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35亿元,山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工;菏泽市牡丹区吴店镇消息显示,2月26日,吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。 据悉,菏泽市牡丹区砷化镓半导体......
分两期实施。一期工程计划投资15亿元,建设4/6英寸砷化镓生产线,主要生产砷化镓半导体面射型镭射VCSEL产品,年产芯片6万片。建设期1.5年,预计2025年7月试生产。 二期工程计划投资20亿元......
百思特达氮化镓半导体芯片项目竣工,进入试生产阶段;据盘锦高新技术产业开发区消息,目前,辽宁百思特达半导体科技有限公司(以下简称“百思特达”)的氮化镓半导体芯片项目已经进入产品试生产阶段。 消息......
项目,是由山东水发联合台湾半导体龙头企业共同投资建设,项目总投资35亿元,计划分两期实施。一期工程计划投资15亿元,建设4/6英寸砷化镓生产线,主要生产砷化镓半导体面射型镭射VCSEL产品,年产芯片6万片......
百斯特达氮化镓半导体芯片项目建成,将增加10条氮化镓外延生产线;据盘锦日报报道,5月9日,盘锦高新技术产业开发区的氮化镓半导体芯片项目现场,工程施工人员正在接通水电气,辽宁百思特达半导体......
资已超过25亿,是国内首家提供6吋砷化镓/氮化镓半导体集成电路晶圆制造的芯片制造企业,已完成包括砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)及磷化铟(InP)在内的6大类......
电信、AT&T等国内外知名运营商网络中,已成为国内领先的光芯片供应商。 北京通美:规划实现新产品8英寸砷化镓衬底量产  招股说明书显示,北京通美此次拟募集资金11.67亿元,扣除发行费用后将按轻重缓急顺序投资砷化镓半导体......
集成电路(GaAs MMIC)的纯晶圆代工(Foundry)服务制造商之一,已建成国内第—条6英寸砷化镓/氮化镓半导体晶圆生产线,目前已达到砷化镓2000片/月,氮化镓600片/月的......
义运营,但将更名为Octric Semiconductors UK,管理内容大致相同。实施治理的工作已经开始,以确保适当的财务监督,这将是政府的一个新因素。英国国防大臣约翰·希利表示,这项战略投资将确保该工厂在未来能够生产砷化镓半导体以及更强大的半导体......
由广州东方南粤基金管理有限公司与中国二冶集团有限公司共同投资开发,计划总投资100亿元,用地500亩,一期用地200亩。 该项目计划在台州湾数字经济产业园建设锗硅、砷化镓第三代化合物半导体芯片项目,产品广泛应用于通讯、汽车......
标志着公司正式投入运营。 据官微介绍,昌龙智芯半导体主营业务为高端功率半导体芯片与器件,包括新材料氧化镓功率芯片研发,高压硅基、碳化硅基功率芯片MOSFET、IGBT设计、研发与销售。将打造国际高端功率芯片......
(2021—2025年)》中明确提出,积极发展化合物半导体,提升砷化镓、磷化铟等第二代化合物半导体材料制造能力、产能和化合物半导体芯片生产线良品率,发展激光器芯片、光电器件等产品。 同时,相关......
)。 砷化镓/氮化镓化合物半导体芯片制造流程示意图 化合物半导体射频器件产业存在整合元件制造商( IDM)和( 无晶圆设计公司+晶圆代工厂)两种商业模式。 传统的国际设计厂商都采用 IDM 形式......
,以及车载雷达、卫星通讯等方面。 据公告披露,立昂东芯拥有自主知识产权的砷化镓半导体集成电路全套工艺制程技术所生产的产品已经通过多家客户认证,为下游两个以上客户批量化采购应用,达到......
项目迎来最新进展。其中,重投天科第三代半导体项目、山东菏泽砷化镓半导体晶片项目投资资金超30亿。 据滨海宝安消息,2月27日,第三代半导体碳化硅材料生产基地在深圳宝安区启用,其由深圳市重投天科半导体......
现金流短缺,半导体生产商BelGaN申请破产;据布鲁塞尔时报(The Brussels Times)报道,主要生产硅和氮化镓半导体芯片的BelGaN公司申请了破产保护。 BelGaN团队......
这家企业突破一专业领域芯片研制及试产;据南光谷消息,9月28日,位于大桥智能制造产业园的武汉鑫威源电子科技有限公司(以下简称“鑫威源”)在高性能氮化镓半导体激光器芯片方面取得重大技术突破,同时氮化镓半导体激光器芯片......
亿元。 其中,省在建重点项目1409个,省预备重点项目171个,包括多个半导体产业项目,如士兰12英寸特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目、士兰明镓SiC功率器件生产线建设项目、晋江......
锗业公告截图 公告指出,鑫耀半导体是专业从事半导体材料砷化镓及磷化铟衬底(单晶片)生产的企业,哈勃科技关联方中有专业的半导体芯片厂商,公司本次接受哈勃科技的增资主要目的是为了加强与下游厂商的沟通与协作,有利于鑫耀半导体......
应用模组封装线,年产1亿只超高频AC/DC电源管理芯片,5000万只氮化镓电源模组。 该项目于2020年10月20日开工,2021年8月13日,马鞍山市政府消息显示,东科氮化镓半导体项目一期工程全部结构封顶。据悉......
国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产产线投产;据北部之窗消息,3月22日,飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线举行投产仪式。这意味着国内首条氮化镓半导体激光器芯片......
的需求显著增加。印度需要发展半导体产业以应对半导体芯片短缺的问题。印度为苹果、小米、Realme、OPPO、三星等品牌生产智能手机。印度智库NITI Aayog的首席执行官称,印度......
国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破!;近期,北京铭镓半导体有限公司(以下简称:铭镓半导体)使用导模法成功制备了高质量4英寸(001)主面氧化镓(β-Ga2O3)单晶,完成了4英寸氧化镓......
%。 在高性能集成电路设计与制造领域,海特高新已建成由国家发改委立项建设的国内首条6英寸化合物半导体商用生产线,芯片制程涵盖砷化镓、氮化镓、碳化硅,应用......
镓半导体预计2023年底完成扩产计划,将建成氧化镓完整产业线;据北京顺义消息, 8月1日,顺义科创集团与北京铭镓半导体有限公司(以下简称“铭镓半导体”)签订承租合同,将腾退的989平方米老厂房变身为氧化镓......
资额近18亿元。其中,包括国联万众二期、晶格领域二期、特思迪半导体二期、铭镓半导体扩产项目等6个产业项目。 资料显示,国联万众成立于2015年,由中国电子科技集团公司第十三研究所控股,主营业务为第三代半导体氮化镓......
国内首批!铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破;近日,从顺义科创集团获悉,入驻企业北京铭镓半导体有限公司实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓......
单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。 为满足日益增长的多元需求,半导体从以硅、锗为代表的第一代材料,以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料,以碳化硅、氮化镓......
和销售的科技型企业。 为满足日益增长的多元需求,半导体从以硅、锗为代表的第一代材料,以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料,发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么?为何......
防、航天和高技术研究具有重要意义。 1.半导体照明(LED) LED行业属于技术推动的成长行业,核心技术为氮化镓(GaN)/砷化镓(GaAs)/碳化硅(SiC)等化合物半导体的MOCVD外延层生长技术和芯片......
镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破;据北京顺义消息,北京铭镓半导体有限公司(以下简称“铭镓半导体”)在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破,已领......
国内首条氮化镓半导体激光器芯片产线正式投产; “我宣布,飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线正式投产。”3月22日,市长张壮在广西飓芯科技投产仪式上宣布。这意味着,国内首条氮化镓半导体激光器芯片......
【成电协·会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技;  氮化镓(GaN)属于第三代半导体,又被称为宽禁带半导体,和第一代的硅(Si)以及第二代的砷化镓(GaAs)等前辈相比,其在......
富加镓业、北京铭镓半导体、深圳进化半导体等。此外,除中电科46所,上海光机所、上海微系统所、复旦大学、南京大学等各大科研高校也在从事相关研究。近期,我国在氧化镓......
工艺服务能力的柔性中试平台。 同时,先进光子器件工程创新平台将有效解决第三代化合物半导体芯片制造的外延生长与制程等关键问题,为光电芯片、功率器件、射频器件等芯片设计企业、高校、科研......
材料及元器件项目总投资60亿元。 项目建成后,将应用以砷化镓为主,包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料,开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器,以及......
提升砷化镓、磷化铟等第二代化合物半导体材料制造能力、产能和化合物半导体芯片生产线良品率,发展激光器芯片、光电器件等产品。研发氮化镓、碳化硅等宽禁带半导体材料,推动功率半导体生产企业开发大功率碳化硅金属氧化物半导体......
定制化开发建设的5.0产业新空间。此次实现设备进机的格创·华芯砷化镓晶圆生产基地主体工程项目——华芯微电子首条6寸砷化镓晶圆生产线,主要生产化合物半导体微波集成电路(MMIC)及VCSEL 芯片,建成后将成为广东省内首家砷化镓......
正式落户宜兴经济技术开发区。 据悉,该项目总投资60亿元,项目建成后,将应用以砷化镓为主,包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料,开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器,以及......
院士团队研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应,实现了兼具超高耐压和极低导通电阻的氧化镓功率二极管,功率优值高达13.2GW/cm2,是截止目前氧化镓半导体......
式天线系统和一些微波链路:砷化镓MMIC在这些市场的优势是射频功率低,TriQuint 半导体T2G4005528-FS(图1)是GaN竞争的典型代表,这种碳化硅衬底的氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管)工作......
中作出相关报道。 据了解,相较于常见的硅晶圆,砷化镓半导体具有高频、抗辐射、耐高电压等特性,因此广泛应用在主流的商用无线通讯、光通讯以及先进的国防、航空及卫星等领域。其中,手机PA对砷化镓......
相位式激光测距;双异质砷化镓半导体激光器,可用于红外测距;红宝石、钕玻璃等固体激光器,则可用于脉冲式激光测距。 激光测距仪由于激光的单色性好、方向性强等特点,加上电子线路半导体化集成化,与光电测距仪相比,不仅......
2014年推出自家的射频元件方案“RF360”,是采用半导体CMOS工艺的PA,具低成本优点,且由台积电以八寸厂制造,再搭配自家手机芯片出货,与其他PA制造商Skyworks、Avago、RFMD等PA......
被科技部高新司列入重点研发计划;2018年3月,北京市科委率先开展了前沿新材料的研究,把氧化镓列为重点项目。此外,安徽等省/市也在“十四五”科技创新规划公布的集成电路重大专项中提出,研发氧化镓等宽禁带半导体材料、工艺、器件及芯片......
提高器件的效率。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)这两种材料尤为重要。这两种材料并不新鲜,但迄今为止,对它们的需求一直受到成本,产能以及可靠性的担忧。不过,这种情况正在开始改变。越来越多的碳化硅和氮化镓半导体......
计划购买更多设备来提升开发和原型设计能力,向大规模200mm硅基氮化镓半导体制造迈进。作为投资的一部分,格芯计划实施新的能力,以减少格芯及其客户面临镓供应链限制的风险,同时提高美国制造氮化镓芯片的开发速度、供应......
(CMOS)制程为主,3G、4G则是砷化镓制程,5G因为高频的关系,络达十分看好氮化镓制程,该技术同时还能让电压撑得更久。 林珩之分析,未来5G时代,手机功率放大器采用的半导体制程,预估将会是砷化镓......
光电子平台项目将形成年产1亿颗芯片、500万器件的能力,具备氮化镓砷化镓、磷化铟等激光器和探测器芯片的产线建设及器件封装能力,具备其他高功率半导体激光器芯片等功率芯片研发、封测能力(包括6-8寸器......
山市政府消息显示,东科氮化镓半导体项目一期工程全部结构封顶。 据悉,东科半导体主要从事高频高效绿色电源IC和大功率电源IC的设计、生产、制造和销售,提供AC-DC电源管理系列、SR同步整流系列、触摸......

相关企业

;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始,在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓(GaAs
;半导体芯片;;
;扬州杰利半导体有限公司;;扬州杰利半导体有限公司主要由扬杰电子科技有限公司投资建立的半导体芯片制造工厂,公司成立于二零零九年五月,总设计月产能15万片4英寸半导体芯片。所用设备主要是从美国、日本
研究所为技术支持,具有雄厚的技术实力和研发力量,在半导体元器件、光电技术及应用、传感器等方面拥有多项专利及技术。 公司引进了国际先进的半导体技术和专家、及全套芯片和后道封装生产设备,以完
行业科研院所长期紧密合作,消化吸收国际先进的高端半导体芯片工艺技术并不断创新,目前已经成为国内硅基太阳能专用肖特基芯片市场的最大供应商,塑造了国内外肖特基芯片
;天津南大强芯半导体芯片设计有限公司;;
;天津市南大强芯半导体芯片设计有限公司;;国有企业
封装,装配外延片生产线(MOCVD)20条,芯片生产线12条,芯片封装生产线14条,共投资7亿元;第三期是在第一期和第二期的基础上,根据企业发展的需要,生产半导体照明材料,装配砷化镓、氮化镓
;上海永歆机电有限公司;;主营:日本东芝半导体芯片、液晶屏、热敏打印头;韩国HTC稳压芯片、KEC二三极管。
;上海高通半导体有限公司;;上海高通半导体有限公司是中文信息处理软件开发和半导体芯片设计、生产相结合的高科技公司,在中文信息领域有20多年的技术积淀,曾被评为“上海十大软件公司”之一。 高通公司是国家信标委统一委托生产标准点阵字库芯片