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中国台湾地区半导体产业强化布局EUV技术，引发韩国三星警戒(2021-09-04)
中国台湾地区半导体产业强化布局EUV技术，引发韩国三星警戒;相较韩国半导体产业最早开始采用EUV光刻技术，相关产业存储器与晶圆代工时程相对落后。但韩国媒体《Business Korea》报导，近期......
投资100亿美元，补贴8.25亿美元，美国发力EUV光刻技术(2024-11-05)
投资100亿美元，补贴8.25亿美元，美国发力EUV光刻技术;
近日，美国商务部和国家半导体技术中心(NSTC)的运营商Natcast宣布在纽约州立大学奥尔巴尼纳米技术......
存储市场吹响EUV光刻机集结号(2024-07-05)
生产导入EUV（极紫外光）设备，其DRAM芯片产品皆采用DUV（深紫外光）光刻机制造。
近期，媒体报道美光计划于2024年开始在其10纳米级的1γ制程技术上进行EUV光刻技术的试生产，预计该制程技术......
消息指台积电最快 2028 年 A14P 制程引入 High NA EUV 光刻技术(2024-07-29)
消息指台积电最快 2028 年 A14P 制程引入 High NA EUV 光刻技术;7 月 29 日消息，台媒《电子时报》（DIGITIMES）今日报道称，台积电最快在 2028 年推......
EUV光刻新突破，是不是真的？(2023-09-18)
于相当于从地球上照出手电筒并击中放置在月球上的 50欧分硬币；
EUV系统包含一个重达7600公斤的大型真空室。
那么，不用EUV行吗？ 除了EUV，也不是没有其它技术，全世界对光刻的研究一直都很积极，已经足足有将近60年历史，光刻技术......
极紫外光刻新技术问世，超越半导体制造业的标准界限(2024-08-02)
极紫外光刻新技术问世，超越半导体制造业的标准界限;据科技日报报道称，日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新报告，该校设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻......
逼近极限！ASML发布第三代EUV光刻机(2024-03-20)
逼近极限！ASML发布第三代EUV光刻机;芯片制造商需要速度。本文引用地址：在科技日新月异的今天，芯片制造技术的不断革新成为了推动科技进步的关键力量。作为光刻技术的领军企业，近日发布的第三代EUV......
极紫外光刻新技术问世，能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本(2024-08-05 09:20)
极紫外光刻新技术问世，能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本;据日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新报告，该校设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻......
EUV、NIL等下一代光刻专利数量上，台积电远超三星电子(2023-01-28)
EUV、NIL等下一代光刻专利数量上，台积电远超三星电子;
【导读】TechInsights 1月27日发布报告称，在包括EUV在内的下一代光刻技术方面，台积......
ASML首席技术官：明年交付首台High-NA EUV光刻机(2022-09-28)
ASML首席技术官：明年交付首台High-NA EUV光刻机;据外媒Bits & Chips报道，ASML首席技术官Martin van den Brink日前受访时表示，目前......
最近申请的一项光刻装置专利到底是什么呢？公开图纸，我们也造不出来？(2022-11-28)
最近申请的一项光刻装置专利到底是什么呢？公开图纸，我们也造不出来？;
11 月 19 日消息，在半导体行业，极紫外光刻技术 (Extreme Ultraviolet，EUV)
对于未来光刻技术......
ASML已交付第三代EUV，用于制造2nm芯片！(2024-03-19)
首款采用High-NA EUV光刻技术的TWINSCAN EXE:5200光刻机报价达到了3.8亿美元。
ASML还会继续推进Low-NA EUV光刻设备的开发，接下......
中科院中紫外光刻设备研制成功，国产光刻机有望突破(2017-04-14)
将会在65nm或者45nm的时候遇到障碍，由此亟需下一代的光刻技术，去缩小晶体管的规模，延续摩尔定律。
多年以后，EUV已经成为下一代光刻技术中的佼佼者，其他的竞争技术，如自组装技术、电子束直写和纳米打印技术......
成本几十万元，俄罗斯自研光刻机又突破了？(2023-10-11)
等于是经过历史层层筛选，最终胜出的技术，并从紫外光刻技术（UV）、深紫外光刻技术（DUV）和极紫外光刻技术（EUV）不断向前延伸，其波长也从436nm、365nm、248nm，不断向193nm、13.5nm不断延伸。除了光学光刻......
制程升级压力，三大DRAM厂商EUV竞争白热化？(2022-05-27)
率先使用极紫外（EUV)光刻技术，同年10月便开始批量生产基于EUV的14nm DRAM。在此过程中，三星将其最先进的14nm DDR5上的EUV层数从两层增加到了五层DRAM工艺。
2021年11月......
EUV光刻机争夺战打响，国产光刻技术难题有何解？(2021-01-29)
EUV光刻机争夺战打响，国产光刻技术难题有何解？;近日，荷兰的光刻机制造商阿斯麦（ASML）发布2020年度财报，全年净销售额达到140亿欧元，毛利率达到48.6%。ASML同时宣布实现第100套极紫外光刻......
ASML正计划搬离荷兰？向外扩张转移业务成为最优解(2024-03-14)
行业向更高级别的芯片制程转型，EUV技术显现出的短板和局限性逐渐暴露，这也迫使行业重新审视未来技术发展的路径与方向。
其他的光刻技术陆续出现，像BEUV技术、X射线光刻技术、NIL纳米压印技术等。尤其NIL技术，已经不再是实验室技术......
三星使用日本产EUV薄膜，透光率达到90%(2023-12-06)
三星使用日本产EUV薄膜，透光率达到90%;
【导读】近日据半导体业界透露，三星的极紫外（EUV）光刻技术取得了重大进展。最近在釜山举行的“KISM2023”学术会议上，三星DS事业......
EUV光刻机“忙疯了”(2024-06-06)
光学系统收集和聚焦光线的能力。数值越高，聚光能力越好。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，从而有助于晶体管的进一步微缩。
ASML的High NA EUV设备......
为减少资本支出，美光将基于 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 技术推迟到 2025 年(2022-12-23)
和 SK 海力士已经在其第 4 代 10nm 级存储技术（1α、1-alpha）中的多个层使用 EUV 光刻技术，并计划进一步强化其在第 5 代 10nm 级 DRAM 节点中的使用。
“鉴于......
为减少资本支出，美光将基于 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 技术推迟到 2025 年(2022-12-26 09:51)
海力士已经在其第 4 代 10nm 级存储技术（1α、1-alpha）中的多个层使用 EUV 光刻技术，并计划进一步强化其在第 5 代 10nm 级 DRAM 节点中的使用。“鉴于我们决定放慢 1β......
EUV光刻机“忙疯了”(2024-06-05)
数值孔径，表示光学系统收集和聚焦光线的能力。数值越高，聚光能力越好。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，从而......
佳能押注“纳米压印”技术：降低先进工艺生产成本，加速追赶 ASML(2023-12-27)
社长御手洗富士夫近日表示，纳米压印光刻技术的问世，为小型半导体制造商生产先进芯片开辟了一条新的途径。
佳能半导体设备业务经理岩本和德表示，纳米压印光刻是指将带有半导体电路图案的掩模压印在晶圆上，只需......
2024年Q2原厂DRAM技术最新进展(2024-06-20)
、LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X，采用最小的12纳米级DRAM单元设计。两家公司都率先采用EUV光刻技术，而美光科技则继续采用基于ArF和ArFi的图案化技术直至其1α和1β代，并计......
为减少支出，美光1γnm DRAM推迟到2025年(2022-12-26)
到2025年。
美光1γnm制程工艺的DRAM采用将EUV光刻技术，因为要减少资本开支，因此该技术将推迟到2025年，同时232层的NAND节点也被推迟。
今年Q3季度，美光......
绕过EUV光刻机技术！佳能开始销售5nm芯片生产设备(2023-10-16)
lithography)技术的芯片生产设备 FPA-1200NZ2C。佳能表示，该设备采用不同于复杂光刻技术的方案，可以制造5nm芯片。
在制程技术进入5nm节点之后，EUV光刻......
ASML 和 IMEC 将合作研发 high-NA EUV 光刻技术(2023-07-04)
ASML 和 IMEC 将合作研发 high-NA EUV 光刻技术;
据业内消息，近日荷兰半导体设备巨头 和比利时微电子研究中心(IMEC)宣布双方将在开发最先进高数值孔径(High-NA......
ASML 回击质疑：High－NA EUV 光刻仍是未来最经济选择(2024-02-04 09:58)
访中，Dassen 回应了分析机构 SemiAnalysis 的质疑，表示 High-NA（高数值孔径）EUV（极紫外光）光刻机仍是未来最经济的选择。SemiAnalysis 之前刊发文章，认为 High-NA 光刻技术......
EUV光刻究竟难在哪里？看完本文你就明白了(2016-11-18)
变得更实际。于是从上世纪80年代开始，业界就投入到了EUV光刻的研发，但直到21世纪出，这个技术才取得了业界认可的突破性进展。也就是在那时，芯片制造商表示，传统光刻将会在65nm或者45nm的时候遇到障碍，由此亟需下一代的光刻技术......
事关EUV光刻技术，中国厂商公布新专利(2022-11-25)
事关EUV光刻技术，中国厂商公布新专利;近日，据国家知识产权局官网消息，华为技术有限公司于11月15日公布了一项于光刻技术相关的专利，专利申请号为202110524685X。
集成......
10nm后，DRAM有这些发展方向(2023-06-13)
池涉及在服务器平台上绑定多个 CXL 内存块以形成池，并允许主机根据需要从块中分配内存。这种方法最大限度地提高了效率并降低了运营成本。
美光将通过 EUV 光刻技术......
机仍是未来最经济的选择。
SemiAnalysis 之前刊发文章，认为 High-NA 光刻技术将使用更高的曝光剂量，从而明显降低单位时间内的晶圆吞吐量。这就意味着，相较于沿用现有的 0.33NA EUV 光刻......
ASML今年发货第一台高NA EUV光刻机：成本逼近30亿元(2023-09-08)
ASML今年发货第一台高NA EUV光刻机：成本逼近30亿元;EUV光刻技术的推进相当困难，光刻机龙头ASML也是举步维艰，一点点改进。ASML宣布，将在今年底发货第一台支持高NA(数值孔径)的......
台积电首次提及 1.4nm 工艺技术，2nm 工艺按计划 2025 年量产(2023-12-14)
-2028 年时间段为 A14 制程采用 High-NA EUV 光刻技术，考虑到届时英特尔（以及可能其他芯片制造商）将采用和完善下一代数值孔径为 0.55 的 EUV 光刻机，台积......
康宁将获美国芯片法案3200万美元补贴(2024-11-11)
玻璃的极低热膨胀系数保证了在EUV环境下的高一致性。鉴于EUV光刻技术对精度和稳定性的极高要求，康宁的新玻璃能够承受高强度的极紫外光，从而显著提高芯片设计和制造的性能。
康宁公司最近在加州蒙特雷举办的SPIE光掩模技术......
刘明院士之问：芯片靠尺寸微缩还能走多远?(2021-09-16)
才能一直发展下去，让其他新技术和新材料弥补自己的不足。
器件结构也在一代一代地更新、发展。面对更高密度和更小尺寸的器件，光刻技术正在不断创新，EUV技术正在进一步演化。刘明指出，在7纳米......
ASML 回击质疑：High-NA EUV 光刻仍是未来最经济选择(2024-02-02)
High-NA 光刻技术将使用更高的曝光剂量，从而明显降低单位时间内的晶圆吞吐量。这就意味着，相较于沿用现有的 0.33NA EUV 并搭配多重曝光，引入 High-NA 在近......
ASML：数值孔径0.75超高NA EUV光刻设备2030年登场(2023-06-21)
World 2023表示，半导体产业需要2030年开发数值孔径0.75的超高NA EUV光刻技术，满足半导体发展。
Christophe Fouquet表示，自2010年以来EUV技术......
三星、SK海力士、美光包下去年DRAM 94%市场(2022-05-30)
在2021年仍然是全球最大的DRAM供应商，销售额达到近419亿美元。去年三星在多个方面推进了DRAM业务。在2020年3月使用极紫外 (EUV) 光刻技术后，三星于2021年10月开始批量生产基于EUV......
佳能纳米压印光刻设备或应用于3D NAND工艺制造(2024-02-11)
新设备的工作原理是在晶圆上压印印记，而不是使用典型的光刻技术进行光学刻录，据称与行业巨头ASML的EUV设备相比，其能耗降低了90%。
去年，佳能推出了首款纳米压印光刻（NIL）设备，该设备可以与ASML的极紫外（EUV......
商务部部长会见ASML全球总裁，都说了啥？(2023-03-29)
机。它是TWINSCAN NXT系列产品的一部分，采用了EUV光刻技术（下称EUV），可用于生产高性能的微处理器和存储器芯片，该产品于2014年推出。
DUV和EUV都被用于半导体芯片制造中的光刻技术......
NVIDIA联合半导体三巨头，颠覆计算光刻方法学(2023-03-24)
NVIDIA在GPU和cuLitho上的合作预计会给计算光刻技术，乃至整个半导体行业的发展带来巨大的益处。这一点在High-NA EUV光刻时代将变得尤为明显。”
新思科技董事长兼首席执行官Aart de......
新技术加持，国产光刻机有望获得新突破(2016-12-12)
-90nm。由于光波衍射的缘故，光刻电路是一个弥散的光斑，其特征尺寸大约是光波长的一半，更小特征尺寸的光刻电路意味着更高的光刻分辨率。为了得到更高的分辨率，目前主流光刻技术......
继向贝恩资本出售近20%的股份后，英特尔将向台积电出售IMS约 10%的股份(2023-09-15)
2030 年，全球半导体市场预计将达1 万亿美元。这一增长的关键推动因素是光刻技术的进步，例如 EUV，这对于支持这些要求苛刻的应用的前沿节点至关重要。这些光刻技术的进步依赖于先进的掩模写入工具，这使......
EUV到来之前的顶梁柱，你真的了解浸入式光刻吗？(2017-02-06)
状态控制能力的保持，以及多/单轴配置的选择和所用反射镜的数量与类型等镜头设计细节，都对这些挑战有重要的影响。
万物归EUV
如果光刻技术要数现代集成电路上的第二大难题，那么......
韩国半导体厂商周星工程研发 ALD 新技术，降低 EUV 工艺步骤需求(2024-07-16)
研发出原子层沉积（ALD）技术，可以在生产先进工艺芯片中降低极紫外光刻（EUV）工艺步骤需求。
极紫外光刻（EUV）又称作超紫外线平版印刷术，是一种使用极紫外光波长的光刻技术，目前用于 7 纳米......
英特尔首次采用EUV技术的Intel 4制程节点已大规模量产(2023-10-16)
英特尔首次采用EUV技术的Intel 4制程节点已大规模量产;
近日，宣布已开始采用极紫外光刻（）技术大规模量产（HVM）Intel 4制程节点。
据中国官微获悉，近日，宣布已开始采用极紫外光刻......
美光积极准备EUV技术，争取与三星及SK海力士竞争(2020-12-24)
面临制程微缩的问题。如果使用EUV光刻技术，可减少多重曝光过程，提供更细微的制程精度与良率，进一步减少产品生产时间并降低成本，还可提高效能。
不过，EUV光刻设备每部单价近1.5亿欧元，初期投资成本较深紫外光光刻......
台积电CEO秘访ASML，High-NA EUV光刻机竞赛提前打响？(2024-05-30)
机可以避免制造上双重或四重曝光带来的复杂性，在逻辑和存储芯片方面是最具成本效益的解决方案，对于提高制程效率和性能方面具有巨大潜力。由于计划会根据现有技术的表现以及其他市场因素而改变，所以台积电最后也可能会改变引入High-NA EUV光刻技术......
DNP加速开发面向2纳米EUV光刻时代的光刻掩模版制造工艺(2024-03-29 09:05)
展望]到2025财年，DNP将完成面向2纳米逻辑半导体时代的光刻掩模版制造工艺开发，以支持EUV光刻技术。从2026财年开始，我们将努力建设生产技术，以在2027财年开始量产为目标。我们还启动了针对2......
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