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东华大学在透明导电薄膜材料方面取得进展;近日，东华大学先进低维材料中心特聘研究员唐正课题组在《自然·通讯》上发表了一项研究成果，即一种全新的逐层沉积工艺制备的透明导电薄膜材料，并明确了薄膜的导电......
材料领域的领先解决方案提供商。而 Panasonic Industry Co., Ltd.（Panasonic Industry）则是松下集团内负责设备业务的运营公司，拥有专有的可扩展工艺技术，可提供细线低电阻和高透明度导电薄膜......
Panasonic Industry Co., Ltd.（Panasonic Industry）则是松下集团内负责设备业务的运营公司，拥有专有的可扩展工艺技术，可提供细线低电阻和高透明度导电薄膜。两家......
Conductive Film） 图1：村田开发的透明可弯曲导电膜及其优点 该薄膜结合了导电性，同时即使在弯曲时也是透明的。 用于触摸屏电极、配线等的氧化铟锡（ITO）系材料的薄膜和使用石墨烯复合材料油墨的导电薄膜......
12H HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题，这项......
容量也达到了 36GB。相比三星 8 层堆叠的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在带宽和容量上提升超过 50%。 HBM3E 12H 采用了热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得 12 层和 8 层堆......
技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。 三星首款36GB HBM3E 12H DRAM HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆......
技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。 三星首款36GB HBM3E 12H DRAM HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆......
露，美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E，该种工艺很可能会在下一代产品 HBM4 中采用。HBM4 16H产品正在考虑使用混合键合。 此外，目前美光最大的HBM生产......
本公司独有的结构设计和全新开发材料，通过薄膜工艺，L:1.0×W:0.6×H:0.7mm尺寸时有2.2μH的高电感，同时实现了500mA的额定电流。本报道将简单易懂地说明其结构、特点、用途等对大家有用的信息。 PLE......
回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜（NCF）技术。 三位直接知情人士称，三星已经发出了处理 MR-MUF 技术的设备采购订单。“三星必须采取一些措施来提高其 HBM 良率…… 采用......
AI 火热催生 HBM 需求，消息称三星电子有意引入 SK 海力士使用的 MUF 封装工艺;三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜......
子零部件方面，多用于导电薄膜/导电橡胶等高电阻材料。RM3545可最大测量到1200MΩ。更值得一提的是，因为具备了高精度0.006%，即使检查最高端的电流检测电阻也能使用 产品特点： ●基本精度0.006......
其ELCRES™ HTV150A 耐高温介电薄膜在潜在的耐高温电容器应用中能显著降低内部介电损耗。在高达 150°C 的温度和100kHz 的频率条件下，ELCRES HTV150A 薄膜......
中明确提出实现微机电系统（MEMS）工艺的突破发展。 目前，MEMS超声换能器根据其工作原理可主要分为电容式微纳超声与压电薄膜......
元素符号（PbZrxTi1-xO3）（0<x<1）的首字母，压电性能非常强，称得上是压电元件的主角。 薄膜压电和块体压电 大致将厚度约为几μm的叫作薄膜压电（压电薄膜），几十μm以上......
在年底之前具备设备模拟的条件。 根据报道，二期项目为基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目，于2023年12月开建，总投资16.8亿元，建设136亩工业厂区，将建......
基板、薄膜工艺、探针卡自动化生产四大研发项目设备已陆续入场调试生产。 据官微介绍，泽丰半导体先进晶圆级测试材料及自动化装备产业化研发项目是临港新片区管委会评审认定的战略新兴产业重点项目，一期......
耗场效应晶体管沟道材料最有力候选。 单壁碳纳米管已被广泛应用于许多电子器件，包括显示器、存储器、传感器、透明导电薄膜以及碳纳米管计算机等。 IBM的理论计算表明，若完全按照现有二维平面框架设计，相比硅基技术，碳管......
里的咨询声与洽谈声不绝于耳。面对客户的问题和疑惑，我司参展团队耐心专业地一一向客户解答，深入了解客户们的实际需求，许多合作意向都在谈笑间达成。 接下来，请跟随我们的镜头一起来回顾下展会的精彩画面吧！·国内首创的半导体薄膜工艺......
使用新一代高度可调的低介电薄膜来解决串扰、隔离等制造挑战;提升集成电路中的介电层性能可以在现在和未来的存储器和逻辑电路发展中产生巨大的战略影响。本文引用地址： 想象一下，在一个挤满人的大房间里，每个......
“8英寸硅基压电薄膜及压电MEMS传感器制造工艺平台”项目启动;据赛微电子消息，近日，2023年度国家重点研发计划“智能传感器”重点专项“8英寸硅基压电薄膜及压电MEMS传感器制造工艺平台”项目......
介绍道，汉高还针对三维立体堆叠封装的高带宽存储器专门推出预填充型底填非导电薄膜LOCTITE ABLESTIK NCF 200系列，为透明的二合一胶膜，溢胶量极小，在封装制程中可以有效保护导通凸块，支持......
装备研发与产业化项目是由拓荆科技（上海）有限公司新建的研发及产业化基地，计划总投资9.3亿元。建筑面积约10万㎡，用于开发先进的ALD薄膜工艺技术及高产能设备平台，并实......
推理服务用户数量也可增加超过11.5倍¹。 HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。据悉，HBM3E 12H产品......
%。HBM3E 12H采用先进热压非导电薄膜（TCNCF）技术，使12层与8层芯片高度相同，满足HBM封装要求。且芯片不同尺寸凸块改善HBM热性能，芯片键合时较小凸块于讯号传输区域，较大......
底部填充（MR-MUF）技术制造的HBM比采用热压-非导电薄膜（TC-NCF）制造的产品坚固60%。 SK hynix用锋利的工具刺穿安装了 HBM 的 DRAM 顶部以产生划痕的方法进行了测试，结果......
如何提高混合集成电路的电磁兼容性;混合（Hybrid Integrated Circuit）是由半导体集成工艺与厚（薄）膜工艺结合而制成的。混合是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在......
有效处理和加工25μm至50μm厚的晶圆就变得十分重要。 汉高推出的非导电芯片粘接薄膜LOCTITE ABLESTIK ATB 100MD8，用于晶圆层压工艺或作为preform decal，专为......
，即芯片之间用液态环氧模塑料作为填充材料，导热率比TC-NCF中的非导电薄膜高很多。MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill )是将半导体芯片堆叠后，为了......
屋大学未来材料与系统研究所教授长田明纳（音译）指出，目前用于制造纳米薄膜的技术，需要复杂的制造条件以及专业人士进行操作。而且，使用现有方法，制作出单层纳米薄片大约需要一小时，这成为制造出纳米薄片的主要“拦路虎”。 在最新研究中，长田明纳及其同事开发出一种自动成膜工艺......
%。 公开资料显示，HBM3E 12H采用先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致。三星一直在努力降低其非导电薄膜（NCF）材料的厚度，并实......
进行内外墙的装修，预计年后进入机电暖通、安装工程及精装修工程。 2023年12月，晶旭半导体二期，即基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目，开工建设。该项目总投资16.8亿元，建设136亩工......
于泛半导体产业关键设备部件的研发及生产，产品主要应用于泛半导体薄膜工艺、刻蚀工艺等关键工艺环节，也是国内首家将面板领域CVD设备、干法刻蚀设备电极部件国产化的企业。 此外，据统计，2023年合......
现构建新型容错量子计算机这一长期梦想的起点。 哈工大科研团队在铪基铁电薄膜领域取得新进展 4月下旬，哈工大科研团队在铪基铁电薄膜领域取得重要进展，为实现超快铁电存储提供依据。 二氧化铪铁电相是亚稳结构，作为......
载周期与一个随机存取存储器的“写入”周期类似。它采用先进的CMOS薄膜工艺制造，提供1/8 LSB精度，典型功耗小于10 mW。 最新改进的设计不再需要肖特基二极管保护，并且采用+5电源时，还能保证TTL兼容性。加载......
质上可以看作是一个电磁相互作用的放大器。螺线线圈发明已经有200多年，除部分用叠层工艺和半导体薄膜工艺外，目前线圈主要还是由漆包线绕制而成。因为作为一种复杂的三维金属结构，毫米......
检测微小的静态力时所需能耗较低，且柔性电容式传感器具备良好的线性响应。 柔性电容式传感器以导电薄膜、纤维纱线等柔性材料制成两极板，间隔层通常使用弹性材料制成，将柔性电容式传感器与服装结合后制成的智能纺织品，不仅......
耗、易于随先进工艺微缩等优点受到广泛关注。总结这几种新式存储器优缺点如下表所示。 表一 几种存储器性能对比 新型存储器挑战 FRAM目前作为新型存储器的主要问题是铁电薄膜......
县延冈市）。 旭化成退出薄膜业务之后，将把重点放在全球市场上占有很大份额的半导体制造用光敏树脂材料上。近期据据The Elec报道，旭化成正考虑赴欧洲或北美建立电池隔膜工厂。去年旭化成曾表示，将投资300亿日元，将其......
服务供应商越来越需要更高容量的HBM，而我们开发的全新HBM3E 12H产品正是为满足这一需求设计的。 技术方面，三星HBM3E 12H采用先进的热压非导电薄膜......
芯仕成主要竞争产品有FBAR滤波器、介质滤波器、LTCC滤波器和MEMS滤波器等。核心技术是高品质压电薄膜材料，新型声表面波（SAW）和体声波（BAW）滤波器器件结构、制备工艺和封装方法等。 公司......
的前后制程，如光刻胶、光刻材料、CMP浆料、CMP后清洁剂、薄膜工艺前驱体、聚酰亚胺和Wave Control Mosaic(WCM)等。 而KMG为Entegris集团下属子公司，在全......
生产，并已开始出售这些设施。上个月，LG化学就曾表示正在寻求出售其生产显示器用薄膜工厂，并在当时为工厂员工举行了一次说明会。该公司表示，虽然正在出售该业务，但买家和其他细节尚未确定。......
定生产多炉且累计一定库存。导电型（001）锡掺衬底和该衬底加导电型薄膜外延，目前国际上可达到4英寸，铭镓半导体已实现大尺寸衬底工艺突破，并将逐步稳定工艺供货。 据官网介绍，铭镓......
），新开发的化学工艺分层方法可以经济地实现适合要求较低的应用。 导电薄膜层 Alshareef解释说：“硅半导体可以传输电子和空穴，正是......
中国科学家研究铁电隧道结存储器获新进展;近日，中国科学家铁电隧道结存储器研发取得了新的进展。据中国科学院金属研究所官网介绍，在最新完成的研究中，其研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变，延迟铁电薄膜......
结构由嵌套在底部铂层和顶部多孔二氧化硅之间的氧化铝绝缘片组成。铂层充当外加电压的电极，而多孔二氧化硅则充当电解质，为铁电薄膜提供质子。 研究人员通过改变外加电压，逐渐从铁电薄膜中注入或移除质子。这就......
备受瞩目随着电子产品越来越小、越来越薄的趋势化，小型化和薄型化的功率电感也顺势成了一种强烈需求。本次，英麦科带来的是国内首创的半导体薄膜工艺第三代功率电感，这是完全区别于传统第一代的绕线电感和第二代的一体成型电感的工艺......
式的效率达到创纪录的19.8%，后照式的效率达到10.9%。 不仅如此，该技术团队还生产了第一个双面钙钛矿-CIGS串联太阳能电池，开启了未来更高能量产量的可能性，双面Cu(In,Ga)Se2的效率提升用于银辅助低温工艺的柔性和串联应用的薄膜......

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