资讯
存储大厂DDR内存路线图公布(2024-09-07)
2027年，三星将迈入10nm以下级DRAM制程节点。届时，三星将发布采用0a nm工艺的DDR内存产品，内存单颗粒的容量将显著提升至48Gb，即6GB。
而在LPDDR方面，三星还介绍......
OK6410内存及启动流程(2024-07-19)
OK6410内存及启动流程;一、内存 只是从大体上介绍，并没有涉及寄存器的操作 6410的系统资源为：256MB DDR 、2GB NANDFlash 如下图所示：
ROM是只读存储器，RAM是随......
FLASH、DDR和eMMC高速PCB布线布线设计规范(2024-11-11 14:18:47)
：
ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC百科
一、Flash高速PCB布局布线设计规范
1、Flash介绍
目前......
数据中心爆发 国产DDR IP前景广阔(2022-12-20)
数据中心爆发 国产DDR IP前景广阔;
【导读】近几年来，随着市场对底层技术的重视以及国产化需求的井喷式增长，本土IP产业呈现紧追之势，为服务器、网络通信、AI等应用领域的高端SoC芯片......
DDR之频率(2024-03-05)
DDR之频率;大家好，我是蜗牛兄。本文引用地址：本文主要介绍DDR常用的三种频率，以及梳理频率是怎样提升的。可能这篇文章对于电路设计用处不大，但多了解一点总是没坏处的。
图1 文章框图
通过......
一文看懂码灵半导体CFW32C7UL系列产品应用（八)：高端扫码设备应用（中）(2020-11-30)
一文看懂码灵半导体CFW32C7UL系列产品应用（八)：高端扫码设备应用（中）;通过上期对扫码设备的行业现状的介绍，我们知道扫码设备厂商众多，产品形态多样，但从技术角度上讲，扫码......
S3C6410的JLink调试方法(2024-09-18)
以 AXD debugger 为例介绍 JLink V8的使用。
（1）正确连接开发板和JLink。给开发板上电
打开 AXD debugger v1.31
Add 选择 Step2 步骤......
【VISION GUIDE - 25】常见的ISP图像去噪(2024-12-13)
光场景下，3DNR的重要性更为显著。此处以一个较为简单的3DNR算法为例，简要介绍其原理。3DNR算法涉及运动估计，简单的，如示意图中的算法，采用帧差法来判断像素是否处于运动区域，复杂的，则可......
什么是拉电流和灌电流？(2024-05-07)
什么是拉电流和灌电流？;一、本文引用地址：DDR的电源可以分为三类：
1.1 主电源VDD和VDDQ
主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO
buffer供电的电源，VDD是给......
米尔基于STM32MP135开发板裸机开发应用笔记，MCU友好过渡MPU(2024-03-29)
的用户来说非常友好，可以让开发者在使用MPU强大性能的同时获得类似MCU的开发体验。米尔提供了支持裸机开发环境，接下来就让我们介绍如何在米尔的STM32MP135开发板上进行裸机开发。
米尔......
米尔基于STM32MP135开发板裸机开发应用笔记，MCU友好过渡MPU(2024-03-28)
的用户来说非常友好，可以让开发者在使用MPU强大性能的同时获得类似MCU的开发体验。米尔提供了支持裸机开发环境，接下来就让我们介绍如何在米尔的STM32MP135开发板上进行裸机开发。
米尔......
米尔基于STM32MP135开发板裸机开发应用笔记，MCU友好过渡MPU(2024-03-29)
的用户来说非常友好，可以让开发者在使用强大性能的同时获得类似的开发体验。米尔提供了支持裸机开发环境，接下来就让我们介绍如何在米尔的STM32MP135开发......
FPGA DDR4读写实验(2024-12-03)
据逻辑结构有关）。
2 MIG IP介绍
MIG IP 核是 Xilinx 公司针对 DDR 存储器开发的 IP，里面集成存储器控制模块，实现 DDR 读写操作的控制流程，下图是 MIG IP......
详解基于VLT的新型DRAM(2017-01-01)
组（bank）可以模拟传统DRAM的bank，并兼容于其频率；在设计VLT电路时，设计者可以选择连接标准DDR控制器，或是成本较低的简化版控制器。如果使用标准控制器，由于不需要刷新，VLT内存......
应用笔记|STM32MP1 系列 MPU 的 DDR 配置(2023-08-17)
应用笔记|STM32MP1 系列 MPU 的 DDR 配置;本文档描述在 STM32MP1 系列 MPU 产品上配置 DDR 子系统（DDRSS）所需的流程和步骤。
设定 DDR 控制......
基于UVC协议的4K智能摄像头(2024-07-11)
方便，价格便宜，具有良好的应用与发展前景。本文重点介绍摄像头硬件主要电路开发和 UVC 协议的实现。
1 硬件设计
系统主控采用瑞芯微 RV1126，传感器采用思特威 SC8238。摄像......
一文看懂码灵半导体CFW32C7UL系列产品应用（四）：安全机制(2020-08-07)
一文看懂码灵半导体CFW32C7UL系列产品应用（四）：安全机制;欢迎再次来到“系列产品应用介绍”连载专题。通过前几期对系列的启动、国密算法及国际标准加解密算法的介绍，我们可以发现，系列......
GRL与FuturePlus Systems合作，在全球范围内提供DDR内存测试服务(2022-09-16)
GRL与FuturePlus Systems合作，在全球范围内提供DDR内存测试服务;GRL通过与FuturePlus的合作伙伴关系，扩大了全球七个实验室所提供的DDR和LPDDR内存......
单片机外扩专用SPI SRAM存储芯片(2024-07-09)
是从降低成本的方向考虑，这里介绍一种伪静态的SPI SRAM，只需要SPI接口或者QPI接口，就可以简简单单实现单线、4线和8线的方式操作SRAM。这种产品的速度快20MHz~200MHz,功耗......
【tiny6410】led裸板程序(2024-06-04)
+0x50000000 //设置栈地址，+0x50000000是因为下载到DDR里面运行的，而DDR开始地址是0x50000000
bl main //跳转到main运行
halt:
b halt......
基于石墨烯散热的8K智能摄像头(2023-01-19)
本文采用散热效果较好的材料对产品散热。
本文开发基于散热的8 K 画质效果好，性能稳定，散热效果好，具有极好的应用和发展前景。本文重点介绍摄像头硬件主要电路开发和石墨烯散热设计方案。
1 硬件......
基于石墨烯散热的8K智能摄像头(2024-07-10)
热要求极高，因此本文采用散热效果较好的石墨烯材料对产品散热。
本文开发基于石墨烯散热的8 K 智能摄像头画质效果好，性能稳定，散热效果好，具有极好的应用和发展前景。本文重点介绍......
揭开AI幕后存储技术——HBM、GDDR...(2024-06-18)
AI模型需求的DDR、GDDR、HBM技术从幕后走向台前，并随着AI发展而不断推陈出新。
01
DDR不断沿袭，DDR6即将来临
DDR完整的应该称DDR SDRAM，英文......
Synopsys发布DesignWare DDR4存储器接口IP(2012-09-26)
Synopsys发布DesignWare DDR4存储器接口IP;亮点：
·Synopsys扩展了其业界领先的DesignWare® DDR存储器接口知识产权（IP）系列，以使其亦可支持DDR4......
打通汽车电子系统实时运算的任督二脉 —— SEMPER X1 LPDDR闪存(2023-05-29)
打通汽车电子系统实时运算的任督二脉 —— SEMPER X1 LPDDR闪存;本次介绍的产品是目前业界首款、专门针对次世代汽车电子系统开发的内存解决方案，它就是英飞凌的「SEMPER X1......
xilinx FPGA中oddr，idelay的用法详解(2024-01-31)
(
.Q(Q), // 1-bit DDR output
.C(clk), // 1-bit clock input
.CE(1'd1), // 1......
MAX1917 跟踪、可吸入/源出电流、同步buck控制器，用于DDR存储器及端接电源(2024-11-11 09:19:35)
MAX1917 跟踪、可吸入/源出电流、同步buck控制器，用于DDR存储器及端接电源;MAX1917为DDR存储器提供完备的电源管理解决方案。该器件包含一个同步buck控制器和放大器，可为VTT和......
DDR硬件设计要点(2024-01-25)
DDR硬件设计要点;1. 电源 的电源可以分为三类：本文引用地址：a主电源VDD和VDDQ，主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给......
FPGA 如何布局及资源优化(2024-12-19)
RTL设计出现时序很难优化的情况。
对应这个情况，举一个简单的例子。如果一个FPGA工程中含有一个PCIE和一个DDR接口，并且，需要用到PCIE与外......
SABIC全新LNP™ KONDUIT™改性料具有出色的耐高温性和流动性(2022-12-06)
SABIC全新LNP™ KONDUIT™改性料具有出色的耐高温性和流动性;SABIC全新LNP™ KONDUIT™改性料具有出色的耐高温性和流动性，可用于复杂设计的DDR内存芯片测试插座
全球......
SABIC全新LNP™ KONDUIT™改性料具有出色的耐高温性和流动性，可用于(2022-12-06)
8TF36E。这是一款新型特种材料，可使用于双倍数据速率（DDR）内存集成电路（ICs）应力测试的老化测试插座 (BiTS)，可满足测试期间严苛的性能要求。随着DDR集成电路引脚数量增加、测试......
PIC64GX MPU 面向智能边缘计算应用(2024-10-20)
PIC64GX MPU 面向智能边缘计算应用;
智慧城市、远程监控、自动驾驶汽车和智能视觉等多种应用对智能边缘计算的需求正在不断增加。在本文中，我们重点介绍 Microchip......
推动DDR5迭代，Rambus发布第三代6400MT/s DDR5 RCD(2023-03-02)
Eble介绍，全新第三代6400MT/s DDR5 RCD(寄存时钟驱动器)将进一步提升服务器的内存性能。他还透露说，从2022年第四季度开始，DDR5 RCD新品已经进入送样阶段。预计使用DDR5......
【vivado约束学习二】 IO延时约束(2024-12-13)
【vivado约束学习二】 IO延时约束;
【vivado约束学习二】 IO延时约束
1 I/O延迟约束介绍
要在设计中精确建模外部时序，必须......
存储芯片企业完成A轮数亿元融资 中芯聚源领投(2022-07-14)
资金将重点用于存算一体架构的研发、加密与错误更正/深度学习的IP设计与研发、以及国产闪存生态系统与存储相关产品的拓展等。
据官方介绍，宏芯宇电子成立于2018年，是一家专注于Nand Flash存储芯片产品的研发、生产......
基于RK3328平台的4K码流仪方案设计与实现(2023-08-01)
。
图3 系统电源框图
1.4 DDR核心部分设计要素
本方案采用4 层板外置DDR3 模型设计，因RK 方案的特殊性，其对DDR 部分layout 要求严格，对内层地的完整性要求较高。在方......
基于RK3328平台的4K码流仪方案设计与实现(2024-07-08)
-DC，2 颗LDO 实现。整体系统电源框图如图3 所示。
图3 系统电源框图
1.4 DDR核心部分设计要素
本方案采用4 层板外置DDR3 模型设计，因RK 方案的特殊性，其对DDR 部分......
ok6410内存初始化(2024-08-16)
入式硬件体系中，除了CPU内部的”垫脚石”采用SRAM外，板载内存一般会采用DRAM，而DRAM又可以分为SDRAM,DDR,DDR2等。
SDRAM(Synchronous Dynamic......
灿芯半导体推出两项创新技术用于DDR物理层(2022-07-08)
灿芯半导体推出两项创新技术用于DDR物理层;一站式定制芯片及IP供应商——灿芯半导体日前宣布推出用于高速DDR物理层中的Zero-Latency （零延迟）和True-Adaptive（真自......
官宣！存储大厂量产第8代V-NAND(2022-11-07)
-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
△Source：三星
据介绍，三星第八代V-NAND采用3D缩放（3D scaling）技术......
英伟达下一代汽车芯片落地合肥(2024-08-12)
DRIVE Thor芯片产品生产落地的工厂。
据介绍，NVIDIA Thor是英伟达最新研发的下一代车载自动驾驶域控芯片，整板共有约1.66万个点位，近万个元器件，8个DDR，BGA 3900 Balls......
米尔T527系列核心板,高性能车载视频监控、部标一体机方案(2024-10-18)
-LT527核心板介绍
MYC-LT527核心板采用高密度高速电路板设计，在大小为43mm*45mm板卡上集成了T527、DDR、eMMC、E2PROM、看门狗等电路。MYC-LT527具有......
基于Hi3559的8K智能摄像机硬件设计与实现(2024-07-11)
RTL8822CU。硬件系统框图如图 1。
其中，电源给整个系统供电；时钟电路保系统中的各模块同步；复位电路确保主控可靠的工作；DDR 是随机存储器，同步需要时钟；FLASH 用来程序存储；传感......
基于 FPGA 的低成本、低延时成像系统(2024-12-07)
时成像系统
《优秀的IC/FPGA开源项目》是新开的系列，旨在介绍单一项目，会比《优秀的 Verilog/FPGA开源项目》内容介绍更加详细，包括但不限于综合、上板测试等。两者相辅相成，互补......
这场DRAM技术困局谁来破？(2022-08-26)
近当前技术材料和工艺使用的基本物理极限。
从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片，再到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续，然后是即将登台唱戏的DDR5和正在研发的DDR6，20多年......
芯动科技高性能计算“三件套”IP解决方案行业领先，满足新一代SoC带宽需求(2022-10-08)
尤以DDR技术、Chiplet、高速 SerDes为重中之重。面向HPC常用的CPU/GPU/DPU/NPU等高算力SoC场景，芯动科技推出以高性能计算“三件套”为核心的共性IP平台。芯动高性能计算“三件......
芯动科技高性能计算“三件套”IP解决方案行业领先，满足新一代SoC带宽需求(2022-09-27)
尤以DDR技术、Chiplet、高速 SerDes为重中之重。面向HPC常用的CPU/GPU/DPU/NPU等高算力SoC场景，芯动科技推出以高性能计算“三件套”为核心的共性IP平台。芯动高性能计算“三件......
AI及HPC需求带动，今年HBM需求容量增近6成(2023-06-30)
AI及HPC需求带动，今年HBM需求容量增近6成;
【导读】为解决高速运算，内存传输速率受限于DDR SDRAM带宽无法同步成长的问题，高带宽内存（High Bandwidth......
韩国将HBM内存上升为国家战略！三星等可享40%税收减免(2024-01-26)
，即高带宽内存，是一款的CPU/GPU内存;其将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。
简单来讲，传统的DDR内存是一层的平房结构，HBM结构......
集睿致远CEO王亚伦：高速接口的现在与未来(2023-11-03)
。接下来是内存的DDR，到DDR3、4、5、6。还有HDMI，现在已经发展到HDMI2.1，可以支持8K的技术。还有服务器和PC的PCIE，现在也实现了非常高速的传输。
“集睿......
相关企业
惠的价格；做为本公司经营宗旨,我公司所销售的产品为全新原装行货;质量三包.提供全国联保卡，发票。欢迎广大客户光临！ 公司产品介绍：CPU P4 1.8G Northwood(散) 365元 P4
惠的价格；做为本公司经营宗旨,我公司所销售的产品为全新原装行货;质量三包.提供全国联保卡，发票。欢迎广大客户光临！ 公司产品介绍：CPU 赛扬IV 1.8G Willamette(盒)290元 赛扬IV
-6(PHILIPS) HYNIX SDRAM DDR DDRII FLASH SAMSUNG SDRAM DDR DDRII FLASH
;优盛科技有限公司;;南亚SD 8x16原包装NT5SV8M16FS-75b 南亚DDR 8X16原包装NT5DS8M16FS-6K 南亚DDR 8X16原包装NT5DS8M16FS-5T 南亚
;ddr;;
;洪日升;;ddr，霍尔元件，散热片
;深圳市鸿浩达电子有限公司;;内存芯片，DDR、FLASH
;Shenzhen Joinwinoem;;ddr ram usb mid mp3 mp4 mp5 micro sd card factory warranty fast delivery
;深圳市祥盈电子;;采购主销CIRRUS LOGIC SAMSUNG HY ATMEL 等品牌ARM,FLASH DDR 销售
;华荣达公司;;代理三星全系列IC：包括FLASH DDR SDRA MMCU TFT屏LCD DRIVER IC等