资讯
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
率器件里，目前主要是肖特基二极管和场效应晶体管，其它器件结构还未开展。
（1）氧化镓基肖特基二极管
对于肖特基二极管，其精准的势垒高度调控仍然是个难题，同时其体电场仍有较大的优化空间，另外......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
转换效率和功率密度是设计成功的关键。本文引用地址：
为了满足这些要求，开关模式电源系统的设计者需要从使用传统的硅 (Si) 基金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 转为使用其它器件，因为......
复旦大学周鹏、包文中、万景团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-13)
。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案(2023-01-18)
的输入电压转换为5 V~20 V的稳压输出电压，并提供高达5 A的连续电流和6.5 A的最大电流。与高功率密度应用的传统解决方案相比，新型RT6190控制器与EPC的超高效氮化镓场效应晶体管......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案(2023-01-18)
A的最大电流。与高功率密度应用的传统解决方案相比，新型RT6190控制器与EPC的超高效氮化镓场效应晶体管EPC2204相结合，使得解决方案尺寸可缩小20%以上，而且在20 V和12 V输出......
Intel制程和封装4大突破：封装吞吐量提升100倍(2024-12-09)
在CFET(互补场效应晶体管)之外进一步加速GAA技术创新，Intel代工展示了在2D GAA NMOS(N 型金属氧化物半导体)和PMOS(P
型金属氧化物半导体)晶体管......
南京大学、东南大学在双层二维半导体外延生长核心技术取得新突破(2022-05-10)
宝石表面上获得均匀分布的高原子台阶，成功获得了超过99%的双层形核，并实现了厘米级的双层连续薄膜。
据了解，随后，团队制造双层二硫化钼沟道的场效应晶体管器件阵列。电学性能评估表明，双层二硫化钼器件的迁移率......
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。在相......
宜普电源转换公司（EPC）eToF™ 激光驱动器IC，助力革新激光雷达系统设计(2021-02-24)
MHz的超高频率和低于2 ns的超短脉冲下，调制并实现高达10 A的激光驱动电流。开启和断开时间分别为410 ps和320 ps。 EPC21601集成了基于EPC专有的氮化镓IC技术的单芯片驱动器和氮化镓场效应晶体管......
国产5nm碳纳米管研究新突破，摩尔定律有救了(2017-01-21)
节点实现突破
近年来，该课题组通过优化器件结构和制备工艺，首次实现了栅长为10纳米的碳纳米管顶栅CMOS场效应晶体管（对应于5纳米技术节点），p型和n型器件的亚阈值摆幅（subthreshold swing......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS(on)）与平......
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子......
上海有机所在阻转异构类有机半导体材料与器件研究中取得进展(2022-03-21)
珂课题组设计合成并分离得到了系列室温构象稳定的共轭二酰亚胺类阻转异构体（Syn-NDI, Anti-NDI, Syn-PDI和Anti-PDI，图1），并将其作为有机半导体应用于热刺激-响应型有机场效应晶体管（OFET）器件。研究发现，在热......
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管(2022-05-16)
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管;
宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小......
半导体工艺变局在即｜3nm以下工艺举步维艰，纳米片浮出水面(2023-01-11)
2nm工艺节点的生产，并从今天的FinFET过渡到新的全环绕栅极场效应晶体管（GAA-FET），但用GAA-FET取代FinFET的转变既昂贵又困难，必定......
垂直GaN JFET的动态性能(2024-01-02)
问题可能会导致器件的导通损耗增加，并缩短器件在应用中的寿命。”
研究人员将NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ级GaN JFET（图1）的性能与商用650V和1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管......
年产6000万片高精密度集成电路板、3.6亿颗场效应晶体管项目开工(2022-07-25)
年产6000万片高精密度集成电路板、3.6亿颗场效应晶体管项目开工;据“微聚庐江”消息，7月21日，合肥得壹科技发展有限公司年产6000万片高精密度集成电路板和3.6亿颗场效应晶体管......
SuperGaN使氮化镓产品更高效(2023-10-18)
一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司，这意味着在器件开发的每个关键阶段，我们均能做到自主可控和创新——包括GaN HEMT 器件设计、外延片材料、晶圆制程工艺，直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。因此，我们......
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术，预计突破1纳米制程瓶颈(2021-12-14)
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术，预计突破1纳米制程瓶颈;外媒报导，美国加州旧金山举办的IEDM2021蓝色巨人IBM与韩国三星共同发表“垂直传输场效应晶体管”（VTFET）芯片设计。将晶体管......
四张图看懂晶体管现状(2022-11-29)
大的工程师使用一种算法生成了所有可能的独特功能性基本电路，这些电路只需使用两个金属氧化物场效应晶体管即可制作。电路总数达到惊人的582。将范围扩大到三个晶体管，得到了 56,280 个电路，其中......
车规级氮化镓ToF可在28A并具1.2ns脉宽的脉冲电流驱动激光(2020-01-14)
测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能，与等效MOSFET相比，EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的......
中科院化学所在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展(2022-04-06)
取向有机半导体单晶图案的直写打印新方法
图2.利用单一取向晶体薄膜阵列实现了有机场效应晶体管及偏振光电探测器的阵列化制备
原标题：化学所在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展
封面图片来源：拍信网......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
张德清课题组发展了有机高分子半导体高效图案化的新策略(2021-09-24)
. PDPP4T的图案化过程及图形的显微镜照片和原子力显微镜图
进一步通过AFM和GIWAXS图发现四种聚合物薄膜交联前后的形貌和链间排列并未发生明显变化，并通过场效应晶体管......
中国半导体性单壁碳纳米管获突破，产率大幅提高(2023-04-13)
通讯和生物医药等领域的广泛应用打下坚实基础。
据了解，半导体性单壁碳纳米管具有原子级厚度、表面无悬键的准一维管状结构和高电子迁移率等优异电学性质，因而被视为10
nm以下高性能、低功耗场效应晶体管......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。
化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。
化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器(2022-07-22)
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器(2022-07-22)
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器(2022-07-22)
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器(2022-07-22)
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
领域首次报道的高温击穿特性。
▲图1.结终端扩展NiO/β-Ga2O3异质结二极管（a）截面示意图和器件关键制造细节，（b）与已报道的氧化镓肖特基二极管及异质结二极管的性能比较
02增强型氧化镓场效应晶体管......
EPC推出用于48 V DC／DC转换的 EPC9148 和 EPC9153 演示板(2020-11-03)
效率为98％。
该两款演示板集成了Microchip公司的 dsPIC33CK 数字信号控制器（DSC）和EPC公司最新一代 100 V氮化镓场效应晶体管 ，具有超薄外形尺寸，在12.5 A时......
EPC推出用于48 V DC／DC转换的 EPC9148 和 EPC9153 演示板(2020-11-03)
效率为98％。
该两款演示板集成了Microchip公司的 dsPIC33CK 数字信号控制器（DSC）和EPC公司最新一代 100 V氮化镓场效应晶体管 ，具有超薄外形尺寸，在12.5 A时......
EPC推出用于48 V DC／DC转换的 EPC9148 和 EPC9153 演示板(2020-11-03)
效率为98％。
该两款演示板集成了Microchip公司的 dsPIC33CK 数字信号控制器（DSC）和EPC公司最新一代 100 V氮化镓场效应晶体管 ，具有超薄外形尺寸，在12.5 A时......
Rapidus本月接收EUV光刻机，对2nm量产有信心(2024-12-16)
结构由使用多年的FinFET鳍式场效应晶体管，转成GAAFET全环绕栅极场效应晶体管，对制程改朝换代带来新挑战。 如何达多阈值电压（Multi Vt），让芯片以较低电压执行复杂计算是个挑战。......
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代(2024-06-03)
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代;
【导读】日前，台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布，台积电已成功集成不同晶体管架构，在实验室做出CFET（互补式场效应晶体管......
常用的16种电子元器件的图片、名称、符号！挺全的，值得收藏！(2024-10-20 21:01:18)
器件、显示器件、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管、IGBT、MOSFET、继电器与干簧管、开关、保险丝、晶振、连接器、各种......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
降低Ronsp，则芯片制造商能缩小芯片尺寸，从而实现RDSon=15 mOhm的产品，这能降低碳化硅用量，从而提高产量。
沟槽式金氧半场效晶体管的较低Ronsp背后有多种原因。首先，在碳化硅沟槽侧壁上制备的栅极具有更高的沟道迁移率......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
的较低Ronsp背后有多种原因。首先，在碳化硅沟槽侧壁上制备的栅极具有更高的沟道迁移率，这意味着与平面器件相比，电子穿过沟槽栅极的阻碍较少。这能降低沟道电阻。其次，沟槽式金氧半场效晶体管可能消除平面金氧半场效晶体管......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-02-01)
的较低Ronsp背后有多种原因。首先，在碳化硅沟槽侧壁上制备的栅极具有更高的沟道迁移率，这意味着与平面器件相比，电子穿过沟槽栅极的阻碍较少。这能降低沟道电阻。其次，沟槽式金氧半场效晶体管可能消除平面金氧半场效晶体管......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
也可以将跨导视为输出电流对栅源电压的导数。
跨导在线性区域可以定义为：
方程式2
对于饱和区域，为：
方程式3
其中：
ID是漏极电流
VGS是栅源电压
VDS是漏极到源极电压
Vth是阈值电压
μ是晶体管迁移率......
贸泽电子与Analog Devices联手推出新电子书 探讨电子设计中的电源效率与稳健性(2024-11-13)
置为同步半桥、全桥拓扑或降压、升压和降压-升压拓扑。LTC7890/1同步降压控制器是一款高性能DC-DC器件，通过高达100V的输入电压驱动N沟道同步GaN场效应晶体管 (FET) 功率级。这些......
台积电首提1nm工艺，实现1万亿晶体管的单个芯片封装(2023-12-29)
久台积电透露其1.4nm级工艺制程研发已经全面展开，2nm级制程将于2025年开始量产。
据悉，台积电的1.4nm节点的正式名称为A14，预计在技术上不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-10)
尔实现了业界领先的、突破性的3D堆叠CMOS晶体管，结合了背面供电和背面触点技术：
• 英特尔在IEDM 2023上展示了业界领先的最新晶体管研究成果，能够以微缩至60纳米的栅极间距垂直地堆叠互补场效应晶体管......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-10)
2023上展示了业界领先的最新晶体管研究成果，能够以微缩至60纳米的栅极间距垂直地堆叠互补场效应晶体管（CFET）。该技术可通过晶体管堆叠提升面积效率（area efficiency）和性能优势，还结......
相关企业
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
;丰泰电子（香港）公司;;ROHM大中华区专业经销商。分离式半导体如晶体管，场效应晶体管MOSFET、双极晶体管、数字晶体管、复合晶体管；二极管，肖特基势垒二极管、整流二极管、整流二极管、开关
;结型场效应管 欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应
;易信通科技有限公司;;深圳市易信通科技有限公司是一家MOS-FET(场效应晶体管)销售的专家,现推出台湾茂钿半导体股份有限(WWW.MTSEMI.COM)公司全线产品.产品主要有MT2300
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
;欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应
与国外几家著名感应加热厂商合作，开发了KGPS系列可控硅中频电源、IGPS系列IGBT晶体管中频及超音频电源、WFSP系列MOSFET场效应晶体管高频电源等三大系列，共40多个品种的高中频感应加热电源，以及WFBY（变压
软启动电路，可以减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和。 二，韩国信安品牌MOSFET和士兰的高压MOSFET： TSM1N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251
;结型场效应管 深圳市福田区大兴华微电子商行;;深圳市福田区大兴华微电子商行 经销批发的MOSFET场效应管、光耦、FLASH/DDR/SDRM、三端稳压IC、MOSFET场效应晶体管、单双
器专用开关三极管)、大功率晶体管、音响音频配对管、达林顿晶体管、高反压晶体管、MOSFET-功率场效应晶体管、二极管(快恢复/超快恢复、整流/高效整流、稳压/齐纳、双向触发、肖特基、TVS瞬态