资讯
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
组成的电路就是集成电路，由NMOS和两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。
PMOS
PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。
NMOS和PMOS工作原理
P沟道MOS......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
一般主板上使用最多的是增强型MOS管，NMOS最多，一般多用在信号控制上，其次是PMOS，多用......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
沟道 MOS 管
MOS管可能需要额外的电路来偏置栅极。
N 沟道MOS管
要求其栅极电压高于其源极端子。这可能需要栅极驱动器IC或者......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效......
MOS管的三个极怎么判定？(2024-03-08)
沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极。
4. 简单的判断方法
上面方法不太好记，一个简单的识别方法是：（想像DS边的三节断续线是连通的）
不论N沟道还是P沟道MOS管，中间......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
称叫P沟道管，容易想出沟道是什么类型取决于S和D端掺杂的是什么类型，立即推：S和D端区域写了N，管子就是NMOS；S和D端区域写了P，管子就是PMOS。
好，继续敲黑板知识点：MOS管的标准符号中，衬底......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。
这就构成了一个N沟道（NPN型）增强型MOS管，显然它的栅极和其它电极间是绝缘的，图1-1所示 A 、B分别......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
为什么使用mos管作为电池反向保护?;
今天给大家分享的是：使用 MOS管作为电池反向保护。
会分别针对 P 沟道 MOS 管作为电池反向保护和 N 沟道 MOS 管作......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系;
PN结：从......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
导通损耗低，使用方便。优点是零件少，缺点是有功率损耗。下面介绍有源和无源浪涌电流限制电路。
1、有源浪涌电流限制电路(P-MOS管)
下图为使用P沟道MOS管的浪涌电流限制电路。P沟道的导通步长与N沟道......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
的衬底驱动电流镜结构即本文提出的低电压电流镜如图1(b)所示，这种电流镜用衬底-漏极连接代替传统简单电流镜结构里的栅极-漏极连接[3].当然，M3和M4通过衬底连接而不是栅极，而N型MOS管M3和M4的栅......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
N沟道增强型MOS，只要VGS>VGSth，mos管DS之间就会出现反型层（即mos管已经导通，并在DS间形成了一条通道，该通道形成是因为栅极电压VGS的增大，将电子吸引至耗尽层形成），然后......
无刷直流电机的电流换向电路 无刷直流电机的三相全桥驱动电路(2023-03-20)
六个N沟道的MOSFET管(Q1～Q6)做功率输出元件，工作时输出电流可达数十安。为便于描述，该电路有以下默认约定：Q1/Q2/Q3称做驱动桥的“上臂”，Q4/Q5/Q6称做“下臂”。
图中R1......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
，Q3Q5时，只要在合适的时机进行准确换向，就可实现无刷直流电机的连续运转。
2、三相全桥驱动电路
下图为无刷电机的三相全桥驱动电路，使用六个N沟道的MOSFET管（Q1～Q6）做功率输出元件，工作......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管;我们把单片机的一个IO口接到这个的gate端口，就可以控制这个灯泡的亮灭了。当然别忘了供电。当这个单片机的IO口输出为高的时候，NMOS就等......
三极管和MOS管下拉电阻的作用(2024-04-17)
边阻抗无穷大，A点右边接三极管，阻抗相对左边来说是很低的，因此电流会全部往阻抗低的方向跑，流入三极管，造成电流过大，使器件永久性损坏。
关于MOS管
具体可以看我之前的文章《MOS管充放电原理》，介绍......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
速度低于 MOS管。
2、因为是单向的，在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。
3、不能阻挡更高的反向电压。
4、比 BJT 和 MOS管价格更高。
5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构，因此......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是，当GPIO......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
电机驱动电路的两种设计方案解析(2023-01-12)
培!而且也有其可替代产品 BTN7970，它的驱动电流最大也能达七十几安!
其内部结构基本相同如下：
每片芯片的内部有两个 MOS 管，当 IN 输入高电平时上边的 MOS 管导通，常称为高边 MOS......
电机控制器中的MOS驱动(2024-10-18 15:10:10)
图直流无刷电机驱动电路，三相直流无刷电机（包括BLDC和PMSM）功率级驱动电路使用6个N沟道功率MOS构成三相全桥，分为三个连接到电源正极（VBus）的高边MOS和三个连接到电源负极的低边MOS......
STM32F0单片机 PWM + ADC 控制有刷电机(2023-03-14)
机的两个电极加正向电压，则正向旋转，如果加反向电压，则旋转方向也反过来。电机的转速可以通过控制加在电极上的电压来调节。
在电机控制电路中最常用的器件就是 MOS 管了。可以分为两个大的类型：P 沟道 MOS 和 N 沟道......
东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率(2020-03-30)
东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率;2020年3月30日，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
管选型要选取电源额定输出电流的（5-10）倍并且可以加散热片。
2.双MOS组成的防倒灌电路
电路分析：
正常情况下（无电流倒灌） ON/OFF接口......
基于比较器的过压保护电路设计方案（完整版）(2024-06-17)
压差避开比较器线性区），比较器输出高电平（轨对轨满幅电压），P沟道MOS管Q1截止，断开电源Us对负载Load的供电。相反的，当同相端电压小反相端电压时，Q1导通，电源向负载正常供电。
图5.电阻分压检测电源电压
5......
豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET(2022-06-30)
在电池包装中起到安全保护开关的作用，其本身对功率的损耗也必须足够低才能满足高效、低发热的要求。
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双N沟道增强型MOSFET，WNMD2196A具有业内同类产品最低内阻，RSS......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
值电压为4V。但是只是使用4V电压进行驱动MOS管时，MOS管Rds比较大，MOS管不能流过过大电流，如下图所示：
从图中可以看出，随着栅源电压的增大MOS管的通流能力也就随着增大。所以......
【CMOS逻辑IC基础知识】——受欢迎的CMOS逻辑IC(2023-02-22)
得到了最广泛应用。今天我们就详细跟大家一起了解逻辑IC的基本操作。本文引用地址：
什么是呢？
使用互补的p沟道和n沟道MOSFET组合的电路称为CMOS（互补MOS）。CMOS逻辑IC以各种方式组合MOSFET......
东芝扩展了采用可提高电源效率的新一代工艺的150V N沟道MOSFET(2023-02-28)
东芝扩展了采用可提高电源效率的新一代工艺的150V N沟道MOSFET;
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出采用新一代工艺的“U-MOS X-H系列”新产......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
Cgd充电。而Vgs也开始恢复继续上升，MOS基本导通。
下面来详细说明下米勒平台形成的过程。
图二
在t2开始的时刻，处在饱和区的MOS转移特性公式，真实为Ich=Vgs*Gm，Ich为沟道......
STM32的GPIO工作原理详解(2023-05-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32的GPIO介绍及电路图讲解(2023-07-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32 GPIO工作原理详解(2023-03-20)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO......
STM32的GPIO详细介绍(2023-06-25)
-MOS 管和 N-MOS 管：由 P-MOS 管和 N-MOS 管组成的单元电路使得 GPIO 具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL 肖特基触发器：信号......
STM32-GPIO详解(2024-07-17)
有默认状态。STM32的内部上拉时“弱上拉”，即通过上拉输出的电流时很弱的，如要求大电流还是需要外部上拉，通过“上拉/下拉寄存器GPIOx_PUPDR”控制引脚的上、下拉及浮空模式。
2、P-MOS管和N-MOS管......
过流保护的电路方案——限制的电流1A是怎么来的？(2024-02-26)
有一个P沟道的MOS管，它是作为一种功率开关，控制输出的电压VOUT。也就是说，NCP380芯片，本质上可以把它看成一个MOS管。当MOS管导通，5V电压就可以输出；当MOS管关闭，5V电压......
三相直流无刷电机驱动电路图解(2023-04-25)
是IRF540NN沟道MOS管，D2、C3组成上桥自举电路，R3，R13为MOS管基极限流电阻。R15为驱动采样功率电阻，大负载时可以更换大功率电阻，防止电流过大烧毁电阻。R9、R10为单......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
围加上少量元器件就可以做成冲击电流限制电路。
MOS管是电压控制器件，其极间电容等效电路如图8所示。
图8. 带外接电容C2的N型MOS管极间电容等效电路
MOS管的极间电容栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs......
锂电池充电及保护电路(2024-05-06)
的参考地引脚，作为公共地；
其中，8205是N沟道的双MOS管，就是对应到电路图中的两个MOS管。
在锂电池对外界放电的过程中，DW01芯片OD引脚控制M1 MOS管导通，OC引脚控制M2 MOS管关闭，此时......
一种基于铝基板的加热台设计与实现(2023-03-10)
上。
2.2.4 加热驱动电路
加热驱动电路选用的是下桥驱动，选用N 沟道的MOS，MOS管打开即可开始加热，因为本文设计功率为24 V200 W，所以需要选用合理的MOS 管，以防止炸管，为考......
STM32单片机的八种GPIO口模式(2024-08-22)
-MOS管和N-MOS管：
由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：
信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是......
单片机中常见GPIO的八种工作模式详解(2024-06-19)
上下两边两个二极管用于防止引脚外部过高、过低的电压输入。当引脚电压高于VDD时，上方的二极管导通；当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。也叫钳位二极管。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS......
相关企业
器等电子系列产品上。 MOS管系列包含： （CES2301,CES2312,CES2321,CEM9926,CEM9435,CEM4953 ,CEM8958,单N沟道，单P沟道，双N沟道，N+P沟道）等。
DW01+ 新德 CS213 等系列 2. MOS管 华瑞（CET）2301，2312，9926，8205，9435等系列 N 沟道，P沟道MOS管 等系列 特瑞仕（TOREX） XP152A12COMR
;晶科北方科技有限公司;;深圳市晶科北方科技有限公司是一家专业销售半导体元器件的贸易公司。主营台湾华瑞cet的MOS管(单管；双管；P、N沟道)及台湾富晶的保护ic.低廉的价格＋上乘的品质＋热情
系列 精工 S－8261/8241系 列 富晶 DW-01 新德 CS213 2. MOSFET 华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N 沟道，P沟道MOS管
R5426N系列精工S－8261/8241系列富晶 DW-01新德CS2132.MOSFET华锐（CET）CES2301，CES2312，CEM9926，CEM8205，N沟道，P沟道MOS管特
;深圳市雅贝轩科技有限公司;;深圳市雅贝轩科技有限公司创立十数年以来，秉承"芯之所在，卓越品质”为目标，“诚信经营，薄利多销”为销售理念。 公司专注P沟道/N沟道 MOSFET管，在市
软启动电路，可以减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和。 二，韩国信安品牌MOSFET和士兰的高压MOSFET： TSM1N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251
;深圳市伟仕特微电子有限公司;;我公司与美国MaxPower公司共同合作开发功率MOS，采用当今最先进的技术沟道工艺，在德国慕尼黑流片生产。
寻求技术与销售的最佳融合点，相互促进，扩大原有销售市场并提供客户最满意的服务! 一、授权一级代理：台湾勤益（GTM）产品线，主营全系列MOSFET（MOS管）产品，结构类型有：N-MOS，P-MOS，双N
;博飞特科技有限公司;;IC批发： 1.EEPROM存储器 -AT24C01/02/04/08/16/32/64/128/256 -AT93C46/56/66 2.MOS管 -电动车控制器MOS管元