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)器件工作原理示意图；(c)N离子注入晶体管的输出曲线；(d)与已报道的氧化镓垂直场效应晶体管的性能比较。 氧气氛围退火和N离子注入所形成的电流阻挡层均能够有效隔绝晶体管源、漏极......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
，下面说明其工作原理： 增强型NMOS管工作原理 电源E1通过R1加到场效应管D, S极，电源E2通过开关S加到G, S极。 当开关S断开时，栅极无电压，由于衬底是P型......
及作用 1.工作原理 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源......
磁极与转子磁极之间的吸引力就越大， 转速也就越高， 因此， 控制电流就可以控制电动机的转速。 无刷电流电动机大多采用脉宽调制（PWM） 调速方式。 　　直流电动机 PWM 调速工作原理是： 当场效应晶体管......
三极管简称普通双极管。 (2)场效应管 场效应管的内部含有许多由导电材料构成的栅源和漏源两个电极形成的空间电荷层而构成具有放大能力的器件叫场效应晶体管，也叫绝缘栅双极晶体管......
电路芯片内集成的数字电路的物理尺寸日渐缩小，工作电源也随之向低电压发展，一系列新型电压调整器应运而生。电源管理用接口电路主要有接口驱动器、马达驱动器、功率场效应晶体管（MOSFET）驱动器以及高电压/大电......
的重大挑战。 △谷输运机制的量子晶体管 △基于谷输运机制的场效应晶体管 由于谷电子晶体管在传输过程中有着很低的热损耗，该技术利用谷量子输运的低损耗特性，展示出实现低功耗计算芯片的应用潜力，未来......
结构及符号 双极性即意味着器件内部有空穴和电子两种载流子参与导电，BJT既然叫双极性晶体管，那其内部也必然有空穴和载流子，理解这两种载流子的运动是理解BJT工作原理......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS(on)）与平......
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术，预计突破1纳米制程瓶颈;外媒报导，美国加州旧金山举办的IEDM2021蓝色巨人IBM与韩国三星共同发表“垂直传输场效应晶体管”（VTFET）芯片设计。将晶体管......
什么叫IGBT? IGBT的结构、工作原理与应用领域有哪些？; IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），全称绝缘栅双极型晶体管，是一......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
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EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管; 宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小......
动车的交流电电动机的输出控制。 传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。 这种晶体管结合了金属氧化物半导体场效应晶体管......
1) 类型：芯片中最基本的元件是晶体管，主要类型为MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），包括NMOS和PMOS。 2) 结构：晶体管由源极(Source......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案; 【导读】宜普电源转换公司（EPC）和立锜科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管......
探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。 电力电子电路不断发展以实现更高的效率，绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）等电力电子设备为令人兴奋的创新打开了大门。硅......
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。 化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。 化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案;转换公司（EPC）和科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管EPC2204......
年产6000万片高精密度集成电路板、3.6亿颗场效应晶体管项目开工;据“微聚庐江”消息，7月21日，合肥得壹科技发展有限公司年产6000万片高精密度集成电路板和3.6亿颗场效应晶体管......
再次强调，在继电器端必须并联一个续流二极管，否则开关继电器的同时可能会损坏三极管。 对于需要提供大电流才工作的LED电路，我们也必须考虑使用三极管来驱动，有时甚至会需要多个三极管同时才能驱动。 场效应晶体管......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
on ，以保证晶体管工作在导通状态；集电结反向偏置，以保证晶体管工作在放大区。对于场效应管，电源的极性和大小应为场效应管得栅-源之间、漏-源之......
制备的银转移电极MoS2背栅场效应晶体管阵列照片；（b）10×10晶体管阵列开关比统计结果；（c）银转移电极MoS2背栅场效应晶体管转移特性；（d）银转移电极MoS2背栅场效应晶体管输出特性曲线。  封面......
测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能，与等效MOSFET相比，EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的......
在CFET(互补场效应晶体管)之外进一步加速GAA技术创新，Intel代工展示了在2D GAA NMOS(N 型金属氧化物半导体)和PMOS(P 型金属氧化物半导体)晶体管......
管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属......
，之后前往华威大学研发3.3 kV和10 kV碳化硅器件。他凭借论文《碳化硅功率金刚石场效应晶体管的高温电老化和热老化性能及应用注意事项》赢得《电气与电子工程师协会汇刊电力电子学卷》2018年最......
前往华威大学研发3.3 kV和10 kV碳化硅器件。他凭借论文《碳化硅功率金刚石场效应晶体管的高温电老化和热老化性能及应用注意事项》赢得《电气与电子工程师协会汇刊电力电子学卷》2018年最佳论文奖。自2018年进......
kV碳化硅器件。他凭借论文《碳化硅功率金刚石场效应晶体管的高温电老化和热老化性能及应用注意事项》赢得《电气与电子工程师协会汇刊电力电子学卷》2018年最佳论文奖。自2018年进入业界以来，他领导了新型硅绝缘栅双极型晶体管......
量产 三星电子周四（4月28日）宣布，将在本季度开始使用3GAE(早期3nm级栅极全能)工艺进行大规模生产，这不仅标志着业界3nm级制造技术的到来，也表示这是业界首个使用环栅场效应晶体管（GAAFETs......
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管; 【导读】EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件;当前MOSFET器件的持续微缩所带来的功耗问题已经成为制约集成电路发展的主要瓶颈。研发新原理器件以突破MOSFET亚阈值摆幅（SS......
运行效率高得多。 本文将探讨氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 的基本原理，展示其在开关模式电源电路中相对于传统硅器件的优势，介绍Nexperia的实际案例，并对其应用进行了讨论。 01......
领域首次报道的高温击穿特性。 ▲图1.结终端扩展NiO/β-Ga2O3异质结二极管（a）截面示意图和器件关键制造细节，（b）与已报道的氧化镓肖特基二极管及异质结二极管的性能比较 02增强型氧化镓场效应晶体管......
宜普电源转换公司（EPC）eToF™ 激光驱动器IC，助力革新激光雷达系统设计;宜普电源转换公司（EPC）宣布推出激光驱动器IC(EPC21601)，在单个芯片上集成了40 V、10 A 场效应晶体管......
结构由使用多年的FinFET鳍式场效应晶体管，转成GAAFET全环绕栅极场效应晶体管，对制程改朝换代带来新挑战。 如何达多阈值电压（Multi Vt），让芯片以较低电压执行复杂计算是个挑战。......
技术进步一直是英特尔的主业之一。 在最先进的全环绕栅极（GAA）晶体管方面，英特尔代工展示了硅基RibbionFET CMOS （互补金属氧化物半导体）技术，以及用于微缩的2D场效应晶体管......
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代; 【导读】日前，台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布，台积电已成功集成不同晶体管架构，在实验室做出CFET（互补式场效应晶体管......
MicroSystems, Inc.（Allegro）（Nasdaq: ALGM）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离......
MicroSystems, Inc.（Allegro）（Nasdaq: ALGM）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器，针对......
～109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 1、场效应晶体管......
美国对“芯片之母”下手！EDA软件如何影响整个半导体行业？; 据财联社报道，美国商务部周五发布一项临时最终规定，对设计GAAFET（全栅场效应晶体管）结构集成电路所必须的ECAD软件；金刚......
器件、显示器件、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管、IGBT、MOSFET、继电器与干簧管、开关、保险丝、晶振、连接器、各种......
久台积电透露其1.4nm级工艺制程研发已经全面展开，2nm级制程将于2025年开始量产。 据悉，台积电的1.4nm节点的正式名称为A14，预计在技术上不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET......
MOS管基础及选型指南;，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址： 和普通双极型晶体管......
节点实现突破 近年来，该课题组通过优化器件结构和制备工艺，首次实现了栅长为10纳米的碳纳米管顶栅CMOS场效应晶体管（对应于5纳米技术节点），p型和n型器件的亚阈值摆幅（subthreshold swing......
如何用万用表测试MOSFET;介绍： MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。 MOSFET 是一种四端子器件，具有......

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