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中科院金刚石基氧化镓异质集成材料与器件研究获突破性进展(2024-12-17)
中科院金刚石基氧化镓异质集成材料与器件研究获突破性进展;据中国科学院上海微系统所官微消息，上海微系统所异质集成XOI团队和南京电子器件研究所超宽禁带半导体研究团队合作，在金刚石基氧化镓......
2024年度中国第三代半导体技术十大进展揭晓(2024-11-22 17:57)
发展将催生大量合作，助力开拓出更多的新兴市场。
附：2024年度中国第三代半导体技术十大进展（排名不分先后）
（一）6-8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器件技术实现重大突破
西安......
中科院微电子研究所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展(2022-03-15)
中科院微电子研究所在氮化镓—金刚石异质集成方面取得新进展;近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与日本东京大学盐见淳一郎团队合作，在氮化镓（GaN）—金刚石晶圆键合技术领域取得了新进展。该项......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
现在看是这样，让我们回顾下不同衬底风格的GaN：硅基、碳化硅（SiC）衬底或者金刚石衬底。
硅基氮化嫁： 这种方法比另外两种良率都低，不过它的优势是可以使用全球低成本、大尺寸CMOS硅晶......
华为的“钻石芯片“专利，是什么？(2023-11-21)
还很贵。碳化硅（SiC）价格是硅30~40倍，氮化镓（GaN）价格是硅的650~1300倍，而能造芯片的金刚石材料价格几乎是硅的10000倍。碳化硅和氮化镓之所以能大规模应用，是因......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
球半导体观察不完全统计，今年来共有超30项关键技术取得重要进展，涉足类脑芯片、光子芯片、人工智能芯片、第三/四代半导体（碳化硅/氮化镓/氧化钾/金刚石等），以及光刻胶材料、存储器、晶体......
NI发布全新品牌标识，倡导工程师的雄心与担当(2023-01-05)
。
RFHIC
RFHIC的目标是利用RF开拓新市场，通过工程开发实现技术创新，其中一项创新是金刚石基氮化镓技术。
市场经理凯文（Kevin......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-29)
制成的功率半导体，并以1平方厘米875兆瓦的电力运行。
在金刚石半导体中，输出功率值为全球最高，在所有半导体中也仅次于氮化镓产品的约2090兆瓦。与作......
“终极功率半导体”获突破性进展！金刚石成下一代半导体材料(2023-01-30)
作半导体器件和集成电路的电子材料。耐高压、大射频、低成本、耐高温，多重特性助推金刚石成下一代。金刚石禁带宽度5.5eV超现有氮化镓、碳化硅等，载流子迁移率也是硅材料的3倍，同时金刚石......
GaN新技术可使散热能力提高2倍以上(2024-01-04)
GaN新技术可使散热能力提高2倍以上;近期，大阪公立大学的研究团队成功利用金刚石为衬底，制作出了氮化镓（）晶体管，其散热性能是使用碳化硅（SiC）衬底制造相同形状晶体管的两倍以上，有望应用于5G通信......
GaN新技术可使散热能力提高2倍以上(2024-01-04)
GaN新技术可使散热能力提高2倍以上;近期，大阪公立大学的研究团队成功利用金刚石为衬底，制作出了氮化镓（GaN）晶体管，其散热性能是使用碳化硅（SiC）衬底制造相同形状晶体管的两倍以上，有望......
钻石，颠覆传统芯片(2023-12-25)
半导体中，输出功率值为全球最高，在所有半导体中也仅次于氮化镓产品。
这个技术的实现主要利用金刚石的高耐压性。采用向金刚石基板吹送二氧化氮气体的方式，使得金刚石基板具备半导体的性质。再通过用氧化铝膜进行保护，特殊......
华为、哈工大联手：基于硅和金刚石的三维集成芯片专利公布(2023-11-21)
公布。
专利摘要显示，本发明涉及芯片制造技术领域。
该方法包括：制备硅基Cu/SiO2混合键合样品和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品后进行等离子体活化处理;将经等离子体活化处理后Cu/SiO2......
福州新区两个GaN项目签约(2024-01-29)
投入10亿元，用地86亩，达产后年产能24万片。
据悉，镓谷半导体成立于2022年，致力于第三代半导体材料GaN外延的研发与生产，产品包括硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓、蓝宝石基氮化镓，主要......
华为公布全新芯片制造技术专利！(2023-11-29)
内部节温突升，严重威胁芯片性能、稳定性和使用寿命。
通过Cu/SiO混合键合技术将硅基与金刚石基衬底材料进行三维集成能够融合硅基半导体器件成熟的工艺及产线、生产效率高、成本较低的优势及金刚石......
Element Six与Orbray合作生产全球最高品质的晶圆级单晶合成金刚石(2024-06-11)
，实现了高品质SC合成金刚石产品的可持续规模生产。
与此同时，Orbray率先开发了一种独特的异质外延工艺，在具有成本效益的蓝宝石基底上生长SC金刚石，取得了具有里程碑意义的成果，SC淀积......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
下一代半导体：一路向宽，一路向窄;随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化......
Element Six与Orbray合作生产全球最高品质的晶圆级单晶合成金刚石(2024-06-11)
开发了一种独特的异质外延工艺，在具有成本效益的蓝宝石基底上生长SC金刚石，取得了具有里程碑意义的成果，SC淀积直径达到55毫米。
这两家先驱公司之间的合作将把Orbray创新的SC CVD金刚石扩展方法与E6成熟......
Element Six与Orbray合作生产全球最高品质的晶圆级单晶合成金刚石(2024-06-11 10:45)
勒冈州格雷舍姆开设了一家世界一流的CVD工厂，实现了高品质SC合成金刚石产品的可持续规模生产。与此同时，Orbray率先开发了一种独特的异质外延工艺，在具有成本效益的蓝宝石基底上生长SC金刚石，取得......
全球首个100mm的金刚石晶圆(2023-11-07)
全球首个100mm的金刚石晶圆;近日，总部位于加利福尼亚州旧金山的Diamond Foundry Inc宣布制造出了世界上第一块直径为 100 毫米的单晶金刚石晶圆。
该公司计划提供金刚石基......
全球首个量子计算机桥已经诞生(2016-10-20)
道，近日，用于连接小型量子计算机的全球首个量子计算机桥已经诞生，由美国桑迪亚国家实验室（Sandia NaTIonal Laboratories）联手哈佛大学推出。通过在金刚石基......
总投资约10亿元 弘远晶体半导体金刚石基片项目落户江苏如皋(2021-09-22)
总投资约10亿元 弘远晶体半导体金刚石基片项目落户江苏如皋;据如皋发布消息，9月16日，江苏弘远晶体科技有限公司（以下简称“弘远晶体科技”）与江苏省如皋高新技术产业开发区就半导体金刚石基......
奥趋光电成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶(2022-12-23)
光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键......
功率半导体，未来怎么卷(2023-09-06)
的超宽禁带半导体材料，以氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AlN）和金刚石为代表。 二代半本身禁带宽度与硅相近，但电子迁移率更高，所以一般用在高频的射频应用中；三代半和四代半的禁带宽度更宽，用更......
Qorvo推出业内最强大的GaN－on－SiC晶体管(2018-03-22)
, Inc.近日推出全球功率最高的碳化硅基氮化镓（GaN－on－SiC）RF晶体管－－－QPD1025。QPD1025在65 V下运行1.8KW，提供出色的信号完整性和更大的范围，这对L频段......
全自动金刚石生长炉研发成功，晶盛机电破解“终极半导体”材料(2022-03-08)
了目前人工培育钻石过程中质量控制和规模化生产的瓶颈。
图片来源：晶盛机电
作为碳化硅、氮化镓之后具有代表性的新一代半导体材料，金刚石晶体又称钻石，被誉为“终极半导体”材料，此次金刚石晶体生长炉成功研制，标志......
15亿+19.2亿，这家第四代半导体公司接连签约两大项目(2023-05-17)
半导体”）签订了大尺寸集成电路金刚石基片生产基地项目投资协议。
该项目规划总投资15亿元，计划购置200套第四代半导体的研发、检测、分析、测试设备，逐步打造东乡县第四代半导体生产基地。目前，项目......
深圳国际半导体展直击：30+三代半厂商亮相！(2023-05-19)
/8英寸碳化硅基氮化镓外延片、4/6英寸蓝宝石基氮化镓外延片等通用规格及客制化规格，公司在HEMT结构的外延技术可提供D-mode和E-mode两种工艺，同时......
晶格领域：公司液相法生长碳化硅晶圆项目开始试生产(2021-04-08)
营业务为碳化硅、氮化镓、氮化铝、金刚石等宽禁带半导体材料及相关器件的研发、生产及销售。
封面图片来源：拍信网......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
其性能可以置于不断发展的精密工艺控制之下，可谓是“最有料”的材料。在不久的将来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料的应用，无论是在军用领域还是在民用市场，都是......
配置拉满！深圳国际半导体展聚势归来，展商阵容早知道！(2023-03-07)
器件等
英诺赛科
是一家专注于硅基氮化镓领域研发与制造一体化的企业，率先建立了全球首条硅基8英寸硅基氮化镓量产线
聚能创芯
主要从事第三代半导体硅基氮化镓（GaN）的研......
2026年全球GaN射频器件市场预计超过24亿美元(2021-06-08)
GaN外延片方面，主要有两种衬底技术，分别是GaN-on-Si（硅基氮化镓）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）。此外还有GaN-on-sapphire，以及GaN-on-GaN技术。
从性......
晶驰机电半导体材料装备研发生产项目投产(2024-11-27)
-6英寸大尺寸金刚石长晶设备、氮化铝长晶设备等三大类产品生产。
资料显示，晶驰机电（嘉兴）有限公司成立于2023年，其杭州晶驰机电科技有限公司是一家国内第三、四代半导体材料设备研发制造商，也是......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
透明导电性等优异物理性能，它的各项性能指标较硅、碳化硅以及氮化镓有着显著的优势，和金刚石相比性能稍差，但是目前金刚石的制备特别困难，距离器件应用还需要不少投入。
最后两项数据中，BFOM是衡量器件的高功率性能，JFOM......
美国对“芯片之母”下手！EDA软件如何影响整个半导体行业？(2022-08-15)
在更恶劣条件下运行的科技进步，可能会在商业和军事环境中“改变游戏规则”。
据悉，此次被升级出口管制的技术包括：
宽禁带半导体材料氧化镓（Ga2O3）和金刚石： 氮化镓和碳化硅是生产复杂的微波、毫米波设备，或大......
2022(第二届)碳基半导体材料与器件产业发展论坛将于8月3-5日在浙江·宁波举行(2022-07-26)
包含但不仅限于：碳基纳电子学、碳基材料、金刚石、碳化硅、氮化镓等第三代半导体、碳基器件、功率器件等器件、集成电路方向及工艺等。）
组织机构
主办单位：
DT新材料
宁波......
去年全球氮化镓射频器件市场达13亿美元，电信基础设施占比过半(2023-06-27)
元，预计到2028年将达到27亿美元，2022年至2028年复合年增长率为12% ；SEDI（住友电工）、Qorvo和Wolfspeed：前三名设备厂商稳步增长，恩智浦电信业务创造高收入；电信领域新机遇为射频硅基氮化镓......
芯联芯创新科技研发中心、科之诚第三代半导体研究院落户郑州高新区(2022-07-08)
诚是国家第三代半导体产业创新联盟的会员企业，其独创的面向6G通信的金刚石基声波射频滤波器技术，打破了国际碳化硅+铌酸锂材料体系，产品在中科院电工所完成研发，在中科院微电子所完成工艺流片。
郑州......
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！(2024-09-14)
或尺寸等方面相对于宽禁带半导体碳化硅、氮化镓材料及超宽禁带半导体氮化铝、金刚石材料有明显优势。
此外，氧化镓材料的热处理温度及硬度均与单晶硅较为接近，从单晶硅器件线转为氧化镓器件线仅仅需要更换5%设备，相比而言，碳化......
全球首家8英寸硅基氮化镓量产企业诞生！英诺赛科苏州一期产线正式投产(2021-06-08)
全球首家8英寸硅基氮化镓量产企业诞生！英诺赛科苏州一期产线正式投产;6月5日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司（以下简称“英诺赛科”） 8英寸硅基氮化镓芯片量产仪式在江苏汾湖高新区举行。这标......
成功导入ASML光刻机，英诺赛科今年有望进入氮化镓厂商全球前三(2021-12-09)
机成功导入8英寸硅基氮化镓量产线举办了庆典。事实上，早在今年年初，英诺赛科就和ASML达成了批量购买高产能i-line和KrF光刻机的协议，用于制造先进的硅基氮化镓功率器件。
英诺......
国内碳化硅半导体产业加速跑！(2024-10-18)
机电成立于2021年7月，其总部与研发中心位于杭州市浙江大学杭州国际科创中心，致力于碳化硅、金刚石、氮化铝、氧化镓等第三、四代半导体材料装备的研发、生产、销售和应用推广。......
中科重仪自研功率型硅基氮化镓生产线投产(2023-12-11)
中科重仪自研功率型硅基氮化镓生产线投产;近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称“中科重仪”）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延......
江苏，将打造第三代半导体产业高地(2023-11-13)
子器件等产品，超前布局发展氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体材料，打造国内领先、国际先进的第三代半导体产业高地。
通用智能：积极创建国家新一代人工智能开放创新平台、国家......
年产4万片！碳化硅基氮化镓晶圆厂，出货(2024-08-14)
年产4万片！碳化硅基氮化镓晶圆厂，出货;
【导读】瑞典企业SweGaN宣布，公司生产碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）晶圆的新工厂已开始出货，产品将用于下一代5G先进......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
使用离子注入法，然后退火处理，在晶体中掺杂磷（以添加自由电子）或硼（以减去自由电子），从而使电荷能够自由移动。对于氧化镓，可以用同样的方法在晶体中掺杂硅来添加电子。这个方法只有氧化镓能做，像其它的四代半导体金刚石......
赛微电子青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目主厂房封顶(2022-05-20)
赛微电子青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目主厂房封顶;5月18日，赛微电子官微表示，公司与潍坊市青州市合作投建的“青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目”主厂房封顶。该项目于去年4月......
一只脚迈进交通领域，另一脚踩进数据中心，氮化镓比碳化硅更出彩(2023-10-10)
设计也更简单一些。
对于未来发展模式，就目前来看，硅基氮化镓的成本更低，技术成熟度也高，未来几年扩产的产能平台应该会以硅基氮化镓平台为主。另外，很多氮化镓......
英诺赛科多款TO封装GaN强势出货，为电源设计提供丰富选择(2023-07-26)
英诺赛科多款TO封装GaN强势出货，为电源设计提供丰富选择;
【导读】英诺赛科推出多款采用TO252 / TO220 封装的直驱氮化镓芯片，基于先进的8英寸硅基氮化镓技术，耐压从650V......
中科院院士郝跃：未来10年氧化镓器件有望直接与碳化硅器件竞争(2022-12-19)
相关业务研发情况，涉及公司包括中航机电、新湖中宝、中钢国际、蓝晓科技、南大广电、阿石创等，具体如下：
此外，中国西电子公司西电电力持股陕西半导体先导技术中心，该中心有进行氧化镓、金刚石......
相关企业
很强的研发和制造能力，能够根据客户的需要提供性能优异的产品和服务。目前公司能够提供两大类产品。高性能金刚石及立方氮化硼（CBN）工具和高致密氧化铝产品。金刚石及立方氮化硼（CBN）工具的特点：采用金刚石
;郑州市四方超硬材料有限公司;;郑州市四方超硬材料有限公司秉承三十余年的钻研与开发,作为一家大型专业化生产金刚石与立方氮化硼制品的生产企业于1995年在郑州成立,公司引进、吸收
;苏州海特金刚石制品有限公司;;苏州海特金刚石制品有限公司是生产金刚石（或立方氮化硼）超硬磨具及相关制品的专业厂家。产品广泛应用于钢铁、硬质合金、玻璃、陶瓷、石材、宝石、半导体、磁性材料、复合
、金刚石微粉、金刚石单晶、金刚石破碎料、金刚石研磨膏、金刚石聚晶（PCD）、立方氮化硼（CBN） ■生产管理模块推行ERP电子化流程管理； ■全体职员总数160人； ■拥用工程师各类技师23位
;郑州华辰超硬磨具有限公司销售部;;郑州华辰超硬磨具有限公司是人造金刚石和立方氮化硼（CBN）制品的（金刚石砂轮,树脂金刚石砂轮,树脂砂轮,超薄切割片,金刚石超薄切割片,钻石刀片,玻璃切割片）专业
;泉州富力金刚石工具有限公司;;公司目前主要生产用于石材、陶瓷加工及建设施工用的各种规格金刚石圆盘锯刀头、金刚石滚筒及磨边轮、金刚石排锯、金刚石薄壁钻筒、金刚石软磨片、地板磨光片以及各种结合剂金刚石
玉砂轮、铬刚玉砂轮、单晶刚玉砂轮、碳化硅砂轮、金刚石砂轮、金刚石切割片、切割玻璃管专用切割片、超大切割片、各种超薄切割片、立方氮化硼砂轮、磨轴承砂轮、磨轧辊砂轮、无心磨砂轮、平面磨砂轮、及各种油石、磨头
;中科联碳（北京）科技有限公司;;中科联碳（北京）科技有限公司是专业研发生产CVD金刚石的高新技术企业。在安徽建有生产基地。 我公司提供的产品： 1、CVD金刚石生长设备 2、CVD金刚石
玉砂轮、铬刚玉砂轮、单晶刚玉砂轮、碳化硅砂轮、金刚石砂轮、金刚石切割片、切割玻璃管专用切割片、超大切割片、各种超薄切割片、立方氮化硼砂轮、磨轴承砂轮、磨轧辊砂轮、无心磨砂轮、平面磨砂轮、及各种油石、磨头
;河南省恒翔金刚石磨料有限公司;;河南省恒翔金刚石磨料有限公司主营工业用人造金刚石及金刚石微粉。始创于一九八三年，经过了十多年拼搏，如今通过了国家ISO9001认证，并已成为金刚石