资讯
对于永磁电机来说完成电机制造所需要的工艺都包括哪些方面呢？(2024-03-06)
水平的高低。那么对于永磁电机来说完成电机制造所需要的工艺都包括哪些方面呢？
通过以上永磁电机制造工艺流程可以看出，从设计方案到电机产品的转化是需要多方面工艺实施下共同完成的电机制造......
3D NAND到底行不行，一文读懂3D NAND的神话与现实(2017-07-07)
NAND 则是使用的 3D 存储堆栈技术所需的专门工具来进行沉积和蚀刻。光刻技术不是 3D NAND 发展的推动力，在 3D NAND 工艺流程中最多也只有一个双重图案步骤。但是，其流程......
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺(2023-10-23)
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺;SEMulator3D®虚拟制造平台可以展示下一代半大马士革工艺流程，并使用新掩膜版研究后段器件集成的工艺假设和挑战
作者：半导体工艺......
使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺(2023-10-23)
膜版的金属间距分别为14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前两类是节点后段的最小目标金属间距，后三类用于工艺窗口评估。
®虚拟制造平台可以展示下一代工艺流程，并使用新掩膜版研究的工艺假设和挑战。此外......
Zeta光学轮廓仪的太阳能电池量测解决方案(2023-06-27)
Zeta光学轮廓仪的太阳能电池量测解决方案;太阳能电池量测解决方案
KLA Instruments Zeta 光学轮廓仪
导言
太阳能电池大多由单晶硅或多晶硅制成，将晶硅锭加工成太阳能电池需要一系列制造工艺......
8051单片机由什么组成 8051单片机有多少管脚(2024-03-12)
更低的功耗和更高的可靠性。现在市面上的8051单片机多数采用的是CMOS工艺，其制造工艺技术已经相当成熟。
8051单片机的工艺指的是制造该芯片的工艺流程和技术。一般来说，芯片的工艺流程是一个复杂的、多步骤的过程，需要......
使用虚拟实验设计加速半导体工艺发展(2023-04-19)
经常使用非常传统的试错方案来挖掘有限的实验空间。这是因为在半导体制造工艺中存在着太多变量，如果要充分探索所有变量的可能情况，需要极大的晶圆数量和试验成本。在这种情况下，虚拟工艺模型和虚拟DOE可谓......
上海 THECO 与 TREXEL, INC. 达成突破性合作，将引领电动车市场前沿发展(2024-01-23 11:17)
了对本次合作的热切期望，他表示："我们很高兴能将 Trexel 的 MuCell 微发泡能力与 THECO 独特的设计和模拟能力相结合，充分发挥 MuCell 在电动车工艺流程中的优势。"本次战略合作凸显了 THECO......
引线键合技术会被淘汰？你想多了！(2017-05-11)
将其缝合。最后，模塑材料覆盖电线。
图 3： TI的铜线键合工艺流程。
直到2010，行业内以引线键合为基础的封装主要使用的还是金线键合，但当金价飙升时，键合产品由金线向铜线转移。由于......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-07)
DRAM，这将是美光第1代采用极紫外光（EUV）的制程技术，目前在美光只在台中有EUV的制造工厂，因此1γ制程势必会先在台中厂量产，未来日本厂也有望导入EUV设备。三星计划于2023年进入1bnm工艺......
上海 THECO 与 TREXEL, INC. 达成突破性合作，将引领电动车市场前沿发展(2024-01-23)
了对本次合作的热切期望，他表示："我们很高兴能将 Trexel 的 MuCell 微发泡能力与 THECO 独特的设计和模拟能力相结合，充分发挥 MuCell 在电动车工艺流程中的优势。"
本次......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-04)
）的制程技术，目前在美光只在台中有EUV的制造工厂，因此1γ制程势必会先在台中厂量产，未来日本厂也有望导入EUV设备。三星计划于2023年进入1bnm工艺阶段，芯片容量将达到 24Gb（3GB......
电机制造工艺关键技术要求(2024-07-11)
、工艺流程
典型的电动汽车驱动电机(永磁电机、径向磁场)的制造工艺流程的工艺流程，如下图所示。
......
用于电动汽车的液冷GaN和SiC功率模块(2024-01-02)
一种联合设计方法来优化液冷功率模块的热性能。
报告介绍了定制设计的液冷电源模块、模块制造工艺流程、典型测试设置、典型的PCB应用、功率模块的热考虑、热分析-有限元分析模拟、设计示例-双面堆叠、双面堆叠组件（三维视图、电源回路），功率......
中国大陆存储器行业方兴未艾？(2021-11-09)
技术战略合作。2017年，在中芯国际28nm平台上完成了工艺流程的开发与验证，并在此基础上设计实现了规模为1Mb的测试芯片
根据资料，2017年，中国......
铠侠和西部数据在日两合资工厂已获1500亿日元的政府补贴(2024-02-07)
尺寸微缩的极限开始显现，3D闪存于在2016年开始量产。由于存储器容量的快速增长和制造工艺技术的成熟，四日市工厂的产能呈指数级增长。
2022 年，四日市工厂迎来成立30周年。
同年10月，由铠侠和西部数据投资的全球最先进的半导体制造工......
为刻蚀终点探测进行原位测量 使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测(2024-01-18)
将用于建模的区域用蓝框显示，其中有四个鳍片（红色显示）需要制造。此外，我们框出了黄色和绿色的测量区域，将在其中分别测量隔离区的薄膜厚度 (MEA_ISO_FT) 和沟槽区的刻蚀深度 (MEA_TRENCH_FT)。工艺流程......
为刻蚀终点探测进行原位测量(2024-01-22)
为刻蚀终点探测进行原位测量;
介绍
行业一直专注于使用先进的刻蚀设备和技术来实现图形的微缩与先进技术的开发。随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升，制造工艺中刻蚀工艺......
为刻蚀终点探测进行原位测量(2024-01-18)
为刻蚀终点探测进行原位测量;介绍 本文引用地址：半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀设备和技术来实现图形的微缩与先进技术的开发。随着半导体器件尺寸缩减、工艺复杂程度提升，制造工艺中刻蚀工艺......
电机制造中的那些关键工艺要求你都知道多少？(2024-08-30)
电机、径向磁场）的制造工艺流程的工艺流程，如下图所示。
......
被垄断的NAND闪存技术(2023-07-20)
大型资本支出项目被推迟。
NAND中这些大规模成本改进的主要原因是晶圆厂可以在工艺步骤数没有大规模相应增加的情况下增加密度。3D NAND中最关键的步骤是薄膜沉积和高纵横比蚀刻。
NAND 的一种过于简化的制造工艺......
浅谈电机制造工艺关键技术要求(2023-10-12)
后绕组表面漆膜色泽应均匀一致，手触漆膜应不粘手并稍有弹性，表面无裂纹和皱痕，端部无变形且铜线无磕碰、露铜、引接线分离、槽楔无错位。
7工艺流程典型的电动汽车驱动电机（永磁电机、径向磁场）的制造工艺流程的工艺流程......
1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续(2023-10-07)
之后，计划于2025年量产1γ DRAM，这将是美光第1代采用极紫外光（EUV）的制程技术，目前在美光只在台中有EUV的制造工厂，因此1γ制程势必会先在台中厂量产，未来日本厂也有望导入EUV设备。三星......
欲在中国建“山寨版”芯片厂，三星前高管涉盗取机密被起诉(2023-06-12)
室成为几乎没有杂质存在的最佳生产空间的环境条件）、工艺流程图（记载半导体生产8大核心工序的布局、面积等信息的图纸）、设计图等信息。涉案技术为用于制造30纳米以下动态随机存取存储器（DRAM）和闪......
3D工业视觉传感器—革新3C行业的精密检测与自动化生产流程(2024-04-03)
平台需要有稳定的编码器信号输出。
采图效果
检测结论
翌视科技的LVM2510线激光3D相机能检测出元器件6个触点到相对应安装平面高度的检测要求。检测价值：实现自动化的质量控制，快速剔除不合格品，同时优化生产工艺流程，减少浪费和返修成本。
......
复享光学首次提出薄膜神经网络 3D NAND多层薄膜量测获突破(2022-12-05)
膜的制备是3D NAND的前道工序。由于层间应力的存在，工艺完成后的实际层厚与设计值相比会存在较大的偏差，因此多层膜的不均匀性对芯片生产的良率构成了严峻的挑战。
3D NAND 制备工艺......
Marvell推出用于DRAM-less PCIe3.0x2 SSD的NVMe控制器(2016-10-20)
本和其他类型计算设备的固态存储解决方案）。关于性能，Marvell表示此类SSD的最大读取速度为1600MB/s。
Marvell这款新产品使用28nm制造工艺，采用9 mmx10mm的TFBGA封装，可用于BGA......
DRAM涨价启动！Q1涨幅高达20%(2024-01-05)
%左右，并补充说三星提高了先进制造工艺的产量比例。预计2024年第一季度DRAM产量将继续受到严格控制。芯片供应商将更多地依赖先进节点，同时减少成熟工艺的产量。
前三......
中国实现芯片制造关键技术首次突破：一年内投入应用(2024-09-03)
硅材料的硬度非常高，制造沟槽型结构需要极高的刻蚀精度和损伤控制，这对碳化硅器件的研制和性能有着决定性的影响。
为此研发团队通过不断的尝试和创新，最终建立了全新的工艺流程，解决了制造过程中的难点，成功制造......
刻蚀设备收入增长58.49% 中微公司2020年营收22.73亿元(2021-03-31)
实现更小的尺寸。刻蚀技术及相关设备的重要性因此进一步提升。而在2D存储器件的线宽接近物理极限后，NAND闪存已进入3D时代，在其制造工艺中，增加......
DRAM，加速走向3D(2023-03-15)
可用于所有层——所谓的共享图案化——进而简化了制造工艺。
同时，研究者们也开始探索无电容的3D DRAM......
复享光学首次提出薄膜神经网络 3D NAND多层薄膜量测获突破(2022-12-05)
层间应力的存在，工艺完成后的实际层厚与设计值相比会存在较大的偏差，因此多层膜的不均匀性对芯片生产的良率构成了严峻的挑战。
3D NAND 制备工艺挑战
图片来源：Lam Research
目前......
两会|全国政协委员、高德红外董事长黄立：加速特殊半导体产业链国产化(2021-03-09)
介绍说，特殊半导体已成为决定未来数字通讯、传感互联、人工智能产业发展的核心关键技术，但是，核心特殊半导体器件生产制造工艺流程繁琐复杂、产业链较长，人才集聚和培养难度大，上下游协同门槛高、成本高。目前，我国......
“宇宙的尽头是铁岭”，那半导体科技的尽头在哪里？(2022-05-19)
Insights
下表显示了几大NAND制造商的3D NAND层数主要计划：
图片来源：Blocks & Files
行业人士预测，三星电子将有望在现有176层3D NAND的基础上，于2022......
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存(2024-11-21)
了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形*材料，引进了通孔间自动排列（alignment）矫正技术。公司技术团队也将上一代238层NAND......
EV集团与弗劳恩霍夫可靠性和微集成研究所扩大在量子计算应用晶圆键合领域的合作(2024-06-24)
步骤的重要一环，该最终工艺将晶片分离和集成到终端设备或应用中。EVG850 DB系统能有效帮助弗劳恩霍夫在自己内部独立完成解键合工艺，配合各类粘合胶系统的使用实现最佳工艺流程......
3D XPoint内存：Intel 黑科技的机遇与挑战(2016-11-22)
-NOR的制造工艺相比3D XPoint来说要简单，并不需要新材料。3D Super-NOR的制造商BeSang宣称3D Super-Nor可以实现成本比3D XPoint低十倍，当然我们仍然需要等3D......
本土存储“芯”使命，中小容量存储企业加速国产替代(2022-07-29)
技术的先进与否直接决定了存储芯片的成本和性能。在Fabless模式下，存储芯片设计公司为了提升产品制程，缩小与头部企业的差距，将会继续加深与本土晶圆代工厂的合作发展，双方共享研发能力、整合技术资源，形成标准的制造工艺流程，减少工艺......
光刻机大厂即将发布新型ArF浸没式扫描仪，整体生产率提高10-15%(2023-12-09)
半导体性能的技术创新的关键推动因素是电路图案小型化和 3D 半导体器件结构，而 ArF 浸没式扫描仪对于这两种制造工艺都至关重要。与传统半导体相比，3D半导体制造过程中更容易发生晶圆翘曲和变形，因此......
X-FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件(2023-11-19)
专用近红外版本的单光子雪崩二极管（SPAD）器件组合。与2021年发布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180纳米工艺的XH018平台。得益于在制造过程中增加的额外工艺流程，在保......
浅谈新能源车扁线电机行业发展驱动力(2024-08-15)
方在产线上的高投入转移到设备上就变成了高价值。而且，设备商只需要采购零部件进行产线的组装，和电机制造方相比属于轻资产模式。
完整的扁线电机定子组件制造工艺流程包括插纸、线圈成型、预插入、整体插入、扩口、扭头、切平、焊接、涂敷......
迷你晶圆厂干掉台积电？不存在的！(2017-05-12)
件技术的组合可以有无穷多种，因为没有限制每一组件技术的应用次数。那如何衡量集成技术的好坏呢？这也正是集成技术的难度所在，如何在短时间内完成从无限的组件技术组合中，制造低成本、满足规格且能流畅运行的工艺流程。
研发人员通常碰到的问题是很难根据最先的计划流程......
硬件工程师必读：高多层PCB制造工艺指南(2024-03-19)
，直到最后的检测工序。
多层板的生产工艺流程如果细化展开，通常需要约200个不同的加工步骤。因此，对PCB设计人员来说，熟悉基材的不同类型及性能、多层板的制造工艺以及焊接工艺......
ASML：半导体制造工艺演进三个方向(2022-12-29)
ASML：半导体制造工艺演进三个方向;
格芯（GlobalFoundries）宣布放弃7纳米研发，意味着能投入先进工艺研发的厂商又少了一家。 不过ASML中国区总裁沈波认为，格芯......
又一国家重大专项转化落地，国产集成电路封装设备“再下一城”(2021-04-26)
集成电路生产线，意味着国产集成电路封装设备在自主可控道路上又迈出关键一步。
从集成电路断面结构来看，大部分集成电路是在硅基体材料的浅表面层上制造。由于制造工艺的要求，对晶片的尺寸精度、几何精度、表面......
泛林集团推出全球首个晶圆边缘沉积解决方案以提高芯片良率(2023-07-04)
更好地应对下一代逻辑、3D NAND和先进封装应用中的关键制造挑战。随着半导体关键尺寸的不断缩小，其制造变得越来越复杂，在硅晶圆上构建纳米级器件需要数百个工艺步骤。仅需一个工艺步骤，Coronus DX 可在......
96层3D NAND有诈？韩媒：东芝为卖存储、操弄媒体(2017-07-04)
天完成第 1 期工程的“Fab 6生产线”进行生产。西部数据强调其位于日本的合资制造工厂业务持续表现强劲，预计 2017 年公司整体 3D NAND 供货量，将有 75% 以上来自 64 层 3D NAND......
VCSEL芯片产业崛起，探秘国产VCSEL的“破壁”和“突围”之路(2023-03-01)
层面看，VCSEL芯片工艺流程长，制造难度高，包括外延工艺、氧化工艺、保护绝缘等工艺均需要深厚的技术积累，尤其外延生长技术为其生产的核心壁垒，该良......
金升阳推出车规级定压推挽控制芯片(2023-06-09)
金升阳推出车规级定压推挽控制芯片;
【导读】为满足汽车行业需求，金升阳推出车规级定压推挽控制芯片SCM1212BTA-Q。该产品采用我司自主技术研发，符合AEC-Q100标准且采用汽车级工艺流程制造......
存储+先进封装...在elexcon2024尽情绽放！(2024-09-02)
层转接板被称为先进封装集成的关键技术。与硅基相比，玻璃基（TGV）具有优良的高频电学、力学性能、工艺流程简化和成本低等优势，并能实现光电合封，是理想的芯粒三维集成解决方案。
据介绍，该玻璃转接板面积为2700mm2（60mm......
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