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下一代半导体：一路向宽，一路向窄(2021-09-28)
铝镓等，都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看，锑化物属于窄带半导体，而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。新一代半导体材料，将一路向宽，还是一路向窄？
超宽禁带半导体：“上天......
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~(2023-03-17)
硅片中制备出高质量的氧化镓外延片，标志着在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。
据悉，该研究成果出自西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队。
陈海峰教授表示，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
于2021年5月，专注于以创新技术制备氧化镓为代表的新一代半导体材料。
稍早之前，镓仁半导体宣布完成数千万天使轮融资。该公司是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发;近期，媒体报道进化半导体完成近亿元人民币融资。据悉，进化半导体是以国际首创无铱工艺制备超宽禁带材料氧化镓为特色的化合物半导体衬底企业，创立于2021年5月，专注于以创新技术制备氧化镓为代表的新一代半导体材料......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争;然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体材料——氧化镓（Ga2O3），并将其视为“替代碳化硅和氮化镓”的新一代半导体材料......
国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！(2024-09-14)
州富加镓业科技有限公司（以下简称：富加镓业）官微消息，富加镓业6英寸氧化镓单晶及外延片生长线于9月10日在杭州富阳开工建设。
资料显示，富加镓业成立于2019年12月，致力于超宽禁带半导体氧化镓材料......
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片(2023-03-13)
研究上取得重要进展。
据陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性，在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上......
抢占竞争制高点？国内氧化镓功率器件研发取得重要进展(2022-08-31)
器件的最高值。
氧化镓（β-Ga2O3）是超宽禁带半导体的典型代表，禁带宽度高达（~4.8 eV），临界击穿场强高达（~8 MV/cm），是研制高耐压、大功率和高效节能半导体器件的理想半导体材料......
特斯拉Model3搭载SiC，宽禁带半导体迎来爆发(2023-02-01)
射应用场景中尤其适用。GaN材料则更耐压、更耐热、更耐腐蚀，在发光器件中比较适用。基于性能上的明显优势，国内外相关企业都在积极发展宽禁带半导体材料。
放眼全球，目前，宽禁带半导体......
特斯拉 Model3 搭载 SiC，宽禁带半导体迎来爆发(2023-02-02)
相比，SiC 在禁带宽度等方面有明显优势，也更耐高温、更抗辐射，在大功率、高温、高辐射应用场景中尤其适用。GaN 材料则更耐压、更耐热、更耐腐蚀，在发光器件中比较适用。基于性能上的明显优势，国内外相关企业都在积极发展宽禁带半导体材料......
功率半导体，未来怎么卷(2023-09-06)
以锗和硅为代表；第二代以20世纪80年代和90年代相继产业化的砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）为代表；第三代以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表；第四代则是在2005年以后逐渐被重视的4eV以上的超宽禁带半导体材料......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
镓对市场需求产生的带动作用。
氮化镓适用于1000V以下的中低压的市场，碳化硅适用于650V以上的中高压市场。氧化镓作为一种新型超宽禁带半导体材料，虽然......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
特性会更优。
作为超宽禁带半导体材料的一种，氧化镓禁带宽度达到4.9eV，超过第三代半导体材料（宽禁带半导体材料）的碳化硅（3.2eV）和氮化镓（3.39eV）。更宽的禁带......
奥趋光电成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶(2022-12-23)
）
图二 奥趋光电制备的3英寸AlN单晶衬底样片
氮化铝（AlN）是极具战略意义的新一代超宽禁带半导体材料，具有超宽禁带（6.2 eV）、高热导率（340 W/(m∙K)）、高击穿场强（15.4 MV......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点，近年来业界热度一路飙升。然而，在宽禁带半导体材料发展势如破竹的同时，学术界和科研界不约而同地展望下一代半导体材料......
积塔/天岳/长电等参与，国内再添半导体产业基地(2024-04-01)
产业链联盟”。
宽禁带半导体也被称为第三代半导体，指的是以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料。近年来，随着新能源汽车、光伏、储能、5G通讯等产业快速发展，宽禁带半导体......
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破(2024-06-06)
铭镓半导体在氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破;据北京顺义消息，北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破，已领......
晶旭半导体与睿悦控股集团签署战略投资协议(2024-02-04)
司近期计划总投资16亿元，进一步向第四代超宽禁带半导体氧化镓材料及芯片产业升级发展。据悉，晶旭半导体正在建设30条以上超宽禁带半导体射频芯片和外延片生产线，产品聚焦5G/6G通讯、智能......
最新议程！| 2021碳基半导体材料与器件产业发展论坛(2021-04-13)
：金刚石半导体与器件
参考话题：（不局限于如下话题）
1、金刚石半导体对大单晶材料的要求
2、P型掺杂与N型掺杂
3、超宽禁带半导体金刚石器件研究
4、碳基芯片、散热器件、3D封装
5、微纳......
中国研发再突破！15亿美元的氧化镓市场如何引发多国博弈？(2022-05-12)
及其功率器件产业化的高新企业，专注于新型超宽禁带半导体材料氧化镓的高质量单晶与外延衬底、高灵敏度日盲紫外探测器件和高频大功率器件等产业化高新技术的研发。
目前，铭镓半导体已实现量产2英寸氧化镓衬底材料，突破4英寸......
多个百亿级项目加持，第三代半导体产业将添新高地？(2020-12-15)
、芯片、模组、封装检测及下游应用的全产业链格局。
山东济南
山东济南以宽禁带半导体材料（亦称第三代半导体）为重点发展产业，建设济南宽禁带半导体小镇。
2018年7月......
专注四代半，杭州镓仁半导体开业(2024-01-04)
专注四代半，杭州镓仁半导体开业;据萧山经开区消息，1月2日，杭州镓仁半导体有限公司正式开业。
资料显示，杭州镓仁半导体有限公司是一家专注于氧化镓等第四代超宽禁带半导体单晶衬底材料研发、生产......
完全自主产权 中国第四代半导体新突破！(2024-03-22)
镓因其优异的性能和低成本的制造，成为目前最受关注的超宽禁带半导体材料之一，被称为第四代材料。
该材料主要用于制备功率器件、射频器件及探测器件，在轨道交通、智能电网、新能源汽车、光伏发电、5G移动......
镓仁半导体新突破：6英寸铸造法氧化镓单晶产业化(2024-03-25 14:52)
英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片，成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。氧化镓(β-Ga2O3) 是目前最受关注的超宽禁带半导体材料......
合盛硅业：子公司成功研发碳化硅半导体材料并具备量产能力(2023-05-24)
并具备量产能力。
根据公告，合盛硅业通过合盛新材布局第三代半导体产业的研发与制造。合盛新材是一家专业从事半导体材料研发和生产的高新技术企业。截至2022年底，“宽禁带半导体......
总投资25亿元，上海天岳碳化硅半导体材料项目开工(2021-08-20)
显示，上海天岳半导体材料有限公司成立于2020年6月，注册资本6000万元，是山东天岳先进科技股份有限公司的全资子公司。山东天岳成立于2010年，注册资本3.87亿元，是一家国内领先的宽禁带半导体衬底材料......
全球SiC争霸赛，谁在豪掷千金？(2023-08-10)
美国对第三代半导体的资助由来已久，2000年美国能源部、国防部以及科学技术委员会便制定了有关GaN和SiC半导体材料的开发项目；2010年，美国推出宽禁带半导体技术创新计划，推动......
重庆2023年重点项目名单公布：华润微2大项目同时上榜(2023-04-19)
。提升砷化镓、磷化铟等第二代化合物半导体材料制造能力、产能和化合物半导体芯片生产线良品率；同时研发氮化镓、碳化硅等宽禁带半导体材料；开展碳基纳米材料、锑化镓、铟化砷等超宽禁带半导体材料......
2022(第二届)碳基半导体材料与器件产业发展论坛将于8月3-5日在浙江·宁波举行(2022-07-26)
论坛简介
第二届碳基半导体材料与器件产业发展论坛（CarbonSemi 2022）以“探索碳基半导体产业化应用”为主题，聚焦碳基电子材料与器件、宽禁带半导体与高功率器件、柔性......
江苏，将打造第三代半导体产业高地(2023-11-13)
子器件等产品，超前布局发展氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体材料，打造国内领先、国际先进的第三代半导体产业高地。
通用智能：积极创建国家新一代人工智能开放创新平台、国家......
西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体研究院揭牌成立(2023-07-31)
，从材料到芯片到器件，一直到应用的全产业链协同创新。此次研究院与地方企业的签约，也将推动绍兴宽禁带半导体产业链创新链人才链深度融合，开辟发展新赛道，进一......
无锡吴越半导体展出GaN晶体 全球首次厚度突破1厘米？(2021-12-16)
的氮化镓晶体，并与君联资本、新投集团签署A轮融资战略框架协议。
公开资料显示，第三代半导体GaN是由氮和镓组成的一种半导体材料，相比于硅材料，GaN具备决定性的优势。由于其禁带宽度大于2.2eV, 因此又被称为宽禁带半导体材料......
“第三代半导体”迎来新方向，新能源车成为主线，重点在5家短线大牛(2023-04-13)
“第三代半导体”迎来新方向，新能源车成为主线，重点在5家短线大牛;以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，可以极大满足新能源汽车电动化、网联......
镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底(2024-09-13)
显示，镓仁半导体成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。镓仁半导体开创了非导模法氧化镓单晶生长新技术，突破了国际市场对氧化镓材料的垄断，可提供具有完全自主知识产权的氧化镓单晶衬底材料......
史上最全第三代半导体产业发展介绍(2017-07-27)
染环境，InP甚至被认为是可疑致癌物质，这些缺点使得第二代半导体材料的应用具有很大的局限性。
第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度（Eg）大于或等于2.3电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料......
济南宽禁带半导体小镇一期项目基本完成(2021-08-05)
已提升完成，道路细沥铺设完成，目前等待消防验收和综合验收。
报道指出，2018年以来，山东省实施新旧动能转换工程，济南市将新材料列入十大千亿级产业范围，槐荫区提出了建设宽禁带半导体......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
也凭借其高耐压、低损耗、高效率、小尺寸等特性，成功进入人们的视野。
据了解，在第四代半导体材料中，尤以氧化镓备受业界关注。作为新型超宽禁带半导体材料，氧化镓在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景，可以......
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备，第四代半导体呼啸而来(2023-02-28)
也凭借其高耐压、低损耗、高效率、小尺寸等特性，成功进入人们的视野。
据了解，在第四代半导体材料中，尤以氧化镓备受业界关注。作为新型超宽禁带半导体材料，氧化镓在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景，可以......
空中客车公司和意法半导体合作研发功率电子器件，助力飞行电动化(2023-06-30)
进功率电子器件更高效、更轻量化，这对于未来的混动飞机和纯电动城市飞行器发展至关重要。
在签署该合作协议前，双方已充分评估了宽禁带半导体材料给飞机电动化带来的种种好处。与硅等传统半导体材料相比，碳化硅 (SiC......
空中客车公司和意法半导体合作研发功率电子器件，助力飞行电动化(2023-06-30)
签署了一项功率电子技术研发合作协议，以促进功率电子器件更高效、更轻量化，这对于未来的混动飞机和纯电动城市飞行器发展至关重要。
在签署该合作协议前，双方已充分评估了宽禁带半导体材料给飞机带来的种种好处。与硅等传统半导体材料......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
的日盲光电探测器实现了响应度和响应速度的同时优化。具有 3 nm AlN 层的光电器件表现出482 A/W的响应度、2.48×1015 Jones 的比探测率和0.10 s的快下降时间。
研究团队在β-Ga2O3材料和器件的研究进展为超宽禁带半导体......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
AlN 层的光电器件表现出482 A/W的响应度、2.48×1015 Jones 的比探测率和0.10 s的快下降时间。
研究团队在β-Ga2O3材料和器件的研究进展为超宽禁带半导体......
意法半导体和空客达成合作，SiC和GaN将登上飞机(2023-06-26)
意法半导体和空客达成合作，SiC和GaN将登上飞机;根据外媒消息，空客已同意与意法半导体签署了一项协议，旨在探索宽禁带半导体材料对飞机电气化的好处，双方将专注于开发适用于空客航空航天应用的SiC和......
氮化镓微波毫米波无线能量转换芯片关键技术研发项目获得立项(2024-01-12)
衬底上研发出高性能、低成本的微波-直流转换芯片。通过探索新型半导体工艺、先进封测技术来提高芯片稳定性、可靠性，团队有信心整体性能达到国际前沿水平。
目前，江南大学建有宽带隙/超宽禁带半导体材料......
低碳化、数字化推动可持续发展 英飞凌亮相2024慕尼黑上海电子展(2024-07-11)
前绿色低碳化的大背景下，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体作为新材料和新技术已开始广泛应用于新能源、电动汽车、储能、快充等多个领域。作为行业领导者，英飞凌凭借持续的技术革新与市场布局，在宽禁带半导体......
低碳化、数字化推动可持续发展 英飞凌亮相2024慕尼黑上海电子展(2024-07-10)
凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟表示：“半导体解决方案是实现气候目标的关键，宽禁带半导体能显著提升能源效率，推动实现低碳转型。在当前绿色低碳化的大背景下，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体作为新材料......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体;作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，氧化镓具备大禁带宽度（4.8eV）、高临界击穿场强（8MV/cm）和良好的导通特性，与碳化硅和氮化镓相比，氧化......
钻石，颠覆传统芯片(2023-12-25)
性和使用寿命。」华为专利主要就是利用金刚石的高散热性。
第二，5.5eV 的禁带宽度。金刚石是一种超宽禁带半导体材料，其禁带宽度是 Si 的 5 倍；载流子迁移率也是 Si 材料的 3 倍，理论上金刚石的载流子迁移率比现有的宽禁带半导体材料......
晶旭半导体高频滤波器芯片生产项目主体封顶(2024-08-07)
在年底之前具备设备模拟的条件。
根据报道，二期项目为基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目，于2023年12月开建，总投资16.8亿元，建设136亩工业厂区，将建成全球首条超宽禁带半导体......
16.8亿元！福建晶旭半导体项目二期已完成主体厂房建设(2024-12-10)
业厂区，将建成全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线。项目建成后，可以填补国内在氧化镓压电薄膜新材料领域的空白。
根据资料，晶旭半导体是一家拥有独立自主知识产权的，面向5G通信中高频声波滤波器晶圆及芯片材料......
相关企业
;天津市环欧半导体材料有限公司;;天津市环欧半导体材料技术有限公司是从事半导体材料硅单晶、硅片的生产企业。拥有40余年的生产历史和专业经验，形成了以直拉硅单晶、区熔硅单晶、直拉硅片、区熔
;峨眉半导体材料研究所;;
;有研半导体材料股份有限公司;;成立于1999年3月12日，是北京有色金属研究总院独家发起，以募集方式设立的股份有限公司。公司前身是半导体材料国家工程研究中心。公司于 1999年3月19日在
;城大科技有限公司;;主营半导体材料、开发工具、烧录工具
;深圳市华晶微科技发展有限公司;;半导体材料及其产品的开发和销售
;科理集创科技有限公司;;致力于开发先进的半导体技术应用于无线智能通讯的应用领域，启动和承担各类以半导体材料为起点的创新工程。
;上海三研实验仪器有限公司;;我们致力于为化学、材料科学领域的科学研究提供优质的实验仪器，为广大电子级试剂、电子材料、硅材料、半导体材料厂商提供产品检测服务。
;广州半导体材料研究所;;广州半导体材料研究所创办于1966年，位于广州市天河区东莞庄路，占地面积2万5千平方米，位于广州五山高校园区，周围有华南理工大学、暨南大学、华南农业大学、广东
;深圳市正和兴电子有限公司;;深圳市正和兴电子有限公司专业经营半导体集成电路裸芯片，特种军用元器件，封装材料（金属管壳和陶瓷管壳），各种电子浆料、靶材、半导体材料及设备，是国
;盛世科技有限公司;;主要经营：半导体材料、晶圆提篮、研磨轮、铁环、硅片、切割胶带、除片胶带、晶片环、晶圆盒、晶粒盒泰维克、晶粒盒夹子、导电片、铝铂片、抽真空防静电屏蔽袋..