近日，涉嫌窃取机密，并企图在中国建造“山寨版”三星半导体工厂的前三星高管被逮捕起诉。
6月12日，韩国水原地方检察厅表示，以违反《产业技术保护法》和《不正当竞争防止法》（向国外泄露商业机密）等，对直接照搬三星电子半导体工厂设计资料，并企图在中国建造半导体工厂的前三星电子高管逮捕起诉，另外，检方还对积极参与上述行为的3名前三星电子员工、2名前三星分公司员工、1名前合作员工，共计6人进行了不拘留起诉。据检方称，这位前三星高管涉嫌于2018年从台湾一家电子产品生产、销售企业获得8万亿韩元（约合人民币442亿元）的投资承诺，在推进中国西安半导体工厂建设过程中擅自使用了三星电子的固有技术。据调查，该高管涉嫌不正当使用的商业机密具体包括三星电子半导体工厂基本工程数据（Basic Engineering Data，使生产半导体的空间——无尘室成为几乎没有杂质存在的最佳生产空间的环境条件）、工艺流程图（记载半导体生产8大核心工序的布局、面积等信息的图纸）、设计图等信息。涉案技术为用于制造30纳米以下动态随机存取存储器（DRAM）和闪存芯片（NAND）的制程工艺，属于国家关键技术。据悉，该高管于1984年入职三星电子，工作了18年的时间，曾任三星电子常务、SK海力士副社长等职务，是韩国半导体制造领域具有权威地位的人物，他利用上述履历，从中国成都市拿到约4600亿韩元（约合人民币25.43亿元）的投资，成立了半导体制造工厂，其中研发楼已于去年完工，并采用三星电子半导体技术生产出了样品。其还涉嫌积极指示利用该半导体资料在距离三星电子中国西安半导体工厂仅1.5公里的地方建造“山寨版”三星芯片厂。由于台湾一家电子产品制造商曾承诺的8万亿韩元（约合人民币443亿元）投资落空，工厂建设项目没能实际进行。他在华设厂后录用200名三星电子、SK海力士的员工，并指示他们获取并利用三星电子半导体设计资料。检方推算，泄露技术给三星电子至少造成3000亿韩元损失（约合16.62亿元人民币）。因本案试图复制整间半导体工厂并在中国建造落地，检方称：“从犯罪规模和损失程度来看，很难将本案与个别半导体技术泄露案进行比较。如果利用中国大陆和中国台湾的资本，将整间半导体工厂复制到中国，并实现品质类似的半导体产品的量产，将对韩国半导体产业造成无法挽回的损失。”
对此，检方表示：“这是盗取与制造半导体的系统、生产环境等生产效率有关的商业秘密和国家核心技术，动摇竞争日益激烈的半导体产业根基，甚至可能对韩国经济安全产生巨大负面影响的重大犯罪行为。今后将严惩侵犯威胁企业生存，对国家经济造成致命损害的半导体技术等商业机密和国家核心技术的行为。”
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