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研发客服2022年8月，四川省首家专注于宽禁带半导体碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业——成都蓉矽半导体有限公司（以下简称“蓉矽半导体”）顺利完成Pre-A轮融资。本轮融资由维度资本领投，陕西三元航科投资基金合伙企业（有限合伙）、南京泰华股权投资管理中心（有限合伙）等机构跟投。
双方签约仪式现场
2022年8月，四川省首家专注于宽禁带半导体碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业——成都蓉矽半导体有限公司（以下简称“蓉矽半导体”）顺利完成Pre-A轮融资。本轮融资由维度资本领投，陕西三元航科投资基金合伙企业（有限合伙）、南京泰华股权投资管理中心（有限合伙）等机构跟投。
双方签约仪式现场
蓉矽半导体成立于2019年12月，拥有IATF 16949体系认证的完整供应链和极富经验的国际化团队。2022年6月底，蓉矽半导体发布了其自主开发的超额定电流12倍正向浪涌的碳化硅NovuSiC® EJBS™和175˚C高结温、nA级漏电的理想硅基MCR®二极管系列产品。
其中，NovuSiC®EJBS™在20A时，VF为1.37V，漏电小于2μA，可承受288W的功率、最大26A的电流，为光伏、直流快充等领域带来可靠性要求更高、成本更优的解决方案；MCR®产品具有高温特性稳定、高抗浪涌电流能力等优势，适用于中低压150V~600V应用，在储能电源和LED照明等工业级领域助力提升产品性能、降低功耗。
8月30日，蓉矽半导体将举行线上新品发布会，发布碳化硅NovuSiC®MOSFET(G1)、(G2)两款产品和硅基FR MOSFET产品，让我们拭目以待！
关于成都蓉矽半导体有限公司
成都蓉矽半导体有限公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 是四川首家专注于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业，致力于开发世界一流水平的车规级碳化硅器件，产品涵盖碳化硅单管、模组系列和nA级超低漏电的理想二极管MCR®（MOS-Controlled Rectifiers)。其中NovuSiC® /DuraSiC® 系列的1200V二极管与1200V SiC MOSFET已进入量产，并完成超国际考核标准验证(NovuStandard - AEC-Q1O1+)，性能达国际先进水平，广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。
蓉矽半导体成立于2019年12月，拥有IATF 16949体系认证的完整供应链和极富经验的国际化团队。2022年6月底，蓉矽半导体发布了其自主开发的超额定电流12倍正向浪涌的碳化硅NovuSiC® EJBS™和175˚C高结温、nA级漏电的理想硅基MCR®二极管系列产品。
其中，NovuSiC®EJBS™在20A时，VF为1.37V，漏电小于2μA，可承受288W的功率、最大26A的电流，为光伏、直流快充等领域带来可靠性要求更高、成本更优的解决方案；MCR®产品具有高温特性稳定、高抗浪涌电流能力等优势，适用于中低压150V~600V应用，在储能电源和LED照明等工业级领域助力提升产品性能、降低功耗。
8月30日，蓉矽半导体将举行线上新品发布会，发布碳化硅NovuSiC®MOSFET(G1)、(G2)两款产品和硅基FR MOSFET产品，让我们拭目以待！
关于成都蓉矽半导体有限公司
成都蓉矽半导体有限公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 是四川首家专注于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业，致力于开发世界一流水平的车规级碳化硅器件，产品涵盖碳化硅单管、模组系列和nA级超低漏电的理想二极管MCR®（MOS-Controlled Rectifiers)。其中NovuSiC® /DuraSiC® 系列的1200V二极管与1200V SiC MOSFET已进入量产，并完成超国际考核标准验证(NovuStandard - AEC-Q1O1+)，性能达国际先进水平，广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。
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