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东华大学在透明导电薄膜材料方面取得进展;近日，东华大学先进低维材料中心特聘研究员唐正课题组在《自然·通讯》上发表了一项研究成果，即一种全新的逐层沉积工艺制备的透明导电薄膜材料，并明确了薄膜的导电......
材料领域的领先解决方案提供商。而 Panasonic Industry Co., Ltd.（Panasonic Industry）则是松下集团内负责设备业务的运营公司，拥有专有的可扩展工艺技术，可提供细线低电阻和高透明度导电薄膜......
Panasonic Industry Co., Ltd.（Panasonic Industry）则是松下集团内负责设备业务的运营公司，拥有专有的可扩展工艺技术，可提供细线低电阻和高透明度导电薄膜。两家......
Conductive Film） 图1：村田开发的透明可弯曲导电膜及其优点 该薄膜结合了导电性，同时即使在弯曲时也是透明的。 用于触摸屏电极、配线等的氧化铟锡（ITO）系材料的薄膜和使用石墨烯复合材料油墨的导电薄膜......
12H HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题，这项......
容量也达到了 36GB。相比三星 8 层堆叠的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在带宽和容量上提升超过 50%。 HBM3E 12H 采用了热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得 12 层和 8 层堆......
技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。 三星首款36GB HBM3E 12H DRAM HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆......
技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。 三星首款36GB HBM3E 12H DRAM HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆......
子零部件方面，多用于导电薄膜/导电橡胶等高电阻材料。RM3545可最大测量到1200MΩ。更值得一提的是，因为具备了高精度0.006%，即使检查最高端的电流检测电阻也能使用 产品特点： ●基本精度0.006......
回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜（NCF）技术。 三位直接知情人士称，三星已经发出了处理 MR-MUF 技术的设备采购订单。“三星必须采取一些措施来提高其 HBM 良率…… 采用......
AI 火热催生 HBM 需求，消息称三星电子有意引入 SK 海力士使用的 MUF 封装工艺;三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜......
其ELCRES™ HTV150A 耐高温介电薄膜在潜在的耐高温电容器应用中能显著降低内部介电损耗。在高达 150°C 的温度和100kHz 的频率条件下，ELCRES HTV150A 薄膜......
中明确提出实现微机电系统（MEMS）工艺的突破发展。 目前，MEMS超声换能器根据其工作原理可主要分为电容式微纳超声与压电薄膜......
元素符号（PbZrxTi1-xO3）（0<x<1）的首字母，压电性能非常强，称得上是压电元件的主角。 薄膜压电和块体压电 大致将厚度约为几μm的叫作薄膜压电（压电薄膜），几十μm以上......
基板、薄膜工艺、探针卡自动化生产四大研发项目设备已陆续入场调试生产。 据官微介绍，泽丰半导体先进晶圆级测试材料及自动化装备产业化研发项目是临港新片区管委会评审认定的战略新兴产业重点项目，一期......
耗场效应晶体管沟道材料最有力候选。 单壁碳纳米管已被广泛应用于许多电子器件，包括显示器、存储器、传感器、透明导电薄膜以及碳纳米管计算机等。 IBM的理论计算表明，若完全按照现有二维平面框架设计，相比硅基技术，碳管......
里的咨询声与洽谈声不绝于耳。面对客户的问题和疑惑，我司参展团队耐心专业地一一向客户解答，深入了解客户们的实际需求，许多合作意向都在谈笑间达成。 接下来，请跟随我们的镜头一起来回顾下展会的精彩画面吧！·国内首创的半导体薄膜工艺......
使用新一代高度可调的低介电薄膜来解决串扰、隔离等制造挑战;提升集成电路中的介电层性能可以在现在和未来的存储器和逻辑电路发展中产生巨大的战略影响。本文引用地址： 想象一下，在一个挤满人的大房间里，每个......
介绍道，汉高还针对三维立体堆叠封装的高带宽存储器专门推出预填充型底填非导电薄膜LOCTITE ABLESTIK NCF 200系列，为透明的二合一胶膜，溢胶量极小，在封装制程中可以有效保护导通凸块，支持......
推理服务用户数量也可增加超过11.5倍¹。 HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。据悉，HBM3E 12H产品......
装备研发与产业化项目是由拓荆科技（上海）有限公司新建的研发及产业化基地，计划总投资9.3亿元。建筑面积约10万㎡，用于开发先进的ALD薄膜工艺技术及高产能设备平台，并实......
%。HBM3E 12H采用先进热压非导电薄膜（TCNCF）技术，使12层与8层芯片高度相同，满足HBM封装要求。且芯片不同尺寸凸块改善HBM热性能，芯片键合时较小凸块于讯号传输区域，较大......
如何提高混合集成电路的电磁兼容性;混合（Hybrid Integrated Circuit）是由半导体集成工艺与厚（薄）膜工艺结合而制成的。混合是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在......
有效处理和加工25μm至50μm厚的晶圆就变得十分重要。 汉高推出的非导电芯片粘接薄膜LOCTITE ABLESTIK ATB 100MD8，用于晶圆层压工艺或作为preform decal，专为......
屋大学未来材料与系统研究所教授长田明纳（音译）指出，目前用于制造纳米薄膜的技术，需要复杂的制造条件以及专业人士进行操作。而且，使用现有方法，制作出单层纳米薄片大约需要一小时，这成为制造出纳米薄片的主要“拦路虎”。 在最新研究中，长田明纳及其同事开发出一种自动成膜工艺......
%。 公开资料显示，HBM3E 12H采用先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致。三星一直在努力降低其非导电薄膜（NCF）材料的厚度，并实......
质上可以看作是一个电磁相互作用的放大器。螺线线圈发明已经有200多年，除部分用叠层工艺和半导体薄膜工艺外，目前线圈主要还是由漆包线绕制而成。因为作为一种复杂的三维金属结构，毫米......
服务供应商越来越需要更高容量的HBM，而我们开发的全新HBM3E 12H产品正是为满足这一需求设计的。 技术方面，三星HBM3E 12H采用先进的热压非导电薄膜......
耗、易于随先进工艺微缩等优点受到广泛关注。总结这几种新式存储器优缺点如下表所示。 表一 几种存储器性能对比 新型存储器挑战 FRAM目前作为新型存储器的主要问题是铁电薄膜......
县延冈市）。 旭化成退出薄膜业务之后，将把重点放在全球市场上占有很大份额的半导体制造用光敏树脂材料上。近期据据The Elec报道，旭化成正考虑赴欧洲或北美建立电池隔膜工厂。去年旭化成曾表示，将投资300亿日元，将其......
芯仕成主要竞争产品有FBAR滤波器、介质滤波器、LTCC滤波器和MEMS滤波器等。核心技术是高品质压电薄膜材料，新型声表面波（SAW）和体声波（BAW）滤波器器件结构、制备工艺和封装方法等。 公司......
的前后制程，如光刻胶、光刻材料、CMP浆料、CMP后清洁剂、薄膜工艺前驱体、聚酰亚胺和Wave Control Mosaic(WCM)等。 而KMG为Entegris集团下属子公司，在全......
），新开发的化学工艺分层方法可以经济地实现适合要求较低的应用。 导电薄膜层 Alshareef解释说：“硅半导体可以传输电子和空穴，正是......
生产，并已开始出售这些设施。上个月，LG化学就曾表示正在寻求出售其生产显示器用薄膜工厂，并在当时为工厂员工举行了一次说明会。该公司表示，虽然正在出售该业务，但买家和其他细节尚未确定。......
中国科学家研究铁电隧道结存储器获新进展;近日，中国科学家铁电隧道结存储器研发取得了新的进展。据中国科学院金属研究所官网介绍，在最新完成的研究中，其研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变，延迟铁电薄膜......
结构由嵌套在底部铂层和顶部多孔二氧化硅之间的氧化铝绝缘片组成。铂层充当外加电压的电极，而多孔二氧化硅则充当电解质，为铁电薄膜提供质子。 研究人员通过改变外加电压，逐渐从铁电薄膜中注入或移除质子。这就......
式的效率达到创纪录的19.8%，后照式的效率达到10.9%。 不仅如此，该技术团队还生产了第一个双面钙钛矿-CIGS串联太阳能电池，开启了未来更高能量产量的可能性，双面Cu(In,Ga)Se2的效率提升用于银辅助低温工艺的柔性和串联应用的薄膜......
备受瞩目随着电子产品越来越小、越来越薄的趋势化，小型化和薄型化的功率电感也顺势成了一种强烈需求。本次，英麦科带来的是国内首创的半导体薄膜工艺第三代功率电感，这是完全区别于传统第一代的绕线电感和第二代的一体成型电感的工艺......
Shinebolt在展会上吸引了众多关注。与前代产品相比，其传输速率将提升达43%，每千兆字节（GB）的功耗将减少达20%。此外，HBM3E Shinebolt采用了非导电薄膜（NCF）技术，保证......
会上吸引了众多关注。与前代产品相比，其传输速率将提升达43%，每千兆字节（GB）的功耗将减少达20%。此外，HBM3E Shinebolt采用了非导电薄膜（NCF）技术，保证设备的稳定运行。HBM3E......
形聚酰胺，并与客户分享了HiDURA®聚酰胺产品组合的“薄而非凡”。 薄膜用树脂HiDURA® PTR具备优异的加工灵活性，可在传统的薄膜制造设备上进行加工，适用于吹塑、流涎和双向拉伸膜工艺，在保持薄膜......
拟崎岖道路或者恶劣天气。 触觉像素 压电材料是前景最广阔的触觉技术之一，它在受到外界压力时会产生内部电场。反之，当受到外部电场作用时，就会膨胀或者收缩。 将压电薄膜......
技术的电磁屏蔽解决方案Prexonics®为封装级别电磁屏蔽提供准确的无遮盖选择性涂覆，是其主要优势。这一全新技术使顶部和侧壁的厚度宽高比达到1:1，因此顶部只需要1.5-2μm导电薄膜......
保真能够提供更准确的源音再现和卓越的聆听体验。” MEMS扬声器利用压电薄膜技术作为执行器，取代了线圈和磁铁。当压电薄膜与硅结合作为扬声器膜片，实现了世界上第一个固态扬声器。与电子产品中使用的传统音圈扬声器不同，xMEMS微型扬声器采用标准的半导体工艺......
材料是前景最广阔的触觉技术之一，它在受到外界压力时会产生内部电场。反之，当受到外部电场作用时，就会膨胀或者收缩。  将压电薄膜悬浮在空腔上方并固定其边缘，它就会在电信号的作用下上下弯曲。这种压电制动器可以做得非常小，有些......
MateBook二合一键盘，由键盘和皮套两部分组成。键盘部分由大面积玻璃触摸板和触感轻盈的按键组合而成，键盘内部采用了独特的双层防水导电薄膜和绝缘层隔离保护等防泼溅设计，能够有效防止咖啡、水渍......
DNP开发出用于3纳米EUV光刻的光掩膜工艺;响应电路线宽日益精细化的半导体市场需求Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP) (TOKYO: 7912)成功开发出一种光掩膜制造工艺......
气相沉积法是最具开发潜力的制备技术。 3、应用：低端需求逐步打开，高端领域受制于高质量石墨烯的制备 随着批量化生产以及大尺寸薄膜制备等难题的逐步突破，石墨烯的产业化应用步伐正在加快，目前锂离子正极材料导电......
系列产品及新产品获得了现有及新客户订单。 其中，SACVD产品持续拓展应用领域，BPSG及SA TEOS薄膜工艺在40/28nm逻辑芯片制造领域取得客户验收。截至报告期末，SACVD产品在12英寸40/28nm以及......
保真能够提供更准确的源音再现和卓越的聆听体验。” MEMS扬声器利用压电薄膜技术作为执行器，取代了线圈和磁铁。当压电薄膜与硅结合（而不是塑料或纸）作为扬声器膜片，实现了世界上第一个固态扬声器。与电......

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;深圳市亮键电子科技有限公司;;本公司主要经营电脑键盘,导电薄膜,薄膜开关,面版计算器,万年历,玩具,点读机等软性电器,PET薄膜等。公司秉承"顾客至上，锐意进取"的经营理念，坚持"客户第一"的原
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