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中国台湾地区半导体产业强化布局EUV技术，引发韩国三星警戒(2021-09-04)
中国台湾地区半导体产业强化布局EUV技术，引发韩国三星警戒;相较韩国半导体产业最早开始采用EUV光刻技术，相关产业存储器与晶圆代工时程相对落后。但韩国媒体《Business Korea》报导，近期......
EUV光刻新突破，是不是真的？(2023-09-18)
于相当于从地球上照出手电筒并击中放置在月球上的 50欧分硬币；
EUV系统包含一个重达7600公斤的大型真空室。
那么，不用EUV行吗？ 除了EUV，也不是没有其它技术，全世界对光刻的研究一直都很积极，已经足足有将近60年历史，光刻技术......
逼近极限！ASML发布第三代EUV光刻机(2024-03-20)
逼近极限！ASML发布第三代EUV光刻机;芯片制造商需要速度。本文引用地址：在科技日新月异的今天，芯片制造技术的不断革新成为了推动科技进步的关键力量。作为光刻技术的领军企业，近日发布的第三代EUV......
EUV、NIL等下一代光刻专利数量上，台积电远超三星电子(2023-01-28)
EUV、NIL等下一代光刻专利数量上，台积电远超三星电子;
【导读】TechInsights 1月27日发布报告称，在包括EUV在内的下一代光刻技术方面，台积......
ASML首席技术官：明年交付首台High-NA EUV光刻机(2022-09-28)
ASML首席技术官：明年交付首台High-NA EUV光刻机;据外媒Bits & Chips报道，ASML首席技术官Martin van den Brink日前受访时表示，目前......
最近申请的一项光刻装置专利到底是什么呢？公开图纸，我们也造不出来？(2022-11-28)
最近申请的一项光刻装置专利到底是什么呢？公开图纸，我们也造不出来？;
11 月 19 日消息，在半导体行业，极紫外光刻技术 (Extreme Ultraviolet，EUV)
对于未来光刻技术......
ASML已交付第三代EUV，用于制造2nm芯片！(2024-03-19)
首款采用High-NA EUV光刻技术的TWINSCAN EXE:5200光刻机报价达到了3.8亿美元。
ASML还会继续推进Low-NA EUV光刻设备的开发，接下......
中科院中紫外光刻设备研制成功，国产光刻机有望突破(2017-04-14)
将会在65nm或者45nm的时候遇到障碍，由此亟需下一代的光刻技术，去缩小晶体管的规模，延续摩尔定律。
多年以后，EUV已经成为下一代光刻技术中的佼佼者，其他的竞争技术，如自组装技术、电子束直写和纳米打印技术......
成本几十万元，俄罗斯自研光刻机又突破了？(2023-10-11)
等于是经过历史层层筛选，最终胜出的技术，并从紫外光刻技术（UV）、深紫外光刻技术（DUV）和极紫外光刻技术（EUV）不断向前延伸，其波长也从436nm、365nm、248nm，不断向193nm、13.5nm不断延伸。除了光学光刻......
制程升级压力，三大DRAM厂商EUV竞争白热化？(2022-05-27)
率先使用极紫外（EUV)光刻技术，同年10月便开始批量生产基于EUV的14nm DRAM。在此过程中，三星将其最先进的14nm DDR5上的EUV层数从两层增加到了五层DRAM工艺。
2021年11月......
EUV光刻机争夺战打响，国产光刻技术难题有何解？(2021-01-29)
EUV光刻机争夺战打响，国产光刻技术难题有何解？;近日，荷兰的光刻机制造商阿斯麦（ASML）发布2020年度财报，全年净销售额达到140亿欧元，毛利率达到48.6%。ASML同时宣布实现第100套极紫外光刻......
ASML正计划搬离荷兰？向外扩张转移业务成为最优解(2024-03-14)
行业向更高级别的芯片制程转型，EUV技术显现出的短板和局限性逐渐暴露，这也迫使行业重新审视未来技术发展的路径与方向。
其他的光刻技术陆续出现，像BEUV技术、X射线光刻技术、NIL纳米压印技术等。尤其NIL技术，已经不再是实验室技术......
三星使用日本产EUV薄膜，透光率达到90%(2023-12-06)
三星使用日本产EUV薄膜，透光率达到90%;
【导读】近日据半导体业界透露，三星的极紫外（EUV）光刻技术取得了重大进展。最近在釜山举行的“KISM2023”学术会议上，三星DS事业......
为减少资本支出，美光将基于 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 技术推迟到 2025 年(2022-12-23)
和 SK 海力士已经在其第 4 代 10nm 级存储技术（1α、1-alpha）中的多个层使用 EUV 光刻技术，并计划进一步强化其在第 5 代 10nm 级 DRAM 节点中的使用。
“鉴于......
为减少资本支出，美光将基于 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 技术推迟到 2025 年(2022-12-26 09:51)
海力士已经在其第 4 代 10nm 级存储技术（1α、1-alpha）中的多个层使用 EUV 光刻技术，并计划进一步强化其在第 5 代 10nm 级 DRAM 节点中的使用。“鉴于我们决定放慢 1β......
佳能押注“纳米压印”技术：降低先进工艺生产成本，加速追赶 ASML(2023-12-27)
社长御手洗富士夫近日表示，纳米压印光刻技术的问世，为小型半导体制造商生产先进芯片开辟了一条新的途径。
佳能半导体设备业务经理岩本和德表示，纳米压印光刻是指将带有半导体电路图案的掩模压印在晶圆上，只需......
为减少支出，美光1γnm DRAM推迟到2025年(2022-12-26)
到2025年。
美光1γnm制程工艺的DRAM采用将EUV光刻技术，因为要减少资本开支，因此该技术将推迟到2025年，同时232层的NAND节点也被推迟。
今年Q3季度，美光......
绕过EUV光刻机技术！佳能开始销售5nm芯片生产设备(2023-10-16)
lithography)技术的芯片生产设备 FPA-1200NZ2C。佳能表示，该设备采用不同于复杂光刻技术的方案，可以制造5nm芯片。
在制程技术进入5nm节点之后，EUV光刻......
ASML 和 IMEC 将合作研发 high-NA EUV 光刻技术(2023-07-04)
ASML 和 IMEC 将合作研发 high-NA EUV 光刻技术;
据业内消息，近日荷兰半导体设备巨头 和比利时微电子研究中心(IMEC)宣布双方将在开发最先进高数值孔径(High-NA......
事关EUV光刻技术，中国厂商公布新专利(2022-11-25)
事关EUV光刻技术，中国厂商公布新专利;近日，据国家知识产权局官网消息，华为技术有限公司于11月15日公布了一项于光刻技术相关的专利，专利申请号为202110524685X。
集成......
ASML 回击质疑：High－NA EUV 光刻仍是未来最经济选择(2024-02-04 09:58)
访中，Dassen 回应了分析机构 SemiAnalysis 的质疑，表示 High-NA（高数值孔径）EUV（极紫外光）光刻机仍是未来最经济的选择。SemiAnalysis 之前刊发文章，认为 High-NA 光刻技术......
10nm后，DRAM有这些发展方向(2023-06-13)
池涉及在服务器平台上绑定多个 CXL 内存块以形成池，并允许主机根据需要从块中分配内存。这种方法最大限度地提高了效率并降低了运营成本。
美光将通过 EUV 光刻技术......
EUV光刻究竟难在哪里？看完本文你就明白了(2016-11-18)
变得更实际。于是从上世纪80年代开始，业界就投入到了EUV光刻的研发，但直到21世纪出，这个技术才取得了业界认可的突破性进展。也就是在那时，芯片制造商表示，传统光刻将会在65nm或者45nm的时候遇到障碍，由此亟需下一代的光刻技术......
机仍是未来最经济的选择。
SemiAnalysis 之前刊发文章，认为 High-NA 光刻技术将使用更高的曝光剂量，从而明显降低单位时间内的晶圆吞吐量。这就意味着，相较于沿用现有的 0.33NA EUV 光刻......
ASML今年发货第一台高NA EUV光刻机：成本逼近30亿元(2023-09-08)
ASML今年发货第一台高NA EUV光刻机：成本逼近30亿元;EUV光刻技术的推进相当困难，光刻机龙头ASML也是举步维艰，一点点改进。ASML宣布，将在今年底发货第一台支持高NA(数值孔径)的......
台积电首次提及 1.4nm 工艺技术，2nm 工艺按计划 2025 年量产(2023-12-14)
-2028 年时间段为 A14 制程采用 High-NA EUV 光刻技术，考虑到届时英特尔（以及可能其他芯片制造商）将采用和完善下一代数值孔径为 0.55 的 EUV 光刻机，台积......
刘明院士之问：芯片靠尺寸微缩还能走多远?(2021-09-16)
才能一直发展下去，让其他新技术和新材料弥补自己的不足。
器件结构也在一代一代地更新、发展。面对更高密度和更小尺寸的器件，光刻技术正在不断创新，EUV技术正在进一步演化。刘明指出，在7纳米......
ASML 回击质疑：High-NA EUV 光刻仍是未来最经济选择(2024-02-02)
High-NA 光刻技术将使用更高的曝光剂量，从而明显降低单位时间内的晶圆吞吐量。这就意味着，相较于沿用现有的 0.33NA EUV 并搭配多重曝光，引入 High-NA 在近......
ASML：数值孔径0.75超高NA EUV光刻设备2030年登场(2023-06-21)
World 2023表示，半导体产业需要2030年开发数值孔径0.75的超高NA EUV光刻技术，满足半导体发展。
Christophe Fouquet表示，自2010年以来EUV技术......
三星、SK海力士、美光包下去年DRAM 94%市场(2022-05-30)
在2021年仍然是全球最大的DRAM供应商，销售额达到近419亿美元。去年三星在多个方面推进了DRAM业务。在2020年3月使用极紫外 (EUV) 光刻技术后，三星于2021年10月开始批量生产基于EUV......
商务部部长会见ASML全球总裁，都说了啥？(2023-03-29)
机。它是TWINSCAN NXT系列产品的一部分，采用了EUV光刻技术（下称EUV），可用于生产高性能的微处理器和存储器芯片，该产品于2014年推出。
DUV和EUV都被用于半导体芯片制造中的光刻技术......
佳能纳米压印光刻设备或应用于3D NAND工艺制造(2024-02-11)
新设备的工作原理是在晶圆上压印印记，而不是使用典型的光刻技术进行光学刻录，据称与行业巨头ASML的EUV设备相比，其能耗降低了90%。
去年，佳能推出了首款纳米压印光刻（NIL）设备，该设备可以与ASML的极紫外（EUV......
NVIDIA联合半导体三巨头，颠覆计算光刻方法学(2023-03-24)
NVIDIA在GPU和cuLitho上的合作预计会给计算光刻技术，乃至整个半导体行业的发展带来巨大的益处。这一点在High-NA EUV光刻时代将变得尤为明显。”
新思科技董事长兼首席执行官Aart de......
新技术加持，国产光刻机有望获得新突破(2016-12-12)
-90nm。由于光波衍射的缘故，光刻电路是一个弥散的光斑，其特征尺寸大约是光波长的一半，更小特征尺寸的光刻电路意味着更高的光刻分辨率。为了得到更高的分辨率，目前主流光刻技术......
EUV到来之前的顶梁柱，你真的了解浸入式光刻吗？(2017-02-06)
状态控制能力的保持，以及多/单轴配置的选择和所用反射镜的数量与类型等镜头设计细节，都对这些挑战有重要的影响。
万物归EUV
如果光刻技术要数现代集成电路上的第二大难题，那么......
继向贝恩资本出售近20%的股份后，英特尔将向台积电出售IMS约 10%的股份(2023-09-15)
2030 年，全球半导体市场预计将达1 万亿美元。这一增长的关键推动因素是光刻技术的进步，例如 EUV，这对于支持这些要求苛刻的应用的前沿节点至关重要。这些光刻技术的进步依赖于先进的掩模写入工具，这使......
英特尔首次采用EUV技术的Intel 4制程节点已大规模量产(2023-10-16)
英特尔首次采用EUV技术的Intel 4制程节点已大规模量产;
近日，宣布已开始采用极紫外光刻（）技术大规模量产（HVM）Intel 4制程节点。
据中国官微获悉，近日，宣布已开始采用极紫外光刻......
美光积极准备EUV技术，争取与三星及SK海力士竞争(2020-12-24)
面临制程微缩的问题。如果使用EUV光刻技术，可减少多重曝光过程，提供更细微的制程精度与良率，进一步减少产品生产时间并降低成本，还可提高效能。
不过，EUV光刻设备每部单价近1.5亿欧元，初期投资成本较深紫外光光刻......
DNP加速开发面向2纳米EUV光刻时代的光刻掩模版制造工艺(2024-03-29 09:05)
展望]到2025财年，DNP将完成面向2纳米逻辑半导体时代的光刻掩模版制造工艺开发，以支持EUV光刻技术。从2026财年开始，我们将努力建设生产技术，以在2027财年开始量产为目标。我们还启动了针对2......
可绕过EUV量产5nm！佳能CEO：纳米压印设备无法卖到中国(2023-11-07)
生产设备的工作原理和行业领导者 ASML
的光刻机不同，其并不利用光学图像投影的原理将集成电路的微观结构转移到硅晶圆上，而是更类似于印刷技术，直接通过压印形成图案。
相较于目前已商用化的EUV光刻技术，尽管纳米压印技术的芯片制造速度要比传统光刻......
EUV光刻机缺货问题要持续3年，瓶颈居然是...(2022-05-05)
制造工序数量更少，图案保真度更高，节省时间和良率成本。Intel则将在接下来的工艺节点（Intel 4）引入EUV光刻技术，相较其他两家更晚。在这个时间点也显得最为尴尬，起码另外两家已经应用EUV光刻2代以......
纳米压印光刻，能让国产绕过 ASML 吗(2023-03-20)
）。
日本最寄望于纳米压印光刻技术，并试图靠它再次逆袭，日经新闻网也称，对比 EUV 光刻工艺，使用纳米压印光刻工艺制造芯片，能够降低将近四成制造成本和九成电量，铠侠 (KIOXIA）、佳能......
DNP加速开发面向2纳米EUV光刻时代的光刻掩模版制造工艺(2024-03-28)
项目。
[未来展望]到2025财年，DNP将完成面向2纳米逻辑半导体时代的光刻掩模版制造工艺开发，以支持EUV光刻技术。从2026财年开始，我们将努力建设生产技术，以在2027财年开始量产为目标。我们......
全球首发！紫光展锐6nm EUV工艺芯片年内量产(2020-06-18)
基于马卡鲁2.0平台，单芯片集成5G基带，采用了已量产最先进的6nm EUV工艺制造，拥有多层极紫外光刻技术加持，相比初代7nm晶体管密度提高18％，芯片功耗则可降低8％。
CPU方面，虎贲T7520......
泛林收购SEMSYSCO 强化下一代基板和异构封装几技术开发(2022-11-23)
的高级功能。使用 193i 光刻技术在 5nm 及以后的节点上变得越来越成问题，因为较小的特征尺寸需要大量的图案化和工艺步骤。
随着极紫外 (EUV) 光刻技术的出现，现在可以对 3 纳米......
先进半导体工艺带来芯片成本的变化(2016-12-19)
需要差不多五个月的时间才能做好晶圆。这就意味着如果继续使用多重pattern，会导致晶圆成本高到无法接受。
除了多重pattern之外，另一种新的光刻技术是EUV。然而，EUV的掩......
国产光刻机获重大突破，ASML如何应对？(2023-10-19)
机是在破坏全球产业链。”问题是，EUV光刻技术突破意味着什么？ASML为何反应激烈？
在讨论光刻机之前，我们应了解芯片的关键性。没有芯片，将无法实现所谓“梦想”。芯片......
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型(2024-03-27)
以往机型的 160 片提升近 22%。
下一代光刻技术 （高数值孔径） EUV 采用了更宽的光锥，这意味着其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽，会导致影响晶圆吞吐量的光损失。因此 L 提高了光学系统的放大倍率，从而......
Intel 4工艺官宣大规模量产 第一次采用EUV极紫外光刻(2023-10-12)
Intel 4工艺官宣大规模量产 第一次采用EUV极紫外光刻;Intel官方宣布，已经开始采用EUV极紫外光刻技术，大规模量产Intel 4制造工艺。这是Intel首个采用EUV生产的制程节点，对比......
中国商务部会见荷兰 ASML 全球总裁(2023-03-31)
，荷兰政府的该项法令导致 ASML
不得不申请出口许可才能被允许出口自己的先进光刻机系统。
DUV 和 EUV 都被用于半导体芯片制造中的光刻技术，分别代表“深紫外光”(Deep......
相关企业
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;上海百事佳激光技术有限公司;;上海百事佳激光技术有限公司主营激光加工设备的设计和制造。主体产品有激光刻字机、激光焊接机、激光划片机和激光打孔机。公司的技术人员主要来自研究所和大学。公司具有一支强有力的技术
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;上海勋川机电设备有限公司;;上海鼎川机电设备有限公司是集研制、开发、生产于一体的专业雕刻设备厂家。公司自成立以来，便紧跟世界雕刻技术发展潮流，始终致力于CAD/CAM雕刻技术、CNC数控技术、激兴雕刻技术
;金辉达激光科技有限公司;;深圳德英激光科技有限公司 我司专业从事激光刻字，激光LOGO，范围如下： 1. U盘，MP4/3/5外壳激光雕刻， 2. 闪存卡激光刻字。包括SD卡外壳，CF卡外壳，TF
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实力，最早研制激光刻字机，拥有激光、电子、机械、计算机软件、机电一体化以及计量等领域的高级技术人才。具备激光产品开发和制造能力，目前结合国内外同行先进技术制造出的高技术
;IC加工 IC打磨 IC盖面 激光刻字 激光打标 镭射雕刻 激光打码;;
;苏州汶颢芯片科技有限公司;;苏州汶颢芯片科技有限公司主营微流控芯片、光刻胶、光刻机、注射泵、烘 箱、干燥箱、培养箱、烧结箱、消毒箱、试验箱、水槽、油槽、马弗炉、振（震）筛机、破碎机等。公司