资讯
永磁同步电机控制系统仿真—PWM比较器的Simulink模型(2024-08-30)
相两电平逆变器的波形。
输入的是三相的正弦波信号，三角载波与正弦信号波进行比较，当正弦信号波的值大于三角载波的值，输出“1”，否则，就输出“0”；PWM比较器一共生成6个PWM信号，控制6个IGBT的开通和关断。PWM比较......
主要讨论PWM比较器的Simulink模型(2024-08-23)
的是三相的正弦波信号，三角载波与正弦信号波进行比较，当正弦信号波的值大于三角载波的值，输出“1”，否则，就输出“0”；PWM比较器一共生成6个PWM信号，控制6个IGBT的开通和关断。PWM比较器输出“1”控制IGBT......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
是IGBT栅极与发射极之间允许施加的最大电压，通常为20V。栅极的电压信号控制IGBT的导通和关断，其电压不可超过UGE。
3、集电极额定电流IC是IGBT在饱和导通状态下，允许......
如何测量功率回路中的杂散电感(2024-03-19)
出了Infineon 62mm模块的双脉冲测试结果。
图4 62mm IGBT模块内部寄生电感测试方法
图5 62mm IGBT模块的开通和关断测试波形
在开通瞬态和关断瞬态，上都会产生电压降，那么究竟是选择开通还是关断......
永磁同步电机控制系统仿真—逆变器模型（1）(2024-08-27)
Module中的FS820R08A6P2B的Datasheet为例，理解IGBT（MOSFET类似）的哪些特性是可以实时仿真的，哪些是很难实时模拟的。
客户经常会问，我希望仿真器件开通和关断......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
和源极的两个沟道电阻之和即为MOSFET 饱和时的通态电阻。
七、功率MOSFET的开通和关断过程原理
(1)开通和关断......
详解电机控制中的电压重构(2024-07-26)
空比发生变化；
2、IGBT导通和关断延迟影响：
IGBT硬件本身的开通延迟和关断延迟造成了PWM波占空比发生变化；
3、管压降影响：
IGBT导通管压降和续流二极管管压降造成了PWM波幅......
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算(2023-02-20)
组成部分
根据电路拓扑和工作条件，两个芯片之间的功率损耗可能会有很大差异。IGBT 的损耗可以分解为导通损耗和开关（开通和关断）损耗，而二极管损耗包括导通和关断损耗。准确......
如何手动计算IGBT的损耗(2023-02-07)
耗可以分为开关损耗和导通损耗，其中开关损耗又分为开通和关断两部分，下面我分别来看一下各部分的计算推导过程。
开关损耗-开通部分
我们先来看一下理想的IGBT开通波形：
我们......
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化(2023-08-29)
到广泛应用，因此东芝发布了业界首款2200V产品。
MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）[2]。此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mJ......
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高(2023-08-29)
值）的低漏极-源极导通电压（传感器）[2]。此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3]，与典型的硅（Si）IGBT相比降低了约90%[4]。这些......
车载OBC的发展趋势(2023-05-04)
设计方案
为什么选择SIC器件？
可以改善电路的性能，提升LLC电路的工作效率，增强可靠性，减少开通和关断时间，增强电路抗扰性能；
在户口使用时，OBC已经有所应用，直接便携式可以携带，如下所示
其中有采用的参考方案
......
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-22)
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器;新型驱动器可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能
美国伊利诺伊州芝加哥，2024年5......
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-23)
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器;可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能Littelfuse宣布......
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-26)
栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
可提供量身定制的导通和关断时序，将开......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
态特性一般用不到，暂时不用考虑，重点考虑动态特性（开关特性）。动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取：
的开通过程
IGBT 在开通过程中，分为几段时间1.与MOSFET类似的开通过程，也是......
东芝开发出首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化(2023-08-29 15:34)
产品。MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）[2]。此外，它还具有较低的开通和关断损耗，分别为14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
它更适合电机驱动应用？
首先，从开关特性角度看，功率器件开关损耗分为开通损耗和关断损耗。
关断损耗
IGBT是双极性器件，导通时电子和空穴共同参与导电，但关断时由于空穴，只能通过复合逐渐消失，从而......
测试系统数字稳压电源的实现(2023-01-11)
测试系统数字稳压电源的实现; 引 言
直流稳压电源是一种比较常见的电子设备，一直被广泛地应用在电子电路、实验教学、科学研究等诸多领域。数字稳压电源是用脉宽调制波(PWM)来控制MOS管等开关器件的开通和关......
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块(2023-08-29)
东芝发布了业界首款2200V产品。
MG250YD2YMS3具有低导通损耗和0.7V（典型值）的低漏极-源极导通电压（传感器）[2]。此外，它还具有较低的开通和关断......
MOSFET驱动电路中的误开通咋应对？(2024-12-30 14:11:28)
MOSFET驱动电路中的误开通咋应对？;
MOSFET是一种受门极电压控制的开关。
当门极电压大于开通阈值时， MOSFET就会被开通；当门极电压低于开通......
Qorvo E1B SiC模块：成就高效功率转换系统的秘密武器(2024-06-20)
关和软开关之间的主要区别在于，软开关减少或消除了功率晶体管在开通和关断阶段默认电压及电流条件下的损耗。图1展示了一个零电压开通（ZVS）技术的典型示例；其用于消除开通时的开关损耗。在电源开关中，其余的主要损耗包括传导损耗和关断时的开......
分享一个PMOS的电路设计，详细解析电路中各个元器件的作用(2024-09-20 13:53:37)
管，Q2为PMOS管，MCU通过高低电平控制三极管Q1的导通和关断。
当Q1关断时，由于电阻R没有电流流过，A点的电压等于Vin，也就是说Q2的栅极电压VG等于Vin，此时Q2的源极电压VS也等......
两个IGBT为什么会出现同时导通的情况呢？(2024-07-02)
关典型参数；
典型参数
：门极的开通延迟时间
：门极的关断延迟时间
：门极上升时间
：门极下降时间
下面是一个IGBT的数据手册；
IGBT
下图是IGBT的开关属性，同样可以找到，，，等参数，下面......
低电感ANPC拓扑结构集成新型950V IGBT和二极管技术，满足光伏应用的需求(2022-12-23)
件下测得。所使用的RG值是根据上述VCE,peak和dv/dtmax限值推导得出。
图3.当VDC=750V和Inom=400A时，IGBT（左侧）和二极管（右侧）的开关损耗。对于T7，开通和关断......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
电阻的大小影响开关速度，即后边介绍的开通关断时间，进而影响IGBT的开关损耗，datasheet上驱......
变频器和IGBT的基础知识(2024-05-30)
动原理与电力MOSFET基本相同，它是一种压控型器件。
开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的，当UGE为正且大于开启电压UGE（th）时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流使其导通。
当栅......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片(2024-06-24)
启电压，将会使已关闭的功率器件出现误开通现象，从而造成直流母线短路。为减少误开通的风险，传统的硅MOSFET和硅IGBT通常在驱动电路中采取构建负电压关断的方法，负压绝对值越高，抑制误开通......
Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究*(2023-01-28)
损耗Pon和关断损耗Poff 三者之和。
通过器件手册可知，IGBT 模块中二极管的开关损耗主要为反向恢复损耗Prec ，而SiC 模块中的二极管损耗非常小，可以忽略不计。
为了......
非互补有源钳位可实现超高功率密度反激式电源设计(2022-02-23)
链路。InnoSwitch4-CZ IC包括两个专门用于ClampZero有源钳位非互补控制的引脚：用于开通和关断ClampZero开关的上管驱动(HSD)引脚，以及用于测量直流母线电压的V引脚。
图......
变频器输出电压的波形？如何通过脉冲调制技术来实对电机的控制？(2024-01-18)
栅双极晶体管）的交替开通和关断。IGBT是变频器中的关键元件，它们在脉冲波的产生和电机的控制中发挥着至关重要的作用。
变频器通过将正弦波转换为脉冲波，再通过SPWM技术实现对电机的精确控制，展示了电力电子技术和控制......
英飞凌推出2300 V隔离EiceDRIVER™ 2L-SRC 紧凑型栅极驱动器(2021-06-08)
/dt，以期达到满足相应EMI要求下整体开关损耗降低的目的。
米勒钳位
处在上下桥结构中的两个IGBT，一般总是交错导通，如果同时导通会发生桥臂直通的短路，引起炸机。当其中一个管子工作在关断状态下，而另一个由于经过开通......
IGBT驱动到底是做什么的?(2023-08-21)
电子脉冲。高电平来临时，器件开通；低电平来临时，器件就关断。手动操作开关，可能一秒钟一两次，而我们的电子开关，一秒钟可以开关上万次，几十万次。
那么这时候问题来了：控制IGBT电子脉冲从哪儿来？
有的......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
的各种特性，其中有些参数是互相矛盾的。例如：降低导通损耗、降低开通和关断损耗、优化器件开关的特性、提高电流密度、提升耐压等级、减少半导体材料（同等电压和电流能力下，减少芯片厚度和面积）、提升......
安森美引领行业的 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具的技术优势(2023-06-21)
Eon 损耗几乎翻倍。
图 6.开关电感寄生电容对导通和关断损耗的影响
在“降压”型电路上也会有一样的结果或效应。考虑到输入和输出端有一个大的去耦电容器，电容（CIN、COUT 和......
用好氮化镓不止需要功率器件，驱动一样值得注意(2024-03-25 14:36)
驱动器的损耗为了跟上超过 1 MHz 的快速开关频率，如上所述，LT8418 泵出 4 A 的峰值拉电流和 8 A 的灌电流，以实现 GaN 功率场效应管的快速开通和关断。Analog Devices 表示，该栅......
用好氮化镓不止需要功率器件，驱动一样值得注意(2024-03-22)
历的功率损耗以及产生的热量。
LT8418 是一款具有独立导通和关断路径的分离栅极驱动器。 Wu 表示，这样做可以调整 GaN 功率 FET 的开启和关闭压摆率，以限制振铃并减少电磁干扰 (EMI)，EMI会在......
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
没有负压，或者开关速度过快，米勒电容可能会导致寄生导通。如下图，两个IGBT组成一个半桥，上下管交替开通关断，两个管子不允许同时导通，否则不仅会增加系统损耗，还可能导致失效。当下管IGBT开通时，负载......
变频器主回路中驱动电路和保护电路设计(2023-08-25)
以采用桥式驱动电路：
桥式驱动每路只需要单电源供电，无需提供负偏反压，关断期间H桥本身在IGBT的GE之间产生了一个15V的负偏。主要缺点是该电路元件较多，焊接比较麻烦，这对可靠性有一定影响，而且关断期间负偏和开通期间的开通......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
较好地解决了大电流、高耐压的矛盾。目前该器件已达到4.5kV /1kA的水平。
11.MOS门控晶闸管
MOS门极控制晶闸管充分地利用晶闸管良好的通态特性、优良的开通和关断特性，可望具有优良的自关断动态特性、非常......
Vishay推出通过AEC－Q102认证，负载电压达100 V的业内先进的1 Form A固态继电器(2024-10-22 13:16)
Vishay推出通过AEC－Q102认证，负载电压达100 V的业内先进的1 Form A固态继电器;车规级器件采用节省空间的SOP-4封装，典型导通和关断时间为0.1 ms，达到......
Vishay推出负载电压达100 V的业内先进的1 Form A固态继电器(2024-10-23)
薄型SOP-4封装，典型导通和关断时间达到业内出色的0.1 ms，工作温度可达+125 °C。
车规级器件采用节省空间的SOP-4封装，典型导通和关断时间为0.1......
如何实现纯电动汽车电机驱动系统三相线滤波磁环的设计？(2023-11-09)
车用硅基 IGBT 的工作频率一般为10kH，同时由于电路中杂散电感等寄生参数的存在，IGBT 在开通和关断 瞬间会产生较高的du/dt 和 di/dt，如图 1(b)所示某款纯电动汽车用IGBT 模块......
如何实现纯电动汽车电机驱动系统三相线滤波磁环的设计(2024-01-25)
的工作频率一般为10kH，同时由于电路中杂散电感等寄生参数的存在，IGBT 在开通和关断 瞬间会产生较高的du/dt 和 di/dt，如图 1(b)所示某款纯电动汽车用IGBT 模块......
碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究(2023-05-04)
通态电流的增大,硅IGBT的开关损耗急剧增大,而与之相对的是碳化硅M0SFET的开关损耗增长幅度较小｡硅IGBT的关断损耗远高于碳化硅M0SFET是由于其存在拖尾电流;开通......
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
算驱动器可用的驱动电流，应使用施加的 栅极驱动电压和栅极电阻：
栅极电阻器控制器件的瞬态电压 (dv/dt) 和瞬态电流 (di/dt) 的速度，以限制开关噪声和开关损耗。对于功率 器件，上升时间、下降时间以及导通和关断......
碳化硅模块提高电机驱动器的功率密度(2023-10-07)
道栅极驱动器拥有过流和极性反接保护特性以及板载的 2 W 隔离型电源，能够支持 80 kHz 开关频率。用户可配置的开通和关断栅极电阻可减少开关损耗。
该驱动器还具备可调过流检测特性，拥有软关断、欠压锁闭以及 PWM 输入......
宏微科技推出分别针对汽车800V平台和增程式混动的两款IGBT模块(2024-04-22 09:50)
优势：• 优化设计，提升PC的次数• 更低的开通电压拖尾时间，大幅降低开通损耗• 减小关断电流拖尾时间，大幅降低关断损耗总结：MMG600V120X6RS 是宏微科技针对当下汽车行业发展趋势，提升......
变频器和逆变器常用的驱动集成电路（一）(2024-04-02)
) 动态驱动能力强,能为 IGBT 栅极提供具有陡峭前后沿的驱动脉冲。当 IGBT 在硬开关方式下工作时,会在开通及关断过程中产生较大的开关损耗。
(2) 能向 IGBT 提供适当的正向栅压，一般取＋15V......
宏微科技推出分别针对汽车800V平台和增程式混动的两款IGBT模块(2024-04-25)
更低的开通电压拖尾时间，大幅降低开通损耗
减小关断电流拖尾时间，大幅降低关断......
相关企业
GTR模块双管驱电路 大功率可控模块 . 日本（东芝）IPM模块 东芝模块IPM 6管带驱动保护功能 IPM带控制控关断角. 日本（三菱）IGBT-IPM 三菱PIM模块 功率模块含驱动电路保护 IPM
;IC IGBT;;没什么好写的
、电子检测设备电源、控制设备电源等都已广泛地使用了开关电源，更促进了开关电源技术的迅速发展。开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关晶体管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关
）电子元件的推广，IGBT模块、SPM模块、IGBT单管、MOSFET、快恢复二极管、肖特基二极管、驱动IC、控制IC等全线无铅产品。我公司专业为UPS电源、逆变电源、变频电源、通信电源、逆变
焊机的工作原理: 电源供给：和场效应管作逆变开关的焊机一样，焊机电源由市电供给，经整流、滤波后供给逆变器。 逆变：由于IGBT的工作电流大，可采用半桥逆变的形式，以IGBT作为开关，其开通与关闭由驱动信号控制
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;洛阳星利达A;;液压关断门安装在渣井下部，其主要功能是在炉底除渣设备出现故障时，关闭关断门，通过渣井的有效储渣容积来临时储存炉底渣，避免因炉底设备故障出现不得不停机的事故。在有限时间内，对除渣设备进行临时抢修。
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