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华虹半导体科创板IPO获批，2022年其功率器件及嵌入式非易失性存储器业务占比超62%(2023-05-18)
华虹半导体科创板IPO获批，2022年其功率器件及嵌入式非易失性存储器业务占比超62%; 2023年5月17日，上交所官网发布信息显示，华虹半导体有限公司(以下简称华虹半导体或华虹)科创板IPO......
华虹半导体95纳米SONOS eNVM工艺性能提升(2020-07-20)
（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）嵌入式非易失性存储器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）工艺平台通过不断的创新升级，技术......
赛普拉斯整合Ramtron F-RAM解决方案, 推出快速写入非易失性存储器产品系列(2012-12-27)
特性使其理想适用于汽车、智能仪表、医疗设备、ePOS和打印机等多种不同应用。
赛普拉斯的nvSRAM采用其S8 0.13微米SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性存储器技术制造，能够......
格芯收购瑞萨非易失性电阻式RAM技术，加强存储器产品组合(2023-02-11)
制的、相对容易集成到其他技术节点的嵌入式存储器解决方案，扩展了其嵌入式非易失性存储器（NVM）解决方案的路线图。这项技术将使客户能够进一步区分其SoC设计，并推......
国内芯片第二大制造商华虹登陆科创板，开盘大涨13%(2023-08-07)
亿元，中芯集成也是5月份上市，募资则是125亿元。
招股书显示，华虹公司是全球领先的特色工艺晶圆代工企业，也是行业内特色工艺平台覆盖最全面的晶圆代工企业，提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率......
赛普拉斯半导体推出一款具有四个串行外设接口的1Mb非易失性静态随机存取存储器(2015-08-04)
Quad SPI nvSRAM具有在掉电时保护数据安全的能力，其数据吞吐量可媲美并行器件，并且尺寸更小，功耗更低。”
赛普拉斯的nvSRAM系采用其SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性存储器......
市值已超450亿，又一家半导体厂商拟科创板IPO(2022-03-22)
生产线总产能扩至94.5K
作为华虹集团的成员之一，华虹半导体主要专注于嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟及电源管理和逻辑及射频等差异化工艺平台，产品下游应用主要包括MCU、功率分立器件、NOR闪存、模拟......
英飞凌下一代汽车MCU将于2023年底提供样品(2022-12-01)
英飞凌下一代汽车MCU将于2023年底提供样品;12月1日消息，英飞凌表示下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器（RRAM），而不是嵌入式闪存（eFlash......
华虹半导体90nm BCD、90nm&55nm eFlash工艺产品规模量产交付(2021-11-11)
半导体成功将三大自主特色工艺平台——嵌入式非易失性存储器（eNVM）、电源管理（PMIC）以及功率器件（Power Discrete）从8英寸拓展到12英寸，众多客户已进入量产阶段。
90纳米和55纳米......
台积电英飞凌强强联合，新型存储RRAM发展如何？(2022-12-02)
Random Access Memory，ReRAM或RRAM）逐渐受到市场重视。
近日，英飞凌官方消息称，其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器......
台积电英飞凌强强联合，新型存储RRAM发展如何？(2022-12-04)
Random Access Memory，ReRAM或）逐渐受到市场重视。本文引用地址：近日，官方消息称，其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器（），而不是嵌入式......
总投资67亿美元！华虹制造（无锡）项目FAB9主厂房全面封顶(2024-04-23)
终端等领域的应用。
资料显示，华虹半导体是全球领先的特色工艺晶圆代工企业，也是行业内特色工艺平台覆盖最全面的晶圆代 工企业，主要聚焦于嵌入式非易失性存储器、独立式非易失性存储器、功率器件（Power......
sureCore和Intrinsic宣布合作，以加快创新的ReRAM技术的上市时间(2023-11-02 09:56)
(ReRAM)技术的上市时间。Intrinsic的ReRAM将解决SoC开发人员在22nm及更小节点上寻求嵌入式非易失性存储解决方案所面临的挑战，因为闪存不再是一个可行的选择。该技......
这种新型存储，国内要爆发了？(2023-10-16)
（MRAM）制造，据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器；
2023年5月，恩智浦半导体（宣布，与台积电合作，推出业界首款采用16nm鳍式场效电晶体（FinFET）技术的车用嵌入式......
英飞凌推出业界首款 LPDDR 闪存，助力打造下一代汽车电子电气架构(2023-04-25)
需要依托采用先进制造工艺开发的先进多核处理器来实现。在这些高级节点上，高密度的嵌入式非易失性存储器不再是可行的成本选择，系统架构师需要考虑使用外部 NOR 进行代码存储。然而，这些复杂的汽车实时处理器需要比市场上现有存储器更高的性能。为了......
中国大陆第二大晶圆代工厂华虹半导体将于科创板上市(2023-07-25)
+功率器件”的战略目标，以拓展特色工艺技术为基础，提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频等多元化特色工艺平台的晶圆代工及配套服务。根据IC Insights发布......
DesignWare中等容量NVM IP填补了小容量非易失性存储器和大容量嵌入式闪存之间的空白，对于那些寻求在不增加额外成本而增加数千byte非易失性存储器的开发者而言，Synopsys的......
华虹半导体最新推出90纳米超低漏电嵌入式闪存(2020-08-31)
于物联网、可穿戴式设备、工业及汽车电子等方面的应用。
新近推出的90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台1.5V 核心N型和P型MOS晶体管漏电达到0.2pA/μm，可有效延长MCU设备的待机时间。该平台的嵌入式非易失性存储器......
采用28nm FD-SOI技术的汽车级微控制器嵌入式PCM宏单元(2024-07-24)
采用28nm FD-SOI技术的汽车级微控制器嵌入式PCM宏单元;汽车微控制器正在挑战嵌入式非易失性存储器（e-NVM）的极限，主要体现在存储单元面积、访问时间和耐热性能三个方面。在许......
晶圆代工“双雄”最新财报出炉(2024-03-29)
术类型来看，功率器件业务收入占比为39.4%，保持着双位数增长；嵌入式非易失性存储器业务收入占比为30.8%；模拟与电源管理业务收入占比为15.7%；逻辑与射频业务收入占比为8.9%；独立式非易失性存储器......
意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力(2024-03-26)
一代 STM32 微控制器开始，让工业应用开发者也能享受到这两项先进技术带来的诸多好处。”
技术优势
与目前在用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 技术相比，集成 ePCM 的18nm FD......
意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力(2024-03-26)
的下一步行动是，从下一代 STM32 微控制器开始，让工业应用开发者也能享受到这两项先进技术带来的诸多好处。”
技术优势
与目前在用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 技术相比，集成......
意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力(2024-04-02)
前在用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 技术相比，集成 ePCM 的18nm FD-SOI制造工艺极大地提高了关键的品质因数：
· 性能功耗比提高 50% 以上......
英飞凌推出第二代高可靠非易失性SRAM(2021-04-01)
用类似于传统的异步SRAM。断电时，nvSRAM会自动将SRAM数据的副本保存到非易失性存储器中，该数据的保护期限超过20年。英飞凌已交付超过20亿颗基于SONOS的非易失性嵌入式或独立存储器。
供货......
英飞凌推出第二代高可靠非易失性SRAM(2021-04-01)
用类似于传统的异步SRAM。断电时，nvSRAM会自动将SRAM数据的副本保存到非易失性存储器中，该数据的保护期限超过20年。英飞凌已交付超过20亿颗基于SONOS的非易失性嵌入式或独立存储器。
供货......
募集180亿元！华虹宏力科创板IPO首发过会(2023-05-19)
/独立式存储器、模拟与电源管理、高端功率器件、逻辑与射频等工艺平台。
为了匹配嵌入式非易失性存储器等特色工艺平台技术需求，华虹宏力计划投入20亿元，购买生产设备，进行8英寸......
华虹将获国家大基金二期最高30亿元战略入股，主要募资拟用于华虹制造(无锡)项目(2023-06-30)
致力于差异化技术的研发、创新和优化，主要聚焦于嵌入式非易失性存储器、独立式非易失性存储器、分立器件、模拟和电源管理、及逻辑与射频。该公司预计，全新能源应用以及汽车等行业对半导体的需求将快速增长。
募集......
瑞萨推出集成STT－MRAM的MCU测试芯片，瞄准物联网与边缘智能(2024-02-26)
电子在谈及他们在内存技术方面的工作时指出：“高性能MCU的CPU时钟频率已达到数百兆赫兹。为了进一步提升性能，我们需要提高嵌入式非易失性存储器的读取速度，以尽量缩小它们与CPU时钟频率之间的差距。”STT......
瑞萨推出集成STT-MRAM的MCU测试芯片，瞄准物联网与边缘智能(2024-02-23)
电子在谈及他们在内存技术方面的工作时指出：“高性能MCU的CPU时钟频率已达到数百兆赫兹。为了进一步提升性能，我们需要提高嵌入式非易失性存储器的读取速度，以尽量缩小它们与CPU时钟频率之间的差距。”
STT......
华虹宏力中紫外步进式光刻机项目中标结果公示(2022-07-21)
宏力在上海金桥和张江共有三座8英寸晶圆厂（华虹一厂、二厂及三厂），月产能约18万片。
华虹宏力工艺技术覆盖1微米至90纳米各节点，工艺类型包括嵌入式非易失性存储器（eNVM）、功率器件、模拟......
格芯宣布收购瑞萨这项技术(2023-02-10 14:41)
一种低功耗内存解决方案旨在实现家庭和工业物联网以及智能移动设备中的一系列应用。 该交易进一步加强了 GF 的存储器产品组合，并通过添加另一种相对容易集成到其他技术节点的可靠、可定制的嵌入式存储器解决方案，扩展了其嵌入式非易失性存储器 (NVM......
格芯宣布收购瑞萨这项技术(2023-02-10)
一种低功耗内存解决方案旨在实现家庭和工业物联网以及智能移动设备中的一系列应用。
该交易进一步加强了 GF 的存储器产品组合，并通过添加另一种相对容易集成到其他技术节点的可靠、可定制的嵌入式存储器解决方案，扩展了其嵌入式非易失性存储器......
英飞凌与格芯就车控芯片达成长期协议(2024-01-24)
车微控制器（MCU）以及电源管理和连接解决方案。
自2013年起，英飞凌和格芯合作开发差异化的汽车、工业和安全半导体技术和产品。据了解，此次合作的核心是高度可靠的嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术......
英飞凌与联华电子签署40纳米eNVM微控制器制造长期协议，扩大汽车合作伙伴关系(2023-03-08 15:16)
) 签署长期合作协议，扩大英飞凌在MCU的产能，以服务正迅速扩展的汽车市场。该高性能微控制器产品采用英飞凌专有的嵌入式非易失性存储器（eNVM) 技术，于联电新加坡Fab 12i厂以40纳米......
英飞凌与联华电子签署40纳米eNVM微控制器制造长期协议，扩大汽车合作伙伴关系(2023-03-08)
) 签署长期合作协议，扩大英飞凌在MCU的产能，以服务正迅速扩展的汽车市场。该高性能微控制器产品采用英飞凌专有的嵌入式非易失性存储器（eNVM) 技术，于联电新加坡Fab 12i厂以40纳米......
一文了解新型存储技术(2023-01-03)
成本效益，近年来台积电，Crossbar、英特尔、富士通、三星、UMC、Adesto等国际厂商已对该技术进行重点布局。
去年12月，英飞凌宣布下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器......
PCM 存储器如何支持汽车的 OTA 固件升级(2024-06-25)
反向数据，而可以存储新数据。这种配置也称为单端模式。图 3 这是 PCM 在 OTA 固件升级过程中的工作原理
来源：意法半导体
与其他嵌入式非易失性存储器技术相比，PCM 单元......
一文了解新型存储技术(2023-01-04)
月，英飞凌宣布下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器（RRAM），而不是嵌入式闪存（eFlash），并将在台积电的28纳米节点上制造。英飞凌基于台积电28纳米......
车载MCU，又要变天了(2024-03-05)
、嵌入式闪存（eFlash）这种非易失性存储器（NVM）。在典型的 MCU 片上系统 (SoC) 中，有四种类型的存储器：
缓存存储器：使用触发器或SRAM设计的小型存储器。它们......
车载MCU，又要变天了(2024-03-11 09:26)
一个将要改变的市场，就是车载MCU市场。车载MCU升级的另一条路你我都知道，在MCU中有许多存储器，而这些存储器共有两种类型——一种是eDRAM 、SRAM之类的易失性存储器，一种是EEPROM、嵌入式......
尺寸最小+功耗最低，三星即将宣布MRAM重要突破(2022-10-28)
研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造，据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。
该团队采用三星28nm嵌入式MRAM，并将......
意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力(2024-03-26)
一代 STM32 微控制器开始，让工业应用开发者也能享受到这两项先进技术带来的诸多好处。”
技术优势
与目前在用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 技术相比，集成 ePCM 的18nm......
意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力(2024-03-27 10:12)
一代 STM32 微控制器开始，让工业应用开发者也能享受到这两项先进技术带来的诸多好处。”技术优势与目前在用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 技术相比，集成 ePCM 的18nm......
Weebit Nano推出ReRAM模块 符合车规级温度要求(2023-08-04)
已完全符合汽车1级非易失性存储器（NVM）的指定温度要求，即125℃。这证明Weebit ReRAM适用于微控制器和其它汽车组件以及高温工业和物联网应用。
本次温度测试使用Weebit演示芯片，该芯......
AT89S51和AT89S52这两种类型的单片机有什么区别？(2024-08-30)
，器件采用高密度、非易失性存储技术制造，兼容标准MCS-51指令系统及80C51引脚结构，芯片内集成了通用8位中央处理器和ISP Flash存储单元，AT89S51在众多嵌入式......
高光时刻 - 华虹宏力荣膺第三届上海知识产权创新奖(2021-10-20)
高度重视自主知识产权的保护。公司建立了积极的防御性知识产权战略体系，通过对知识产权的统一规划和集中管理，着眼于行业重点领域的专利布局，以知识产权为抓手，围绕嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟及电源管理和逻辑及射频等“8......
英飞凌推出业界首款 LPDDR 闪存，助力打造下一代汽车电子电气架构(2023-04-25)
代汽车更智能、更网联、更复杂，并对安全性和可靠性提出了更高需求，而这需要依托采用先进制造工艺开发的先进多核处理器来实现。在这些高级节点上，高密度的嵌入式非易失性存储器不再是可行的成本选择，系统......
台积电RRAM技术引入英飞凌汽车MCU(2022-12-04)
台积电RRAM技术引入英飞凌汽车MCU;11月25日，英飞凌和宣布，两家公司正准备将的电阻式RAM（）非易失性存储器（NVM）技术引的下一代AURIX™微控制器（MCU），并将在的28纳米......
台积电RRAM技术引入英飞凌汽车MCU(2022-12-05)
台积电RRAM技术引入英飞凌汽车MCU;11月25日，英飞凌和台积电宣布，两家公司正准备将台积电的电阻式RAM（RRAM）非易失性存储器（NVM）技术引入英飞凌的下一代AURIX™微控制器（MCU......
台积电RRAM技术引入英飞凌汽车MCU(2022-12-02)
台积电RRAM技术引入英飞凌汽车MCU;11月25日，英飞凌和台积电宣布，两家公司正准备将台积电的电阻式RAM（RRAM）非易失性存储器（NVM）技术引入英飞凌的下一代AURIX™微控制器（MCU......
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;深圳飞思瑞克有限公司;;深圳市飞思瑞克科技有限公司专业致力于存储器IC的研发、生产和销售。多年来，通过团队共同努力和执著的追求，我们已成为生产非易失性存储器产品EEPROM芯片（24CXX 系列
;深圳市飞思瑞克科技有限公司销售部;;深圳市飞思瑞克科技有限公司专业致力于存储器IC的研发、生产和销售。多年来，通过团队共同努力和执著的追求，我们已成为生产非易失性存储器产品EEPROM芯片
;深圳市飞思瑞克科技有限公司成都分公司;;深圳市飞思瑞克科技有限公司专业致力于存储器IC的研发、生产和销售。多年来，通过团队共同努力和执著的追求，我们已成为生产非易失性存储器产品EEPROM芯片