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垂直GaN JFET的动态性能;美国弗吉尼亚理工学院、州立大学和NexGen电力系统公司首次对垂直（GaN）功率晶体管的动态电阻（ RON）和阈值电压（VTH）稳定性进行了实验表征。研究......
安森美斥资1.15亿美元收购Qorvo旗下SiC JFET技术;近日，onsemi（安森美）宣布，已达成一项协议，以1.15亿美元现金从Qorvo收购碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术......
革新电路保护：Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固态断路器升级; 【导读】Qorvo推出了一款750V、4毫欧（mΩ）碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）产品；其采......
单的采样保持电路 Vs：输出信号 C：电容 S：作为开关工作的 MOS 晶体管 Va：输入......
）今日宣布，率先在业界推出采用 TOLL 封装的 4mΩ 碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）——UJ4N075004L8S。该产......
替换为能够大幅降低导通电阻的结构变得更具价值。对此，结型场效应晶体管（JFET）结构提供了关键优势。它具有概念上更简单的结构（如图2中右下部分所示）；此外，得益于载流子无需先通过类似MOSFET的沟......
半导体领域新增并购案(2024-12-12 12:41:54)
美”消息，该公司已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元（约合人民币8.36亿元）现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。不过......
用于开关小于±250 mV的信号，则泄漏电流（25⁰C）将为超皮安。 图3示出了使用增强模式晶体管开关作为模拟开关的示例。图示了SD5400-2四路DMOS开关（SD5000-2，SD-5200-2和......
革新电路保护：Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固态断路器升级;Qorvo推出了一款750V、4毫欧（mΩ）碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）产品；其采......
PM155S数据手册和产品信息;PM155提供低输入电流、高压摆率特性，可以直接与LF155型放大器互换使用。这款运算放大器采用新型工艺，匹配的JFET晶体管和标准双极性晶体管......
® 今日宣布，率先在业界推出采用 TOLL 封装的 4mΩ 碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）——UJ4N075004L8S。该产......
QSPICE发明者随笔——利用宽带隙FET简化高压调节;Charley Moser拥有EE博士学位，是我最早的模拟设计导师之一。从他那里，我学到了很多知识——混合pi晶体管建模、用于......
化硅沟槽侧壁上制备的栅极具有更高的沟道迁移率，这意味着与平面器件相比，电子穿过沟槽栅极的阻碍较少。这能降低沟道电阻。其次，沟槽式金氧半场效晶体管可能消除平面金氧半场效晶体管的JFET电阻，在该区域中，来自......
入业界以来，他领导了新型硅绝缘栅双极型晶体管产品线研发，并发起了一个在电路保护应用中使用碳化硅JFET的研发项目。他于2020年加入TechInsights并成为功率半导体器件的学科专家，同时持续了解整个行业的最新发展。 ......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾;今年发布了他们的第4代（Gen4）金氧半场效晶体管（）产品。新系列包括额定电压为750 V（从650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半场效晶体管，以及......
在业界推出采用 TOLL 封装的 4mΩ 碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）——UJ4N075004L8S。该产品专为包括固态断路器在内的电路保护应用而设计，UJ4N075004L8S 所具......
宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V  作为  全新引脚兼容  系列......
宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新......
Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能;全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET......
是一种类似三明治的场效应晶体管，它在接面处没有使用氧化物隔开闸极，音响迷一定不陌生， JFET的推动力大，线性高对高频反应又不良，是非常良好的音响用放大器材料。读者若想看到实体物品，走一......
供出色的功率和零干扰接收性能，同时还内置了全向天线”。甚至有一个带电线的遥控器。如今，超共源共栅另有含义。从 1939 年的管式稳压器，到早期的音频放大器，再到高电压应用中的双极晶体管堆栈，我们可以了解到这个词的起源。目前......
投入到电动车研发中，设法找到最有效的技术来尽可能提高能效、降低体积和重量以及尽可能从昂贵的电池组中获益，从而延长单次充电行驶里程。这让 SiC 晶体管迅速进入电动车的车载充电器和直流转换器中。鉴于牵引逆变器处理 10......
ADA4625-1数据手册和产品信息;UG-1201 介绍了用于 ADA4625-1 低噪声、快速稳定单电源轨到轨输出 (RRO) 结型场效应晶体管 (JFET) 运算放大器的评估板，此评......
相形胜出 第一款向市场投放的碳化硅功率电晶体是在2008年，以1,200伏结场效应电晶体(JFET)的形式出现的。SemiSouth实验室遵循了JFET的方法，因为当时，双极结晶体管(BJT)和......
降低的精度，因为这取决于分流电阻。虽然现今的技术可实现高精度电流传感器，但却无法降低损耗。 东芝的新技术采用级联共源共栅，将低压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与GaN 场效应晶体管......
Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管......
Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管......
Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管......
Transistor)：结型场效应晶体管 *3：RoHS: Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical......
人员可以选择符合其系统要求的放大器架构，其输入电压、带宽和关键特性分别如下： ：27V结型栅场效应晶体管（JFET）输入双运算放大器（op amp），120MHz带宽，500μV最大......
MOSFET或JFET 开关晶体管 PWM 源，如Arduino Uno或555 定时器，可生成 50KHz、5V、75% 占空比 2、DC-DC 升压电路工作原理图 DC-DC 升压电路......
一个 MOSFET或JFET 开关晶体管 PWM 源，如Arduino Uno或555 定时器，可生成 50KHz、5V、75% 占空......
直到现在行业中还没有哪种解决方案能够全面测试其在各种工作电压下的电容性能。B1507A 将会填补这一空白，对功率器件执行完整、可靠、自动化的电容测试。” B1507A 的关键特性包括： ·易于使用，能够对高偏置电压下的晶体管输入、输出和反向传输电容（Ciss......
MOS管基础及选型指南;，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址： 和普通双极型晶体管......
中，Qorvo 的器件具有最低 5.4 mΩ 的导通电阻，比目前市场同类产品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶体管的导通阻抗还要低上 4-10 倍。 的 750V 额定......
元市场规模。传统的硅基设备（包括整流器、晶闸管、双极型晶体管、X-FET如MOSFET、JFET等、IGBT模块及IPM）在某些应用中会有所增长，但在其他市场正逐步被宽带隙（WBG）技术......
CAMECA LEAP 4000X HR 目标分析器件–UnitedSiC第四代SiC JFET UnitedSiC UJ4C075018K4S的额定电压为750 V，导通电阻（RDS.（ON））为18mΩ......
4000X HR 目标分析器件–UnitedSiC第四代SiC JFET UnitedSiC UJ4C075018K4S的额定电压为750 V，导通电阻(RDS.(ON))为18mΩ......
须对这三者的内部结构和工作原理有大致的了解。 BJT 双极性晶体管，俗称三极管。内部结构(以PNP型BJT为例)如下图所示。 BJT内部......
前市场同类产品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶体管的导通阻抗还要低上 4-10 倍。SiC FETs 的 750V 额定电压也比其它的一些替代技术高100-150V......
个表中还显示了每次实验测定的Si、C和Al含量。  表1：由APT确定的JFET门区成分 值得注意的是，APT重构揭示了Al在栅极区域内的极不均匀分布，这表明它与SiC中的晶体缺陷分离（图5）。这些......
二极管的功能是为电路提供短路保护。 ▲ 图1.1 恒流二极管的符号 二、恒流二极管工作原理 恒流二极管的内部结构如下图所示。该二极管包括一个 N 沟道 JFET 晶体管，其中晶体管......
高压SiC MOSFET研究现状与展望;碳化硅（）金属氧化物半导体场效应晶体管（）作为宽禁带半导体单极型功率 器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域需求广泛，具有巨大的研究价值。回顾......
合，成为 SiC 晶体管领域的基准。该设计的特殊功能包括通过自对准工艺将通道定向为单一晶体取向。这确保了的沟道迁移率和窄的阈值电压分布。另一个特点是深 p 沟槽在中心与实际 MOS 沟槽相交，以允......
能会使性能受损   有些方法可以将SiC FET器件的dV/dt有效控制在从45V/ns至5V/ns的范围内，而不会导致过长的延迟时间。这三种方法是：外部栅漏电容、器件RC缓冲电路和JFET直接驱动，它们......
，在 TOLL 封装中，Qorvo 的器件具有最低 5.4 mΩ 的导通电阻，比目前市场同类产品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶体管的导通阻抗还要低上 4-10......
电场缓和技术的沟槽栅极半导体器件，提高了每个芯片的输出，因为它们减少了由发热引起的功率损耗，独特的结构实现了高电压和低导通电阻操作。 住友电工 住友电工利用独特的晶面新开发了V形槽沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管......
斥资1.15亿美元，安森美宣布收购Qorvo SiC JFET业务;这一收购将显著提升安森美在碳化硅技术领域的市场地位，并增强其在电动汽车、工业电源和可再生能源市场的竞争力。 据官方新闻稿线上，安森......
妙趣横生的电子小知识　第1篇：初识晶体管;本系列连载将介绍电力电子相关的基础知识和各种小知识。本系列涉及到的内容很广泛，涵盖从基础知识到应用部分的丰富内容，希望能够帮到那些“至今不好意思问别人，但又......
前市场同类产品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶体管的导通阻抗还要低上 4-10 倍。SiC FETs 的 750V 额定电压也比其它的一些替代技术高100-150V，为客......

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