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上海微电子推出新一代先进封装光刻机，首台将于年内交付(2021-09-22)
上海微电子推出新一代先进封装光刻机，首台将于年内交付;据上海微电子装备集团消息，9月18日，上微举行新产品发布会，宣布推出新一代大视场高分辨率先进封装光刻机。
图片来源：上海......
佳能发售面向后道工艺的3D技术i线半导体光刻机新产品(2022-12-07)
佳能发售面向后道工艺的3D技术i线半导体光刻机新产品;佳能发售面向后道工艺的3D技术i线半导体光刻机新产品
通过100X100mm超大视场曝光 实现大型高密度布线封装的量产
佳能将于2023年1......
佳能发售面向后道工艺的3D技术i线半导体光刻机新产品(2022-12-07)
在半导体制造的前道工艺中实现电路的微细化十分重要，在后道工艺的高密度封装也备受关注，而实现高密度的先进封装则对精细布线提出了更高要求。同时，近年来半导体光刻机得到广泛应用，这一背景下，半导体器件性能的提升，需要......
佳能 3D 技术 i 线光刻机将实现大型高密度布线封装的量产(2022-12-16)
技术相结合的超大型高密度布线封装的量产，进一步推动 3D 封装技术的发展。
曝光视场示例
据了解，新产品继承了半导体光刻机“FPA-5520iV”的多项基本性能。例如可以灵活应对再构成基板翘曲等在封装......
佳能 3D 技术 i 线光刻机将实现大型高密度布线封装的量产(2022-12-16 14:34)
的量产，进一步推动 3D 封装技术的发展。
曝光视场示例
据了解，新产品继承了半导体光刻机“FPA-5520iV”的多项基本性能。例如可以灵活应对再构成基板翘曲等在封装......
高端市场要变天?佳能宣布发售新一代i线步进式光刻机(2022-12-08)
工艺称为后道工艺。
佳能介绍，新款i线步进式光刻机通过0.8μm的高解像力和拼接曝光技术，使100 x
100mm的超大视场曝光成为可能，从而......
另一家中国光刻机厂商浮出水面！(2024-07-04)
/S线距比), 考验光刻机的适配性与综合性能, 包含曝光面积、图形拼接、对位标记、分辨率、产能、工艺窗口等综合性价比, 这些指标决定先进封装的终端成本及竞争优势。台积电在10年前推出（28nm）先进封装......
英特尔拿到首台2nm光刻机 重回领先地位？(2023-12-28)
孔径（NA）是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率和最高能达到的工艺节点。一般来说，金属间距缩小到30nm以下之后，也就是对应的工艺节点超越5nm，低数值孔径光刻机的分辨率就不够了，只能......
全球光刻机市场竞争加剧，ASML财报引发关注...(2024-10-26)
氪（KrF）以及i线三种波长的光刻机，扩展产品线并追赶竞争对手。
10月22日尼康宣布，公司正在研发一款面向半导体先进封装工艺应用、“兼具高分辨率及高生产性能”的1.0微米（即1000纳米）分辨率数字光刻机......
国产光刻机巨头，更新上市进展？(2023-11-13)
设备广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、Power Devices等制造领域。在半导体后道封装光刻机领域，上海微电子颇具优势。官方信息显示，2009年12月，公司首台先进封装光刻机......
同时实现大视场与高解像力曝光 佳能发布半导体光刻机新品(2023-03-13)
同时实现大视场与高解像力曝光 佳能发布半导体光刻机新品;同时实现大视场与高解像力曝光 佳能发布半导体光刻机新品
不仅能够应用于全画幅CMOS传感器等各种器件的制造
还可应用于逐渐兴盛的XR器件......
“中国芯片标准”发布第6天，国产4纳米芯片传来好消息，这太快了(2022-12-22)
用小芯片技术设计的芯片，采用的是不同的架构，依赖的是芯片制造的后道环节。传统方法现在依赖的是ASML的光刻机和台积电的制造技术，而小芯片技术则不然，所依赖的是先进封装光刻机和先进封装技术。
上面......
同时实现大视场与高解像力曝光 佳能发布半导体光刻机新品(2023-03-14 10:11)
同时实现大视场与高解像力曝光 佳能发布半导体光刻机新品;不仅能够应用于全画幅CMOS传感器等各种器件的制造还可应用于逐渐兴盛的XR器件制造领域佳能将于2023年3月13日发售面向前道工序的半导体光刻机......
埃赛力达推出适用于高分辨率应用的新型LINOS机器视觉镜头(2023-07-26)
埃赛力达推出适用于高分辨率应用的新型LINOS机器视觉镜头;LINOS d.fine HR-M 2.6/50镜头在大视场范围内提供超精密成像性能
以市......
国产光刻机最大的希望！上海微电子上市最新进展(2023-11-15)
的重新布线(RDL)，以及Flip
Chip工艺中常用的金凸块、焊料凸块、铜柱等先进封装光刻工艺，还可以通过选配背面对准模块，满足MEMS、2.5D/3D封装的TSV光刻工艺需求。
今年9月初......
近500亿元！EUV光刻机巨头挣翻了(2024-07-18)
光学系统收集和聚焦光线的能力，数值越高，聚光能力越好。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，从而有助于晶体管的进一步微缩。
业界预计，随着High-NA......
台积电CEO秘访ASML，High-NA EUV光刻机竞赛提前打响？(2024-05-30)
波长之后再进一步提升EUV光刻机的分辨率就要从NA指标上下手了，“NA”即光学系统的数值孔径，表示光线的入射角度，使用更大的NA透镜可以打印出更小的结构。
目前ASML已经开始交付的首款High-NA EUV......
HUD研究：AR-HUD上演“技术争霸”，谁将摘得量产桂冠？(2023-08-15)
比度1800:1，使AR-HUD整机的显示效果更优。
来源：歌尔
LCoS可满足高分辨率、大视场角、小体积需要，但技术开发难度较大。当前，华为、疆程、一数科技等是该方案的主要推动者。2022年9月......
埃赛力达推出适用于高分辨率应用的新型LINOS机器视觉镜头(2023-07-27 10:26)
埃赛力达推出适用于高分辨率应用的新型LINOS机器视觉镜头;LINOS d.fine HR-M 2.6/50镜头在大视场范围内提供超精密成像性能
以市......
三星拟新设至少10台EUV光刻机：展露要当世界第一的野心(2022-12-27)
转向了用设计来抵消EUV带来的更高精度。
事实上，近些年来芯片领域在先进封装技术、碳基芯片、光子芯片等领域都实现了突破。一旦芯片设计的多样化手段进入实际应用阶段，光刻机的发展前景将不再一枝独秀。
并且......
蒋尚义回归后首次亮相；华天科技募资51亿发力这几大项目(2021-01-24)
型光刻机一台，并于2021年1月19日运抵苏州并成功搬入公司高端光刻胶研发实验室。据悉，该光刻机可用于研发最高分辨率达28nm的高端光刻胶。
封面图片来源：拍信网......
埃赛力达推出适用于高分辨率应用的新型LINOS机器视觉镜头(2023-07-27)
d.fine HR-M 2.6/50镜头专为新型高分辨率、大面积传感器和线性传感器设计。新镜头以高效为设计理念，具有大光圈，还优化了光通量和精确对准，从而实现一致的全视场成像性能。视场角的超精细分辨率......
Excelitas Technologies在德国斯图加特机器视觉展览会（VISION 2022）推出LINOS d.fine HR－M镜头系列(2022-11-03 09:30)
限度地缩短了工业环境中的关键周期时间。LINOS d.fine HR-M镜头系列专为新型高分辨率的传感器而设计，适用于全视场（及更大视场）的传感器 （尺寸大至4/3"）以及线扫传感器（分辨率高达16k/3.5µ......
埃赛力达推出适用于高分辨率应用的新型LINOS机器视觉镜头(2023-07-27)
埃赛力达推出适用于高分辨率应用的新型LINOS机器视觉镜头;以市场为导向的创新光电解决方案工业技术领导者科技有限公司（Excelitas Technologies® Corp.）宣布......
佳能发布半导体光刻机新品 FPA-5550iX，可用于全画幅 CMOS 制造等(2023-03-13)
应用于头戴式显示器等小型显示设备制造的曝光工序中。
此外，随着先进的 XR 器件显示器需求增加，该产品也可广泛应用于大视场、高对比度的微型 OLED 显示器制造。
新产品“FPA-5550iX”不仅能够应用于半导体器件制造，也可以在最先进......
长光辰芯发布大靶面、1亿像素CMOS图像传感器(2024-09-03 10:32)
长光辰芯发布大靶面、1亿像素CMOS图像传感器;长光辰芯发布大靶面、1亿像素分辨率CMOS图像传感器-GMAX64104。该芯片具备高分辨率、高动态范围、高灵敏度、低噪声等优异特性，可满......
长光辰芯发布大靶面、1亿像素CMOS图像传感器(2024-09-03 10:32)
长光辰芯发布大靶面、1亿像素CMOS图像传感器;长光辰芯发布大靶面、1亿像素分辨率CMOS图像传感器-GMAX64104。该芯片具备高分辨率、高动态范围、高灵敏度、低噪声等优异特性，可满......
长光辰芯发布大靶面、1亿像素CMOS图像传感器(2024-09-05)
长光辰芯发布大靶面、1亿像素CMOS图像传感器;
【导读】长光辰芯发布大靶面、1亿像素分辨率CMOS图像传感器-GMAX64104。该芯片具备高分辨率、高动态范围、高灵敏度、低噪......
盛合晶微超高密度互联三维多芯片集成封装项目暨J2C厂房开工(2024-05-20)
智能手机、人工智能、通讯与计算、工业与汽车电子等多个领域客户的先进封装测试服务需求。
盛合晶微董事长兼CEO崔东表示，依靠本土设备技术能力，本次采用大视场光刻技术实现了0.8um/0.8um线宽......
晶瑞股份顺利购得ASML ArF浸入式光刻机(2021-01-21)
2021年1月19日运抵苏州并成功搬入公司高端光刻胶研发实验室。
据悉，晶瑞化学此次采购的光刻机设备为ASML XT 1900 Gi型ArF浸入式光刻机，可用于研发最高分辨率达28nm的高端光刻......
存储市场吹响EUV光刻机集结号(2024-07-05)
技术的进一步发展。NA代表数值孔径，表示光学系统收集和聚焦光线的能力。数值越高，聚光能力越好。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，从而......
ASML首台High-NA EUV光刻机或将于年底前交付(2023-09-07)
如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高数值孔径（NA）的High-NA光刻机。
相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55，可以进一步提升分辨率......
这一半导体设备项目，百亿产能即将释放！(2024-10-25)
设备实现技术全覆盖。其中值得注意的是，面板级封装是AI芯片未来发展的必由之路，盛美已经率先推出了面板级电镀、负压清洗、边缘刻蚀设备，有望在共同推动具有高精度特性的大型面板先进封装行业进步以及扇出型面板级封装......
ASML下代EUV光刻机年底问世：1nm工艺(2023-06-19)
也会大涨。
光刻机的分辨率越高，越有利于制造更小的晶体管，而分辨率也跟光刻机物镜的NA数值孔径有直接关系，目前的EUV光刻机是NA=0.33技术的，下代EUV光刻机则是提升到NA=0.55......
长光辰芯发布全新12.7MP全局快门CMOS图像传感器——GMAX3413(2023-08-21 10:01)
扫码等场景的应用。
GMAX3413有效分辨率为 5900(H) x 2160(V)(1270万像素)，像素尺寸3.4 μm、光学尺寸为4/3''，得益于先进的像素设计，可实现 2.3 e- 的读......
长光辰芯发布全新12.7MP全局快门CMOS图像传感器——GMAX3413(2023-08-21 10:01)
扫码等场景的应用。
GMAX3413有效分辨率为 5900(H) x 2160(V)(1270万像素)，像素尺寸3.4 μm、光学尺寸为4/3''，得益于先进的像素设计，可实现 2.3 e- 的读......
最近申请的一项光刻装置专利到底是什么呢？公开图纸，我们也造不出来？(2022-11-28)
制程有着重要意义。为了追求更先进的芯片和更优的能效，我们一直走在制程微缩的道路上，但光刻设备的分辨率决定了 IC
的最小线宽，越发精细的芯片就越需要缩短晶体管内部导电沟道的长度。因此，光刻机的升级就势必与分辨率......
长光辰芯发布全新12.7MP全局快门CMOS图像传感器(2023-08-17)
独特的光管技术和优化的像素设计使其具备>15°@ 80% response的角度响应，可解决大视场角带来的灵敏度降低的问题。
GMAX3413采用163 pins LGA封装......
ASML新一代EUV光刻机，一台售价近27亿元(2022-05-23)
EXE:5200光刻机，结合今年ASML Q1季度财报，EXE:52000已经订出去不止一台。
据了解，ASML下一代EUV 0.55NA平台有望使芯片尺寸减小1.7倍，进一步提高分辨率，并将......
事关EUV光刻技术，中国厂商公布新专利(2022-11-25)
射后，通过照明系统3分割为多个子光束并投射至掩膜版4上，以进行光刻。另外，在光刻装置中，上述照明系统3作为重要组成部分，其主要作用是提供高均匀性照明(匀光)、控制曝光剂量和实现离轴照明等，以提高光刻分辨率......
佳能产日本首台半导体光刻机PPC-1发售50周年(2020-01-16)
PPC-1
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50周年纪念标志
佳能光刻机的历史始于对相机镜头技术的高度应用。灵活运用20世纪60年代中期在相机镜头开发中积累的技术，佳能研发出了用于光掩膜制造的高分辨率镜头。此后......
华为公布一项EUV光刻新专利(2022-11-25)
曝光剂量和实现离轴照明等，以提高光刻分辨率和增大焦深。述照明系统3的匀光功能可以是通过科勒照明结构实现。
该照明系统3包括视场复眼镜31(field flyeye mirror，FFM)、光阑复眼镜 32......
2024光博会惊现：颠覆性低价AR波导片，成本仅数元(2024-09-09)
候佩戴最佳选择
在追求极致视觉体验与全天候舒适佩戴的今天，一款能够兼顾大视场角与高分辨率的智能穿戴设备成为了众多科技爱好者与专业用户的理想之选。这不仅仅是一种技术的飞跃，更是......
补盲激光雷达，角分辨率真的是越小越好吗？(2022-12-11)
一致性是不能被忽视的性能。
全视场一致性：无差异的感知能力
补盲激光雷达在追求大视场角和高分辨率的同时，往往容易忽略一个很重要的维度：无差异的大视场感知能力。
实现无差异感知的关键是视场......
补盲激光雷达，角分辨率真的是越小越好吗？(2022-12-11)
一致性是不能被忽视的性能。
全视场一致性：无差异的感知能力
补盲激光雷达在追求大视场角和高分辨率的同时，往往容易忽略一个很重要的维度：无差异的大视场感知能力。
实现无差异感知的关键是视场......
佳能将于2023年上半年发售3D半导体光刻机(2022-04-01)
。
此外，该新型光刻机通过在原基础上改进透镜和镜台等光学零部件，来提高曝光精度；通过提高分辨率来增加布线密度，还支持1微米的线宽。
封面图片来源：拍信网......
英飞凌REAL3™ ToF图像传感器助力追觅新型扫地机器人W10 Pro实现智能导航和避障能力(2022-11-15)
传感器可为摄像头中的每一个像素点提供更多的距离信息。与单像素ToF传感器等传统解决方案相比，其3D感测的精度和准度有了显著的提高。这一高分辨率支持具有大视场角（FoV）的3D摄像头，让机器人能够通过高分辨率......
ASML今年发货第一台高NA EUV光刻机：成本逼近30亿元(2023-09-08)
EUV极紫外光刻机，型号“Twinscan EXE:5000”。
NA数值孔径是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率，以及最高能达到的工艺节点。
ASML现有最先进的EUV光刻机是NEX......
EUV光刻机“忙疯了”(2024-06-06)
光学系统收集和聚焦光线的能力。数值越高，聚光能力越好。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，从而有助于晶体管的进一步微缩。
ASML的High NA EUV设备......
盛美上海推出全新升级版先进封装用涂胶设备(2022-05-27)
腔内采用盛美上海专有的全方位无死角自动清洗技术，可以缩短设备预防性维护（PM）的时间，尤其是针对光刻胶厚度较高（甚至超过100µm）的涂胶应用。
图片来源：盛美上海
据了解，继成立小芯片联盟后，英特尔、台积电和三星等芯片制造巨头加大布局先进封装......
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批发写真机配件，大量写真机墨水，雕刻机，喷绘机，复膜机“优” 赶快联系我们。 一; 二手写真设备： 1）进口压电写真设备（罗兰、武藤，米马克） 速度高达28平米/2小时，最高分辨率可达2880DPI
L01 15.4寸双灯1280X800分辨率 LTL101AL03 AL06 LTN101AL03-801 10.1寸全视角IPS 1280X800 EJ07NA-01F 1024X600分辨率高分
、640X480、800X600到1024X768，微型显示的分辨率甚至达到1280X1024；我公司特种显示产品的特点是小尺寸、宽温、高分辨率、低功耗。产品主要应用于：工业显示、红外产品、夜视仪、模拟
;怡合瑞丰科技发展有限公司;;注册于香港，代理美国ABM公司的光刻机及其他半导体设备。可以为客户提供先进的凸点制造等封装工艺与设备
;深圳市亿特联合显示技术有限公司;;深圳市亿特联合显示技术公司成立于2006年，位于深圳市高新科技园,是深圳市高新办批准的高新技术企业，主要从事做微显示技术的研发工作，该技术是将高分辨率
显示产品的主要特点是小尺寸、宽温、高分辨率、低功耗;显示组件的显示分辨率有模拟的VIDEO（PAL/NTSC）信号和计算机VGA（VGA,SVGA,XGA）信号。产品广泛应用于工业显示、红外成像、瞄准器、模拟
、光谱仪和高分辨率工业级CCD产品。
;江阴长电先进封装有限公司;;
数码实验室致力于开发推广新一代桌面数字图像产品。站在计算机及高分辨率图像传感器的最前沿，实验室抓住近年来USB2.0和LVDS，高分辨率 CCD和COMS 图像传感器，网络视频影像的技术突破的机会，将推
;广州明美光电技术有限公司;;广州明美是专业从事显微镜数码成像产品研发与销售的高新技术企业，公司自03年成立以来，一直注重科技创新，先后推出研究级高分辨率、高灵敏度500万像素数码成像装置，体视