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SiC市场迎来爆发期,全球最大碳化硅晶圆厂2022年初投产;近日,第三代半导体龙头厂商科锐(Cree)公布了其最新财报,截至6月27日的2021财年第四季度财报,科锐营收略高于预期,达1.458亿美......
、氮化镓等宽禁带半导体衬底、功率器件、射频器件等产品的技术研究与生产制造。据统计,截至2020年末,科锐公司与碳化硅相关的专利约有247项。 作为碳化硅领域国际标杆企,目前,Cree的碳化硅......
受限的汽车应用中也能确保可靠性。 4、B1M160120HC可完全替代科锐C2M0160120D,提供TO-247-3封装。 综上基本半导体的碳化硅MOSFET B1M160120HC完全......
行了封顶仪式。 全球最大碳化硅晶圆厂明年初投产 近日,第三代半导体龙头厂商科锐(Cree)公布了其最新财报,截至6月27日的2021财年第四季度财报,科锐营收略高于预期,达1.458亿美元,同比......
募资约16亿 凭借耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点碳化硅半导体在以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域、以及民用、军用......
坚决迈向碳化硅 Cree将更名为Wolfspeed!;1月29日,Cree(科锐)官方微信发布消息,预计将于2021年底正式更名为Wolfspeed。 Cree表示,“我们......
到英飞凌等欧洲车用半导体大厂订单。海外厂商中,科锐的长期供货订单也基本都被国际半导体巨头锁定。 从下游终端应用来看,碳化硅可应用于新能源汽车、充电设备、通信设备、飞行器等多个工业领域。其中,新能源车领域将会为碳化硅......
全产业链产线。 3、Cree推进建造全球最大SiC器件制造工厂 2020年8月,Cree(科锐)宣布推进从硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的产业转型。科锐于2019年9月宣......
的方法,从此将碳化硅作为重要的电子材料;1987年,科锐制造了出世界上第一块商用碳化硅衬底,并把它应用在LED领域;2001年,英飞凌和科锐(已更名为Wolfspeed)分别推出首款小型碳化硅......
要性被业内认为堪比消费单子厂商纳入“苹果产业链”。 “能供货英飞凌证明国产碳化硅衬底在技术和产能上的进步。”集邦咨询化合物半导体分析师龚瑞骄向记者表示,无论市场需求情况还是国际巨头扩产趋势,碳化硅特别是车用类高端碳化硅......
国际巨头签订长约,全球SiC争夺战持续;近日,日本昭和电工宣布与半导体制造商罗姆签订长期供应合同,根据协议,昭和电工将为制造碳化硅(SiC)功率半导体的罗姆供应SiC外延片。新闻稿指出,此长......
功率半导体发展如火如荼,国产企业有望弯道超车;功率半导体发展如火如荼,伴随着5G、物联网、新能源等行业的迅速发展,具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及抗辐射能力的SiC(碳化硅......
国内首款基于自主碳化硅的汽车“芯”动力在株洲下线,各大车厂逐步加大碳化硅车规级使用;据人民网消息,12月26日,由中车时代电气C-Car平台孵化的全新一代产品C-Power 220s在第......
中就使用了大量的氮化镓器件。与碳化硅特性类似,氮化镓同样可以降低系统散热要求,提升整体系统效率,这样一来,同样体积、重量的充电器就能够输出更大电流,以满足快充市场的要求。在数据中心里也会遇到同样的情况,作为......
科锐推出新型SiC功率模块产品系列,为电动汽车快速充电和太阳能市场提供业界领先的效率; 全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,推出Wolfspeed......
推广“slkor”,瞄准碳化硅功率器件的“国产替代”市场,对标CREE科锐、ROHM罗姆、ON安森美等公司的产品。 萨科微早期的技术源于这支韩国延世大学研发团队,当时其正专注于研发第三代半导体碳化硅......
SiC材料的进击路 从国产工规级碳化硅(SiC)MOSFET的发布谈起; 据东方卫视报道,我国首款基于6英寸晶圆通过JEDEC(暨工规级)认证的1200V 80mohm碳化硅(SiC......
会与下游晶圆厂签署协议绑定,如科锐就与多家碳化硅晶圆厂签署长期供货协议。国内厂商在这方面也有必要尽快和国内的碳化硅晶圆厂结盟形成战略合作。 Kevin张则提醒业界注意,近几年国际国内碳化硅......
偶遇了韩国延世大学的研发团队,宋仕强表示,“他们在研发第三代半导体碳化硅MOS管,能达到最高电压1200V电流80A,技术指标在世界较为领先,经过在比亚迪新能源汽车上机实测,电气数据仅次于美国的科锐CREE,与日......
分企业还未实现完全盈利。 以碳化硅衬底的行业龙头Wolfspeed(前科锐CREE)情况看,从1987年CREE将其带出实验室开展SiC商用生产线,至今步入到高速发展时期已有近45个年头。虽然......
入局慢的根本原因还在于成本过高,这背后是研发制造的困局。 从国内外碳化硅企业盈利情况看,最近这几年还属于研发投入高峰期,大部分企业还未实现完全盈利。 以碳化硅衬底的行业龙头Wolfspeed(前科锐......
,我们就曾被科锐(Cree)以8.5亿美元将Wolfspeed出售给英飞凌的新闻所刷屏,这几年,关于Wolfspeed考虑出售的消息不绝于耳,潜在买家也都说的有鼻子有眼的。 碳化硅这么热,为什......
为“Wolfspeed”公司,并计划单独上市。但科锐今年1月表示,该分拆计划被推迟。 英飞凌CEO雷哈德•普洛斯(Reinhard Ploss)称,Wolfspeed生产的碳化硅......
和可再生能源市场的显着增长机会,我们相信现在是进一步专注于扩大功率器件和材料业务增长需求的最佳时机。”   此外,根据MACOM公告指出,将收购的射频业务包括用于高性能射频和微波应用的碳化硅(“SiC”)和氮化镓(“GaN......
器件在长期使用过程中表现出较好的稳定性和耐久性。碳化硅器件具有耐磨损、耐腐蚀等特点,并且器件的结构设计可以保证在长期使用过程中不会出现损坏和失效。   安全性的可靠性:碳化硅器件在安全性方面的应用表现出较好的可靠性。碳化硅......
能直接影响到新能源汽车的能效、续航里程以及可靠性。目前,硅基IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和碳化硅(SiC)功率器件是两种主流的解决方案,它们在新能源汽车中有着各自独特的应用特点。 一、硅基IGBT在新......
通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点,可支持连续运行峰值结温至175℃,以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。 采用沟槽型碳化硅MOSFET芯片......
微成立之初,就实行对标研发管理和产品开发战略,向行业最强大的标杆企业学习,这也成为了萨科微现“国产替代”的基础。   “国外做功率器件的INFINEON英飞凌、ON安森美,做碳化硅的科锐CREE、罗姆ROHM、意法......
在车外的充电桩和光伏储能领域有很大的应用。在这两年光伏储能领域SiC会有加速的渗透,当然它和汽车市场还是远远不能比。”龚瑞骄分析道。 在全球碳化硅市场上,科锐、意法半导体、英飞凌、罗姆等一线厂商持续加码,并进......
科技生产基地在江苏汾湖高新区投入运营,也标志着忱芯已正式迈入量产阶段。该基地集研发、测试、生产和销售于一体,涵盖碳化硅核心功率部件的研发、产品制造及性能测试。以高频化、数字化、自动化为特点,中心已建设10 个实验室覆盖了碳化硅......
统硅基材料相比,碳化硅具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点,适合制造高温、高压、高频、大功率的器件。 这一特性下,碳化硅在新能源汽车市场大有可为。 全球......
导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温下使用,甚至超过 200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻,这是高压的关键因素。 二、碳化硅产品特点......
隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温下使用,甚至超过 200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻,这是高压功率器件的关键因素。 二、碳化硅产品特点 碳化硅(SiC)具有宽禁带(Si的3倍)、高热......
来源:罗姆 碳化硅具有特殊的导电性能,可用于生产开关速度快、损耗低的电力电子芯片。同时,碳化硅芯片具有更强的耐热性,因此可以提高电子器件的功率密度。得益于这些特点碳化硅电子元器件的转换损耗比传统硅(Si......
显示,碳化硅一种宽禁带化合物半导体材料,相对于传统的硅材料来说,碳化硅属于第三代半导体材料的典型代表,其拥有禁带宽度宽、耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点,具有开关速度快、效率高的优势, 可大......
“第三代半导体”迎来新方向,新能源车成为主线,重点在5家短线大牛;以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点,可以极大满足新能源汽车电动化、网联......
碳化硅(SiC)作为半导体材料具有优异的性能,尤其是用做功率转换和控制的功率元器件时,其性能可得到极大程度的释放。但SiC在天然环境下非常罕见,人们最早在46亿年......
为代表的第三代半导体是支撑新能源汽车发展的关键技术之一。其中碳化硅功率模块是新能源汽车电机驱动系统的关键部件,具备耐高压、耐高温、高开关频率、低开关损耗等特点,对整......
中国多家SiC厂预告亏损;如今的SiC产业冷热不均,一边是市场火热、众厂扩产,另一边却又是企业业绩持续亏损。 虽然电动车销量成长,带动功率半导体需求,但中国多家碳化硅(SiC)厂商如露笑科技、天岳......
高的价格将覆盖这部分成本。因此,为了获得更多的行业利润,各厂商的中高端车也将陆续配备碳化硅设备。 由于碳化硅(SiC )材料等特点,Sic MOSFET作为属于第三代宽禁带功率半导体,相比于以Si材料......
者对续航里程和补能效率的要求越来越高。而碳化硅凭借着耐高压、高频等特点,可以极大提高能源转换效率,因而也被认为是800V高压平台的最好搭档。 截止目前,小鹏、阿维塔、极狐、吉利、路特斯等车企都推出了基于800V 碳化硅......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展;1、碳化硅场效应管SiC-MOSFET 在碳化硅电力电子器件的研究中,SiC-MOSFET是最受关注的器件。在Si材料接近理论性能极限的今天,SiC......
半导体产业链强,电机控制器则更有竞争力。 蔡蔚指出,碳化硅功率半导体属于第三代宽禁带半导体的一种,具有高饱和电子速度、高导热率、高电子密度、高迁移率等特点碳化硅器件具备的耐高温、高效、高频特性,正是......
认为,上述车型密集推出,未来碳化硅车型有望快速在市场渗透。 资料显示,碳化硅具有高频、高效、高功率密度、耐高温、高压的性能特点,主要应用于新能源汽车、轨道交通、光伏发电和工业电源领域。 在新......
开关器件拥有更小的导通电阻和开关损耗。碳化硅MOSFET产品采用更多创新结构和领先工艺,凭借“耐高压”、“耐高温”和“高频”的特点,为高压高频应用提供了更简单,成本更低的解决方案,从而实现更好的用电效率。今天,这些碳化硅......
衬底项目 衬底是碳化硅产业链极为关键的一环,国内拥有相关技术的企业数量并不多。且半导体产业自身存在高风险、高投入、高技术门槛、长周期等特点,产业布局需要有序推进,企业在扩产时更需冷静,因此,2022年上......
保护器件等,凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点,目前市面上热销的产品有1000多款。 瑞森半导体核心研发第三代宽禁带半导体技术,于2018年开始研究、设计碳化硅功率器件,目前瑞森半导体SiC......
?碳化硅是第三代半导体材料,相较于硅材料,具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点,适合制造高温、高压、高频、大功率的器件。 在电动汽车中,碳化硅......
期待!关于森国科深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块,功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT,功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷......
先导中心推出技术“狠活”:1200V 100A 三电平全碳化硅模块新品发布; 继首款1200V 100A H桥全碳化硅模块发布后,先导中心又推出1200V 100A 三电平全碳化硅模块新品。此模......

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和销售于一体的综合性企业。公司专业生产刚玉、碳化硅,刚玉莫来石耐火材料,产品广泛应用于磁性材料厂、陶瓷厂和玻璃窑炉等行业。现主要产品有:规格为25KG-1T的刚玉-碳化硅坩埚、浇口;粉体煅烧匣钵;氧化
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