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了市场和资本的全球化。军备竞赛孕育了半导体科技和硅基文明,从而形成了今天推动经济前进、主导财富和权力分配的三股核心力量: 美帝的全球化(市场扩大); 中国加入世界分工,完成市场化和资本化(资本积累); 硅基......
芯聚能半导体有限公司成立于2018年11月,位于广州市南沙区,占地40,000平方米,主营业务为碳化硅基和硅基功率半导体器件及模块的研发、设计、封装、测试及销售,主要产品包括车规级功率模块、工业级功率模块和分立器件等,产品......
显示,芯聚能成立于2018年11月,位于广州市南沙区,主营业务为碳化硅基和硅基功率半导体器件及模块的研发、设计、封装、测试及销售。其主要产品包括车规级功率模块、工业级功率模块和分立器件等,产品......
体材料国产替代研发进展 4、碳基硅基优劣势对比 5、新形势下碳基材料与信息器件的发展趋势 6、碳基芯片发展现状及愿景、发展战略 7、科研成果如何指导半导体产业? 8、产业对碳基电子的投入现状、碳基......
解,研讨会上,彭练矛院士作了题为《半导体产业发展趋势和碳基电子技术的机遇与挑战》的专题报告,从半导体行业现状分析入手,探讨了硅基微电子技术的极限,提出了后摩尔时代碳基......
混合键合样品浸泡于有机酸溶液中,清洗后吹干; 在吹干后的硅基和/或金刚石基Cu/SiO2混合键合样品的待键合表面上滴加氢氟酸溶液,将硅基和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品对准贴合进行预键合,得到......
氮化镓晶圆的量产。据悉这是全球第一座“氮化镓”生产基地。目前中企已经掌握了成熟的技术,一旦氮化镓被用于制造芯片,相比于硅基芯片功率将直接提升900倍。 中国科学院院士彭练矛和张志勇教授率碳基......
芯聚能宣布公司碳化硅模块和使用芯聚能碳化硅模块的控制器均已进入量产状态(SOP)。 广东芯聚能半导体有限公司成立于2018年11月,位于广州市南沙区,占地40,000平方米,主营业务为碳化硅基和硅基功率半导体器件及模块的研发、设计、封装、测试及销售。主要......
中国半导体性单壁碳纳米管获突破,产率大幅提高; 4月13日消息,当前的硅基芯片在10nm工艺之后面临更大的困难,学术界一直在研发碳基芯片取代硅基芯片,碳纳米管被称为10nm以下最强候选,我国......
键合样品后进行等离子体活化处理;将经等离子体活化处理后Cu/SiO2混合键合样品浸泡于有机酸溶液中,清洗后吹干;在吹干后的硅基和/或金刚石基Cu/SiO2混合键合样品的待键合表面上滴加氢氟酸溶液,将硅基和金刚石基Cu......
联瑞新材:拟投建年产1.5万吨高端芯片封装用球形粉体项目;8月15日,联瑞新材发布公告称,为了持续满足新一代芯片封装、高频高速电路基板等领域的客户需求,不断完善球形硅基和铝基产品的产能布局,进一......
国产5nm碳纳米管研究新突破,摩尔定律有救了; 本文来自 北大碳基电子学研究中心,如需转载,请联系原作者。 编者按:恭喜彭练矛-张志勇课题组在Science上发表5纳米......
芯英创始人杨龚轶凡曾在谷歌作为芯片研发核心人员深度参与了谷歌TPU 2/3/4的设计与研发,在他看来,TPU是为AI大模型而生的天然优势架构。 碳纳米管和TPU,牵手了 昨日,也传出另一个与TPU相关的消息。 消息显示,北京大学电子学院碳基......
韩媒:DB HiTek将采用碳基GaN技术改进8英寸半导体工艺;据韩媒etNews报道,韩国晶圆代工厂商DB HiTek通过在硅晶圆片上制作由氮化镓材料制成的薄膜来生产半导体晶圆。该技......
结构的两种技术路线 图 4 电压驱动 VS 电流驱动曲线 3、基本特性总结 因为结构的不同,氮化镓功率器件和硅基功率器件有区别于硅基器件的特性。 (1)氮化镓功率器件标准:650V 氮化......
向半导体封测的跨越; 2022年10月,荷兰半导体设备制造商ASM宣布已完成对LPE的收购,而LPE是硅基和碳化硅基半导体外延炉设备厂商; 2022年8月,纳微......
硅基和碳化硅基半导体外延炉设备厂商; 2022年8月,纳微半导体正式宣布收购Gene。据悉,GeneSiC拥有深厚的碳化硅功率器件设计和工艺方面的专业知识,顺利......
电参数表现优异,达到行业领先水平。8月23日,越南晶硅基地首刀210硅片顺利下线。越南晶硅基地是天合光能海外重要的产业基地之一,单晶硅片产能 6.5GW,包括拉晶、机加、切片和硅料处理等工序,生产......
引用地址:  一千瓦及以上功率级的数据中心、可再生能源和各种工业应用的电源中, 的 4 引脚 SuperGaN器件可作为原始设计选项,也可直接替代现有方案中的4 引脚硅基和 器件。4引脚......
电参数表现优异,达到行业领先水平。8月23日,越南晶硅基地首刀210硅片顺利下线。 越南晶硅基地是天合光能海外重要的产业基地之一,单晶硅片产能 6.5GW,包括拉晶、机加、切片和硅料处理等工序,生产......
用于建设厂房以及4吋光电和6吋毫米波二条量产线;第二期总投资15.5亿元,主要用于建设一条以硅基射频和硅基功率器件为主要内容的8吋量产线,异质集成、多种封装测试研发中试平台。 封面图片来源:拍信网......
宣称新电池能量密度能达到 300Wh/kg。在目前锂电池的负极材料技术发展中,硅基材料的关注度最高,产业化的希望也最大,尤其是特斯拉的 4680 电池直接推动各大电池厂商在硅基负极方面的布局,其中就包括硅碳负极和硅......
可以让半导体行业使用硅晶体管实现更好的供电解决方案。 所谓DrGaN则与DrMOS有异曲同工之妙,就是将GaN和硅基CMOS集成在一起,利用“层转移”工艺,在300毫米硅晶圆上完成全部的大规模的3D单片工艺。 为什么要使用GaN?一方......
可以让半导体行业使用硅晶体管实现更好的供电解决方案。所谓DrGaN则与DrMOS有异曲同工之妙,就是将GaN和硅基CMOS集成在一起,利用“层转移”工艺,在300毫米硅晶圆上完成全部的大规模的3D单片工艺。为什么要使用GaN?一方面,GaN的宽......
化合物半导体产业化项目主要定位于化合物半导体材料和器件技术开发平台和量产线,项目分三期建设,前两期总投资30.5亿元。 其中第一期总投资15亿元,主要用于建设厂房以及4吋光电和6吋毫米波二条量产线;第二期总投资15.5亿元,主要用于建设一条以硅基射频和硅基......
代半导体将成为重要助力。 今年6月,深圳市政府在发布的《培育发展半导体与集成电路产业集群行动计划(2022-2025年)》通知中明确提出,深圳将重点布局12英寸硅基和6英寸及以上化合物半导体芯片生产线。提升......
(G1)、(G2)两款产品和硅基FR MOSFET产品,让我们拭目以待! 关于成都蓉矽半导体有限公司 成都蓉矽半导体有限公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 是四......
满足锂电池越来越高的续航需求。因此硅基负极材料成为焦点,但使用纯硅材料的负极成本过高,是石墨的3倍以上,因此主流的方案是将硅氧和硅碳搭配石墨一起使用,可使负极达到最高650mAh/g的比容量。 例如......
英寸晶圆的生产线。英唐智控表示,将对其生产线进行部分改造升级,使其兼具硅基和SiC类型器件产品的生产能力。 2021年,英唐智控完成控股上海芯石,这家SiC功率......
%。 目前电池厂商普遍使用的石墨负极分为天然石墨和人造石墨。但是尽管工艺如何改良,石墨的比容量也已经到达了材料的物理极限——370mAh/g,已经无法满足锂电池越来越高的续航需求。 在产业现状下,硅基......
容易失效,或者电性能远不如“硬质”硅基电子。近年来,碳基材料的技术突破为柔性电子提供了更好的材料选择:碳纳米管这一碳基柔性材料的质量已可满足大规模集成电路的制备要求,且在此材料上制备的电路性能超过同尺寸下的硅基......
引脚硅基和 SiC器件。4引脚配置能够进一步提升开关性能,从而为用户提供灵活性。在硬开关同步升压型转换器中,与导通电阻相当的 SiC MOSFET相比,35 毫欧 SuperGaN 4 引脚 FET......
航空电子应用来说至关重要。Strategy Analytics公司的战略技术实践执行总监Asif Anwar表示,“Qorvo的QPD1025晶体管对市场来说是真正颠覆性的产品。提供与硅基LDMOS和硅......
2022(第二届)碳基半导体材料与器件产业发展论坛将于8月3-5日在浙江·宁波举行; 2022(第二届) 碳基半导体材料与器件产业发展论坛 2022年8月3-5日  浙江·宁波......
通基于保证信号完整性(SI)的硅基光子集成、2.5D和3D封装,以及晶圆的前端和后端封装工艺。 关于陈奔博士: 陈奔博士的技术专业横跨超大规模设计、光学器件、模块和硅基......
过光学透镜在人眼面前呈现出100-200英寸1920*1080的高分辨率全息画面,处于全球最高水平。 此前,云英谷科技研发的 AMOLED 手机面板驱动芯片(VTDR6110)和硅基OLED微显示和驱动芯片(VTOS6203......
的共源共栅结构电路配置,将 SiC JFET 与硅基 MOSFET 合并封装,从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET 简单栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗;得益......
第四代 SiC FET 采用 Qorvo 独特的共源共栅结构电路配置,将 SiC JFET 与硅基 MOSFET 合并封装,从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET 简单......
的共源共栅结构电路配置,将 SiC JFET 与硅基 MOSFET 合并封装,从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET 简单栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗;得益......
已经有产品实现了商业应用。 6、光子芯片能不能弯道超车 光子芯片到底能不能弯道超车?这个问题是大家最为关心的。 严格来说,这个问题不严谨,因为光子芯片和硅基......
工信部:将碳化硅复合材料等纳入“十四五”相关发展规划;8月24日,工信部答复“政协十三届全国委员会第四次会议第1095号(工交邮电类126号)提案称,将把碳化硅复合材料、碳基复合材料等纳入“十四......
生能源和各种工业应用的电源中,Transphorm 的 4 引脚 SuperGaN器件可作为原始设计选项,也可直接替代现有方案中的4 引脚硅基和 SiC器件。4引脚配置能够进一步提升开关性能,从而为用户提供灵活性。在硬......
会上发表《IPD技术在前端中的应用纵览》的演讲。演讲摘要如下: IPD具有体积小、生产一致性高、集成能力强和低成本等优点,在蜂窝和无线连接应用的RF前端模块中广泛使用。业内已经开发出各种技术,如高电阻硅基和......
态电池体系提供了更高的安全冗余度和对新型正负极材料更好的相性,可以用到更高容量的负极材料或者正极材料。 作为理论比容量是石墨10倍以上的硅基负极材料,如今几乎成为固态/半固态电池的标配,与高......
Fab)的决定。 Newport Wafer Fab是英国本土最大的晶圆厂,位于英国南威尔士纽波特,是世界首家集成硅和硅基复合,是Neptune 6 Limited的全......
研发制造中心将依托公司自有技术,着力研发第三代半导体碳化硅长晶技术和硅基新材料高端产品。项目建成后,将落地形成大尺寸碳化硅长晶炉、特种混炼胶、5G用灌封胶、导热胶、发泡硅橡胶等一系列产品,并通过研发、组装、制造......
面板驱动芯片(VTDR6110)和硅基OLED微显示和驱动芯片(VTOS6203)分别荣获2019年和2020年“中国芯”优秀技术创新产品奖。据悉,云英谷科技自主研发的一系列uOLED硅基微显示芯片,如0.39......
面板驱动芯片(VTDR6110)和硅基OLED微显示和驱动芯片(VTOS6203)分别荣获2019年和2020年“中国芯”优秀技术创新产品奖。据悉,云英谷科技自主研发的一系列uOLED硅基微显示芯片,如0.39......
可作为原始设计选项,也可直接替代现有方案中的4 引脚硅基和 SiC器件。4引脚配置能够进一步提升开关性能,从而为用户提供灵活性。在硬开关同步升压型转换器中,与导通电阻相当的 SiC MOSFET相比......
固态电池最新安时级样品可实现大于1000周稳定循环;第二代实验室样品已达到500W/h/kg能量密度目标。 技术路线方面,欣旺达曾表示:公司目前正在研发使用高镍正极和硅基负极/锂金属负极的硫化物全固态电池。 ......

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;深圳凯司姆科技有限公司;;本公司是专业的润滑和粘合剂供应商,是全球硅基产品和硅科技创新领域的领导者―¬¬¬¬美国道康宁硅胶在中国的代理商,十多年来一直致力于提供全面的粘结密封解决方案,营销
;碳基科技股份有限公司;;
;磐安县安达碳基材料厂;;浙江安达科技发展有限公司浙江安达科技发展有限公司系民营高科技企业,内外贸易运作平台。下属有磐安安达碳材料研究所及磐安安达碳基材料厂磐安安达碳材料研究所磐安安达碳材料研究所系民营碳基
;基和唯上通信技术有限公司;;自主研发生产ADSL2+设备
;江苏省昆山市祥和硅胶制品;;
;广州市番禺区石基和硕五金配件厂;;本厂专业制造各类磁扣,D扣,铁线圈,圆形扣,非标配件,鸡眼,撞钉,针扣,日字扣,各种手袋配件,箱包配件,文具五金,压铸件,标签.本厂技术力量雄厚,管理先进,可来样或图纸加工订作.
硅基板,实现单电极芯片做集成 4)45MIL大功率白光方片,成品可以做100LM以上 5)1W 660NM植物生长灯芯片.可以做到20-25LM 欢迎来电咨询;13602678929肖先生
)58MIL的硅基板,实现单电极芯片做集成 4)45MIL大功率白光方片,成品可以做100LM以上 5)1W 660NM植物生长灯芯片.可以做到20-25LM 欢迎来电咨询;13602678929肖先生
;天津博锐科技;;我公司主要代理WACKER(瓦克),GE,东芝等品牌硅橡胶,和硅橡胶助剂。以及PP透明剂,塑料增白剂。进口四氟料,四氟制品等.......
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