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上海微电子推出新一代先进封装光刻机，首台将于年内交付;据上海微电子装备集团消息，9月18日，上微举行新产品发布会，宣布推出新一代大视场高分辨率先进封装光刻机。 图片来源：上海......
佳能发售面向后道工艺的3D技术i线半导体光刻机新产品;佳能发售面向后道工艺的3D技术i线半导体光刻机新产品 通过100X100mm超大视场曝光 实现大型高密度布线封装的量产 佳能将于2023年1......
在半导体制造的前道工艺中实现电路的微细化十分重要，在后道工艺的高密度封装也备受关注，而实现高密度的先进封装则对精细布线提出了更高要求。同时，近年来半导体光刻机得到广泛应用，这一背景下，半导体器件性能的提升，需要......
技术相结合的超大型高密度布线封装的量产，进一步推动 3D 封装技术的发展。 曝光视场示例 据了解，新产品继承了半导体光刻机“FPA-5520iV”的多项基本性能。例如可以灵活应对再构成基板翘曲等在封装......
的量产，进一步推动 3D 封装技术的发展。 曝光视场示例 据了解，新产品继承了半导体光刻机“FPA-5520iV”的多项基本性能。例如可以灵活应对再构成基板翘曲等在封装......
工艺称为后道工艺。 佳能介绍，新款i线步进式光刻机通过0.8μm的高解像力和拼接曝光技术，使100 x 100mm的超大视场曝光成为可能，从而......
孔径（NA）是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率和最高能达到的工艺节点。一般来说，金属间距缩小到30nm以下之后，也就是对应的工艺节点超越5nm，低数值孔径光刻机的分辨率就不够了，只能......
设备广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、Power Devices等制造领域。在半导体后道封装光刻机领域，上海微电子颇具优势。官方信息显示，2009年12月，公司首台先进封装光刻机......
同时实现大视场与高解像力曝光 佳能发布半导体光刻机新品;同时实现大视场与高解像力曝光 佳能发布半导体光刻机新品 不仅能够应用于全画幅CMOS传感器等各种器件的制造 还可应用于逐渐兴盛的XR器件......
用小芯片技术设计的芯片，采用的是不同的架构，依赖的是芯片制造的后道环节。传统方法现在依赖的是ASML的光刻机和台积电的制造技术，而小芯片技术则不然，所依赖的是先进封装光刻机和先进封装技术。 上面......
同时实现大视场与高解像力曝光 佳能发布半导体光刻机新品;不仅能够应用于全画幅CMOS传感器等各种器件的制造还可应用于逐渐兴盛的XR器件制造领域佳能将于2023年3月13日发售面向前道工序的半导体光刻机......
的重新布线(RDL)，以及Flip Chip工艺中常用的金凸块、焊料凸块、铜柱等先进封装光刻工艺，还可以通过选配背面对准模块，满足MEMS、2.5D/3D封装的TSV光刻工艺需求。 今年9月初......
埃赛力达推出适用于高分辨率应用的新型LINOS机器视觉镜头;LINOS d.fine HR-M 2.6/50镜头在大视场范围内提供超精密成像性能 以市......
比度1800:1，使AR-HUD整机的显示效果更优。 来源：歌尔 LCoS可满足高分辨率、大视场角、小体积需要，但技术开发难度较大。当前，华为、疆程、一数科技等是该方案的主要推动者。2022年9月......
埃赛力达推出适用于高分辨率应用的新型LINOS机器视觉镜头;LINOS d.fine HR-M 2.6/50镜头在大视场范围内提供超精密成像性能 以市......
型光刻机一台，并于2021年1月19日运抵苏州并成功搬入公司高端光刻胶研发实验室。据悉，该光刻机可用于研发最高分辨率达28nm的高端光刻胶。 封面图片来源：拍信网......
转向了用设计来抵消EUV带来的更高精度。 事实上，近些年来芯片领域在先进封装技术、碳基芯片、光子芯片等领域都实现了突破。一旦芯片设计的多样化手段进入实际应用阶段，光刻机的发展前景将不再一枝独秀。 并且......
d.fine HR-M 2.6/50镜头专为新型高分辨率、大面积传感器和线性传感器设计。新镜头以高效为设计理念，具有大光圈，还优化了光通量和精确对准，从而实现一致的全视场成像性能。视场角的超精细分辨率......
限度地缩短了工业环境中的关键周期时间。LINOS d.fine HR-M镜头系列专为新型高分辨率的传感器而设计，适用于全视场（及更大视场）的传感器 （尺寸大至4/3"）以及线扫传感器（分辨率高达16k/3.5µ......
埃赛力达推出适用于高分辨率应用的新型LINOS机器视觉镜头;以市场为导向的创新光电解决方案工业技术领导者科技有限公司（Excelitas Technologies® Corp.）宣布......
应用于头戴式显示器等小型显示设备制造的曝光工序中。 此外，随着先进的 XR 器件显示器需求增加，该产品也可广泛应用于大视场、高对比度的微型 OLED 显示器制造。 新产品“FPA-5550iX”不仅能够应用于半导体器件制造，也可以在最先进......
2021年1月19日运抵苏州并成功搬入公司高端光刻胶研发实验室。 据悉，晶瑞化学此次采购的光刻机设备为ASML XT 1900 Gi型ArF浸入式光刻机，可用于研发最高分辨率达28nm的高端光刻......
如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高数值孔径（NA）的High-NA光刻机。 相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55，可以进一步提升分辨率......
扫码等场景的应用。 GMAX3413有效分辨率为 5900(H) x 2160(V)(1270万像素)，像素尺寸3.4 μm、光学尺寸为4/3''，得益于先进的像素设计，可实现 2.3 e- 的读......
扫码等场景的应用。 GMAX3413有效分辨率为 5900(H) x 2160(V)(1270万像素)，像素尺寸3.4 μm、光学尺寸为4/3''，得益于先进的像素设计，可实现 2.3 e- 的读......
也会大涨。 光刻机的分辨率越高，越有利于制造更小的晶体管，而分辨率也跟光刻机物镜的NA数值孔径有直接关系，目前的EUV光刻机是NA=0.33技术的，下代EUV光刻机则是提升到NA=0.55......
独特的光管技术和优化的像素设计使其具备>15°@ 80% response的角度响应，可解决大视场角带来的灵敏度降低的问题。 GMAX3413采用163 pins LGA封装......
制程有着重要意义。为了追求更先进的芯片和更优的能效，我们一直走在制程微缩的道路上，但光刻设备的分辨率决定了 IC 的最小线宽，越发精细的芯片就越需要缩短晶体管内部导电沟道的长度。因此，光刻机的升级就势必与分辨率......
EXE:5200光刻机，结合今年ASML Q1季度财报，EXE:52000已经订出去不止一台。 据了解，ASML下一代EUV 0.55NA平台有望使芯片尺寸减小1.7倍，进一步提高分辨率，并将......
射后，通过照明系统3分割为多个子光束并投射至掩膜版4上，以进行光刻。另外，在光刻装置中，上述照明系统3作为重要组成部分，其主要作用是提供高均匀性照明(匀光)、控制曝光剂量和实现离轴照明等，以提高光刻分辨率......
曝光剂量和实现离轴照明等，以提高光刻分辨率和增大焦深。述照明系统3的匀光功能可以是通过科勒照明结构实现。 该照明系统3包括视场复眼镜31(field flyeye mirror，FFM)、光阑复眼镜 32......
PPC-1 广告 50周年纪念标志 佳能光刻机的历史始于对相机镜头技术的高度应用。灵活运用20世纪60年代中期在相机镜头开发中积累的技术，佳能研发出了用于光掩膜制造的高分辨率镜头。此后......
一致性是不能被忽视的性能。 全视场一致性：无差异的感知能力 补盲激光雷达在追求大视场角和高分辨率的同时，往往容易忽略一个很重要的维度：无差异的大视场感知能力。 实现无差异感知的关键是视场......
一致性是不能被忽视的性能。 全视场一致性：无差异的感知能力 补盲激光雷达在追求大视场角和高分辨率的同时，往往容易忽略一个很重要的维度：无差异的大视场感知能力。 实现无差异感知的关键是视场......
传感器可为摄像头中的每一个像素点提供更多的距离信息。与单像素ToF传感器等传统解决方案相比，其3D感测的精度和准度有了显著的提高。这一高分辨率支持具有大视场角（FoV）的3D摄像头，让机器人能够通过高分辨率......
。 此外，该新型光刻机通过在原基础上改进透镜和镜台等光学零部件，来提高曝光精度；通过提高分辨率来增加布线密度，还支持1微米的线宽。 封面图片来源：拍信网......
EUV极紫外光刻机，型号“Twinscan EXE:5000”。 NA数值孔径是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率，以及最高能达到的工艺节点。 ASML现有最先进的EUV光刻机是NEX......
腔内采用盛美上海专有的全方位无死角自动清洗技术，可以缩短设备预防性维护（PM）的时间，尤其是针对光刻胶厚度较高（甚至超过100µm）的涂胶应用。 图片来源：盛美上海 据了解，继成立小芯片联盟后，英特尔、台积电和三星等芯片制造巨头加大布局先进封装......
角大，带来大幅面优势；光栅亚像素级重复精度，实现超高分辨率，成功突破精度挑战。 中科融合自主开发的MEMS微振镜投射芯片全套工艺，良率高，核心参数国内领先，在国际上具有竞争力。MEMS芯片......
国内首台大芯片先进封装专用光刻机交付入厂;4月16日，由广东微技术工业研究院（简称“广东工研院”）组织的“曝光时刻--3D异构芯片封装技术研讨会”暨国内首台大芯片先进封装专用光刻机......
的介绍，其中在分辨率方面，写到是大于等于38nm，而这是指一次曝光的分辨率，事实上光刻机是可以进行多次曝光的。 理论上NXT:1980Di依然可以达到7nm，只是步骤更为复杂，成本更高，良率......
传感器可为摄像头中的每一个像素点提供更多的距离信息。与单像素ToF传感器等传统解决方案相比，其3D感测的精度和准度有了显著的提高。这一高分辨率支持具有大视场角（FoV）的3D摄像头，让机器人能够通过高分辨率......
高驾驶安全性和便捷性。  传统HUD（Classic HUD）（目前）： ◎ 基于TFT/LCD技术，基于镜子反射， 视场角FOV小于10°x4°，设备体积小于25升。 视线框大于13 x 6厘米。  ◎ 分辨率大于80......
在本次官方禁令范围内。该机器可支持中芯国际、华虹等国内半导体来生产 28nm 以上的成熟工艺。 据悉，该光刻机是 ASML 现有效率比较低的光刻机，支持 NA 1.35 光学器件、分辨率可以达到 <38......
、TWINSCAN NXT:2050i。 报导说，ASML官网上关于TNXT:1980Di介绍中指出，它在分辨率方面不小于38nm（可以支持到7nm左右），而这是指一次曝光分辨率，事实上光刻机......
方面，写到是大于等于38nm，而这是指一次曝光的分辨率，事实上光刻机是可以进行多次曝光的。 理论上NXT:1980Di依然可以达到7nm，只是步骤更为复杂，成本更高，良率可能也会有损失，晶圆......
并不在限制范围内。 ASML官网上关于这一台TWINSCAN NXT:1980Di的介绍，其中在分辨率方面，写到是大于等于38nm（可以支持到7nm左右），而这是指一次曝光的分辨率，事实上光刻机......
。其中，封装光刻机对于光刻精度和控制精度的要求都比制造用光刻机要低。世界上只有少数厂家掌握尖端技术。 公开资料显示，英唐智控成立于2001年，是国......
表示可以把大批量成本降到千元级别。北醒光子北醒在2022年发布了512线激光雷达AD2，这款产品还曾在CES 2023上进行亮相。AD2具备120°×25.6°探测视场角、10Hz刷新帧率、测距最远可达200m。AD2最高的角分辨率......
光刻机出货的影响也相对是有限的。 更何况，国内厂商在先进光刻机方面取得了诸多突破，目前已经拿下了国内八成光刻机市场，以及全球四成的封装光刻机市场。 由此可以看出，ASML不放......

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