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研发出原子层沉积(ALD)技术,可以在生产先进工艺芯片中降低极紫外光刻(EUV)工艺步骤需求。 极紫外光刻(EUV)又称作超紫外线平版印刷术,是一种使用极紫外光波长的光刻技术,目前用于 7 纳米......
产品为16Gb LPDDR5X-8500。美光表示,这代1βDRAM将是美光最后一代采用DUV深紫外光刻机制造的内存芯片,之后将采用EUV极紫外光......
元)。 ASML是全球最大的光刻设备厂商,其对2025年规划的产能目标是,90台EUV极紫外光刻机、600台DUV深紫外光刻机和20台High-NA EUV高数值孔径光刻机。 晶圆......
东进世美肯计划研发新一代极紫外光刻胶;在三星电子尝试重构EUV光刻胶供应链的推动下,东进世美肯所研发的极紫外光刻胶,已在去年年底被用于他们的一条量产工艺线。而相关媒体最新的报道显示,所研发的极紫外光......
阿斯麦已在韩国开设EUV光刻机培训中心 全球培训能力将提升30%;据外媒报道,随着芯片厂商大量采用更先进的极紫外光刻机,对阿斯麦这一类光刻机的需求也明显增加,他们......
季财报。ASML 第一季营收净额(net sales)19.4 亿欧元,毛利率(gross margin)为47.6%,EUV 极紫外光微影系统的未出货订单则累积到21 台,价值高达23 亿欧元。预估......
一定能真正投入生产,当前半导体光刻技术之路或已走到尽头。  众所周知,ASML是全球最大的光刻机设备厂商,2021年,ASML曾2次提高生产目标,希望到2025年,其年出货量能达到约600台DUV(深紫外光......
)两种气体均服务于深紫外(DUV)光刻机,适用于产生深紫外光的准分子激光器。综合行业各方消息,工信部此次推广的氟化氩光刻机等用瑞利判据(CD =k1*λ/NA)倒推出该光刻机物镜的NA值为0.75......
与ASML平分市场,日本这家工程机械企业不容忽视;据路透社报道,荷兰政府计划于当地时间6月30日宣布新法规,对ASML次顶级产品线深紫外DUV光刻机提出许可要求,此前,ASML极紫外EUV光刻......
和业务摘要: EUV(极紫外光)光刻业务:本季EUV系统的出货量和营收都刷新纪录。最新款的NXE:3600D EUV光刻系统在客户的生产线上创下了每小时曝光160片晶圆的记录。 DUV(深紫外光)光刻业务:15......
克服问题。 Hwang认为,这意味开发更多原子层沉积(atomic layer deposition,简称ALD)技术,以减少先进芯片生产过程中极紫外光......
也无法雇用美国公民进行先进芯片研发。 根据统计数据显示,2021年ASML的第一大客户就是中国芯片企业,中国芯片企业为ASML贡献了超过290亿美元。作为全球半导体设备的领先厂商,ASML也必须在中美之间取得平衡。该公司一直都有向中国客户供应深紫外光......
英特尔首次采用EUV技术的Intel 4制程节点已大规模量产; 近日,宣布已开始采用极紫外光刻()技术大规模量产(HVM)Intel 4制程节点。 据中国官微获悉,近日,宣布已开始采用极紫外光......
我们会投入资金进行相关工艺的探索和开发。” 极紫外光刻产业:不仅只有EUV 光刻机供应商除ASML之外,还有日本厂商尼康和佳能。随着EUV变得越来越重要,ASML的优势正变得越来越明显。佳能和尼康仅能在“深紫外线”(DUV)光刻......
亿欧元(约合329.1亿元人民币),主要受益于新增的DUV(深紫外光)出货和系统升级收入。 ASML总裁兼首席执行官Peter Wennink表示:"我们第四季度的销售额超过我们的预期。在第......
(4纳米)制程来生产硅晶圆。 由于这座厂房大量运用极紫外光(EUV)微影设备,其扩充行动势必代价昂贵,因为EUV设备每台要价1.2~1.5亿美元,远高于深紫外光(DUV)设备。 报道称,三星......
生产导入EUV(极紫外光)设备,其DRAM芯片产品皆采用DUV(深紫外光)光刻机制造。 近期,媒体报道美光计划于2024年开始在其10纳米级的1γ制程技术上进行EUV光刻技术的试生产,预计......
我国集成电路事业高速发展。 中国科大在无掩膜深紫外光刻技术研究中取得新进展 近日,中国科学技术大学微电子学院特任教授孙海定iGaNLab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外......
)、深紫外光刻技术(DUV)和极紫外光刻技术(EUV)不断向前延伸,其波长也从436nm、365nm、248nm,不断向193nm、13.5nm不断延伸。 每个制程技术节点用什么光刻技术,IEEE一直......
投资10亿人民币,积极把握当前汽车产业“新能源化和智能化”的发展契机,布局汽车下一代光电子芯片的研发与车规级芯片制造,通过布局InGaN(铟镓氮)基像素化矩阵式智能车大灯光源芯片、AlGaN(铝镓氮)基高效大功率深紫外光......
(极紫外光) 微影系统业务方面,其第一台 NXE:3600D已出货给客户。另外, ASML也正增加EUV在存储器产业的量产应用,并协助3家DRAM客户实现在未来的制程节点中导入 EUV 的计划;至于......
美光积极准备EUV技术,争取与三星及SK海力士竞争;根据韩国媒体《Etnews》报导指出,目前全球3大DRAM存储器中尚未明确表示采用EUV极紫外光刻机的美商美光(Micron),因日......
芯片厂可能为了先获得设备展开激烈竞争。 此前ASML曾表示,计划在2025年到2026年进一步提高产能,包括年产90台EUV(极紫外光)光刻机和600台DUV(深紫外光)光刻机,同时,在2027年到2028年,增产20......
扩大旗舰EUV设备产量。在2025年到2026年,将年产90台EUV(极紫外光)光刻机和600台DUV(深紫外光)光刻机。在2027年到2028年,增产20个系统High-NA EUV光刻机。 同时......
芯鼎盛微控制器MCU典型应用消毒牙刷盒;消毒光源采用UVC+UVA短波LED紫外光,分别为光波长200~275nm和320~420nm的紫外线。UVC深紫外杀菌是目前常用的消杀技术。深紫外......
极紫外光)光刻业务方面,第一台NXE:3600D已出货给客户。相较于前一代产品,NXE:3600D的生产力提高15%到20%,且套刻精度(overlay)也提高30%。ASML表示正增加EUV在存......
,平泽晶圆厂将大量采用极紫外曝光设备 (EUV) 生产,报道提到,这一工厂的NAND闪存生产线,将采用极紫外光刻机生产第7代176层V-NAND闪存,而为其他厂商代工晶圆的3nm工艺,也需要极紫外光......
元。相比之下,分析师平均估计为 64.2 亿欧元。这家欧洲最有价值的科技公司还表示,今年其专用机械的总需求继续超过产能。由于先进的极紫外和深紫外光刻机的收入高于预期,第一季度净销售额为 67 亿欧......
新的芯片制造技术,并计划将新型芯片制造设备的价格定在阿斯麦最好光刻机的很小一部分,从而在光刻机领域取得进展。 纳米压印技术是极紫外光刻(EUV)技术的低成本替代品。佳能首席执行官御手洗富士夫 (Fujio......
英特尔宣布Intel 4已大规模量产,“四年五个制程节点”计划又进一步;近日,英特尔宣布已开始采用极紫外光刻(EUV)技术大规模量产(HVM)Intel 4制程节点。Intel 4大规......
英特尔宣布Intel 4已大规模量产,“四年五个制程节点”计划又进一步;近日,英特尔宣布已开始采用极紫外光刻(EUV)技术大规模量产(HVM)Intel 4制程节点。Intel 4大规......
英特尔宣布Intel 4已大规模量产,“四年五个制程节点”计划又进一步; 近日,英特尔宣布已开始采用极紫外光刻(EUV)技术大规模量产(HVM)Intel 4制程节点。Intel 4大规......
制程生产以及最先进的极紫外光(EUV)设备。 公开资料显示,EUV制程采用波长为10-14nm的极紫外光作为光源的光刻,相较于将蚀刻液喷洒在半导体表面,利用蚀刻液与半导体基底化学反应的DUV......
最近申请的一项光刻装置专利到底是什么呢?公开图纸,我们也造不出来?; 11 月 19 日消息,在半导体行业,极紫外光刻技术 (Extreme Ultraviolet,EUV) 对于......
电高级副总裁张晓强今年5月在阿姆斯特丹表示:“我对高NA极紫外光刻机的性能很满意,但价格过高。”他还指出,预计于2026年末推出的台积电A16节点技术不会使用ASML最新款光刻机,而是会继续使用较旧的极紫外......
三安/华中科大等参与,这个国家“十四五”重点研发项目正式获批立项;近日,由山西省科学技术厅推荐、山西中科潞安紫外光电科技有限公司牵头的国家“十四五”重点研发项目“大功率深紫外AlGaN基LED发光......
英特尔宣布Intel 4已大规模量产,“四年五个制程节点”计划又进一步;近日,英特尔宣布已开始采用极紫外光刻(EUV)技术大规模量产(HVM)Intel 4制程节点。Intel 4大规......
ASML禁卖EUV给大陆也没用?CEO神预言命中;全球半导体设备龙头阿斯麦尔()新任执行长福克(Christophe Fouquet)日前受访时表示,美国严厉的芯片管制措施,禁止出售极紫外光()微影......
该公司已成为欧洲市值最大的科技公司,也是目前世界上唯一使用极紫外光的光刻机制造商。 此前,ASML公布最新财报,该公司2023年第一季度的净销售额为67亿欧元,净收入为20亿欧元,高于2022年最......
报会议上,ASML表示,随着第二季度芯片制造设备的市场需求超过供应量,将上调长期营收预期,维持今年20%的营收增幅和55台极紫外光科技的产能预期不变,并表示,2025年将能生产70多部极紫外光......
司三季度业绩表现优于预期,净利润从上年同期的6.27亿欧元增至10.62亿欧元,销售额从上年同期的30亿欧元增至39.58亿欧元。 财报披露,在报告期内能确认销售收入的60台光刻机中,14台为极紫外光刻机,较上......
Intel 4工艺官宣大规模量产 第一次采用EUV极紫外光刻;Intel官方宣布,已经开始采用EUV极紫外光刻技术,大规模量产Intel 4制造工艺。这是Intel首个采用EUV生产的制程节点,对比......
出口管制名单新增了 TWINSCAN NXT:2000i、NXT:2050i 及 NXT:2100i 等深紫外光(DUV)浸入式光刻设备。这一系列设备最高可支持 5 nm 工艺,如台积电就使用 SAQP 和氩......
显出两家公司在半导体产业中重要的地位。家登产品涵盖光罩传载、晶圆传载、机台设备等领域,并且在先进制程的极紫外光(EUV)与成熟制程的深紫外光(DUV)载具居全球指标地位,崇越则是重要材料代理与通路商,都是......
迫于美国限制禁令的压力限制了与半导体有关的先进技术,荷兰政府的该项法令导致 ASML 不得不申请出口许可才能被允许出口自己的先进光刻机系统。 DUV 和 EUV 都被用于半导体芯片制造中的光刻技术,分别代表“深紫外光”(Deep......
,韩国的光刻胶需求高度依赖于日本及从其它国家进口。 公开资料显示,光刻胶是光刻工艺中的关键材料,是指经过紫外光深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射后,溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,主要......
将于明年年底推出初始版本,量产型号将于2024年底或2025年初推出。 相比DUV浸没式光刻机采用193nm波长的深紫外光,EUV光刻系统中使用的极紫外光波长仅为13.5nm。EUV单次曝光就可以替代DUV的多......
进展。日媒报道,12月13日美光日本法人高层Joshua Lee对外表示,美光日本广岛工厂将在2025年生产最先进存储器1γ DRAM。Joshua Lee指出,美光将成为第一家将EUV(极紫外光)光刻......
气体主要应用于半导体微影制程,该制程线宽需进一步微缩至220nm以下时,即开始进入DUV(深紫外光)准分子激光世代,以惰性混合气体与卤素分子混合,藉由电子束能量激发产生深紫外光的波长,将制......
电也说,极紫外光(EUV)微影设备耗电量是深紫外光(DUV)微影机台的十倍以上。 ......

相关企业

),UVB(280~315nm)系列,UVC(100~280nm)系列,UVV(100~400nm)系列,另有内置放大电路紫外光电管,紫外光电探测模块, 封装形式有贴片SMD1608,ø3mm,ø5mm
;长春博盛量子科技产品有限责任公司;;【光电测量产品】 光源 真空紫外光谱仪 订制光谱仪 软X射线光谱仪 拉曼光谱仪 红外\紫外激光观察仪 夜视仪器 微弱荧光测量 HPLC荧光光度计 CCD相机
;长春博盛量子科技产品贸易有限公司;;【光电测量产品】 光源 真空紫外光谱仪 订制光谱仪 软X射线光谱仪 拉曼光谱仪 红外\紫外激光观察仪 夜视仪器 微弱荧光测量 HPLC荧光光度计 CCD相机
;沈阳电子市场明恩电子商行;;沈阳市明恩电子光源科技公司是飞利浦照明特种光源物流中心。 我司多年专业经销:荷兰飞利浦PHILIPS、美国LIGHTSOURCES紫外线杀菌,UV紫外光固化光源,工业
;长春市博盛量子科技产品有限公司;;【光电测量产品】 光源 真空紫外光谱仪 订制光谱仪 软X射线光谱仪 拉曼光谱仪 红外\紫外激光观察仪器 夜视仪器 微弱荧光测量 HPLC荧光光度计 CCD相机
激光打标机、二氧化碳雕刻机、紫外光打标机),激光切割机(CO2切割、紫外光FPC切割机)及进口激光设备。最小激光光束可达0.005mm。广泛用于电子器材:手机壳、数码相机、电池、MP4/MP3的五
谱仪、近红外傅立叶变换 拉曼光谱仪、傅立叶变换近红外光谱仪、紫外/可见/近红外光谱仪、旋光仪、荧光/磷光/发光光谱仪、多空板荧光/紫外高效分析仪、热分析仪、元素分析仪、 超微量电子天平、气相
线系列产品的开发和应用:紫外线消毒灯管系列:家用智能紫外光杀菌器、特种光触媒空气净化器、水处理器;UV固化系列:UV灯管(国产或进口)、UV光油、油墨、胶水;碳纤维红外线灯管、汽车灯、HID、各种
;东莞乐视自动化科技有限公司;;东莞乐视自动化科技有限公司公司(简称“LOTS”)。是一家专业生产销售机器视觉的厂家。主要产品有:紫外光源,红外光源,高亮同轴光,球积分光源,高亮面光源,条状
度等的测量仪。(2)LS120系列 太阳辐射计:主要用于测量可见光(波长为380~760nm)、红外光(波长为760nm~2100nm)或紫外光(波长为200nm~380nm)的辐射能功率密度,即每