资讯
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体管的体效应......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。例如短沟道效应（Short Channel Effect – SCE），热载流子注入效应（Hot Carrier Inject......
电动车窗开关中MOS管的应用解析(2024-08-16)
车辆在长时间使用中能够更加节能环保。相较于传统的继电器开关，MOS管的低内阻和低导通损耗意味着在开关过程中产生的热量大大减少。这不仅提高了系统的整体效率，同时降低了电动车窗开关组件的温升，延长了元件寿命。
应 用 案 例
在电......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
作区域）。
表1.寄生电容值。
身体效应
我们之前讨论过晶体管的体端和源端通常如何连接到相同的电势，但没有解释为什么是这样。为了理解原因，让我们更深入地研究物理晶体管，当VGS的值从0增加到大于阈值电压（Vth......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展(2024-03-22)
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展;1、碳化硅场效应管SiC-MOSFET
在碳化硅电力电子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受关注的器件。在Si材料接近理论性能极限的今天，SiC......
世界半导体极简编年史(2023-01-02)
世界半导体极简编年史;
回顾曾经那些推动全球半导体发展的技术和事件。1833年：第一次有记录的半导体效应迈克尔·法拉第（Michael Faraday）发现......
超结MOS/低压MOS在微型逆变器上的应用(2023-10-23)
过一个逆变器将直流电逆变成交流电接入电网；微型逆变器则对每块组件进行逆变。其优点是可以对每块组件进行独立的MPPT控制，能够大幅提高整体效率，同时也可以避免集中式逆变器具有的直流高压、弱光效应差、木桶效应......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
书本上这些教条的框架，从应用侧出发来给大家介绍一下MOS管里面最常见也是最容易使用的一种：增强型NMOS管，简称NMOS。当你熟悉了这个NMOS的使用之后呢，再回过头去看这个教材上的内容，我相信就会有不同的体......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
情况可以通过最小化 mos 管 周围的杂散电感和电容来防止杂散振荡，还应使用低阻抗栅极驱动电路来防止杂散信号耦合到器件的栅极。
十一、“米勒”效应
mos 管 在其......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
假设电机正转，电流依次经过Q1、M、Q4 ，如下图中红色线条所示。反转 另外一种状态则是电机反转，此时四个开关元器件的状态如下：
关闭Q1和Q4
打开Q2和Q3
此时电机反转，电流依次经过Q2......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
、Q4 ，如下图中红色线条所示。
反转
另外一种状态则是电机反转，此时四个开关元器件的......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
MOS管基础及选型指南;，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址：
和普......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
靠性验证体系等。
针对大家特别关心的化硅MOS管栅氧化层的问题，为了解决高电场的隧穿效应带来的漏电，蓉矽半导体把电场集中的区域分为两个区域，上图左图紫色圈是栅氧化层的电场，红色圈是沟道位置的集中，这两个位置是对器件的......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
的作用相似。
图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图1-6-B所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
图1-6-A 图1-6-B
2. 场效应管是电压控制电流器件，由......
PMOS做双向开关电路-PMOS防倒灌、防反接电路(2024-12-04 14:45:57)
了占地面积）
因为MOS的开通速度非常迅速，所以不用担心体二极管因电流过大造成损坏，器件的电流上升都有一个过程，而在过程刚开始的几ns，可能PMOS就已完全导通，体二......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
需要定义我们的参数。MOSFET的主要小信号参数是：
跨导（gm）
输出电阻（ro）
固有增益（AV）
体效应跨导（gmb）
单位增益频率（fT）
除了fT，我们将在创建高频MOSFET模型之前不讨论它，我们......
SiC功率器件崛起，新能源汽车迎来性能革命！(2024-03-19)
能源汽车中的应用
IGBT是一种由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点。在新......
EPC推出用于48 V DC／DC转换的 EPC9148 和 EPC9153 演示板(2020-11-03)
领先供货商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路，其目标应用包括 直流- 直流转换器 、 无线......
EPC推出用于48 V DC／DC转换的 EPC9148 和 EPC9153 演示板(2020-11-03)
领先供货商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路，其目标应用包括 直流- 直流转换器 、 无线......
EPC推出用于48 V DC／DC转换的 EPC9148 和 EPC9153 演示板(2020-11-03)
领先供货商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路，其目标应用包括 直流- 直流转换器 、 无线......
MOS管热阻的测量方法(2023-04-06)
越大，散热越慢。（字面意思理解也很简单，阻碍热量传递的能力）
瞬态热阻：因为电子器件的温升并不一定非常平滑。峰值温度往往比平均温度更加致命。所以峰值温度成为了限制器件工作特性的主要因素。
温度......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
MOS管防护电路解析实测;自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。本文引用地址：
保护......
REASUNOS瑞森半导体高低压MOS在车载逆变器上的应用(2024-04-22)
升压电路(防反接)+控制电路（推挽式）
在DC-DC升压电路中，选用MOSFET作为开关器件，场效应管所需承受的最大电压约为20-30V左右，选型时MOS管的最大耐受电压应留有余量一般会选择40V以上......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效应......
亦商亦儒 躬身入局半导体江湖——专访深圳市萨科微半导体有限公司总经理宋仕强(2022-05-14)
成为半导体行业有名的“卖房创业”者！
2017年，萨科微调整了产品和销售策略，利用熟练掌握的碳化硅功率器件基础性技术以及磨合好的供应链和团队等，研发生产出高中低压MOS管场效应管、变频......
国家队加持，芯片制造关键技术首次突破(2024-09-02)
第三代半导体技术创新中心（南京）技术总监黄润华介绍，碳化硅材料硬度非常高，改平面为沟槽，就意味着要在材料上“挖坑”，且不能“挖”得“坑坑洼洼”的。在制备过程中，刻蚀工艺的刻蚀精度、刻蚀损伤以及刻蚀表面残留物均对碳化硅器件的......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
参数，请移步此
篇文章：
MOS管基本认识
。
2、场效应管是电压控制电流器件......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
针设备。由于开尔文连接解决方??案消除了这种效应，从而实现更快的切换，因此在饱和效应发生之前，4 引脚器件的电流也可以上升到更高的值。峰值电流后，漏极电流显着降低至约 150 A。这是......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。
2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道......
碳化硅模块助力更可靠更高效的换电站快充电路设计(2024-07-08)
支持双向工作，但需要较高耐压能力的功率器件。
T-NPC或I-NPC则可以选择较低电压的主动开关器件，但若要有双向工作能力，则需要将图中的部分二极管替换为主动开关器件MOS或IGBT。
在汽......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
这个值GS之间的结电容可能被击穿，导致MOS管损坏。
这个时候电流的流向可以从D到S，也可以从S到D，具体怎么流取决于D和S之间的电压差值。但是只要导通了，电流肯定就不会从右边的体......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
）材料？
对于任何电力电子工程师来说，必须大致了解适用于功率半导体开关器件的半导体物理学原理，以便掌握非理想器件的电气现象及其对目标应用的影响。理想开关在关断时的电阻无穷大，导通时的电阻为零，并且......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
采取增强注入的结构实现了低通态电压，使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。IEGT 具有作为MOS 系列电力电子器件的潜在发展前景，具有低损耗、高速动作、高耐压、有源栅驱动智能化等特点，以及......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
如果在MOSFET结构的基础上引入一个双极型BJT结构，就不仅能够保留MOSFET原有优点，还可以通过BJT结构的少数载流子注入效应对n漂移区的电导率进行调制，从而有效降低n漂移区的电阻率，提高器件的......
广东省SiC功率器件与半导体元器件工程技术研究中心通过认定(2024-05-03)
通过验证的深圳研究中心，主要负责产品的设计验证、参数测试、可靠性验证、系统分析、失效分析等。
目前，美浦森半导体的产品包括中大功率场效应管（低压到高压全系列产品，Trench MOS/SGT MOS/Super......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
我国首次突破沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造技术(2024-09-03)
洼洼”的。
国家第三代半导体技术创新中心（南京）。图源：江宁发布。
在制备过程中，刻蚀工艺的刻蚀精度、刻蚀损伤以及刻蚀表面残留物均对碳化硅器件的研制和性能有致命的影响。
国家......
车载电源及芯片研究：从物理集成走向系统集成，国产芯片替代大有可为(2023-10-06)
集成的方式可以节省空间和重量，提升整体效能。
车载电源 “多合一” 集成产品
来源：佐思汽研《2023年车载电源（OBC+DC/DC+PDU）及芯片行业研究报告》
下一步，“多合一” 集成方案将逐渐从机械硬件的集成走向功率部件的......
大联大友尚推出基于ST产品的数字控制3KW通信电源方案(2022-11-15)
、隔离MOS驱动器和VIPer系列辅助电源。通过将这些高性能器件紧凑布局，本方案在外形尺寸仅为105mm×281mm×41mm，功率密度为40W/in3。并经测试验证，在230VAC输入时，方案......
英飞凌专家看好户储市场增长前景，3大未来发展方向引关注(2023-10-16 11:26)
以及成本等关键要素其实都和能源转换效率相关，因此效率越高，体积、成本等都能得到相应的提升；第三,户用的条件限制了储能系统的体积不能太大，因而里面的散热全部都是无风扇散热，即通过自然冷却散热，此时，如何选择半导体元器件保证其温升最小，也将......
英飞凌专家：看好户储市场增长前景，3大未来发展方向引关注(2023-10-17)
能优势：
其一，从现在基于Si的器件转化到基于SiC的系统，能大幅提升效率；
其二，SiC MOS的体积较小，进一步提升了功率密度；
其三，SiC MOS非常灵活，其pin脚或者使用方法都可以跟基于Si的系......
英飞凌专家看好户储市场增长前景，3大未来发展方向引关注(2023-10-16)
在基于Si的器件转化到基于SiC的系统，能大幅提升效率；
其二，SiC MOS的体积较小，进一步提升了功率密度；
其三，SiC MOS非常灵活，其pin脚或者使用方法都可以跟基于Si的系......
英飞凌专家看好户储市场增长前景，3大未来发展方向引关注(2023-10-16)
得益于第三代半导体SiC的如下4点性能优势：
其一，从现在基于Si的器件转化到基于SiC的系统，能大幅提升效率；
其二，SiC MOS的体积较小，进一步提升了功率密度；
其三，SiC MOS非常灵活，其......
英飞凌专家看好户储市场增长前景,3大未来发展方向引关注(2023-10-16)
效率越高，体积、成本等都能得到相应的提升；
第三， 户用的条件限制了储能系统的体积不能太大，因而里面的散热全部都是无风扇散热，即通过自然冷却散热，此时，如何选择半导体元器件保证其温升最小，也将......
SOI与finFET工艺对比，谁更优？(2017-02-06)
极具竞争力。对于FDSOI晶体管，硅薄膜自然地限定了源漏结深，同时也限定了源漏结的耗尽区，从而可改善DIBL(Drain Induced Barrier Lowering，漏致势垒降低)等短沟道效应，改善器件的......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
管包括：
•TPH3R10AQM功率场效应管：基于U-MOS-X工艺，该器件可提供更出色的导通电阻性能和安全操作区域。这一器件非常适合具有挑战性的应用，如的、通信......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品;
【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor......
相关企业
;联利来实业发展有限公司;;是一家代理、销售PHILIPS、NEC、MOTOROLA、HITACHI、AGILENT、FUJITSU、ZALINK、ROHM、VISHAY、TI、SIMENS等中外知名品牌元器件的
;深圳市利明伟业电子商行;;深圳市利明电子商行是国内较早经营SMD/MOS分立半导体元器件的专业公司之一， 本公司一直坚持以诚为信，以质为本的精神作为企业发展的宗旨。公现经营的元器件
;深圳市福田区利明伟业电子商行;;深圳市利明伟业电子商行是国内较早经营SMD/MOS分立半导体元器件的专业公司之一， 本公司一直坚持以诚为信，以质为本的精神作为企业发展的宗旨。公司现经营的元器件
）高频二三极管、场效应管、IC；（2）如74系列、4000系列等；（3）通用分立元器件，如小信号二三极管、稳压二极管、快速恢复二极管、肖特基二极管、MOS管等；（4）其他元件，如稳压IC、可控硅、贴片自恢复保险丝等。
名品牌，是国内和国际知名电子元器件批发商与指定代理商。公司经过多年经营发展，现已成为深圳市电子元器件专业经销行业的企业之一。 我们的分销产品包括MOS《场效应》 集成电路、存储芯片、微处理器、电位器、继电
;华君电子有限公司;;华君电子是专业生产、加工拆机翻新电子元器件的厂家，有一套完善的检测设备，产品都经过严格的质量检测， 主要经营：集成电路、光电藕合、三极管、场效应管、MOS管、IGBT、单双
;深圳市科盛美电子有限公司;;深圳市科盛美电子有限公司专业经营半导体分立器件。 产品已经涵盖 MOS场效应管、可控硅、肖特基二极管、达林顿、三极管等半导体分立器件。 产品应用于开关电源，电源
;深圳市茂兴源达电子商行;;我司主营：直插贴片电子元器件，MOS场效应管，电源芯片，稳压IC,二三极管等欢迎来电咨询，现货供应
：SOP-8 四 DIP、SMD、 〈MOS、FET场效应管〉、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管〉、 封装： SOD-523、SOT-523、《SOT-323-4、5、6
;深圳市正瑞恩电子有限公司;;〈MOS、FET场效应管〉、三端稳压、肖特基、开关管、高频、整流、快恢复、变容管、稳压管、升压IC、降压IC、复位IC、〉、封装： SOD-523、SOT-523