资讯
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
，电子饱和漂移速率是硅的2倍，临界击穿场强更是硅的10倍。在硅基半导体器件性能已经进入瓶颈期时，碳化硅材料的优异特性让它成为了下一代功率半导体器件的理想原材料。
图1 4H型碳化硅......
意法半导体与 Soitec 就碳化硅衬底制造技术达成合作(2022-12-06)
动汽车芯片制造领域的重大变革，并树立新的行业标准。”
碳化硅是一种颠覆性的化合物半导体材料，拥有优于传统硅的特性，面向电动汽车和工业流程等领域的关键、高增长的功率应用，能够提供卓越的性能和能效。它可以实现更高效的电......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
，进而降低器件损耗。对于高压硅基功率器件来说，为了维持比较高的击穿电压，一般需要使用较低掺杂率以及比较宽的漂移区，因此漂移区电阻在总电阻中占比较大。碳化硅材料临界电场强度约是硅的10倍......
碳化硅和IGBT并行不悖，新能源汽车功率器件怎么配？(2023-04-05)
能源车中的核心地位开始被动摇。
据Qorvo高级现场支持工程师周虎介绍，碳化硅之所以在新能源汽车中更被看好，源于其独有的技术特性。碳化硅器件导通后的特性类似于电阻，且导通阻抗相比硅基IGBT更低，其损......
天岳先进官宣：液相法P型碳化硅衬底成功交付(2024-11-07)
展进程，实现高端特高压功率器件国产化。
据介绍，针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题，天岳先进布局液相法技术，在2023年公......
深入了解Soitec的SmartSiC技术(2023-09-12)
首次展示了其衬底的“典型”值，如下图所示。据此，典型的多晶碳化硅电阻率为 2.5 mOhm-cm，具有键合界面在电阻率上增加 10 µOhm-cm2。他们还表示，高掺杂几乎消除了接触电阻，将其......
Soitec 携手美尔森，为电动汽车市场开发多晶碳化硅衬底(2021-12-08)
球电力和先进材料领域专家美尔森达成战略合作，携手为电动汽车市场开发多晶碳化硅（poly-SiC）系列衬底。
Soitec 和美尔森在衬底和材料领域有着深厚的积淀。双方将携手开发具有极低电阻率的多晶碳化硅衬底，借助 Soitec 的......
碳化硅太贵用不起？特斯拉宣布“减少75%SiC用量”背后(2023-03-03)
不仅昂贵，而且晶圆尺寸很难扩展，担心碳化硅器件的产能供应会很难跟上他们汽车销量的步骤，所以特斯拉认为有必要减少碳化硅的用量。他们明确表示是通过进一步的优化功率模块设计，从而实现碳化硅器件用量的减少。
但是......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
的阈值电压由衬底材料和栅材料功函数的差异决定的，多晶硅很好地解决了CMOS技术中的NMOS和PMOS阈值电压的调节问题。如图1.13（b）所示，是多晶硅栅的MOS管结构图。
多晶硅栅的缺点是电阻率高，虽然可以通过重掺杂来降低它的电阻率......
8英寸碳化硅时代呼啸而来！(2024-09-09)
体具备优良的均匀性和低缺陷密度，直径达到200毫米标准，电阻率和晶向均符合高端应用要求。
据悉，该晶体的制备使用了上海汉虹自行研发制造的碳化硅长晶炉，采用上进料方式和自动化控制，通过......
意法半导体与 Soitec 就碳化硅衬底制造技术达成合作(2022-12-05 15:35)
的 SmartCut™ 技术，可以剥离出高质量的碳化硅供体晶圆薄层，并将其键合到低电阻率的多晶硅操作晶圆上，助力改进器件的性能和生产良率。此外，优质的碳化硅供体晶圆可被多次重复利用，进而......
意法半导体与 Soitec 就碳化硅衬底制造技术达成合作(2022-12-05)
的 SmartCut™ 技术，可以剥离出高质量的碳化硅供体晶圆薄层，并将其键合到低电阻率的多晶硅操作晶圆上，助力改进器件的性能和生产良率。此外，优质的碳化硅供体晶圆可被多次重复利用，进而......
意法半导体与 Soitec 就碳化硅衬底制造技术达成合作(2022-12-05)
的 SmartCut™ 技术，可以剥离出高质量的碳化硅供体晶圆薄层，并将其键合到低电阻率的多晶硅操作晶圆上，助力改进器件的性能和生产良率。此外，优质的碳化硅供体晶圆可被多次重复利用，进而......
吉时利四探针法测试系统实现材料电阻率的测量(2023-05-25)
吉时利四探针法测试系统实现材料电阻率的测量;电阻率是决定半导体材料电学特性的重要参数，为了表征工艺质量以及材料的掺杂情况，需要测试材料的电阻率。
四探针法是目前测试半导体材料电阻率的常用方法，因为......
Soitec 发布首款 200mm SmartSiC™ 优化衬底，拓展碳化硅产品组合(2022-05-06)
(Bernin 4) 的建设，用于生产 150mm 和 200mm 的 SmartSiC™ 晶圆，贝宁 4 号预计将于 2023 年下半年投入运营。
Soitec 独特的 SmartSiC™ 技术能够将极薄的高质量碳化硅层键合到电阻率极低的多晶碳化硅......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2023-01-03)
导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温下使用，甚至超过 200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻，这是高压功率器件的关键因素。本文引用地址：
一、前言......
800V高压系统及其系统架构分析(2024-10-28 08:14:14)
具备在高温下稳定工作的能力；碳化硅的电场强度是硅的15倍，使其导通阻抗低，导通能耗降低；碳化硅的电子饱和率是硅的2倍，可以有更快的开关速度，开关能耗降低；碳化硅的导热系数是硅的3.5倍，带来更好的散热性能（见图1......
安森美碳化硅专家点评平面和沟槽之争，以及碳化硅的成功之道(2024-09-14)
一旦栅极氧化层暴露在磁场、电场中的话，会降低使命寿命导致失效。具体而言，由于材料的不同，碳化硅沟槽型结构并不能完全复制硅。硅的电场强度只有200-300kV/cm水平，而碳化硅的峰值电场将达到3000kV/cm......
碳化硅芯片是否即将主宰市场？阿斯麦脸色不再重要！(2023-09-04)
芯片在一些极端环境中的应用具备了无可比拟的优势。
碳化硅芯片在高温环境下还具有较低的功耗和高效的工作性能。高温下电子迁移的问题导致传统芯片的功耗增加，性能下降，并且可能导致芯片的快速老化。而碳化硅芯片不仅具备较低的电阻率......
电动汽车市场催生碳化硅新前景(2024-01-02)
器控制单元等高温应用来说非常重要。
高效能量转换：碳化硅的导通电阻很低，可以有效降低能量损失。在电动汽车的电机控制器、车载充电器等应用中，使用碳化硅可以显著提高能量转换效率，从而增加电动汽车的续航里程。
快速......
全球有多少座8英寸碳化硅厂？(2024-10-10)
导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通，产品在微管密度、电阻率等关键性能指标上表现优异；9月2日天岳先进表示，在8英寸碳化硅衬底上，公司率先实现了自主扩径，完成从8英寸......
理想率先迈入补能“5G时代”，碳化硅的春天来了？(2023-06-24)
器件，管理从电池到电机的电力传输。今年1月份，梅赛德斯-奔驰确认，未来电动汽车将用上碳化硅器件。
毋庸置疑，这是碳化硅的高光时代，且当之无愧。
从市场来看，SiC功率......
应用材料公司全新技术助力领先的碳化硅芯片制造商，加速向200毫米晶圆转型并提升芯片性能和电源效率(2021-09-11)
900 3D热离子注入系统可向200毫米和150毫米碳化硅晶圆注入和扩散离子，
产生的电阻率仅为室温下注入的四十分之一
应用材料公司的ICAPS（物联网、通信、汽车、功率和传感器）事业......
什么是800V高压系统?800V高压系统的驱动力和系统架构分析(2023-07-10)
3倍，使其具备在高温下稳定工作的能力；碳化硅的电场强度是硅的15倍，使其导通阻抗低，导通能耗降低；碳化硅的电子饱和率是硅的2倍，可以有更快的开关速度，开关能耗降低；碳化硅的导热系数是硅的......
华人科学家发现立方砷化硼，或是迄今“最佳”半导体材料(2022-07-25)
空穴迁移率较差，而其他材料如砷化镓，同样具有良好的电子迁移率，但对空穴不具有良好的迁移率。
研究负责人表示，许多电子产品的主要瓶颈在于热量，尽管碳化硅的电迁移率较低，但其热导率是硅的三倍，因此碳化硅......
全球有多少座8英寸碳化硅芯片厂？(2024-10-10 12:57:53)
。
今年以为我国碳化硅衬底市场动态频频， 9月10日宁波合盛新材宣布其8英寸导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通，产品在微管密度、电阻率......
RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用(2022-12-30)
导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温下使用，甚至超过 200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻，这是高压的关键因素。
二、碳化硅......
研究人员成功创建了世界上第一块由石墨烯制成的功能性半导体(2024-01-04)
一种称为掺杂的技术，用于查看该材料是否是良好的导体。这种方法在不损害材料或其性质的情况下奏效。
该团队的测量显示，他们的石墨烯半导体的迁移率是硅的10倍。换句话说，电子以非常低的电阻移动，这在......
浙大联合实验室制备出厚度达100 mm碳化硅单晶(2024-05-04)
加工而得的衬底片的结果显示，该超厚碳化硅单晶具有单一的4H晶型（图2a）、结晶质量良好（图2b），电阻率平均值不超过∼ 30 mΩ·cm。
source：先进......
继安森美等碳化硅收购案后，又有2家碳化硅企业被收购(2021-12-03)
级技术顾问。
此外，Soitec同日宣布，公司已与电子电力和先进材料的供应商Mersen建立战略合作关系，为电动汽车市场开发新型多晶碳化硅衬底系列。
据了解，由Soitec和Mersen联合开发的极低电阻率聚碳化硅......
性能比硅优越的半导体材料，立方砷化硼取得研究进展(2022-07-25)
洞迁移率较差，此外硅的导热率表现不佳，而“发热”是许多电子产品的主要瓶颈，也因此碳化硅正在逐渐取代硅（包括特斯拉在内的电动车），尽管碳化硅电子移动率（electron mobility）较低，但导热率是硅的......
浙大联合实验室制备出厚度达100 mm碳化硅单晶(2024-05-05)
浙大联合实验室制备出厚度达100 mm碳化硅单晶;近日，杭州科创中心官微发文称，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室（简称联合实验室）首次生长出厚度达100......
碳化硅市场快速崛起，IDM和代工厂加快布局，产业链打响“最后的战役”(2023-01-24)
业体系中不可或缺的核心半导体产品。新能源汽车的快速增长为功率器件带来了广阔的发展空间。
碳化硅MOSFET替代硅基IGBT是大势所趋。SiC-MOSFET具有导通电阻......
全球加速碳化硅产能扩充(2024-03-18)
全球加速碳化硅产能扩充;受惠于下游应用市场的强劲需求，碳化硅产业正处于高速成长期。据TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主......
特斯拉一句话，断了「碳化硅」活路？(2023-03-03)
总产能。
另一方面，碳化硅成本仍很高。据了解，从全生命周期的角度来看，碳化硅的应用具有较高的性价比，单价成本虽然会上升，但系统成本将会大幅下降。不过，短期......
安森美加速碳化硅创新，助力电气化未来(2024-11-20 17:39)
安森美加速碳化硅创新，助力电气化未来;
一直以来，硅是半导体行业的主要材料，从微处理器到分立功率器件，无处不在。随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展，硅的局限性变得越来越明显。这时......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
将具有更大的反向恢复电流。半导体切换到高频的能力与其饱和漂移速度成正比：碳化硅和氮化镓的漂移速度是硅的两倍。结果，后者可以安全地以更高的频率运行。此外，更高的饱和漂移率相当于更快地去除电荷;这导......
天岳先进：拟募资3亿投资8英寸车规级SiC衬底制备技术提升项目(2024-07-10)
相关发行费用后的募集资金净额将用于投资8英寸车规级SiC衬底制备技术提升项目。
预案显示，本次项目主要研发方向包括SiC生长热场仿真、SiC单晶应力控制、SiC单晶微缺陷控制、导电型SiC电阻率控制等。天岳先进本次募资的3......
碳化硅厂商，忙得不亦乐乎(2024-07-24)
大厂又拿下一单
根据介绍，安森美（onsemi）与大众汽车集团签署了一项多年期协议，成为其可扩展系统平台（SSP）下一代主驱逆变器的主要供应商，提供完整的电源箱解决方案。该解决方案在集成模块中采用了基于碳化硅的......
四种可以增强未来航天器电子设备辐射的技术了解一下(2024-10-24 10:28:04)
是下一代抗辐射技术的指南。
碳化硅的超宽带隙
中佛罗里达大学的研究员Enxia......
车规级功率器件需求只增不减，国内外企业纷纷瞄准碳化硅扩产(2023-08-09)
甚至1200V整车平台，带来更强的电气化功能支持以及更优的能耗；轻量化，尺寸可大幅减小至原来的1/10，因此功率模块体积更小、更紧凑。
更进一步来说，碳化硅的......
2023，碳化硅大厂很忙(2023-02-20)
表示，罗姆与吉利汽车集团建立了战略合作伙伴关系。作为首次成果，采用了罗姆碳化硅的电控系统已被应用于目前吉利正在开发的纯电动平台。此外，罗姆与北汽新能源、联合汽车电子以及臻驱科技分别建立了碳化硅联合实验室。利用罗姆的碳化硅......
博世将以15亿美元收购TSI半导体以促进芯片在美国生产(2023-04-27)
收购包括在未来几年投资15亿美元，以升级TSI半导体在加州Roseville的生产设施。从2026年开始，第一批芯片将在基于碳化硅的200毫米晶圆上生产。
在美......
博世将以15亿美元收购TSI半导体以促进芯片在美国生产(2023-04-27 10:33)
收购包括在未来几年投资15亿美元，以升级TSI半导体在加州Roseville的生产设施。从2026年开始，第一批芯片将在基于碳化硅的200毫米晶圆上生产。在美......
国家队加持，芯片制造关键技术首次突破(2024-09-02)
区中，流过时会产生JFET效应，增加通态电阻，且寄生电容较大。
平面型与沟槽型碳化硅MOSFET技术对比
来源：头部大厂结构图
沟槽型结构是将栅极埋入基体中，形成垂直沟道，特点......
罗姆持续发力碳化硅 第4代产品优势突出(2023-02-22 10:15)
率半导体厂商代来了全新的发展机遇。近年各大厂商都纷纷投入碳化硅扩产。而罗姆早在2000年就投入了碳化硅的研发，如今已成为引领该领域的佼佼者。近日在罗姆媒体发布会上，罗姆半导体（上海）有限......
马斯克“推倒”的碳化硅，被雷军“扶”正？(2024-04-11)
合越多，业内对碳化硅的关注度也就越深。
甚至就在事件发酵次日（4月9日），已有投资者在投资问答平台询问相关产业链公司：“贵司的碳化硅生产设备以及碳化硅产品有应用在小米汽车上吗？”这一次，在舆论上沉寂已久的碳化硅......
碳化硅SIC将会发力电动汽车？(2024-03-07)
方法并不可行。CZ 生长在二氧化硅坩埚中将硅在约 1500°C 的温度下熔化，但碳化硅的熔点高于 2700°C。
SiC 晶体通常通过Lely 方法生长。SiC 粉末在氩气气氛中加热到 2500°C 以上，并升......
电机碳化硅技术指标是什么 碳化硅国家技术标准介绍(2023-02-02)
。包括β-SiC结 合碳化硅和重结晶碳化硅。
4.渗硅反应烧结碳化硅。由碳化硅和游离硅组成的一种碳化硅质I程陶瓷材料。
碳化硅国家标准
1.碳化硅的理化性能我国国家标准GB2480-1996......
晶振为什么没有封装进STM32芯片内部？(2024-08-27)
，有人异想天开，如果能将晶振电路封装到IC芯片(如时钟芯片)内部将是多么完美，就如同有源晶振在无源晶振的基础内置振动芯片，就无需外部的电容电阻等元器件了。
但实际出于各种原因，晶振并没有内置到IC芯片......
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风景秀丽，气候宜人，名胜古迹荟萃，是山东省著名的旅游城市，309国道和胶济铁路横贯东西，济青高速和东青高速从此交汇，交通四通八达，十分方便。本公司成立于2007年是一家专业从事加工硅片用碳化硅、切割液分离加工和其它电子材料分离技术的电
;唐山德意陶瓷制造有限公司;;唐山恒通碳化硅有限公司（唐山德意陶瓷制造有限公司）成立于 2000 年 10 月 1 日，位于唐山市高新技术开发区。公司是由多名青年科技专家投资兴建，集科
;江白电子有限公司;;我公司成立于2002年，主要经营半导体单晶硅的开发、研制、加工、研磨、抛光、扩散等业务。产品质量有保证。现公司有大量半导体单晶硅扩散片，电阻率15---60之间，厚度在260
;江苏环能硅碳陶瓷有限公司;;泰州市环能硅碳棒制造有限公司是一家专业生产碳化硅制品企业，公司致力于研发高性能硅碳棒及碳化硅陶瓷，并与高等科研所合作开发新型高温电热元件，是一
;淄博兴德碳化硅有限公司;;本公司目前致力于开发｜磁性材料炉用推板 碳化硅莫来石结合新型耐火材料
;枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司;;碳化硅 枣庄市鑫阳磨料磨具有限责任公司 地址：山东省滕州市经济工业园区 电话：0632－5883388 5883366 传真：0632－5883366 电子
和销售于一体的综合性企业。公司专业生产刚玉、碳化硅，刚玉莫来石耐火材料，产品广泛应用于磁性材料厂、陶瓷厂和玻璃窑炉等行业。现主要产品有：规格为25KG-1T的刚玉-碳化硅坩埚、浇口；粉体煅烧匣钵；氧化
;苏州英能电子科技有限公司;;苏州英能电子科技有限公司，成立于2011年5月，是一家专注碳化硅二极管研发、生产、销售的半导体制造公司，其以优秀的归国博士团队为基，与浙江大学电力电子中心密切合作，引进国外碳化硅
;潍坊通用工程陶瓷有限公司;;潍坊通用工程陶瓷有限公司是一家专业从事研究、生产、销售真空反应烧结碳化硅制品的股份制高新技术企业。本公 司引进德国真空反应烧结碳化硅生产工艺和软件技术，拥有
;山东天岳先进材料科技有限公司;;山东天岳先进材料科技有限公司是专业从事蓝宝石和碳化硅单晶生长加工的高新技术企业。公司的主要产品有2-6英寸蓝宝石和2-4英寸碳化硅单晶衬底，其产