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法）、氮化铝晶体生长设备（PVT法）、碳化硅粉料合成设备、碳化硅晶锭及晶片退火设备和碳化硅晶片氧化设备。 此外，杭州晶驰机电科技有限公司10月初宣布，公司完成数千万首轮融资，由河......
机电主要产品有六英寸和八英寸碳化硅外延设备（LPCVD法）、金刚石单晶生长及外延设备（MPCVD法）、氮化铝晶体生长设备（PVT法）、碳化硅粉料合成设备、碳化硅晶锭及晶片退火设备和碳化硅晶片氧化设备。其在第三代、第四......
光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键......
2023年的4.7倍。 尽管功率半导体市场尚未兴起，但金刚石晶圆、氮化铝晶圆、二氧化锗晶圆等下一代技术正在开发中，其实......
下一代半导体：一路向宽，一路向窄;随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化铝......
东台海古德功率半导体（一期）项目竣工投产;据东台日报报道，10月13日，东台海古德功率半导体（一期）项目竣工投产。海古德东台项目核心产品氮化铝、氮化硅是国家强基工程关键领域的基础材料，项目......
泛林集团助力触觉技术的实现在掺钪氮化铝脉冲激光沉积领域的创新或成为大批量生产关键;泛林集团如何助力触觉技术的实现 在掺钪氮化铝......
我国科学家芯片两项新突破—清华“太极-Ⅱ”、中科院人造蓝宝石;近日，我国清华系、中国科学院两大团队在新型芯片上有重大突破，清华大学团队在4月发布的太极I光芯片基础上再突破，太极-Ⅱ光芯片面世；中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究团队则开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝......
a-Physical，1996） PZT替代物 掺钪氮化铝 (ScAlN) 是很有前景的PZT替代物，而且不需要引入铅的使用。由于掺钪氮化铝具有较高的击穿电压，因此......
粒度分析仪、气相色谱仪等进口设备，年产氮化铝基板720万片、氮化硅基板300万片，年可实现开票10亿元。 据悉，无锡海古德是一家集新型陶瓷材料及其电子元件研发、生产、销售为一体的现代化高新技术企业。其核心产品高性能氮化铝......
距离检测和手势识别等功能。 茂丞超声SC801与其它方案的对比 茂丞超声致力于第三代半导体材料-氮化铝，实现......
贴装的精密无磁薄膜片式电阻--- PCNM系列。Vishay Dale Thin Film PCNM系列电阻采用氮化铝衬底，功率等级为2W和6W，外形尺寸分别为1206和2512。 今天推出的电阻所使用的氮化铝......
通过抑制部件热点的温升来提高可靠性。 “氮化铝（凭借其具有大面积的焊接端子）可为TT Electronics公司的HPDC系列产品提供迄今为止最高的功率密度。借助这款产品，我们......
IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究;本文引用地址：0   引言 在电力电子的应用中，大功率电力电子器件是实现能源控制与转换的核心，广泛应用于高速铁路、智能电网、电动......
的超宽禁带半导体材料，以氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AlN）和金刚石为代表。 二代半本身禁带宽度与硅相近，但电子迁移率更高，所以一般用在高频的射频应用中；三代半和四代半的禁带宽度更宽，用更......
接成像单个蛋白质和多蛋白复合物的精细结构。 全组织细胞图谱呼之欲出 各项细胞图谱计划正取得进展，其中最引人注目的是人类细胞图谱（HCA）。HCA包括人类生物分子图谱（HuBMAP）、细胞普查网络（BICCN）以及艾伦脑细胞图谱。 人肺细胞图......
石类热沉、氮化铝热沉、氮化硅热沉等，主要应用于射频、光电等半导体功率模块重点领域。中国科学院院士孙军教授和西安交通大学教授、博士生导师宋忠孝作为本公司首席科学家领衔公司技术研发。 封面图片来源：拍信网......
营业务为碳化硅、氮化镓、氮化铝、金刚石等宽禁带半导体材料及相关器件的研发、生产及销售。 封面图片来源：拍信网......
产品所取代。氮化镓（）预计会快速增长，目前主要应用在消费电子领域，但将逐步进入工业和汽车领域。碳化硅（SiC）则将继续在高功率汽车和工业应用中保持增长并扩大渗透率。具体市场估值方面，到2026年，GaN HEMTs......
%。该机构指出，陶瓷部件市场受到半导体设备需求的有力拉动，氧化铝、氮化铝、氧化钇等材料的精密陶瓷部件目前被应用于热处理、蚀刻、外延......
HMC1086-DIE数据手册和产品信息;HMC1086是一款25W氮化镓(GaN)功率放大器MMIC，工作范围为2至6 GHz。该放大器通常提供22 dB小信号增益，+44.5 dBm饱和......
HMC1087-DIE数据手册和产品信息;HMC1087是一款8W氮化镓(GaN) MMIC功率放大器，工作范围为2至20 GHz。 该放大器通常提供11 dB小信号增益，+39 dBm饱和......
从晶种到基板的大规模生产。 信越化学公司正在努力利用内部开发的方法制造更大的基板，在氮化铝而不是氮化镓制成的基板上生长氮化镓晶体。 一些人认为，氮化......
实验室还将对其他半导体先进材料进行研究，如氮化铝、氮化镓、石墨烯等先进材料生长设备及工艺。双方的合作将进一步提高研发效率，缩短研发周期，推动先进材料领域的技术创新。 封面图片来源：拍信网......
成立于 2015 年 3 月，位于加利福尼亚州硅谷，专注于节能、高性能宽带隙 (WBG) 半导体材料和设备解决方案。该公司开发的QST衬底具有与GaN相匹配的CTE，由多晶氮化铝陶瓷芯构成，并附......
器研发、微功耗芯片研发、纳米材料（半导体阻焊墨水）研发、芯片封装测试、风光储新能源安全监测等。目前，和林格尔新区正在积极布局半导体产业链，已落地海特华材碳化硅材料、盛和芯材氮化铝材料、百环单晶硅籽晶材料、西安......
都是使电源模块能够有效处理和分配高压的关键属性。电动汽车能够处理高达800V或更高的电压。陶瓷衬底通常由氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)制成，具有高导热性和介电强度。它们充当功率半导体芯片和衬底之间的电隔离层，促进......
工艺优化、产品研发和设备升级，加速市场拓展和团队扩建。 资料显示，博志金钻成立于2020年，是一家专门从事半导体封装材料研发生产的公司。公司产品包括氮化铝热沉、单晶碳化硅热沉、金刚......
尺寸，用于高功率表面贴装射频应用的RCP系列厚膜电阻对外供货。Vishay Dale器件具有非常高的导热率，使用主动温度控制的情况下功率等级可达22W。 RCP系列电阻在氮化铝(AIN)衬底......
器为代表的新质生产力芯片严苛制造要求的关键。经过系列科技攻关与研发创新，凯世通已实现关键技术突破，产品测试性能表现优异，维护成本低，并已交付给客户进行产线验证。 天津大学在氮化铝、氮化......
台日报报道，该项目由无锡海古德投资6亿元创建江苏海古德新技术有限公司，占地80亩，厂房面积7万平方米，新上六条流延线及排胶线，新购烧结炉、研磨机、激光粒度分析仪、气相色谱仪等进口设备，年产氮化铝......
革命性医疗成像 imec用非侵入超音波监测心脏;比利时微电子研究中心（）的研究人员，推出为成像应用所开发的创新第二代压电式微机械换能器（PMUT）数组。该数组具备一层氮化铝钪（AlScN）压电......
、氮化铝、氧化锌、氮化硼等无机粉体，然而这些粉体与硅油的相容性差，部分产品还存在易水解，难以高填充等问题，无法制备性能优异的高导热界面材料。 电动汽车热管理中，导热凝胶、 导热硅脂、导热......
功率转换系统具有很高的能效和可靠性。因为采用意法半导体的经过验证的稳健的 ACEPACK封装技术，这些模块降低了总体系统和设计开发成本，同时确保可靠性出色。该封装技术采用高性能氮化铝 (AlN) 绝缘......
电子则是国内规模最大、产量最高的氮化铝陶瓷基板企业，获北汽和上汽战略投资，2021 年底再成功融资 1.8 亿元，融资资金主要用于氮化铝陶瓷基板扩产、陶瓷金属化产品生产线建设。 富乐华半导体、德汇......
具有高效的开关性能，将温度影响降至最低，确保功率转换系统具有很高的能效和可靠性。 因为采用意法半导体的经过验证的稳健的 ACEPACK封装技术，这些模块降低了总体系统和设计开发成本，同时确保可靠性出色。该封装技术采用高性能氮化铝......
度影响降至最低，确保功率转换系统具有很高的能效和可靠性。 因为采用意法半导体的经过验证的稳健的 ACEPACK封装技术，这些模块降低了总体系统和设计开发成本，同时确保可靠性出色。该封装技术采用高性能氮化铝 (AlN......
pcb板材质分类有哪些？(2024-11-05 21:09:38)
制造高功率电子产品比较友好，在LED照明电源模块、汽车电子等领域发挥着重要作用。 三、陶瓷基板 陶瓷基板以氧化铝、氮化硅等陶瓷材料作为基材的一种pcb材质，陶瓷......
纳米，再加上原子与原子之间会有间隙，每个晶胞的直径约0.54纳米(晶胞为构成晶体的最基本几何单元)!1纳米只有约2个晶胞大小。 1纳米单位到底有多小? 纳米也属于长度单位，可能......
是以硅为主要材料而制造出来的，硅原子的直径约0.23纳米，再加上原子与原子之间会有间隙，每个晶胞的直径约0.54纳米(晶胞为构成晶体的最基本几何单元)!1纳米只有约2个晶胞大小。 纳米也属于长度单位，可能......
业设计针对电源管理、执行器驱动和加热应用环境进行了优化，这些应用领域会因为元件到端子之间具有更强的热传递性而受益。使用这种高功率密度元件可降低PCB板的面积，并可通过抑制部件热点的温升来提高可靠性。 氮化铝......
无电源状态下长期保留存储器上的信息。相较之下，传统硅基闪存在温度超过200℃时便开始失效，导致设备故障和信息丢失。 最新存储器使用铁电氮化铝钪（AlScN）研制而成。AlScN具有存储优势，因为它能在去除外部电场后，在更......
除了着重于工艺和设备的合作外，联合实验室还将对其他半导体先进材料进行研究，如氮化铝、氮化镓、石墨烯等先进材料生长设备及工艺。 10月中旬，格芯宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州Essex......
陶瓷PCB中，96%和99%的氧化铝有什么区别?; 在设计高性能电子设备时，选择合适的材料至关重要。在各种可用选项中，氧化铝......
种白色的晶体粉末，具有两性。氧化镓，禁带宽度为 4.9eV，远高于碳化硅（3.2eV）和氮化镓（3.39eV），仅次于金刚石（5.5eV）和氮化铝（6.2eV）。氧化......
科学院深圳先进技术研究院光子信息与能源材料研究中心与深圳市纳设智能装备有限公司成立了先进材料联合实验室，推进产学研深度融合。双方除了着重于工艺和设备的合作外，联合实验室还将对其他半导体先进材料进行研究，如氮化铝、氮化镓、石墨烯等先进材料生长设备及工艺。 10月中旬，格芯......
备先进陶瓷前道制造、硬脆难加工材料加工和新品表面处理等全工艺流程技术。 目前，珂玛科技拥有由氧化铝、氧化锆、氮化铝和碳化硅 4 大类材料组成的先进陶瓷基础材料体系，主要类型材料的耐腐蚀、电绝缘、高导热、强机......
业从事电子陶瓷系列产品研发、生产和销售的高新技术企业，主要产品包括光通信器件外壳、无线功率器件外壳、红外探测器外壳、大功率激光器外壳、声表晶振类外壳、3D光传感器模块外壳、5G通信终端模块外壳、氮化铝陶瓷基板、陶瓷元件、集成......
是以硅为主要材料而制造出来的，硅原子的直径约0.23纳米，再加上原子与原子之间会有间隙，每个晶胞的直径约0.54纳米(晶胞为构成晶体的最基本几何单元)!1纳米只有约2个晶胞大小。 纳米也属于长度单位，可能......
来源：《自然·电子学》 研究人员表示，这款存储器是一种非易失性设备，能在无电源状态下长期保留存储其上的信息。相较之下，传统硅基闪存在温度超过200℃时便开始失效，导致设备故障和信息丢失。 最新存储器使用铁电氮化铝......

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锆纤维炉衬超高温电炉、1700进口氧化铝晶体纤维炉衬实验电炉、1600氧化铝晶体纤维炉衬实验电炉、1600度以下实验电炉、各种工业炉、燃气炉、氧化锆纤维制品（氧化锆纤维棉、氧化锆纤维板、氧化锆纤维炉筒、氧化
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清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室的具有自主知识产权的发明专利技术，共同组建的一家中外合资高科技企业。 公司总投资人民币8000万元，注册资金4000万元。第一期投资人民币4000万元，现有厂房建筑面积近5000平方米，主要产品是氮化铝等电子陶瓷基板； 目前，公司
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;合肥开尔纳米能源科技股份公司;;合肥开尔纳米能源科技股份公司是纳米陶瓷粉体、纳米氮化钛、纳米氮化铝、纳米氮化硅、纳米碳化硅、纳米碳化钛、纳米碳化锆、纳米碳化硼、纳米氮化硼、纳米
合肥开尔纳米能源科技股份公司销售部
;合肥开尔纳米能源科技股份公司销售部;;合肥开尔纳米能源科技股份有限公司是纳米氮化硅、纳米碳化硅、纳米氮化铝、纳米碳化钛、纳米氮化钛、纳米碳化锆、纳米氮化硼、纳米硅粉、纳米
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;上海铭御婕贸易有限公司;;上海铭御婕贸易有限公司是一家拥有日本、德国、美国等代理权的公司，公司主要产品有：氧化铝陶瓷基板，氮化铝陶瓷基板，各类陶瓷材料，以及各类磁性材料，产品
东莞市胜业精密陶瓷科技有限公司（东莞业务部）
陶瓷、氮化硅陶瓷、碳化硅陶瓷、石墨陶瓷、氮化硼陶瓷、碳化硼陶瓷、高频瓷滑石瓷、堇青石陶瓷、刚玉莫来石陶瓷、氧化镁陶瓷、氮化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、氧化钛陶瓷、机械密封件是东莞市胜业精密陶瓷科技有限公司（东莞
北京海古德新技术有限公司
于新型电子陶瓷材料及其元器件的生产和研发。核心产品氮化铝（AlN）陶瓷基片是国家鼓励和重点支持的朝阳产业，获得过国家创新基金的支持，为国家火炬计划重点项目。氮化铝（AlN）陶瓷基片具有优良的热传导性、可靠的电绝缘性、低的
HEXEM HONG KONG LIMITED
港注册设立公司, 美国IR亚洲地区总代理, 韩国KCC社 中国总代理, 氧化铝DBC基板，氮化铝DBC基板。 韩国HIVRON社 中国总代理，功率器件模块 IGBT模块，二极管模块。 HEXEM以 “信赖, 创意, 狭义
合肥开尔纳米能源科技股份有限公司外贸部
;合肥开尔纳米能源科技股份有限公司外贸部;;合肥开尔纳米能源科技股份有限公司外贸部是纳米碳化硅、纳米氮化硅、纳米硅粉、纳米碳化钛、纳米氮化钛、纳米碳化锆、纳米氮化铝