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电流下，Eoff仅为1.0 mJ。 模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直......
世界先进0.35微米650 V氮化镓制程正式量产;世界先进今（22）日宣布，其领先的八英寸0.35微米650 V的新基底高电压氮化镓制程（GaN-on-QST）已于......
电流下，Eoff仅为1.0 mJ。模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直接安装散热片，EMI......
。 模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直接安装散热片，EMI小，减少......
Bourns 推出首款650 V – 1200 V碳化硅肖特基势垒二极管; 【导读】美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，隆重宣布首款 650 V......
超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。首批采用TO-247封装的两款650 V N沟道功率MOSFET产品......
电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia丰富......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管; 【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower......
英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度;【2024年6月13日，德国慕尼黑讯】在技......
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其......
Technologies）选择了GaN来提高其 Gen5+ GaN Air DC-DC转换器的电源效率。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的CoolGaN™晶体管650 V能够......
CoolGaN™晶体管650 V能够在显著提升整体系统性能的同时，更大程度地降低系统成本并增加易用性。其帮助纬湃科技打造了新一代DC-DC转换器，并为电网、电源和OBC的功率密度(效率超过 96......
发需要更具成本效益的高性能功率电子器件。为此，英飞凌科技股份公司推出QDPAK封装，进一步扩展其650 V CoolMOS™ CFD7A产品阵容。与行业熟知的TO247 THD器件相比，采用QDPAK封装......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管;不断扩大的CFP功率二极管产品组合再添新产品2022年11月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下......
东芝推出具备650 V N沟道功率MOSFET，扩大功率MOSFET的产品线; 【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）推出了具备650 V N沟道功率MOSFET的......
点箝位（T-NPC）是一种3级拓扑结构，使用1200 V整流器（以双向形式用开关代替），中性点路径上有650 V开关背对背。I-NPC是一个3级架构，可能完全用650 V开关实现。650 V SiC......
大化可靠性。T-中性点箝位（T-NPC）是一种3级拓扑结构，使用1200 V整流器（以双向形式用开关代替），中性点路径上有650 V开关背对背。I-NPC是一个3级架构，可能完全用650 V开关实现。650 V......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管; 【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特......
英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件; 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650 V......
中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。首批采用TO-247封装的两款650 V N沟道功率MOSFET产品“TK042N65Z5”和......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管;合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率 奈梅亨，2023年4月20日：基础......
系列，进一步丰富了其氮化镓（GaN）产品组合。该产品系列包括CoolGaN™ Drive 650 V G5 单开关（集成了一个晶体管和栅极驱动器，采用PQFN 5x6和PQFN 6x8 封装）和......
发需要更具成本效益的高性能功率电子器件。为此，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出QDPAK封装，进一步扩展其650 V CoolMOS™ CFD7A产品阵容。与行业熟知的TO247 THD器件......
中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。首批采用TO-247封装的两款650 V N沟道功率MOSFET产品“TK042N65Z5”和......
V、540 V、650 V、750 V五种不同电压进行单独测试分析。 图1 驱动系统峰值外特性曲线 2   性能分析 2.1 扭矩特性分析 图2所示为MCU母线电压分别为340 V、480 V......
镓器件的供应商基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从......
全新650 V CoolMOS™ CFD7A系列为汽车应用带来量身定制的MOSFET性能;2020年5月8日，德国慕尼黑讯，为满足电动汽车市场的需求，英飞......
英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2; 【导读】在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能......
凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出QDPAK封装，进一步扩展其650 V CoolMOS™ CFD7A产品阵容。与行业熟知的TO247 THD器件相比，采用QDPAK封装......
Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管;奈梅亨，2022年11月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下......
需求以及更高要求的应用和相关特定客户需求的出现，促使英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品。现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM......
汽车水泵/汽车风机/汽车油泵专用车规级MCU案例展示;汽车水泵案例◆主芯片：LCA037BK32EU8 (QFN32+NN预驱)◆电压范围：DC 12 V；◆功率范围：10 ~ 650 W◆转速......
产品技术：CoolGaN™双向开关（BDS）和CoolGaN™ Smart Sense。CoolGaN™ BDS拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用......
 TOLT 封装的两个全新产品系列，扩展其 CoolSiC™ MOSFET分立式半导体器件 650 V产品组合。这两个产品系列基于CoolSiC™ 第2代（G2）技术，在性能、可靠......
Cambridge GaN Devices 携其首组商用产品（可持续性驱动的 650 V ICeGaN™ H1 系列）首次亮相 APEC;无晶圆厂半导体公司 Cambridge GaN......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管; 合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V......
英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度;在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求; 【导读】Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特......
Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET; 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650 V E系列......
Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET;第四代器件，提高额定功率和功率密度，降低导通和开关损耗，从而提升能效 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海......
产品系列，进一步丰富了其氮化镓（GaN）产品组合。该产品系列包括CoolGaN™ Drive 650 V G5 单开关（集成了一个晶体管和栅极驱动器，采用PQFN 5x6和PQFN 6x8 封装）和......
世界先进宣布0.35微米650V氮化镓制程迈入量产;　　近日，世界先进公司（世界先进积体电路股份有限公司）宣布，其领先的八寸0.35微米650 V的新基底高电压氮化镓制程（GaN-on-QST）已于......
推出各种创新应用。” 全新650 V G5系列适用于消费、数据中心、工业和太阳能领域的应用。该系列产品是英飞凌基于GIT的新一代高压产品。另一个采用8英寸工艺制造的全新系列是G3中压器件，覆盖了60 V......
英飞凌科技股份公司开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品。现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC™ MOSFET 400 V系列。全新MOSFET......
种情况下，降压- 升压转换器是最常见的双向DC-DC 拓扑，因为它需要的组件少且易于控制。在此类双向系统中，两个带有并联二极管的650 V IGBT 或MOSFET 就足够了。例如，安森美的650 V......
Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET;第四代器件，提高额定功率和功率密度，降低导通和开关损耗，从而提升能效日前，威世科技Vishay......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装 奈梅亨，2024年6月13日：Nexperia今天......
：IFX / OTCQX代码：IFNNY）开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品。现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC™ MOSFET......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性; 【导读】日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH......
家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN™ 650 V 氮化镓 HEMT H2 系列产品，该器......

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：497398414 Mail：http://hzqlcd@163.com。产品列表如下： CMO： LQ035NC111 INNOLUX：PT035TN01 V.3、AT043TN24 V.1/V.7
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;it2008;;诺基亚 N73 1350元诺基亚 N95 3100元诺基亚 N72 1000元诺基亚 6300 850元诺基亚 5300 Xpress Music 650元诺基亚 N70 950元
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;悠悠;;大功率红光芯片，650-660nm,1瓦做到10-20流明，正规品，包客诉，长期稳定供货，用于植物照明，医疗器械等！！
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;河北省泊头市精工机械量具有限公司;;主要产品包括：铸铁平板、铸铁平台、检验平台、划线平台、铆焊平台、钳工平台、工作台、平尺、方箱、V型架、V 型铁、直角尺、V型铁、桥尺、弯板、机床减震垫铁、调整
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;机械手-东莞市畅利莱机器人科技有限公司;;本公司在全国范围内专业为注塑生产工厂提高自动化生产能力,提高生产稳定性并减少人工数量真诚而服务!本公司产有八大系列,配备有旋臂式450/550/650
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;三晟v-cut设备制造厂;;本公司引进国内外先进技术，拥有PCB行业经验丰富的机械工程师，专业生产v-cut设备，v-cut刀，及相关的一系列产品，公司持续不断开发新款v-cut设备，有手