-23)
山市政府消息显示，东科氮化镓半导体项目一期工程全部结构封顶。
据悉，东科半导体主要从事高频高效绿色电源IC和大功率电源IC的设计、生产、制造和销售，提供AC-DC电源管理系列、SR同步整流系列、触摸......
3家半导体厂商正式闯关科创板(2022-01-11)
电信、AT&T等国内外知名运营商网络中，已成为国内领先的光芯片供应商。
北京通美：规划实现新产品8英寸砷化镓衬底量产
招股说明书显示，北京通美此次拟募集资金11.67亿元，扣除发行费用后将按轻重缓急顺序投资砷化镓半导体......
晶旭半导体高频滤波器芯片生产项目主体封顶(2024-08-07)
生产线，首批产线实现每年400kk产能，企业产值10亿元左右。
资料显示，晶旭半导体致力于氧化镓基通讯射频滤波器晶圆材料及芯片的研发生产和服务，具备氧化镓半导体外延装备、工艺及芯片......
建造全国首条第四代半导体生产线 山西锑化物半导体项目已进入试运行阶段(2021-09-03)
建造全国首条第四代半导体生产线 山西锑化物半导体项目已进入试运行阶段;9月3日，据山西经济日报消息，由晋城市光机电产业研究院引进的锑化物半导体项目目前已经进入试运行阶段。预计该项目明年将达到1万支芯片......
7天制造1颗芯片，誉鸿锦半导体如何做到？(2023-10-16)
7天制造1颗芯片，誉鸿锦半导体如何做到？;很多分析认为是氮化镓器件规模仍然不足，导致成本均摊困难。但在誉鸿锦半导体看来，规模是结果而并非原因，本质问题出现在产业效率上，只有把系统效率提升，才能......
3500万美元补贴，又一大厂发力氮化镓芯片(2023-10-20)
3500万美元补贴，又一大厂发力氮化镓芯片;近日，格芯宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓（GaN）芯片......
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能;专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再......
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能(2023-12-07 10:36)
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能;专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再生能源和电动汽车领域的应用全球领先的氮化镓......
产能增加400%，一半导体工厂投产(2024-10-30)
技术，并开始在日本会津工厂进行大规模生产。”Mohammad Yunus进一步指出，到2030年，德州仪器内部氮化镓制造率将增长到95%以上，同时还可以从多个德州仪器工厂采购，确保公司整个氮化镓半导体......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
研发进展捷报频传
目前，我国从事氧化镓相关业务的企业包括北京镓族科技、杭州富加镓业、北京铭镓半导体、深圳进化半导体等。此外，除中电科46所，上海光机所、上海微系统所、复旦大学、南京......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
研发进展捷报频传
目前，我国从事氧化镓相关业务的企业包括北京镓族科技、杭州富加镓业、北京铭镓半导体、深圳进化半导体等。此外，除中电科46所，上海光机所、上海微系统所、复旦大学、南京......
于设计和制造用于高压功率转换应用的高性能、高可靠性氮化镓半导体。Transphorm拥有庞大的功率氮化镓知识产权组合，持有或取得授权的专利超过1000项，生产了业界首款符合JEDEC和AEC-Q101标准的高压氮化镓半导体器件。得益......
Micsig光隔离探头实测案例——氮化镓GaN半桥上管测试(2023-03-21)
Micsig光隔离探头实测案例——氮化镓GaN半桥上管测试;地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室
测试对象：氮化镓半桥快充
测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要......
光隔离探头实测案例——氮化镓GaN半桥上管测试(2023-03-20)
光隔离探头实测案例——氮化镓GaN半桥上管测试;测试背景
地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室
测试对象：氮化镓半桥快充
测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要......
成功导入ASML光刻机，英诺赛科今年有望进入氮化镓厂商全球前三(2021-12-09)
设备领跑者ASML的合作，加快了英诺赛科产品推向市场的速度，助力蓬勃发展的氮化镓半导体行业。
资料显示，英诺赛科科技有限公司成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓芯片制造的企业。公司......
英诺赛科回应英飞凌专利侵权指控：反对非正常竞争！(2024-08-06)
续加大研发投入，确保产品市场竞争优势，同时推崇合作共赢，助力全球氮化镓产业繁荣发展。
（来源：）
作为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，目前英诺赛科已经发展成为全球功率半导体革命的领导者，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体......
誉鸿锦半导体GaN技术发布会，携Super IDM模式推动产业效率革命(2023-10-17)
年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。发布会由誉鸿锦品牌战略官张雷主持，首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式，带来了氮化镓半导体产业链的效率革命。实现了1.5年从......
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用(2024-11-20)
晶体生长的各项需求，还集成了多项自主创新技术。
今年以来，镓仁半导体持续在氧化镓技术方面取得突破。4月，镓仁半导体推出了2英寸晶圆级（010）氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了2英寸（010......
誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会，携全产业链Super IDM模式实现产业效率革命(2023-10-13)
年度GaN功率电子器件及招商发布会活动。发布会由誉鸿锦品牌战略官张雷主持，首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式，带来了氮化镓半导体产业链的效率革命。实现了1.5年从......
VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路，成功运行了BEV电机(2023-02-16)
功率模块样品，但实现了与商用碳化硅模块相当的效率。这意味着D3GaN将实现其最高效率的承诺，通过更轻，更小的电源系统和更小的电池尺寸来改善汽车成本，而不会影响汽车的行驶里程。此外，基于硅基氮化镓半导体......
VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路，成功运行了BEV电机(2023-02-16 10:37)
功率模块样品，但实现了与商用碳化硅模块相当的效率。这意味着D3GaN将实现其最高效率的承诺，通过更轻，更小的电源系统和更小的电池尺寸来改善汽车成本，而不会影响汽车的行驶里程。此外，基于硅基氮化镓半导体......
VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路，成功运行了BEV电机(2023-02-16)
功率模块样品，但实现了与商用碳化硅模块相当的效率。这意味着D3GaN将实现其最高效率的承诺，通过更轻，更小的电源系统和更小的电池尺寸来改善汽车成本，而不会影响汽车的行驶里程。此外，基于硅基氮化镓半导体......
Transphorm与伟诠电子合作推出氮化镓系统级封装器件(2023-12-29)
Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码TGAN）是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓......
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;半导体芯片;;
;扬州杰利半导体有限公司;;扬州杰利半导体有限公司主要由扬杰电子科技有限公司投资建立的半导体芯片制造工厂，公司成立于二零零九年五月，总设计月产能15万片4英寸半导体芯片。所用设备主要是从美国、日本
行业科研院所长期紧密合作，消化吸收国际先进的高端半导体芯片工艺技术并不断创新，目前已经成为国内硅基太阳能专用肖特基芯片市场的最大供应商，塑造了国内外肖特基芯片
;天津南大强芯半导体芯片设计有限公司;;
;天津市南大强芯半导体芯片设计有限公司;;国有企业
;上海永歆机电有限公司;;主营：日本东芝半导体芯片、液晶屏、热敏打印头；韩国HTC稳压芯片、KEC二三极管。
;上海高通半导体有限公司;;上海高通半导体有限公司是中文信息处理软件开发和半导体芯片设计、生产相结合的高科技公司，在中文信息领域有20多年的技术积淀，曾被评为“上海十大软件公司”之一。 高通公司是国家信标委统一委托生产标准点阵字库芯片
研究所为技术支持，具有雄厚的技术实力和研发力量，在半导体元器件、光电技术及应用、传感器等方面拥有多项专利及技术。 公司引进了国际先进的半导体技术和专家、及全套芯片和后道封装生产设备，以完
务范围包括：磁敏、光电、新型元器件、传感器的研发和销售。 公司引进了国际先进的半导体技术，匹配全套芯片和后道封装生产设备，以完善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓
;北京旭普科技有限公司;;旭普科技是专业为全球微电子行业提供半导体裸芯片以及大圆片的半导体公司，通过特有的半导体芯片技术和专有的半导体裸芯片大量长期的储存能力，为混合集成电路、多芯片组装模块和板上芯片