资讯
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
英文全称是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，应用广泛，MOSFET一般称。
MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型......
电动机控制应用三种不同的dV/dt控制方法(2022-12-20)
种方法是直接驱动，在这种情况下，Si MOS仅会在电路启动后打开一次，JFET栅极直接切换到-15V到0V之间（图5）。在这种配置中，常关操作会被保留，不过会需要栅极PWM和简单的“启用”信号。
在开......
Trench shielded Gate MOS优点(2024-12-12 11:34:53)
Gate)结构已成为高性能离散功率MOS的主流。沟槽栅(Trench
Gate)结构可以显著降低沟道电阻(Rchannel)和JFET电阻(RJFET)，沟槽栅结构能提供最短的Drain到......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是，当GPIO......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组......
又一起收购，涉及MOSFET(2024-01-05)
又一起收购，涉及MOSFET;近日，SiC晶圆代工龙头X-FAB发布公告称，公司计划出资2250万欧元（折合人民币约1.76亿元）收购M-MOS Semiconductor Hong Kong......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
率均大幅的下降。
由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别，在应用上驱动电路也比晶体三极管复杂，致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难，此文即针对这一问题，把MOS管及其应用电路作简单介绍，以满......
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术(2024-09-03)
界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。
碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。
平面碳化硅 MOS 结构......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为晶体管。
MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由管......
给SiC“挖坑”，国产有机会吗？(2024-06-17)
盖沟槽底部沟槽底部的栅极氧化物的结构，时减小了cell pitch并优化了MOS沟道长度及JFET区域；
三菱：采用独特电场限制结构，在垂直沟槽方向注入铝元素，使沟槽底部形成电场限制层，再通过其新技术斜向注入铝，形成......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
的验收标准之一是设备在其目标应用的操作条件下的可靠性。与现有硅器件世界的主要区别在于，SiC 元件在更高的内部电场下工作。相关机制需要仔细分析。它们的共同点是，器件的总电阻由漏极和源极接触电阻的串联定义，包括靠近接触的高掺杂区域、沟道......
安建半导体获1.8亿元B轮融资，用于MOS和IGBT全系列产品开发等(2022-03-25)
列产品开发、第三代半导体SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。
据悉，安建半导体成立于2016年，目前产品线已经涵盖大部分MOS管和IGBT产品，其中低电压的SGT-MOS管、高电压的SJ-MOS管......
PM155S数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:32)
PM155S数据手册和产品信息;PM155提供低输入电流、高压摆率特性，可以直接与LF155型放大器互换使用。这款运算放大器采用新型工艺，匹配的JFET晶体管和......
国家队加持，芯片制造关键技术首次突破(2024-09-02)
性能“天花板”。据悉这是我国在这一领域的首次突破。
公开资料显示，碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。碳化硅MOS主要......
碳化硅大厂买下一座晶圆厂，并收购一家SiC公司(2024-12-26)
碳化硅大厂买下一座晶圆厂，并收购一家SiC公司;近日碳化硅大厂安森美动态频频，其先买下美国德威特空置的一家芯片制造厂，又以1.15亿美元现金收购Qorvo的SiC JFET技术......
STM32的GPIO工作原理详解(2023-05-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32的GPIO介绍及电路图讲解(2023-07-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32 GPIO工作原理详解(2023-03-20)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO......
STM32的GPIO详细介绍(2023-06-25)
-MOS 管和 N-MOS 管：由 P-MOS 管和 N-MOS 管组成的单元电路使得 GPIO 具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL 肖特基触发器：信号......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
）
，
可以等效看做是MOS管和三极管的结合体。
图片来源：华秋商城
回顾三极管和MOS......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
趟发烧音响材料行一定可以看到一大堆。
MOSFET晶体管通道
而MOS就非常小家子气了，在早期或者是大功率的JFET，是由2个N型半导体夹住P型半导体，（或者2个P型夹住N型），但是......
金升阳推出内置高压MOS管和高压启动的AC／DC电源控制芯片(2020-08-21)
金升阳推出内置高压MOS管和高压启动的AC／DC电源控制芯片;继推出5W和20W的开关电源控制IC后，为满足客户对更多功率段的需求，金升阳推出内置高压MOS管和高压启动的AC／DC电源......
为什么PWM驱动芯片用图腾柱(2024-10-12 12:40:02)
MOS管的开通和关断时间都非常短，平台电压也非常窄，可有效降低开关损耗。
图8：电机调速电路
关于三极管和MOS管的特性，前面......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
Qorvo E1B SiC模块：成就高效功率转换系统的秘密武器(2024-06-20)
对总导通电阻的贡献小于10%。因此，可以将MOSFET和JFET融合在单一封装中，以便于集成和设计——将这种设备类型称为SiC FET；它与SiC MOSFET有着明显的区别。通过......
功率IC设计厂商“天狼芯”获数千万人民币A轮融资(2021-01-07)
，200W）的开发, 以及全集成式的GaN方案的研发。针对于SiC领域，天狼芯目前可提供应用于大功率密度场景，如新能源汽车、充电桩的MOS以及二极管产品，已完成650V/1200V的SiC二极管和......
硬件工程师入门基础元器件与电路原理(2024-12-03 11:23:44)
硬件工程师入门基础元器件与电路原理;
本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件，包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性，探讨......
为什么运放会产生交越失真？(2024-05-07)
基于工艺的分类运放基于工艺方面基本可以分为：Bipolar、JFET、CMOS三种架构类型，也有基于以上三种类型衍生出来的BiFET和CMOS zero-drift架构，每种架构各有各的优点，本章......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。关于MOS管识图、管脚......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
不同电压和功率等级的三菱电机SiC功率器件介绍(2024-03-08)
优越的物理性能将节省更多的电能，并使电力电子转换器更加紧凑，从而减少宝贵材料和资源的消耗。
SiC半导体和经典硅之间的主要区别在于更高的带隙。这使得SiC材料的临界场强提高了10倍。因此，对于相同的阻断电压能力，SiC芯片......
STM32单片机的八种GPIO口模式(2024-08-22)
-MOS管和N-MOS管：
由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：
信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是......
单片机中常见GPIO的八种工作模式详解(2024-06-19)
上下两边两个二极管用于防止引脚外部过高、过低的电压输入。当引脚电压高于VDD时，上方的二极管导通；当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。也叫钳位二极管。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS......
大规模商用在即，回顾SiC器件的前世今生(2017-08-28)
结构保持了最优的场分布，但也通过合并真正的少数载流子注入实现了增强的缓冲能力。今天，碳化硅二极管是那么的可靠，以致于它们比硅功率二极管显示出更有利的FIT率。
BJT导致巨大功率损耗常开SiC JFET元件......
两个MOS管背靠背串联，就会组成双向开关(2024-10-07 11:01:50)
两个MOS管背靠背串联，就会组成双向开关;
两个MOS管背靠背串联，就会组成双向开关。
双向开关
一种由MOSFET或者IGBT构建......
安防芯片、MOS、驱动IC频传缺货涨价？真相是...(2020-09-24)
料成本上涨”。
MOS管和IC系列价格调涨20~30%?
日前，有媒体曝出一份据称是国产厂商发出 的《涨价联络函》，该信函发出时间为2020年9月21日。信函指出，由于市场变化，MOS管和IC晶圆紧缺，原材......
4个月内三度喊涨！MOS厂宣布：所有产品价格再涨10%(2020-12-18)
满发出涨价函的前一天，国内MOS厂商——金誉半导体也发出过涨价函，信函指出，由于市场变化，MOS管和IC晶圆紧缺，原材料价格急剧上涨，导致公司成本大幅上涨，供需缺口不断扩大；为了维持公司的正常运营，缓解......
采样保持电路工作原理+电路案例(2024-11-20 12:53:06)
单的采样保持电路
Vs：输出信号
C：电容
S：作为开关工作的 MOS 晶体管
Va：输入......
加湿器工作原理与电路图(2023-01-13)
加一个比较大的散热片，干簧管和探针成本高(人工及本身成本)，如果需要其他功能则需要再加对应IO型或者触摸型单片机。
实孔雾化器新方案
12V-2.4M香薰机方案控制及相关检测部分说明：
(1)、MOS管驱......
东芝在SiC和GaN的技术产品创新(2023-10-17)
MOSFET 的p 型宽扩散区（p 阱）底部注入氮气，可减小扩散电阻（Rspread）并增大 SBD 电流。东芝还通过减小JFET 区和注入氮气，减小了反馈电容和JFET 电阻。因此，在未增大RonA......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系;
PN结：从......
1分钟搞懂三极管和MOS管(2024-10-16 11:40:39)
1分钟搞懂三极管和MOS管;
基极电流是指穿过基极进入集电极的，还是指少量电子与基极空穴复合形成的电流？为什么电流放大里说集电极电流是发射极电流的B倍（电流增益），放大区里又说集电极电流与基极电流成比例？
......
STM32端口复用和端口重映射？什么是端口复用重映射？(2024-06-04)
置为复用功能，但是没有开启它支持任何外设的时钟，它的输出是不确定的。
复用推挽输出和通用推挽输出在输出时都用到了N-MOS和P-MOS，其输出电路是相同的，区别在于控制输出的信号来源：普通推挽输出控制MOS管的......
相关企业
;菱威有限公司;;我司代理台湾富鼎的MOS管和亿光的LED.有代理证.
;晶顺昌科技有限公司;;销售半导体器件.如:三极管,可控硅,MOS管,三端稳压管和部分IC
;深圳富邦科技有限公司;;我司代理电源管理IC，现在有很多内置三极管和MOS管的电源IC方案，100W以内的都有方案，主要品牌有：亚成微，微盟，芯联，芯龙，信安，BYD。各种性IC和MOS管的性价比非常高。
;深圳上通电子科技有限公司;;NEC的MCU,MOS管和光藕，代理JAE连接器，OPTREX的LCD，ELPIDA的存储器，均为日本产品
;深圳电洋科技有限公司;;我公司为仙童一级经销商，专业销售仙童电源IC、MOS管和1300系列,公司操作灵活，价格实在，现货供应。是中小型电源企业的仙童首选供应商。
;shenzhenlejia;;公司主要生产代理TCR品牌高压电容和贴片压敏电阻， 进口国外品牌三极管，MOS管和IC 主要品牌有FSC,ST,IR,ON,NS.TI,TOSHIBA,NXP和
;深圳市顺颀威科技有限公司;;深圳市顺颀威科技是一家代理商，主要代理台产MOS管，大功率二、三极管和键盘IC。本公司与TM、AT、强茂、益龙及巨盛有多年的合作关系，保证了产品供货的及时性和品质的可靠性。
;深圳市万嘉盛电子科技有限公司;;本公司位于深圳市福田区中航路国利大厦B座629室。 本公司主营电子元器件，功率管和场效应MOS管贴片等。本店坚持“顾客第一，诚信至上”的经营原则，希望
House）。公司的核心业务为功率管理产品的设计、开发和销售，包括功率Trench MOS，VDMOS，IGBT、肖特基二极管和功率集成电
;深圳市富士邦电子有限公;;深圳市富士邦科技有限公司自1995年成立以来,专业代理国际品牌MOS管和红外线接收头等电子元器件，MOS管主要品牌有美国（AOS），仙童，东芝。迄今已成为欧、美、韩和