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研发客服中国 北京，2024 年 1 月 30 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 ®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V 作为 全新引脚兼容 系列的首款产品，导通电阻值最高可达 60mΩ，非常适合车载充电器、DC/DC 转换器和正温度系数（PTC）加热器模块等（EV）类应用。
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UJ4SC075009B7S 在 25°C 时的典型导通电阻值为 9mΩ，可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率。其小型表面贴装封装可实现自动化装配流程，降低客户的制造成本。全新的 750V 系列产品是对 现有的 1200V 和 1700V D2PAK 封装车用 的补充，打造了完整的产品组合，可满足 400V 和 800V 电池架构的应用需求。
Qorvo 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“这一全新 SiC FET 系列的推出彰显了我们致力于为动力总成设计人员提供先进、高效解决方案的承诺，以助力其应对独特的车辆动力挑战。”
这些第四代 SiC FET 采用 Qorvo 独特的共源共栅结构电路配置，将 SiC JFET 与硅基 MOSFET 合并封装，从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET 简单栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向压降，Qorvo 的共源共栅结构／JFET 方式带来了更低的传导损耗。
UJ4SC075009B7S 的主要特性包括：
l阈值电压 VG(th)：4.5V（典型值），允许 0 至 15V 驱动电压
l较低的体二极管 VFSD：1.1V
l最高工作温度：175°C
l出色的反向恢复能力：Qrr＝338nC
l低栅极电荷：QG＝75nC
l通过汽车电子委员会 AEC-Q101 认证
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