资讯
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
PN结说起
PN结是半导体的基础，掺杂是半导体的灵魂，先明确几点：
1、P型和N型半导体：本征半导体掺杂三价元素，根据......
干货 | 图解二极管单向导通的原因(2024-10-28 19:03:53)
原因让电子如此听话呢？它的微观机理是什么呢？这里简单形象介绍一下。
假设有一块 P 型半导体（用黄色代表空穴多）和一块 N 型半导体（用绿色代表电子多），它们......
讲透三极管(2024-06-13)
单向导电性并不是百分之百。
为什么会出现这种现象呢？
这主要是因为P区除了因“掺杂”而产生的多数载流子“空穴”之外，还总是会有极少数的本征载流子“电子”出现。N区也是一样，除了多数载流子电子之外，也会......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
芯片图如果在200um的芯片上做一个垂直切割，可以得到如图8所示的内部结构，它是由不同掺杂的P型或N型半导体组合而成。图 8 是众所周知的 IGBT 等效电路，通常将其理解为 MOS 控制的 PNP......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
来源：东京都立大学
在使用从二硒化钨生长出来的二硫化钼证明了他们技术的稳健性之后，他们把注意力转向了铌掺杂的二硫化钼，一种p型半导体。通过生长出未掺杂的二硫化钼（一种n型半导体）的多层结构，研究......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
。资料来源：东京都立大学
在使用从二硒化钨生长出来的二硫化钼证明了他们技术的稳健性之后，他们把注意力转向了铌掺杂的二硫化钼，一种p型半导体。通过生长出未掺杂的二硫化钼（一种n型半导体）的多......
学三极管能遇到这篇巧文，我太幸福了！(2025-01-06 20:29:23)
法来实现对电流的控制。
接下来重点讨论P区，P区的少数载流子是电子，要想用电注入的方法向P区注入电子，最好的方法就是如图C所示，在P区下面再用特殊工艺加一块N型半导体......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
来看看早期最有力、速度最快的BJT晶体管和现在最常用的MOSFET晶体管有什么不同。
BJT晶体管通道
BJT的构成很简单，就是把2个P型半导体夹住1个N型半导体变成三明治。当然，也有用2个N型半导体......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极（漏极D、源极S）；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。由于......
三极管从原理到应用，从参数到特性，从入门到精通(2025-01-15 11:17:28)
电子器件，也是电子工程中最基本的元件之一。它有三个区域，分别是P型半导体，N型半导体和P型半导体，从而形成PNP型晶体三极管或者NPN型晶体三极管。
......
最新议程！| 2021碳基半导体材料与器件产业发展论坛(2021-04-13)
：金刚石半导体与器件
参考话题：（不局限于如下话题）
1、金刚石半导体对大单晶材料的要求
2、P型掺杂与N型掺杂
3、超宽禁带半导体金刚石器件研究
4、碳基芯片、散热器件、3D封装
5、微纳......
自动驾驶激光雷达(2024-04-14)
，所以要介绍清楚，不得不从半导体最基础的PN结说起。P型半导体是通过在纯净半导体（不含杂质且无晶格缺陷的半导体）中掺杂特定杂质，让空穴（相当于带正电的粒子）数量增多。N型半导体......
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片(2023-03-13)
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片;近日，西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着我校在超宽禁带半导体......
灵感源于大自然的光合作用，掺杂空气可让有机半导体更导电(2024-05-20)
可用于数字显示器、太阳能电池、LED、传感器、植入物和能量存储等领域。为了提高导电性和改善半导体性能，人们通常会引入掺杂剂。这些掺杂剂可促进半导体材料内电荷移动，并且可以定制以诱导正电荷（p掺杂）或负电荷（n......
华为的“钻石芯片“专利，是什么？(2023-11-21)
芯片的金刚石需要在电子级以上。
第二，金刚石芯片掺杂存在瓶颈。纯净的金刚石本身是一种绝缘体，只有掺杂才能变成半导体。目前，金刚石芯片p型掺杂较为成熟，主要以硼（B）掺杂为主，而n型掺杂则是产业化的难题，n型掺杂......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
(ms)
结或肖特基势垒。这提供了低传导压降、高开关速度和低噪声。肖特基二极管用于控制电路内电流的方向，使其仅从阳极流向阴极。当肖特基二极管处于无偏置状态时，自由电子将从
n 型半导体......
三极管知识讲解，补课(2024-11-09 18:33:37)
少数载流子是电子，要想用电注入的方法向P区注入电子，最好的方法就是如图C所示，在P区下面再用特殊工艺加一块N型半导体（注3）。
图C所示其实就是NPN型晶......
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破(2024-06-06)
定生产多炉且累计一定库存。导电型（001）锡掺衬底和该衬底加导电型薄膜外延，目前国际上可达到4英寸，铭镓半导体已实现大尺寸衬底工艺突破，并将逐步稳定工艺供货。
据官网介绍，铭镓半导体致力于研发和生产新型半导体......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍;
随着半导体行业的最新进展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) 的研究正在兴起。在 SB MOSFET
中，源极......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何受到资本青睐？未来氧化镓是否能取代碳化硅？
第四代半导体......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
研究上取得重要进展，该校电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。
2月，中国电科46所宣布成功制备出我国首颗6......
氧化镓初创公司拓诺稀科技获数百万天使轮融资(2024-11-21)
稀科技成立于2022年，公司专注于氧化镓外延薄膜的制备及高性能半导体器件的开发。
据介绍，拓诺稀科技提供的核心产品涵盖高性能氧化镓肖特基二极管（SBD）及其他新型半导体器件。公司采用MOCVD和mist......
金宏气体拟募资10亿元 投向高端电子材料等项目(2022-09-23)
断在电子、半导体产业应用领域深入拓展。作为工业气体中新兴门类的特种气体，日益成为电子工业生产中不可缺少的基础性原材料之一，被广泛应用于薄膜、刻蚀、掺杂、气相沉积、扩散等工艺。目前......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-17)
想法最终成为向个人电脑和数据中心供电的行业标准，如今，DrMOS无处不在。
为什么要将驱动器和功率器件集成在一起呢？因为这种集成提供了更高密度的解决方案，具有极低的寄生参数，因此可以让半导体......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-18 10:06)
想法最终成为向个人电脑和数据中心供电的行业标准，如今，DrMOS无处不在。为什么要将驱动器和功率器件集成在一起呢？因为这种集成提供了更高密度的解决方案，具有极低的寄生参数，因此可以让半导体......
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项(2023-09-25)
需要更强的电场。
b）隧道效应
隧道效应又称为齐纳击穿、隧道穿通，（一般发生在击穿电压VB<4V时，）其原理如下：
图[9] P+N+结电压反偏示意图
将两块重掺杂的P+、N+半导体材料结合在一起，由于......
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得重大突破(2024-04-11)
成本、易加工、高稳定性以及大面积制造均匀等。然而，传统的非晶氢化硅因电学性能不足而急需探索新材料。
目前非晶P型半导体面临着重大挑战，严重阻碍了新型电子器件研发和大规模N-P互补金属氧化物半导体......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
型半导体NiO由于禁带宽度大及可控掺杂的特点，是目前较好的选择。
该课题组基于NiO生长工艺和异质PN的前期研究基础，设计了结终端扩展结构（JTE），并优化退火工艺，成功......
基于昆明物理研究所的Au掺杂碲镉汞长波探测器探究(2023-03-17)
理后碲镉汞外延材料载流子浓度基本可控制在1.0×10¹⁶~4.0×10¹⁶cm⁻³之间，实现了稳定性较好的Au掺杂碲镉汞长波材料的制备。
Au掺杂n-on-p型碲镉汞长波探测器的暗电流
器件暗电流是反映探测器本质的特征参数，暗电......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
方式的灵感来源于硅工艺的成功秘诀之一——半导体硅的氧气氛围退火。类似于硅在氧气氛围退火可形成高阻表面层，氧化镓采用该手段制备电流阻挡层（相比于离子注入）具有缺陷少、无扩散、成本低等特点。
N离子......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
称叫P沟道管，容易想出沟道是什么类型取决于S和D端掺杂的是什么类型，立即推：S和D端区域写了N，管子就是NMOS；S和D端区域写了P，管子就是PMOS。
好，继续敲黑板知识点：MOS管的标准符号中，衬底......
研究人员成功创建了世界上第一块由石墨烯制成的功能性半导体(2024-01-04)
能使这种材料足够好以便工作吗？’”
一种新型半导体De Heer早在他的职业生涯初期就开始探索碳基材料作为潜在的半导体，然后在2001年转向探索二维石墨烯。当时他就知道石墨烯在电子方面有潜力。
“我们......
什么是超绝缘计/高阻计，如何测量绝缘电阻(2023-05-23)
什么是超绝缘计/高阻计，如何测量绝缘电阻;想必大家对导体和绝缘体不会陌生，导体是指电比较容易流通的物体（金属等），绝缘体是指电比较难以流通的物体（橡胶或塑料等），那大家知道什么是超绝缘计/高阻......
二极管反接有电压吗?二极管在电子电路中有哪些应用?(2025-01-13 18:54:45)
具有一个正极和一个负极，在正向电压下，正极变成了P型半导体，负极变成了N型半导体，使电流从正极流向负极。但是，在反向电压下，正极变成了N型半导体，负极变成了P型半导体，能够阻止电流通过。
那么反接二极管的原理是什么......
电气电工丰富自己知识储备，老师傅也不教的东西？(2024-11-25 19:10:01)
NPN 型三极管
：由两块 N 型半导体中间夹着一块 P 型半导体所组成，也称为 NPN
型晶体管。在电路中，当给基极（B）输入......
兼具高能量和高功率密度的无负极钠离子电池(2024-05-21)
了AFSDIB的循环寿命。
核心内容图1. 无负极钠基双离子电池（AFSDIB）（左）和传统的“摇椅”型无负极钠金属电池（右）示意图。在AFSDIB中应用了无溶剂化的PTPAn正极和亲钠的氮掺杂Al/N......
全产业链国产化才是全自主可控，新一代车规功率半导体初探(2023-11-23)
国产化人的不信任。”王学合如此强调道。
为什么做功率半导体？
王学合感慨道：“我们在汽车行业做了20几年，汽车剩下唯一没有国产化的就剩半导体了，其他如发动机、变速箱，包括......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
的工程师朋友们肯定想知道：在微观世界下，是什么之间的相互作用，导致了上述的结果呢？我们在这里抛砖引玉，尝试性的扒开微观世界的面纱，一瞥其神秘风采：
1.当Vgs=0时， P、N、N+ 掺杂层形成PIN二极管的结构，在外......
金宏气体：公司已规划了5个高纯氢气制造基地，总产能超1亿标方/年(2022-12-20)
断在电子、半导体产业应用领域深入拓展。作为工业气体中新兴门类的特种气体，日益成为电子工业生产中不可缺少的基础性原材料之一，被广泛应用于薄膜、刻蚀、掺杂、气相沉积、扩散等工艺。目前......
如何正确测量超绝缘电阻(2023-04-13)
如何正确测量超绝缘电阻;想必大家对导体和绝缘体不会陌生，导体是指电比较容易流通的物体（金属等），绝缘体是指电比较难以流通的物体（橡胶或塑料等），那大家知道什么是超绝缘计/高阻计吗？绝缘......
半导体制造工艺——挑战与机遇(2024-01-12)
促使行业可以持续发展和壮大。
概述
▲ 半导体晶圆制造的主要过程: 1）晶圆制备 2）图案转移 3）材质掺杂 4）沉积 5）蚀刻 6）封装
制造半导体的过程可以分为以下几个关键步骤。
第一步：晶圆制备
选择硅晶片作为半导体......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
、MOS管的构造
在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。
然后在漏极和源极之间的P型半导体......
信号发生器目前常见的类型都有哪几种(2023-03-23)
给大家介绍一下模拟信号产生设备，那么这种设备的话，产生的这些信号全部都是真实的，全部都是模拟信号，也就是说里面不掺杂一些数字化的东西。往往这种模拟信号同时也是一种混合的信号，因为......
cpu的nm级越来越小，为什么不通过增大面积来提高性能？(2017-06-20)
看貌似很有道理的样子，通过增大芯片面积，一个芯片中可以放下更多的晶体管，更多的晶体管可以实现功能更复杂，性能更高的芯片呢。为什么半导体行业却没有这么发展呢？
首先我们看一下，一颗......
解析韩国半导体产业辉煌至极的背后(2016-09-26)
解析韩国半导体产业辉煌至极的背后;韩国半导体的快速发展是按照循序渐进的方式，引进、合作、自主融合。内部技术与外部技术的整合，是韩国半导体能迅速崛起的一个捷径选择。
现在韩国半导体可谓是辉煌无比，可这辉煌背后又隐藏着什么......
乔治亚理工学院研究人员利用新型半导体取得计算突破(2024-01-15)
乔治亚理工学院研究人员利用新型半导体取得计算突破;亚特兰大 - 乔治亚理工学院的研究人员成功地创造了世界上第一块由制成的功能性。本文引用地址：这种......
国家终于出手！对涉哄抬芯片价格企业立案调查(2021-08-03)
另一个原因是造车规级芯片门槛很高，短时间内其他厂商无法快速通过认证，补上缺口。
而上游厂商的频繁涨价，已经传导至芯片制造领域。
据媒体不完全统计，自2021年第二季度以来，“（截止至6月10日）已有30多家半导体......
中国研发再突破，北大团队制备迄今速度最快能耗最低二维晶体管(2023-04-06)
工作突破了长期以来阻碍二维电子学发展的关键科学瓶颈，将n型二维半导体晶体管的性能首次推近理论极限，率先在实验上证明出二维器件性能和功耗上优于先进硅基技术，为推动二维半导体技术的发展注入了强有力的信心和活力。
封面......
美学者：半导体成中美竞争核心关切(2023-02-21)
的竞争也愈发激烈。美国历史学家克里斯·米勒在其近著《芯片战争》中回顾了半导体的历史，我们就当代半导体之争等问题听取了他的见解。
榊原谦问：您的著作描写了半导体的历史，在美国成为畅销书。为什么半导体......
曝韩国室温超导第一作者要求撤稿！有缺陷(2023-08-03)
镜下样品随着磁体的靠近和远离，不停地倒下或立起，无论S极还是N极都有效，即排斥和磁极无关，显现出抗磁性。
晚8点，知乎账号半导体与物理也更新了测试视频，并表示“抗磁，半悬浮”，与华......
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投入的资金也越来越多，像个无底洞一样？ 2、为什么网站改版了很多次还是没有效果？ 3、为什么很少有人访问我企业的网站？ 4、为什么客户总是不感冒我企业的网站？ 5、为什么在搜索引擎中很难找到我企业的网站？ 6
将光、
音频、压力等模拟信号还原成电脑可以识别的数码信号，或者起到将数码信号变成模拟信号的作用，混合信号
半导体具有同时处理模拟信号和数码信号的作用。
MagnaChip是一家综合型半导体
;武汉罗氏电子科技股份公司;;为什么个人不能注册啊
企业可以突破的地方在哪里？ 为什么你的公司赢利这么低？ 如何改变现状，突飞猛进？ 为什么给高薪水还是留不住人才？ 业务员素质管理培训如何开呢？ 网址：http://www.juzhihui.cn/
;第一家公司;;第一家公司 老板：兔兔，今天工作忙不忙？ 兔兔：不忙。 下班时老板对兔兔说：你明天不用来了。 兔兔：为什么？ 老板：因为你不能多为公司干事，所以才会不忙，公司
;苏州半导体有限公司;;什么都做
;成都恒大创新科技有限公司;;成立于公元2004年的恒大科技企业开始为一家小型半导体技术支持提供商,从高压非标电源技术开始,我们逐步发展融入到锂电池技术、 RFID 、AVR 、工控技术、光纤
;香袭人精油品牌;;什么牌子的精油好?最有效的去痘印方法，如何快速去痘，2010年淘宝网最有效的祛痘印产品排行榜，去痘印用什么精油?薰衣草精油祛痘，想知道薰衣草精油去痘印效果好吗？薰衣草精油去痘印为什么
;深圳市广睿哲电子有限公司;;成立于公元2004年的深圳市广睿哲电子有限公司开始为一家小型半导体技术支持提供商,从高压非标电源技术开始,我们逐步发展融入到锂电池技术、 RFID 、AVR 、工控
;珠海市矽格电子科技有限公司;;珠海市矽格电子科技有限公司座落于美丽的海滨城市珠海，公司由一群资深半导体器件工程师和应用工程师组成，立志于新型半导体器件的研发和应用推广，为客