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指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
管是双极性器件（既有多数载流子，也要少数载流子导电）。
3、有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅极也可正可负，灵活性比三极管好。
4、MOS管应用普遍，可以在很小电流和很低电压下工作。
5、MOS管输......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好。
5、场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大，而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b 值将......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大，而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b 值将减小很多。
6......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好。
5、场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
只有多数载流子参与导电，三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好。
5. 场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
I-V测量
本节描述了用于表征生物场效应管的常见直流I-V测量，包括传输特性（Id-Vg）、输出特性（Id-Vd）和漏电流与时间测量（Id-t）。
传输特性（Id-Vg）
生物场效应管......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
，多数载流子是空穴；源，漏极是N型掺杂，多数载流子是电子，熟悉PN节的读者可以很快看出来，源极和漏极之间有两个背靠背的PN节，即使源，漏极加上电压，总有一个PN节处于反偏状态，源漏极......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
宽频带放大电路
图8 绝缘栅型场效应管放大电路
该电路是由共栅极和共漏极放大器构成的，用于放大1-30MHz的高频信号。VT1为共......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
(2)场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换......
三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展(2023-06-27)
的最新进展以及对 SRAM 设计的影响。
3纳米GAA MBCFET的优越性
GAA指的是晶体管的结构。晶体管是电子电路的组成部分，起到开关的作用，也就是当门极施加电压时，电流在源极和漏极......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
SB。
假设源极和漏极与纳米线接触，这适用于硅化物接触，并描述了沉积到纳米线和金属纳米线耦合的接触，这并不弱。对于该实验，假设了 d
nw的纳米线，它足够薄以解释一维电子传输，可以......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
沟道夹断），这是正确的。在线性区域，源极和漏极沟道被电阻沟道有效地“短路”，所以我们只需要关注栅极和沟道之间的氧化物电容。
由于器件是对称的，在线性区域，我们可以假设源极和漏极......
通过电机驱动器输出晶体管的寄生二极管进行电流再生时的功耗(2023-06-06)
管Qa。
当再生电流流过这个Nch MOSFET的源极和漏极之间的寄生二极管Di_a时，由于元件分离P型扩散层是与GND相连接的，因此寄生NPN晶体管Qa的基极和发射极之间的二极管也会产生正向电压。为此......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
=44A
Rds=0.027Ω
我们可以看到，其导通电阻只有27mΩ。
如下图所示，这是一个用N沟道场效应管构成的防反接电路：
这个电路的最大一个特点，就是场效应管的D极和S极的接法。通常我们在使用N沟道......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
构成的防接反电路
这个电路的最大一个特点就是场效应管的D极和S极的接法。通常我们在使用N沟道的增强型的MOS管时......
分享：直流电防接反电路的总结！(2024-12-17 20:30:32)
构成的防接反电路：
这个电路的最大一个特点就是场效应管的D极和S极的接法。通常我们在使用N沟道的增强型的MOS管时，一般是电流由D极进入而从S极流出。应用......
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代(2024-06-03)
nFET器件的源极和漏极进行电气隔离，这使设备的产量提高了80%。
台积电在2023年欧洲技术研讨会期间表示，CFET 晶体......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
（增强型） VS 硅LDMOS结构
从结构看，氮化镓功率器件和硅LDMOS都是横向结构，即他们的源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）都在芯片的上表面。同时......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体管的体效应改变衬底电压就能调制漏极......
怎么使用万用表测量电路电压、电流、电阻、二极管、三极管、场效应管(2023-02-17)
只能直接对如9000系列的小型管测量，若要测量大管，可以采用接线法，即用小导线将三个管脚引出。这样方便了很多哦。
六、MOS场效应管的测量N沟道的有国产的3D01，4D01，日产的3SK系列。G极（栅极......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
个开关，栅极（G）是控制端，它控制着源极（S）和漏极（D）之间是否能导通，即是否可以通过电流。
5. 源极和漏极导通电流的意思是，给他们两加一个电压源，可以形成电流，从漏流到源也行，从源流到漏也行，这个......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
.场效应管输出部分：大功率场效应管内部在源极和漏极之间反向并联有二极管，接成H桥使用时，相当于输出端已经并联了消除电压尖峰用的四个二极管，因此这里就没有外接二极管。输出端并联一个小电容(out1和......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
美国开发出全固态热晶体管，可精确控制计算机芯片热量(2023-11-07)
年代开发，具有三个电极——栅极、源极和漏极，当通过栅极施加电场时，它会调节电流（以电子形式）如何通过芯片，这些半导体器件可以放大或切换电信号和功率。
但随着多年来晶体管尺寸不断缩小，一块芯片上可以......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
导通关断受到栅极电压的控制。我们从图上观察，发现N-MOSFET管的源极S和漏极D之间存在两个背靠背的pn结，当栅极-源极电压VGS不加电压时，不论漏极-源极电压VDS之间加多大或什么极性的电压，总有一个pn结处于反偏状态，漏......
5nm的晶体管会是什么样子？(2016-11-11)
。
从表面上看，GAA和栅极夹杂在源极和漏极之间的MOSFET很类似。另外，GAA同样包含了Finfet，但和目前fin是垂直使用的Finfet不同，GAA的Finfet是在......
一文学会高效比较CMOS开关和固态继电器性能(2023-01-17)
一文学会高效比较CMOS开关和固态继电器性能;一文学会高效比较CMOS开关和固态继电器性能
源极和漏极之间的关断电容CDS(OFF)可用来衡量关断开关后，源极信号耦合到漏极的能力。它是......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
-Semiconductor Field-Effect Transistor)。MOSFET的简化结构如下图所示：硅片表面生长一层薄薄的氧化层，其上覆盖多晶硅形成门极，门极两侧分别是N型注入的源极和漏极......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
要经过一段时间，高压下Rds会消耗大量的功率，而导致mos管发热异常。该电阻上并联的二极管(D507)是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，减少功耗。
2）防止栅源极间过电压:
由于栅极与源极......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-27)
我们将输出电阻乘以MOSFET的跨导（gm），我们将获得我们在方程式1中找到的小信号增益。此外，CS放大器的增益然后变得等于M1的漏极处观察到的电阻除以M1的源极处观察到的电阻，该电阻是跨导的倒数（1/gm）。因此，从这里我们可以......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-26)
到的小信号增益。此外，CS放大器的增益然后变得等于M1的漏极处观察到的电阻除以M1的源极处观察到的电阻，该电阻是跨导的倒数（1/gm）。因此，从这里我们可以将所有CS放大......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
方面控制电子开关，让电子开关与锁存器的 Q’ 端接通，此时若给写锁存器端CP送入写脉冲信号，内部总线送来的数据就可以通过D端进入锁存器，并从Q和 Q’ 端输出，如果D端输入1，则 Q’ 端输出0，该0使场效应管V2......
用好氮化镓不止需要功率器件，驱动一样值得注意(2024-03-25 14:36)
驱动器的损耗为了跟上超过 1 MHz 的快速开关频率，如上所述，LT8418 泵出 4 A 的峰值拉电流和 8 A 的灌电流，以实现 GaN 功率场效应管的快速开通和关断。Analog Devices 表示，该栅......
用好氮化镓不止需要功率器件，驱动一样值得注意(2024-03-22)
功率场效应管的快速开通和关断。
Analog Devices 表示，该栅极驱动器的电源电压为 3.85 至 5.5 V，具有 10 ns 的快速传播延迟，并在顶部和底部通道之间保持 1.5 ns 的延......
集成电路（IC）芯片内部电路结构详解(2025-01-09 22:09:25)
)、漏极(Drain)和栅极(Gate)组成，栅极位于源极和漏极之间的绝缘层之上。
3) 工作原理：基于电场对通道载流子的调控，实现......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。
20、场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。<源极需要发射东西嘛，所以对应发射极e，栅极......
90%的人会忽略的40个实用模拟电路小常识(2024-11-30 17:23:02)
>Vdd)，VSS是接地点；在场效应管(或COMS器件)中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不......
电子工程师必备！40个模拟电路小常识！(2024-12-15 01:50:33)
场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？;MOSFET即金属氧化物半导体场效应管，是电路设计中常用的功率开关器件，为压控器件;其特点是用栅极电压来控制漏极电流，具备......
简单有趣的单键电子开关电路原理(2024-12-24 15:23:20)
假设目前用的电池是3V的。
当电池装入电路的一瞬间（当然，别装反了哈，装反了可就不好玩儿了），电压同时送到PMOS管的源极和栅极，也就是图中PMOS管的左侧和下侧电极。此时，因为......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
）。
栅极电荷损失
所有MOSFET都有一层绝缘层，可以防止电流流过栅极端子——这也是它们与其他类型场效应晶体管的区别所在。然而，严格地说，这种绝缘只能阻挡稳态电流。如图3所示，MOSFET的绝......
三星7nm工艺揭秘，摩尔定律还能继续(2017-03-13)
晶体管能够提供比 FinFet 更好的静电特性，这个可满足某些栅极宽度的需求。
从表面上看， GAA 和栅极夹杂在源极和漏极之间的 MOSFET 很类似。另外， GAA 同样......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。
20、场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。<源极需要发射东西嘛，所以对应发射极e，栅极的英文名称是gate......
数字万用表使用技巧总结(2023-02-17)
测量大管，可以采用接线法，即用小导线将三个管脚引出。这样方便了很多哦。
六、MOS场效应管的测量 Ｎ沟道的有国产的３Ｄ０１，４Ｄ０１，日产的３ＳＫ系列。Ｇ极（栅极）的确定：利用......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
就要寻求新的突破
点
。
02
MOS管如何呢？
MOS管，又称为绝缘栅场效应管......
升压型DC-DC转换器中高频噪声的产生原因(2024-03-07)
管因反向偏压状态而变为截止状态，通过PN结的耗尽层，成为电容量较小的电容器。当高边开关采用FET同步整流方式时，FET具有寄生二极管，因此存在“耗尽层+源极和漏极间的物理结构+栅极电容”形成的电容COSS。充电......
相关企业
营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司经过严格的科学认证，市场调研区分，选取市场信誉好，品质稳定可靠的场效应管与二三极管品牌作为公司的主营业务。作为一家专业的场效应管与二三极管的
目前，海信微电子已经与韩国的合作伙伴成功推出了具有自主知识产权的SW系列场效应管，是一家专注于场效应管开发生产的新型科技企业，于2003年成功地投资引进了国外场效应管设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管的
;结型场效应管 欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应管
;大连恒森微波电子有限公司驻深办;;采购负责人； 您好！ 我公司系专业生产霍尔ＩＣ及场效应管的生产厂家，霍尔IC的产品型号有；１７７，２７７，３１４４，３０４０，３５０３（其中3040可完
微电子已经与韩国的合作伙伴成功推出了具有自主知识产权的SW系列场效应管，是一家专注于场效应管开发生产的新型科技企业，于2003年成功地投资引进了国外场效应管设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管的
电子已经与韩国的合作伙伴成功推出了具有自主知识产权的SW系列场效应管，是一家专注于场效应管开发生产的新型科技企业，于2003年成功地投资引进了国外场效应管设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管的
2003年成功地投资引进了国外场效应管设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管的新纪元。目前海信微电子有限公司的SW系列场效应管系列产品在品质上已经达到了FAIRCHILD、ST
设计，制成及检测方面的先进技术，开创了中国企业自主生产场效应管的新纪元。目前海信微电子有限公司的SW系列场效应管系列产品在品质上已经达到了FAIRCHILD、ST、SAMSUNG的产
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