资讯
电机驱动之PWM互补输出死区时间设定(2024-07-19)
对MOS管的GS电容进行充电，只用GS电压大于阈值电压，MOS管才能导通；反之，MOS管关闭，GS电容放电，当GS电压小于阈值电压时，MOS管才能关闭。所以，在控制波形沿跳变时刻，一个MOS管GS电容......
分享一个PMOS的电路设计，详细解析电路中各个元器件的作用(2024-09-20 13:53:37)
导通门限电压，Q2导通，也就是说Vout输出导通。
开关管Q1
可以选择NMOS或者NPN三极管，根据MCU的IO电压来选择MOS管的开启电压要大于三极管的......
MOS管子又炸，分享几种常见的MOS管驱动波形的判断(2024-10-16 11:40:39)
MOS管子又炸，分享几种常见的MOS管驱动波形的判断;
回忆起多年前做大功率电源产品的一段经历，那段时间主要调试MOS管的参数，一不小心就炸机，老板......
MOS驱动好不好，波形一看就知道(2024-03-01)
基极提供一定的电流。
一般认为是电压驱动型，所以驱动MOS管，只需要提供一定的电压，不需要提供电流。
实际是这样吗？
由于MOS管的制作工艺，决定了本身GS之间有结电容以及GD之间有弥勒电容，DS也有......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
，此时存在电流的通路，同时会给GS之间的结电容充电。当充电到Vgs_th的阈值电压，MOS管打开。此时电流经过MOS管从S流向D，由于Rdson很小，此时SD两端电压很小，低于体二极管的开启电压，体二......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
MOS管防护电路解析实测;自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。本文引用地址：
保护......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
看出这是一个负反馈的过程。所以Cgd也叫反馈电容。
2. 米勒电容在MOS开通过程中带来的问题
1. dv/dt 限制
当MOS管 DS两端电压迅速上升的时，通过Cgd所产生电流在MOS管GS两端......
基于比较器的过压保护电路设计方案（完整版）(2024-06-17)
控制电路的通断。值得一提的的是，MOS管饱和导通后，漏源极（DS）之间的压降及损耗很小，保证电源电压几乎无损失地供给负载。下面开始逐步构造电路：
1. 以MOS管为受控开关
P沟道MOS管的......
MOSFET每个参数都讲透了(2024-09-23 17:38:21)
D
SS
为600V的MOSFET的雪崩波形(开关......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
一个MOS 管的导通电阻是20mΩ，1A 的反向电流就会在MOS 管漏极和源极之间产生20mV 压降。这时的栅源电压
V G S ( o n ) V_{GS......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
牛人剖析功率MOS，从入门到精通;
一、功率......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
数是指设计中，实际通过mos管的电流与漏源两端的电压差值乘积，不应大于该值。 所以该值的很大程度取决于mos管中实际流过的电流值。
c. **Vgs（栅源电压范围）**：该值表示在mos管的实际开启关闭中，GS间所......
Pico Technology Ltd 推出基于 PC 的 PicoScope(2024-06-12)
行解码器：便于进行串行总线通信分析，简化调试和故障排除流程。
分段式内存、余晖和快速波形更新：提高波形可视化和分析能力，使用户能够高效提取有价值的深度见解。
高级数学、测量、模板和数据触发功能：通过......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值就可以了，这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS、GD之间......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
：
在电气行业中，所涉及的电路类型很多，包括数字电路，模拟电路，MOS电路等，每个电路都有它们的特点和意义。放大......
带不带软启动有什么区别？来看这个MOS管电源开关电路(2024-12-31 09:43:27)
+5V上电，Q2基极被拉低到地，三极管关闭，随后MOS管Q1关闭。
这是因为电源+5V还不稳定，电源无法打开向后级电路输出。
此时电源+5V刚上电，MOS管的G极和S极同......
为什么PWM驱动芯片用图腾柱(2024-10-12 12:40:02)
！
图7：错误的推挽电路
❤如
图8
为推挽驱动MOS管的电机调速电路，MOS管的G极灌电流及拉电流都很大，于是......
电机驱动芯片A4950及H桥电路分析(2023-08-15)
NMOS管构成，形如H型，故名为H桥电路。通过控制4个MOS管的导通与截止达到对中间电机的不同控制效果。NMOS管的栅极为高电平时导通，低电平时截止。
2. H桥工作模式
正转模式
当Q1、Q4的栅......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
直到Vgs等于输入电压10V。
图中Vgs输入电压保持不变即Qgd阶段，输入电压不给Cgs充电，而是给Cgd米勒电容充电。这是MOS管固有的转移特性。这期间不变的电压也叫平台电压。
此时，MOS管的......
光数字继电保护测试仪的功能有哪些(2022-12-05)
步时钟源；完整解析SCL文件（SCD、CID、ICD、NPI），实现对SV、GS信息的自动配置；嵌入报文侦测、监视与抓包功能，自动分析报文类型、属性、波形、幅值、相位、频率、Goose状态、品质......
MOSFET每个参数都讲透了！(2024-10-08 15:24:00)
应用例
额定电压V
D
SS
为600V的MOSFET的雪崩波形(开关......
如何用单片机控制220V交流电的通断(2024-01-17)
实际间距选择合适的压敏电阻，因为瞬导通时候电压很高，这样就有起到过压保护，以防一通电或者关断时候产生感应电动势产生的电压把可控硅击穿，有时候还会串联一个电感。
使用可控硅三极管MOS管的......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
TMOS，关键点是沟槽角，对于 DMOS，关键点是单元的中心。由于势垒高度较小，与 Si 器件相比，SiC MOS 结构在给定电场下表现出更高的 Fowler-Nordheim 电流注入。因此，界面......
这位大牛记录下了电路设计的全过程(2024-04-24)
而言，DCM 模式使得初级电流的RMS 增大，这将会增大MOS 管的导通损耗，同时会增加次级输出电容的电流应力。因此，CCM 模式常被推荐使用在低压大电流输出的场合，DCM 模式常被推荐使用在高压 小电......
电动车窗开关中MOS管的应用解析(2024-08-16)
电动车窗开关中MOS管的应用解析;随着科技的不断发展，电动车窗系统已经成为现代汽车中不可或缺的一部分。而MOS（金属氧化物半导体）管的应用，为电动车窗开关注入了新的活力，极大......
利用TL431搭建的过压保护电路(2025-01-03 17:11:01)
精准的保护点的优点。
当VIN低于保护点13.8V以下时，电路输出VOUT正常，当VIN输入电压高于13.8V时，TL431阴极导通，三极管Q2基极导通，MOS管的GS极被Q2的EC......
特斯拉FSD自动驾驶方案深度解析(2024-06-17)
特斯拉FSD自动驾驶方案深度解析;
......
深度解析电机谐波分析跟踪测量(2023-03-24)
深度解析电机谐波分析跟踪测量;
......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
特性和工作电压来确定。
旁边的二极管是一个稳压保护二极管 为了保护GS之间的电压不会过高从而损坏二极管
在电路分析中 pmos导通和体二极管无关。mos的源漏是相对的。对pmos......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
功率MOS体二极管参数分析;
体二极管的作用
MOS的体二极管能够让感性负载电流在MOS处于“关断”状态时绕开MOS。因此，它在同步整流
和续......
影响纯正弦波逆变器寿命的成分有什么？(2024-09-11)
我们从元器件寿命、设计和安装综合因素方面深度解析影响逆变器寿命的因素。
1、元器件寿命
逆变器从广义上面属于开关电源，所以其组成器件基本上可以分为电阻、电容、二极管、功率器件（IGBT或者MOS管）、电感......
深度解析传导瞬态骚扰发生器校准的不确定度评定(2023-06-27)
深度解析传导瞬态骚扰发生器校准的不确定度评定; ......
基于IM828-XCC的高速电机驱动器设计(2024-07-04)
载运行条件下分别进行了fs为20kHz和fs为60kHz工况下的性能测试。
图4：fs=20kHz IPM的
W相桥臂开关管关断的dv/dt
根据测试波形可以得到关断时上管的dv/dt为2809V/us......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。
我的老师年轻时用过不带二极管的mos管，非常容易被静电击穿，平时要放在铁质罐子里，它的源极和漏极就是随便接。
解释5：金属氧化物膜
图中有指示，这个膜是绝缘的，用来......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
候电流并不会衰减地很快，电流循环在Q2、M、Q4之间流动，通过MOS-FET的内阻将电能消耗掉。补充-另外一种H桥电路 上文中是包含4个N型MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
MOS管的H桥，另外还有包含2个N型、2个P型MOS管的H桥，
下图就是这种H桥电路。它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q4组成，桥臂上的4个场......
Tektronix泰克 DPO7104数字荧光示波器(2023-03-20)
GS/s 的采样率，您可以确保拥有查看快速变化的信号细节所需的性能。为了在保持精细时序分辨率的同时捕获信号活动的长窗口，DPO7104C 在所有通道上提供高达 125 M 点的标准深度记录长度，在一......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
使用相对较高的值即可避免在接近最大功耗的情况下工作。
电路的
最小输入电压
受到可靠“导通”MOS管所需的源极栅极电压的影响（必须略高于阈值电压 V GS(th......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
围加上少量元器件就可以做成冲击电流限制电路。
MOS管是电压控制器件，其极间电容等效电路如图8所示。
图8. 带外接电容C2的N型MOS管极间电容等效电路
MOS管的极间电容栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs......
光谱仪器公司推出 PCIe 格式的旗舰 AWG 卡系列(2024-10-24 09:50)
光谱仪器公司推出 PCIe 格式的旗舰 AWG 卡系列;新型旗舰 AWG 卡以 10 GS/s 的速度和 2.5 GHz 的带宽生成波形科学家和工程师们现在有办法直接通过个人电脑产生高纯度、低失真的高频任意波形......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
。自行搭建的H桥驱动所能通过的电流几乎由MOS管的导通漏极电流所决定。因此，选择适当的MOS管，即可设计出驱动大电流电机的H桥驱动电路。
2、NMOS管IRLR7843
在选择MOS管搭建H桥时，主要......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
成本较高。
采用带软启动电路的有源开关来限制浪涌电流。
五、使用MOS管浪涌电流限制电路
如上所述，已经列举了2种浪涌电流方法。下面介绍使用MOS管导通电路来抑制输入电流此外，由于MOS管的......
NMOS 、 PMOS管 原理、选型、应用（非常实用值得参考）(2024-11-04 21:17:04)
电源输入没有反接保护，NOMS管有可能烧毁。
2、输入输出电容
使用时，要特别注意GS管脚的等效电容Cgs，控制NMOS管的导通与截止，本质上是控制Cgs电容......
任意波形/函数发生器AFG3251C的特点优势和应用范围(2023-04-26)
特点和优点：
10 MHz、25 MHz、100 MHz 或 240 MHz
正弦波形14 位， 250 MS/s， 1 GS/s 或2 GS/s任意波形
高达20 Vp-p 的幅度，50Ω 负荷5.6......
按键开关机电路图 按键开关机电路设计方案(2024-02-22)
路可以应用于很宽的电压范围（4.5V ~ 40V，最大19A的电流），R5为可选，当输入电压小于20V时可短接；输入电压大于20V时建议接上，R5的取值应满足与R1的分压使MOS管V1的GS电压大于-20V小于-5V......
虹科数字化仪在RKE测量中的应用(2023-05-23)
据包是通过空中进行的近场采集。其持续时间为 269 毫秒，用光标测量，读数显示在左下方的信息窗格中。已知载波频率为 433.92 MHz。这种相对高频载波和长持续时间的组合使得这种测量对许多仪器来说具有挑战性。
用于采集此波形......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
是有三个引脚，分别是gate，drain和source。至于为啥这么叫并不重要，只要记住他们分别简称g、d、s就可以。
图3
我们把单片机的一个IO口接到这个MOS管的gate端口，就可......
超详细|开关电源电路图及原理讲解(2024-03-11)
开关速度。
Z1通常将MOS管的GS电压限制在18V以下，从而保护了MOS管。Q1的栅极受控电压为锯形波，当其占空比越大时，Q1导通时间越长，变压器所储存的能量也就越多；
当Q1截止时，变压......
泰克MSO5034B混合信号示波器介绍(2023-03-15)
拟带宽和高达 10 GS/s 的采样率，MSO/DPO5000B 系列确保您拥有捕获具有最佳信号保真度和分辨率的波形所需的性能，以便查看微小的波形细节。
性能
- 利用高达 2 GHz 的带宽和高达 10 GS......
相关企业
;深圳富邦科技有限公司;;我司代理电源管理IC，现在有很多内置三极管和MOS管的电源IC方案，100W以内的都有方案，主要品牌有：亚成微，微盟，芯联，芯龙，信安，BYD。各种性IC和MOS管的性价比非常高。
;鸿海集团（香港）;;鸿海集团在深圳的分公司，主要做IC、MOS管的现货销售
;上海继恩实业有限公司;;我们公司是专业产家MOS管的原厂,欢迎各位厂家来订购!
;深圳市宝佳科技有限公司;;本公司主要代理CET（华瑞）全系列MOS管的产品销售。 MOS系列广泛应用于MP3,MP4,PMP数码产品，电源，充电 产品，解码板，LCD显示
;深圳市亿伟世电子科技有限公司;;深圳市亿伟世科技有限公司是比亚迪电源IC和高压MOS管的一级代理，电源IC：BF1501 BF1502 BF1508 MOS：2N60－12N60，保持原装，价格
;丰艺电子有限公司;;丰艺电子股份有限公司是台湾上市公司,为AOS品牌MOS管的原厂一级代理商,价格优势,交货稳定!!
;深圳市赛尚电子科技有限公司;;本公司是专业代理多种知名品牌IC和MOS管的厂家，“以质量求生存，以信誉求发展”
;瑞特鑫电子科技(深圳)有限公司;;本公司是美国力特保险丝及台湾UTC系列MOS管的代理商,向业内人士提供优质的相关产品,欢迎垂询
康桥）、CBC（上海源赋创盈）。MOS管的品牌：KEC（韩国半导体）、CET（台湾华瑞）、AP（台湾富鼎先进）、AOS（美国万代）、CBC（上海源赋创盈），灯珠品牌：samsung（韩国三星）、HELIXEON
;凯晶半导体有限公司;;凯晶半导体有限公司成立于2009年3月。公司总部设立在台湾，主要从事场效应管的研发和设计，产品涵盖低压MOS的各种型号和封装。