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Balu Balakrishnan此前就在公开场合说过，PI实际上投入过数千万美元进行碳化硅的研究，但最终还是转向了氮化镓。 Jason解释道，氮化镓可以使用硅基工艺，同时晶圆尺寸更大，相比......
高开关频率低功率损耗的特性。比如针对精密伺服系统，氮化镓可以减少电路尺寸，提高转矩并减少纹波。而对于D类音频放大器，氮化镓可以提高工作频率保持高效率的同时，降低信号的失真度。 而为了充分体现氮化镓......
在一定范围内调节，是一种灵活的半导体材料。 “通过调节铝的组份，氮化铝镓可以实现不同的禁带宽度，范围在氮化镓的3.4 eV到氮化铝的6 eV之间。通过合适的比例，可以获得特定的禁带宽度，发射......
有解决方案相比，氮化镓可以实现更高的效率和更小的尺寸，也让氮化镓成为伺服系统应用中极具吸引力的功率转换技术，为此，氮化镓必须通过该领域要求的严格的稳健性测试，其中最具挑战性的是需要承受住短路冲击，当发......
动汽车性能和效率方面发挥着重要作用。氮化镓可以显著提高开关速度和效率，堪称一项推动性的技术。除了增加行使里程，它还有助于缩小逆变器的封装尺寸并减轻重量，从而提供更大的动力系统设计灵活性，并有助于减轻车辆重量。从系统层面看，该设......
技术。由于电信小蜂窝需要较低功耗的PA，硅基氮化镓可以在10W以下的32T32R和64T64R mMIMO基站中找到最佳位置。预计硅基氮化镓......
元。 该项目的开发得到了安川电机公司的支持，安川电机是Transphorm的长期战略合作伙伴，同时也是中低电压驱动器、伺服系统、机器控制器和工业机器人领域的全球领导者之一。与现有解决方案相比，氮化镓可以......
由台积电2号工厂生产，该工厂主要生产6英寸氮化镓晶圆。在封装部分，纳微半导体的供应商是全球TOP 3的封装厂商，其品质控制可以做到零故障。具体来看，纳微半导体已经出货3000万颗氮化镓功率芯片......
器件，这些器件时时刻刻在功率密度、性能和系统成本方面树立新的标准。我们的1200伏技术证明了Transphorm工程团队的创新愿景和决心。我们正在证明，氮化镓可以......
一步扩大了英飞凌在功率半导体领域的领先优势，并将大幅缩短新产品上市周期。 氮化镓应用不断扩大 氮化镓（GaN）是第三代半导体的主要代表材料之一，凭借宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等特性优势，氮化镓可以......
应用不断扩大 氮化镓（GaN）是第三代半导体的主要代表材料之一，凭借宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等特性优势，氮化镓可以满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性价比的要求，可广泛应用于LED、激光......
目的开发得到了安川电机公司的支持，安川电机是Transphorm的长期战略合作伙伴，同时也是中低电压驱动器、伺服系统、机器控制器和工业机器人领域的全球领导者之一。与现有解决方案相比，氮化镓可以......
电机是Transphorm的长期战略合作伙伴，同时也是中低电压驱动器、伺服系统、机器控制器和工业机器人领域的全球领导者之一。与现有解决方案相比，氮化镓可以实现更高的效率和更小的尺寸，也让氮化镓......
电机是Transphorm的长期战略合作伙伴，同时也是中低电压驱动器、伺服系统、机器控制器和工业机器人领域的全球领导者之一。与现有解决方案相比，氮化镓可以实现更高的效率和更小的尺寸，也让氮化镓......
和系统成本方面树立新的标准。我们的1200伏技术证明了Transphorm工程团队的创新愿景和决心。我们正在证明，氮化镓可以轻松地在此前指定用碳化硅的应用市场中发挥作用。对于我们的业务和氮化镓......
电源最令人期待的价值主张之一：双向性。这一功能表明，单个电源系统可根据系统需要，从输入（交流）到输出（直流）和从输出（直流）到输入（交流）双向供电，而氮化镓可......
术证明了Transphorm工程团队的创新愿景和决心。我们正在证明，氮化镓可以轻松地在此前指定用碳化硅的应用市场中发挥作用。对于我们的业务和氮化镓技术而言，开启......
圆和大量射频硅代工厂。因此，它很快就会以价格为竞争优势对抗现有硅和砷化镓技术，理所当然会威胁它们根深蒂固的市场。 碳化硅衬底氮化镓： 这是射频氮化镓的“高端”版本，SiC衬底氮化镓可以提供最高功率级别的氮化镓......
SiC更高的缺陷密度和衬底（晶圆）制造方法，它仍然比硅贵得多。然而，芯片制造商已经能够通过使用大量基板并降低故障密度来降低总体生产成本，SiC的成本控制和量产不再是不可克服的缺陷。 氮化镓......
应用不断扩大 氮化镓（GaN）是第三代半导体的主要代表材料之一，凭借宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等特性优势，氮化镓可以满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性......
产品自2006年开始研发，并在2021年确立了150V GaN器件技术，普通氮化镓产品是6V耐压，而罗姆产品可以做到8V。在2023年4月开始量产650V耐压产品，7月发布了这款650V Power......
间隙通常只有15到20微米，这让它的寄生电阻很小，小到可以忽略。2017年的时候，氧化镓的耐压试验已达600伏，这个电压，氮化镓用了二十多年。 但是......
和销售的科技型企业。 为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何......
等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。 为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓......
这些器件使设计人员能够从设计中去除散热片和风扇等组件，因为氮化镓开关的高效率意味着散热更少；还可以减少开关元件数，因为不需要复杂的拓扑结构；或者减少材料使用量，因为氮化镓可提高功率密度，使得外壳更小。因此，对于高效率应用而言，氮化镓......
杂的块状单晶。 具体而言，氧化镓是一种多变的半导体材料，它有六种不同的晶相，其中最稳定的是β相。β相氧化镓可以通过熔融法生长出大尺寸的单晶衬底，这对......
聚合技术的使用以及准备使用更高频率的载波都是为了得到更大的带宽。与硅或者其他器件相比，氮化镓速度更快。GaN可以实现更高的功率密度。对于既定功率水平，GaN具有体积小的优势。有了更小的器件，就可以减小器件电容，从而......
、总投资137亿元的海南航芯半导体项目，重点发展半导体功率模组、芯片封测，推进氮化镓IDM项目、碳化硅IDM等项目实施，示范引领从政策引导、技术研发、平台搭建等方面推动芯片行业补链强链延链，为智......
科技业务拓展经理黄正峰表示：“关于针对碳化硅和氮化镓器件的动态老化，验证性能衰退的情况，公司还提供动态老化测试系统Dynamic HTGB/HTRB，一套系统可以完成静态HTRB/HTGB和动态HTRB/HTGB测试，四种测试模式可以......
电源管理系统的主力都是一个可快速开关电源的电气开关。（GaN）的开关频率比硅高得多，提高效率的同时减少了电源所需总空间，还能消除用风扇冷却的需求。 Steve称：“氮化镓可实现更小型、更高效、更可......
65W PD快充方案PN8213+PN8307小体积低功耗;65W PD快充方案不但可以支持手机的大功率快速充电还可以支持20V输出，可以为电脑充电，具有通用性好的优点，搭配氮化镓，体积可以做......
硅器件的性能到了极限，演进速度特别慢。而氮化镓基于材料优势，可以带来器件优势的大幅度提升。数据中心的供电架构，从前端到DC/DC到芯片供电，可以通过全链路氮化镓解决方案提升功率密度和效率，整体效率可以......
的市场愿景，和Navitas的氮化镓功率芯片发展路线图是完全一致的。从55W氮化镓快充充电器，到千瓦级的电动车功率芯片应用，Navitas希望未来可以继续和小米一起，共同推动氮化镓功率芯片......
出货的GaNFast氮化镓功率芯片可以减少碳足迹 4-10 倍，可节省4千克的二氧化碳排放。 采用GaNSense技术的新一代纳微GaNFast功率芯片将在以下活动中公开展示。 11月8日: WiPDA......
英诺赛科推出高集成小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201; 【导读】英诺赛科宣布推出SolidGaN系列100V半桥氮化镓功率芯片新品ISG3201。内部集成2颗100V/3.2mΩ增强型氮化镓......
出货的GaNFast氮化镓功率芯片可以减少碳足迹 4-10 倍，可节省4千克的二氧化碳排放。 采用GaNSense技术的新一代纳微GaNFast功率芯片将在以下活动中公开展示。 ·  11月8日......
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出货的GaNFast氮化镓功率芯片可以减少碳足迹 4-10 倍，可节省4千克的二氧化碳排放。 采用GaNSense技术的新一代纳微GaNFast功率芯片将在以下活动中公开展示。 ·  11月8日......
出货的GaNFast氮化镓功率芯片可以减少碳足迹 4-10 倍，可节省4千克的二氧化碳排放。 采用GaNSense技术的新一代纳微GaNFast功率芯片......
到效率以及材料尺寸和重量优势，每个出货的纳微氮化镓功率芯片相比硅可以节省大约 4 公斤的二氧化碳。总体而言，到 2050 年GaN 有望解决每年 2.6 Gton 的二氧化碳排放量减少问题。 关于纳微半导体 纳微......
企业需求全部依赖进口。 近年来，格恩半导体集中优势资源力量，凭借在化合物半导体、尤其是氮化镓材料领域丰富的研发和生产经验，攻克了一系列技术难点，成为国内首家可以规模量产氮化镓激光芯片的企业。目前，格恩半导体已具备覆盖氮化镓......
3500万美元补贴，又一大厂发力氮化镓芯片;近日，格芯宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓（GaN）芯片......
的禁带宽度极限，这意味着还有巨大的改进和优化空间。 此外，据业界称，氮化镓的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍，并且氮化镓功率芯片......
科学院上海微系统与信息技术研究所合作，在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片。这也是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一项重要进展。 量子光源芯片是量子互联网的核心器件，可以看作是点亮“量子房间”的“量子灯泡”，让联......
上，形成芯片级的计算机，可以实现对设备的针对性控制，在手机、充电器、汽车、遥控器、以及工业控制等领域都可以看见芯片的身影。本文引用地址：最近，充电头网拆解了一款倍思140W氮化镓......
在化合物半导体、尤其是氮化镓材料领域丰富的研发和生产经验，攻克了一系列技术难点，成为国内首家可以规模量产氮化镓激光芯片的企业。 目前，格恩半导体已具备覆盖氮化镓激光器结构设计、外延生长、芯片制造、封装......
将来自现有的流动资金。 在第三代半导体领域，英飞凌此前重心偏向SiC，在SiC功率半导体市场已有丰富的客户积累，供应链布局也比较完善，但在氮化镓领域的动态不多。 此次英飞凌通过并购GaN Systems，不但可以......
使用高通处理器。 研发处理器，到底难在哪？ 上面举了两个手机厂商做芯片的例子，华为经过了几代产品的迭代更新，中兴知道现在还没做出成品，近成立两年的松果科技就可以研发出一套成熟可行的手机芯片吗......
在高频功率器件领域的代表应用之一。 与传统快充相比，氮化镓快充具备更大的功率密度，充电速度更快，而且体积更小、便于携带，可以满足消费者对于电子产品充电快与轻量化的双重需求。 上述优势下，众多厂商纷纷涌入氮化镓......
功率器件市场规模将增长到13.3亿美元，复合增长率达到65%。此外，数据中心和汽车市场也是氮化镓产品的重要潜力领域，它们可以通过应用氮化镓产品来降低电力消耗和成本。 然而，GaN的应用并不止于此。在众......

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