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大牛多年研发电源问题汇总（受益匪浅）！(2024-11-14 22:46:54)
关键：
如何选择合适IC的开关频率？
主流IC的开关频率为什么是大概是这么一些范围？开关频率和什么有关，说的是普遍情况，不是想钻牛角尖好多IC还有什么不同的频率......
逆变器的逆变效率怎么提高，空间矢量脉宽调制(2024-09-10)
所选材料所采用的电流、电压及工艺有关。
IGBT损耗
可分为导通损耗和开关损耗。其中，传导损耗与内部电阻和通过元件的电流有关，而开关损耗与元件的开关频率和元件承受的直流电压有关。
电感损耗
可分......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
持续通过的最大电流。
4、集电极-发射极饱和电压UCE是IGBT在饱和导通状态下，集电极与发射极之间的电压降。该值越小，则管子的功率损耗越小。
5、开关频率在IGBT的使用说明书中，开关频率是以开通时间tON、下降时间t1......
变频器故障维修知识入门(2024-03-20)
于实际上因为设计上变频器的负载能力和散热能力一般比实际使用的要大，所以也要看具体应用。比方说在1500m的地方，但是周期性负载，如电梯，就不必要降容。
b、开关频率：变频器的发热主要来自于IGBT......
SiC功率器件崛起，新能源汽车迎来性能革命！(2024-03-19)
能源汽车中，IGBT主要应用于电机控制器、车载充电器（OBC）、DC/DC转换器等部件。
电机控制器：IGBT作为电机控制器的核心开关器件，能够实现对电动机的精确控制。通过调节IGBT的开关频率和占空比，可以......
800V电驱动系统解读(2023-08-16)
高电压压摆率下的电磁兼容性 (EMC) 以及噪声振动 (NVH) 问题。如图2所示，特别是较低的开关频率对 NVH 具有关键影响。EMC正好相反，较高的开关频率和压摆率会导致更多的干扰。
3. 对逆......
ADI分享电源技术三大发展方向(2023-10-13)
的同时，振铃减小，产生的EMI比较低，通过傅里叶变换的谐波分量也是会低很多。
另外因为开关频率很高，所以选用的磁性器件会比较小。这些纹波都跟开关频率非常有关系，像电感以及输出电容都能大大地降低尺寸。所以使得很高开关频率......
小公司应该这样去设计WIFI模组(2024-07-31)
的门路我们说道说道，WIFI电路在设计阶段，上面有很多关于RF的电路。这 些电路和整个电子制造都有关系。RF电路决定WIFI产品的性能。那它和什么有关系呢?首先它和PCB制版有关系，其次它和元件的摆放位置有关系......
电机驱动器输出滤波器的应用有哪些？(2024-04-29)
产生的声噪声主要有三个来源。
电机磁芯通过磁致伸缩而产生的磁噪声；
电机轴承产生的噪声；
电机通风所产生的噪音；
（2）当变频器控制电机时，施加给电机的脉宽调制（PWM）电压在开关频率和谐波（主要是开关频率的两倍）处产......
变频器出现漏电问题分析(2023-09-22)
机的三相定子绕组流过电流之后产生了旋转磁场，而根据电磁感应的原理，电动机的外壳就会产生感应电动势。此感应电动势的大小，就取决于变频器IGBT的开关频率的大小和C×DV/DT（与IGBT的开关的速度有关）。如果......
永磁同步电机控制系统仿真—逆变器模型（1）(2024-08-27)
中运行，而使用最基本的Simulink模块开发的模型不仅可以下载至CPU中运行，而且可以下载FPGA中运行。
随着SiC等器件的出现，电力电子系统的开关频率越来越高，自己......
电机用了变频器出现漏电是怎么回事?(2024-03-18)
机的三相定子绕组流过电流之后产生了旋转磁场，而根据电磁感应的原理，电动机的外壳就会产生感应电动势。此感应电动势的大小，就取决于变频器IGBT的开关频率的大小和C×DV/DT（与IGBT的开关的速度有关）。如果......
是时候从Si切换到SiC了吗？(2023-03-20)
可以提高开关频率，从而使电感元件更小、更轻，并最终降低成本，这是SiC MOSFET进入光伏逆变器的重要原因。几年前，SiC MOSFET开始应用在ANPC拓扑结构中，是1500V光伏......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
的击穿电场和更高的热导率，随着硅接近其理论极限，SiC在电力电子领域越来越受欢迎。碳化硅基MOSFET在损耗、开关频率和功率密度方面比硅基MOSFET更高效。
当人们尝试提高电动汽车的效率和续航里程，同时......
GaN正在加速电机驱动中的应用(2024-07-09)
DRV7308 GaN IPM可以将逆变器效率提高到99%以上，而传统的IGBT解决方案只能达到97%。
高功率密度：GaN器件允许更高的开关频率，减少了被动元件的尺寸，从而......
设计三相PFC请务必优先考虑这几点(2024-06-14)
技术而言，IGBT是速度较慢的器件。IGBT用于开关频率较低（几十kHz）的中。与MOSFET相比，当VCE(SAT)小于RDS(ON)×ID时，它们更适合用于非常高的电流。硅超级结MOSFET的使用频率......
什么是变频器（VFD）？(2024-04-11)
的优势在于，其设计更简单，在输入电压质量可变的情况下更加稳健，并且成本相对较低。然而，正如有人提到逆变器上 IGBT 的较高载波频率可能会导致问题一样，整流器前端的 SCR 频率较低也会导致问题。前端的这些较慢的开关频率......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
，对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）无法满足这些需求，如果是380V系统，硅耐压又不够，这就为宽禁带器件开创了新的机会。
2. 高速电机
由于拥有高基波频率，这些电机也需要高开关频率......
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著(2024-07-24)
师知道，高温是持久性能和可靠性的大敌。此外，高能效还能延长电动汽车续航里程，这是汽车制造商和消费者比较看重的价值主张。在16 kHz开关频率下，比较SiC与IGBT的结温，从低负载到满负载，显然SiC是赢......
低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求(2022-12-23)
推出的无基板Easy3B解决方案实现了全集成1500V 拓扑结构。该拓扑结构的额定电流达到400A，而杂散电感低至仅15nH。本文引用地址：
1.引言
提升开关速度、提高开关频率和......
Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究*(2023-01-28)
结果对比分析
以表2 中DCDC 工作参数为输入，建立以SiC(FF6MR12KM1) 和IGBT(FF200R12KE4) 模块为功率器件的两种仿真模型，通过PLECS 软件对不同开关频率......
WBG 半导体彻底改变汽车设计(2024-08-19)
，同时保持开关中的功率损耗相同。如您所见，有许多可定制的选项。
图 1：WBG 技术与工作频率和系统功率的关系(来源：意法半导体)
图 2：电动汽车系统中的 SiC 应用(来源：意法......
如何优化隔离栅级驱动电路?(2022-12-09)
用指南讨论了关键的设计标准，包括LED驱动、初始条件、最大开关频率和功率。
图1 FOD31xx框图
初始条件：器件启动
工作条件
在典型逆变器应用中有三个电源。第一个是逻辑电源(+3.3 V 或＋5 V 或＋10 V......
大功率芯片散热电动汽车电机控制器结构优化(2023-10-24)
采用三相桥式逆变电路的 IGBT系统，为保证最终输出波形能接近正弦波需要采用 PWM 高频开关，配合续流元件和平波电容从而实现波形整理。而传统硅 IGBT模块因工作温度导致的性能劣化且由杂波引起的稳定时间延迟导致系统开关频率......
碳化硅如何最大限度提高可再生能源系统的效率(2023-07-06)
和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是可再生能源系统等高功率应用的常用电源开关。图 1 展示了 SiC 电源开关和 IGBT 的典型开关频率和功率级别。两者均可适用于 1kW 及以上的功率级别。
图 1：电源开关......
GaN技术：挑战和未来展望(2024-05-20)
最重要的是，代表了扩大市场的新兴机遇。
01
电机驱动
由于其出色的特性，GaN 已被提议作为电机控制领域中传统硅基 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。GaN 技术的开关频率......
R型变压器220v和110v的电压有什么区别(2022-12-19)
大、功率大、频率低。弱电的处理对象主要是信息，即信息控制和传输。它的特点是低电压、低电流、低功率和高频率。需要考虑信息传输的效果，如信息传输的保真度、速度和可靠性。目前，许多开关电源输入设置为110v......
热泵及其谐波电流解决方案(2023-09-27)
FS3L35R07W2H5_C40两个模块可选，封装如图9，两个模块的区别是C56是焊接版本，C40是压接版本，其他参数都一样。模块内部IGBT采用35A的H5，可支持开关频率到40 kHz，输出功率8 kW左右......
异步DC-DC升压转换器还能实现低辐射吗？(2024-06-24)
体二极管导通，以防止潜在的击穿问题。如果同步开关在主开关能够完全关闭之前打开，则会发生击穿，导致输入或输出（降压或升压）直接对地短路。在高开关频率及最小和最大占空比限值下，死区时间控制会成为开关......
6.6 kW车载电动汽车充电器设计(2024-09-03)
更好的瞬态响应和简单的反馈回路设计
•具有双边缘跟踪的自适应同步整流控制
•闭环软启动，用于单调上升输出
•宽工作频率（39 kHz~690 kHz）
•提高轻载效率的绿色功能
•轻载时的对称PWM控制，以限制降低开关损耗的开关频率......
变频器和IGBT的基础知识(2024-05-30)
时间的限制。采用绝缘双极型晶体管IGBT时，开关频率可达10kHz以上，输出波形已经非常逼近正弦波，因而又称为SPWM逆变器，成为当前最有发展前途的一种装置形式。
电压型变频器结构框图：
电压......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
于第一代1200V，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化，如太阳能逆变器、ESS、UPS 和电动汽车充电桩等。帮助开发者提高开关频率和......
IR宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列(2014-05-15)
系数。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“经过扩充的600V沟道 IGBT系列可用于多种封装，这些坚固可靠的节能IGBT为设计人员提供了更多选择，并针对消费和工业应用进行了优化。”
新IGBT适用于宽泛的开关频率......
适用于高性能功率器件的 SiC 隔离解决方案(2023-08-21)
带中移动电子所需的能量可提供比相同封装规模的硅更高的电压性能。SiC 较高的工作温度和高导热性支持高效的热管理。许多开关电源应用正在采用 SiC 解决方案来提高能源效率和系统可靠性。
图 1：隔离式栅极驱动器的一般框图
电源中的高开关频率......
TI推出250W氮化镓IPM，比IGBT更小巧更高效(2024-06-26)
采用氮化镓技术，工程师可以实现 99%的驱动器效率，并改善系统散热，同时尺寸也可缩小55%。此外氮化镓器件实现了较低的死区时间和传播延迟，支持更高的PWM开关频率，从而减少听觉噪音和系统振动。”
早在......
是什么使SiC成为组串式逆变器的完美解决方案(2023-02-09)
中的损耗减半，并提供通常2%的额外能量和运行时间。对于类似的性能，SiC MOSFET的单位成本通常高于IGBT。但在系统层面上，硬件成本会大大降低，因为更高的开关频率允许使用更小、更便......
SaberRD基于JMAG电机模型的电动汽车动力系统仿真（二）(2024-01-09)
器和电机的损耗在查找表中被准确地计算出来。
*电机和逆变器的损耗是频率相关的(频率是逆变器的开关频率和电机的转子速度)。逆变器的损耗取决于温度，确保充分的电热耦合。然而，此时......
电感饱和与开关电源之间的密切关系(上篇）(2022-12-21)
度经久不衰。本文引用地址：
在通信领域中，通常将高频整流器称为一次电源，而将直流-直流(DC/DC)变换器称为二次电源。随着大规模集成电路的发展，要求电源模块实现小型化，因而需要不断提高开关频率和......
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场(2023-03-21)
应用能效，将主要用于能源基础设施应用，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、储能和电动汽车充电电源转换。
新的1200V沟槽型场截止（FS7）IGBT在高开关频率......
2月新品推荐：电源模块、IGBT单管、加速平台、热敏电阻、光电二极管(2021-02-26)
电压的CoolSiC™ Hybrid IGBT单管。新款器件结合了650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT及CoolSiC™肖特基势垒二极管的主要优点，具有出色的开关频率和更低的开关损耗，特别适用于DC-DC......
SiC，为何是大势所趋？(2023-04-25)
于系统节能的考虑，他们越来越倾向于使用 SiC-FET 进行设计。我们能做的事情还有很多。如果我们围绕 SiC-FET 进行系统设计，就可以在避免显著降低效率的情况下，提高开关频率，甚至......
安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场(2023-03-21)
和电动汽车充电电源转换。本文引用地址：
新的1200V沟槽型场截止（FS7）IGBT在高开关频率能源基础设施应用中用于升压电路提高母线电压，及逆变回路以提供交流输出。FS7器件的低开关损耗可实现更高的开关频率......
安森美开发IGBT FS7开关平台,性能领先,应用工业市场(2023-03-23)
型场截止（FS7）IGBT在高开关频率能源基础设施应用中用于升压电路提高母线电压，及逆变回路以提供交流输出。FS7器件的低开关损耗可实现更高的开关频率，从而减少磁性元件的尺寸，提高功率密度并降低系统成本。对于......
采用GaN电机系统提高机器人应用的效率和功率密度(2023-02-15)
成功的机器人应用，一个关键考虑因素是确保最佳电机驱动设计。就硅基（Si）电机驱动器而言，在效率和尺寸之间必须做出某种权衡。例如，较高的开关频率允许使用较小的无源元件，但会导致较高的功耗。业内......
安森美新一代混合功率模块探秘：平衡性能与成本的创新(2024-11-08 10:10)
管会采用不同的控制方式，有些位置处的器件需要做高频开关，因此需要采用低开关损耗的器件，如碳化硅二极管或碳化硅MOS，而有些位置处的器件运行于很低的开关频率，对开关损耗不敏感，IGBT就能胜任，类似这种应用场景，这种......
半桥逆变双极性SPWM分析与Mathcad建模(2024-08-05)
贝塞尔函可得谐波分布情况：
载波频率（开关频率）处及其附近的谐波（n=0,±2等），是主要谐波，计滤波器时主要考虑这些谐波。在所有谐波中，幅值最大的谐波出现在开关频率（n=1,k=0）处。2倍及以上倍开关频率......
电机控制中载波频率设定的五个因素(2023-02-03)
模块温升，这期主要讲讲与这几个因素有关的原因。
1载波频率与什么有关?
载波频率的选择与基波频率、硬件限制、谐波电流、内部软件的实现、功率模块温升有关：
1.1、基波频率：
由电机转速公式可以计算基波频率......
能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块(2023-10-20)
损耗和值 Etot 分别降低了9%，4%，3%，23%，极大地降低 IGBT 在高开关频率下的功率损耗。
图 5 IGBT模块在 150°C 的 开关特性（Eon+Eoff）
IGBT的折......
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
抗尖峰脉冲滤波器可以抑制环境噪声，从而使驱 动器输出看不到干扰。干扰抑制通常约为 20-30ns，相 应开关频率为 50MHz，该频率不接近于 IGBT 或 SiC MOSFET 应用的常见开关频率......
电感饱和与开关电源之间的密切关系（中）(2022-12-15)
模式电源控制运行的影响。本文引用地址：
那么，纹波网络会给迟滞控制模式下的开关频率带来什么样的影响呢？我们利用R&S的一系列测试仪器（示波器、电源、探头等）搭建......
相关企业
IKW40N120T2 两支替代一个50A1200V2单元的模块 同样可以使用IGBT提到mos，电压600v、1200v电流6A以上硬开关频率低于100K用IGBT具有高性价比 IGBT焊机
;IC IGBT;;没什么好写的
动电流型 KA3882/83更高的开关频率==更高的效率 以及优异的EASPFC+PWM组合IC ML4803 PWM+ZVS组合IC ML4822 六、韩国美格纳（原先的大卫DW品牌）的超
动电流型 KA3882/83更高的开关频率==更高的效率 以及优异的EASPFC+PWM组合IC ML4803 PWM+ZVS组合IC ML4822 六、韩国大卫（DW）的超快恢复二极管模块 300V
和销售. 目前, 我们的主要产品有：晶体谐振器（主要封装形式有: 43U, TO8和UM-1）、sensor及相关频率控制元器件。我们的产品均获得了河南省高新技术产品称号。特别是晶体谐振器，已占
为一体的企业.公司的技术人员具有丰富的行业经验,凭借强大的技术优势,推出优质电源产品,生产出AC/DC,DC/DC开关稳压电源,内部使用美国VICOR,日本LAMBDA电源模块,采用零电流,谐振变压开关技术,开关频率
焊机、HID、电动车控制器、开关电源、车载电源、软启动器、伺服电机、马达控制器、工控设备等行业提供全方位的服务。如果您有什么需求，欢迎来电洽谈，相信我们能给您最好最满意的服务！
动控制芯片是一款高效率LED 驱动控制芯片。输入电压范围为8VDC 至450VDC,可以以一定的开关频率控制外置MOSFET，开关频率最高可达300KHz，此开关频率可通过调节单个的下拉电阻实现。是一
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