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奥趋光电成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶;奥趋光电于近期成功实现了氮化铝（AlN）晶体从2英寸到3英寸的迭代扩径生长（见图一），制备出了直径达76 mm的铝极性AlN单晶锭及3英寸衬底样片（见图......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄;随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化铝......
东台海古德功率半导体（一期）项目竣工投产;据东台日报报道，10月13日，东台海古德功率半导体（一期）项目竣工投产。海古德东台项目核心产品氮化铝、氮化硅是国家强基工程关键领域的基础材料，项目......
泛林集团助力触觉技术的实现在掺钪氮化铝脉冲激光沉积领域的创新或成为大批量生产关键;泛林集团如何助力触觉技术的实现 在掺钪氮化铝......
a-Physical，1996） PZT替代物 掺钪氮化铝 (ScAlN) 是很有前景的PZT替代物，而且不需要引入铅的使用。由于掺钪氮化铝具有较高的击穿电压，因此......
粒度分析仪、气相色谱仪等进口设备，年产氮化铝基板720万片、氮化硅基板300万片，年可实现开票10亿元。 据悉，无锡海古德是一家集新型陶瓷材料及其电子元件研发、生产、销售为一体的现代化高新技术企业。其核心产品高性能氮化铝......
距离检测和手势识别等功能。 茂丞超声SC801与其它方案的对比 茂丞超声致力于第三代半导体材料-氮化铝，实现......
贴装的精密无磁薄膜片式电阻--- PCNM系列。Vishay Dale Thin Film PCNM系列电阻采用氮化铝衬底，功率等级为2W和6W，外形尺寸分别为1206和2512。 今天推出的电阻所使用的氮化铝......
通过抑制部件热点的温升来提高可靠性。 “氮化铝（凭借其具有大面积的焊接端子）可为TT Electronics公司的HPDC系列产品提供迄今为止最高的功率密度。借助这款产品，我们......
IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究;本文引用地址：0   引言 在电力电子的应用中，大功率电力电子器件是实现能源控制与转换的核心，广泛应用于高速铁路、智能电网、电动......
的超宽禁带半导体材料，以氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AlN）和金刚石为代表。 二代半本身禁带宽度与硅相近，但电子迁移率更高，所以一般用在高频的射频应用中；三代半和四代半的禁带宽度更宽，用更......
机电成立于2021年7月，其总部与研发中心位于杭州市浙江大学杭州国际科创中心，专注于碳化硅、金刚石、氮化铝等第三、四代半导体材料装备的研发、生产、销售和应用推广。 目前，晶驰......
石类热沉、氮化铝热沉、氮化硅热沉等，主要应用于射频、光电等半导体功率模块重点领域。中国科学院院士孙军教授和西安交通大学教授、博士生导师宋忠孝作为本公司首席科学家领衔公司技术研发。 封面图片来源：拍信网......
营业务为碳化硅、氮化镓、氮化铝、金刚石等宽禁带半导体材料及相关器件的研发、生产及销售。 封面图片来源：拍信网......
%。该机构指出，陶瓷部件市场受到半导体设备需求的有力拉动，氧化铝、氮化铝、氧化钇等材料的精密陶瓷部件目前被应用于热处理、蚀刻、外延......
HMC1086-DIE数据手册和产品信息;HMC1086是一款25W氮化镓(GaN)功率放大器MMIC，工作范围为2至6 GHz。该放大器通常提供22 dB小信号增益，+44.5 dBm饱和......
HMC1087-DIE数据手册和产品信息;HMC1087是一款8W氮化镓(GaN) MMIC功率放大器，工作范围为2至20 GHz。 该放大器通常提供11 dB小信号增益，+39 dBm饱和......
从晶种到基板的大规模生产。 信越化学公司正在努力利用内部开发的方法制造更大的基板，在氮化铝而不是氮化镓制成的基板上生长氮化镓晶体。 一些人认为，氮化......
实验室还将对其他半导体先进材料进行研究，如氮化铝、氮化镓、石墨烯等先进材料生长设备及工艺。双方的合作将进一步提高研发效率，缩短研发周期，推动先进材料领域的技术创新。 封面图片来源：拍信网......
成立于 2015 年 3 月，位于加利福尼亚州硅谷，专注于节能、高性能宽带隙 (WBG) 半导体材料和设备解决方案。该公司开发的QST衬底具有与GaN相匹配的CTE，由多晶氮化铝陶瓷芯构成，并附......
器研发、微功耗芯片研发、纳米材料（半导体阻焊墨水）研发、芯片封装测试、风光储新能源安全监测等。目前，和林格尔新区正在积极布局半导体产业链，已落地海特华材碳化硅材料、盛和芯材氮化铝材料、百环单晶硅籽晶材料、西安......
都是使电源模块能够有效处理和分配高压的关键属性。电动汽车能够处理高达800V或更高的电压。陶瓷衬底通常由氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)制成，具有高导热性和介电强度。它们充当功率半导体芯片和衬底之间的电隔离层，促进......
工艺优化、产品研发和设备升级，加速市场拓展和团队扩建。 资料显示，博志金钻成立于2020年，是一家专门从事半导体封装材料研发生产的公司。公司产品包括氮化铝热沉、单晶碳化硅热沉、金刚......
尺寸，用于高功率表面贴装射频应用的RCP系列厚膜电阻对外供货。Vishay Dale器件具有非常高的导热率，使用主动温度控制的情况下功率等级可达22W。 RCP系列电阻在氮化铝(AIN)衬底......
器为代表的新质生产力芯片严苛制造要求的关键。经过系列科技攻关与研发创新，凯世通已实现关键技术突破，产品测试性能表现优异，维护成本低，并已交付给客户进行产线验证。 天津大学在氮化铝、氮化......
台日报报道，该项目由无锡海古德投资6亿元创建江苏海古德新技术有限公司，占地80亩，厂房面积7万平方米，新上六条流延线及排胶线，新购烧结炉、研磨机、激光粒度分析仪、气相色谱仪等进口设备，年产氮化铝......
革命性医疗成像 imec用非侵入超音波监测心脏;比利时微电子研究中心（）的研究人员，推出为成像应用所开发的创新第二代压电式微机械换能器（PMUT）数组。该数组具备一层氮化铝钪（AlScN）压电......
、氮化铝、氧化锌、氮化硼等无机粉体，然而这些粉体与硅油的相容性差，部分产品还存在易水解，难以高填充等问题，无法制备性能优异的高导热界面材料。 电动汽车热管理中，导热凝胶、 导热硅脂、导热......
功率转换系统具有很高的能效和可靠性。因为采用意法半导体的经过验证的稳健的 ACEPACK封装技术，这些模块降低了总体系统和设计开发成本，同时确保可靠性出色。该封装技术采用高性能氮化铝 (AlN) 绝缘......
电子则是国内规模最大、产量最高的氮化铝陶瓷基板企业，获北汽和上汽战略投资，2021 年底再成功融资 1.8 亿元，融资资金主要用于氮化铝陶瓷基板扩产、陶瓷金属化产品生产线建设。 富乐华半导体、德汇......
具有高效的开关性能，将温度影响降至最低，确保功率转换系统具有很高的能效和可靠性。 因为采用意法半导体的经过验证的稳健的 ACEPACK封装技术，这些模块降低了总体系统和设计开发成本，同时确保可靠性出色。该封装技术采用高性能氮化铝......
度影响降至最低，确保功率转换系统具有很高的能效和可靠性。 因为采用意法半导体的经过验证的稳健的 ACEPACK封装技术，这些模块降低了总体系统和设计开发成本，同时确保可靠性出色。该封装技术采用高性能氮化铝 (AlN......
pcb板材质分类有哪些？(2024-11-05 21:09:38)
制造高功率电子产品比较友好，在LED照明电源模块、汽车电子等领域发挥着重要作用。 三、陶瓷基板 陶瓷基板以氧化铝、氮化硅等陶瓷材料作为基材的一种pcb材质，陶瓷......
除了着重于工艺和设备的合作外，联合实验室还将对其他半导体先进材料进行研究，如氮化铝、氮化镓、石墨烯等先进材料生长设备及工艺。 10月中旬，格芯宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州Essex......
科学院深圳先进技术研究院光子信息与能源材料研究中心与深圳市纳设智能装备有限公司成立了先进材料联合实验室，推进产学研深度融合。双方除了着重于工艺和设备的合作外，联合实验室还将对其他半导体先进材料进行研究，如氮化铝、氮化镓、石墨烯等先进材料生长设备及工艺。 10月中旬，格芯......
种白色的晶体粉末，具有两性。氧化镓，禁带宽度为 4.9eV，远高于碳化硅（3.2eV）和氮化镓（3.39eV），仅次于金刚石（5.5eV）和氮化铝（6.2eV）。氧化......
无电源状态下长期保留存储器上的信息。相较之下，传统硅基闪存在温度超过200℃时便开始失效，导致设备故障和信息丢失。 最新存储器使用铁电氮化铝钪（AlScN）研制而成。AlScN具有存储优势，因为它能在去除外部电场后，在更......
业设计针对电源管理、执行器驱动和加热应用环境进行了优化，这些应用领域会因为元件到端子之间具有更强的热传递性而受益。使用这种高功率密度元件可降低PCB板的面积，并可通过抑制部件热点的温升来提高可靠性。 氮化铝......
业从事电子陶瓷系列产品研发、生产和销售的高新技术企业，主要产品包括光通信器件外壳、无线功率器件外壳、红外探测器外壳、大功率激光器外壳、声表晶振类外壳、3D光传感器模块外壳、5G通信终端模块外壳、氮化铝陶瓷基板、陶瓷元件、集成......
备先进陶瓷前道制造、硬脆难加工材料加工和新品表面处理等全工艺流程技术。 目前，珂玛科技拥有由氧化铝、氧化锆、氮化铝和碳化硅 4 大类材料组成的先进陶瓷基础材料体系，主要类型材料的耐腐蚀、电绝缘、高导热、强机......
陶瓷PCB中，96%和99%的氧化铝有什么区别?; 在设计高性能电子设备时，选择合适的材料至关重要。在各种可用选项中，氧化铝......
来源：《自然·电子学》 研究人员表示，这款存储器是一种非易失性设备，能在无电源状态下长期保留存储其上的信息。相较之下，传统硅基闪存在温度超过200℃时便开始失效，导致设备故障和信息丢失。 最新存储器使用铁电氮化铝......
物半导体、第四代半导体材料，如氧化镓，金刚石，氮化铝等超禁带半导体材料，以推动产业链的自主可控，建立上下游的产业生态。” 据介绍，新组建的江城基金主要由存量股权资产和财政现金注入组成。按照《武汉......
或尺寸等方面相对于宽禁带半导体碳化硅、氮化镓材料及超宽禁带半导体氮化铝、金刚石材料有明显优势。 此外，氧化镓材料的热处理温度及硬度均与单晶硅较为接近，从单晶硅器件线转为氧化镓器件线仅仅需要更换5%设备，相比而言，碳化......
） 山东国瓷是一家专业从事功能陶瓷材料研发和生产的高新技术企业，成立于2005年4月，2012年1月在创业板上市。主要产品包括纳米级钛酸钡及配方粉、纳米级复合氧化锆、高热稳定性氧化铝、氮化铝、蜂窝......
氧化铝水分测试方法及注意事项;氧化铝粉可增加到各种水性树脂、油性树脂内、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚胺酯树脂、塑料、橡胶中，增加量为3%-5%，能够明显提高原料的硬度，硬度可达6-8H甚至更高。还能......
，首个落户山东晨鸿电气有限公司集成电路材料产业基地的，便是第三代半导体的代表性材料——高品级氮化铝粉末及复杂形状氮化铝陶瓷精密器件项目。 露笑科技碳化硅项目开始设备安装调试 5月......
（氮化铝镓）等其他材料的异质结界面上，会自然形成一个高浓度的二维电子气层。这个2DEG层具有很高的电子密度和电子迁移率，因此导电性非常强。这个特性意味着，在未施加栅极电压的情况下，电流可以在氮化......
采用意法半导体的经过验证的稳健的 ACEPACK封装技术，这些模块降低了总体系统和设计开发成本，同时确保可靠性出色。该封装技术采用高性能氮化铝 (AlN) 绝缘基板，具有出色的热性能。在封装内还有一个NTC温度传感器，为热......
除了着重于工艺和设备的合作外，联合实验室还将对其他半导体先进材料进行研究，如氮化铝、氮化镓、石墨烯等先进材料生长设备及工艺。 10月中旬，格芯......

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;东莞市亚库电子有限公司;;亚库电子独家代理台湾竹路应用材料股份有限公司的氮化铝粉和氮化铝导热塑胶。 竹路应材的前身为元诚科技，成立于2003年，从事被动组件的制造与营销；公司为追求创新，跨足
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清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室的具有自主知识产权的发明专利技术，共同组建的一家中外合资高科技企业。 公司总投资人民币8000万元，注册资金4000万元。第一期投资人民币4000万元，现有厂房建筑面积近5000平方米，主要产品是氮化铝等电子陶瓷基板； 目前，公司
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陶瓷、氮化硅陶瓷、碳化硅陶瓷、石墨陶瓷、氮化硼陶瓷、碳化硼陶瓷、高频瓷滑石瓷、堇青石陶瓷、刚玉莫来石陶瓷、氧化镁陶瓷、氮化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、氧化钛陶瓷、机械密封件是东莞市胜业精密陶瓷科技有限公司（东莞
北京海古德新技术有限公司
于新型电子陶瓷材料及其元器件的生产和研发。核心产品氮化铝（AlN）陶瓷基片是国家鼓励和重点支持的朝阳产业，获得过国家创新基金的支持，为国家火炬计划重点项目。氮化铝（AlN）陶瓷基片具有优良的热传导性、可靠的电绝缘性、低的
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港注册设立公司, 美国IR亚洲地区总代理, 韩国KCC社 中国总代理, 氧化铝DBC基板，氮化铝DBC基板。 韩国HIVRON社 中国总代理，功率器件模块 IGBT模块，二极管模块。 HEXEM以 “信赖, 创意, 狭义
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;合肥开尔纳米能源科技股份有限公司外贸部;;合肥开尔纳米能源科技股份有限公司外贸部是纳米碳化硅、纳米氮化硅、纳米硅粉、纳米碳化钛、纳米氮化钛、纳米碳化锆、纳米氮化铝
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很强的研发和制造能力，能够根据客户的需要提供性能优异的产品和服务。目前公司能够提供两大类产品。高性能金刚石及立方氮化硼（CBN）工具和高致密氧化铝产品。金刚石及立方氮化硼（CBN）工具的特点：采用