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的制作流程是用沟槽刻蚀工艺在低介电二氧化硅里刻蚀沟槽图形，然后通过大马士革流程用铜填充沟槽。但这种方法会生出带有明显晶界和空隙的多晶结构，从而增加铜线电阻。为防止大马士革退火工艺中的铜扩散，此工艺还使用了高电阻率的氮化......
是较有潜力的替代材料。 随着互连尺寸缩减，阻挡层占总体线体积的比例逐渐增大。因此，半导体行业一直在努力寻找可取代传统铜双大马士革方案的替代金属线材料。 相比金属线宽度，阻挡层尺寸较难缩减（如图1）。氮化钽等常见的阻挡层材料电阻率......
制备得到的GaN材料进行了表征，证明了乙烯气源的掺杂效率比传统甲烷气源高40倍。在相同测试温度下比较了现有报道的半绝缘衬底参数，使用乙烯制备的其中一个半绝缘氮化镓样品达到了目前报道的最高GaN体电阻率......
同时集中到同一个高真空系统中。Ioniq PVD给芯片制造商提供了用低阻值的纯钨PVD膜取代高阻值的氮化钛衬垫层和阻挡层的方案，配合后续的纯钨CVD膜制成纯钨的金属触点。该方案解决了电阻难题，让二......
产量和未来的设计。 在物理实现中，铝(Al)和钛(Ti)或氮化钛(氮化钛)的金属层通常沉积在单个晶体管之上(图1)。这些不透明的图层可能会造成故障隔离方面的困难。例如，很难使用光子发射显微镜或光束诱导电阻......
8009电阻率测试夹具的特点及应用范围;产品概述： 8009电阻率测试盒是用于测量体电阻率和表面电阻率（方块电阻）、且带保护的测试夹具。它具有优良的静电屏蔽性能和耐受1100V高压的绝缘电阻......
硅片电阻率测试仪TS1700电工钢表面绝缘电阻测量装置; 硅片电阻率测试仪TS1700   硅片电阻率测试仪TS1700电量输出/测量：内置直流稳压电源和精密电流测量单元，测量不确定度达0.1......
成为表征和测试半导体器件以及其他非线性器件和材料的理想选择。如以下示例所示，SMU被广泛用于台式研发和基于机架的生产测试环境中。 电阻率测试材料的电阻率决定了它传导电流的程度，具体取决于包括材料的掺杂和加工以及环境因素（例如温度和湿度）在内的因素。材料的电阻率......
成为表征和测试半导体器件以及其他非线性器件和材料的理想选择。如以下示例所示，SMU被广泛用于台式研发和基于机架的生产测试环境中。 电阻率测试 材料的电阻率决定了它传导电流的程度，具体取决于包括材料的掺杂和加工以及环境因素（例如......
、石油、化工、通信、矿山等部门测量各种装置 的接地电阻以及测量底电阻的导体阻值，本表还可测量土壤电阻率及地电压。 操作方法 1、接地电阻测量 ①将被测接地E（C2、P2）和电位探针P1及电流探针C1......
吉时利四探针法测试系统实现材料电阻率的测量;电阻率是决定半导体材料电学特性的重要参数，为了表征工艺质量以及材料的掺杂情况，需要测试材料的电阻率。 四探针法是目前测试半导体材料电阻率的常用方法，因为......
硼磷二氧化硅薄膜化学沉积设备（SACVD）、钛/氮化钛沉积设备（MOCVD）、铝铜金属溅射设备（Metal Sputter(Al/Ti/TiN)）、快速热处理（RTP）设备以及双燃烧+双水洗尾气处理等多类设备。 封面......
, 2460-EC 和 2461-EC 带有执行开路电位测量的测试脚本。 图 4 - 使用电化学系统测量蓄电池的开路电压  电阻率 电阻率是材料的一种基本特性，它量化了材料与电流的对抗。确定材料电阻率......
中使用钼代替钨。 钼用于提高晶体管内的电阻率，从而允许在NAND中堆叠更多层。 行业已经达到使用钨降低层高度的极限，使用......
。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现......
晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现......
使用静电计测量仪表实现低电平高精准的测量;精准测量高范围电阻的方法 许多测试应用要求测量高级别材料的电阻率（面电阻率和体电阻率）。传统测量方法是对样本施加足够高的电压，测量流经样本的电流，然后......
- 使用电化学系统测量蓄电池的开路电压 电阻率 电阻率是材料的一种基本特性，它量化了材料与电流的对抗。确定材料电阻率的最佳技术取决于所涉及材料的类型、电阻的大小和样品的几何形状。 导体......
CA6460/CA6462四极法接地电阻测试仪的特点及应用范围;数字式接地电阻测试仪CA6460，可进行接地电阻和土壤电阻率的测量。接地电阻的测量范围为0至2000Ω，采用自动量程设计，自动......
程设定和操作 • DataView®软件，数据存储，实时显示，分析，生成报告以及仪器组态设定 产品应用： • 3极法测量接地棒或接地网的接地电阻 • 土壤电阻率测量，定位土壤电阻率最低的位置电位测量，用来......
展进程，实现高端特高压功率器件国产化。 据介绍，针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题，天岳先进布局液相法技术，在2023年公......
(Rds,on) 产生重大影响，从而允许生产在给定电阻率下更小的芯片。正如我们之前所讨论的，更小的芯片意味着每个晶圆上可以生产更多的产品，并且产量略有提高，从而降低单个芯片的成本并提高晶圆厂的产能。 为了了解潜在的衬底电阻......
检测表明,截取电缆段烧蚀均能检测出,但检测效果受铝护套影响。 2.4带材检测情况 结合故障相电缆拆解过程中发现的阻水带异常情况,对该线三相电缆进行了绝缘厚度、偏心度、机械性能、热延伸、半导电阻水带电阻率......
的高性价比电源开关解决方案。 为了让器件电压更高，可增加漏极和栅极之间的距离。由于GaN 2DEG 的电阻率非常低，与硅器件相比，增加阻断电压能力对导通电阻的影响要小得多。 GaN FET 的工作模式可以构造为两种配置，即增......
级技术顾问。 此外，Soitec同日宣布，公司已与电子电力和先进材料的供应商Mersen建立战略合作关系，为电动汽车市场开发新型多晶碳化硅衬底系列。 据了解，由Soitec和Mersen联合开发的极低电阻率......
技术都至关重要。 Intel代工此番公布的四大突破包括： 1、减成法钌互连技术 该技术采用了钌这种替代性的新型金属化材料，同时利用薄膜电阻率(thin film......
的几代光学开关都有固定的开关时间，这些时间在制造时就被限定到了设备中。此次，研究团队用两种不同的材料制作了一种光开关，每种材料的开关时间都不同。一种材料（铝掺杂的氧化锌）的开关时间在皮秒范围内；另一种材料（等离子体氮化钛）的开......
点很难在目前商业化锂离子电池所使用的钴酸锂、磷酸铁锂等氧化物材料中实现。 此次研究中，马骋课题组采用非常规的材料设计思路，选择氯化物构筑了一种全固态锂电池的新型正极材料——氯化钛锂。 研究发现，氯化钛锂极为柔软，只要......
再看一下不同结温下 MOSFET I-V曲线，有如下结论： 1.Vgs<Vgs(th)时，沟道尚未打开，结温越高，寄生体二极管导通阈值电压越低，电阻率越低（二极管特性）； 2.Vgs>Vgs......
圈骨架上漆包线绕线轴径(mm):D2为线圈骨架上漆包线绕线外径(mm):d为漆包线线径(mm)。 总绕线长度L为: 线圈电阻R为: 式中:p为铜的电阻率(mm2/m):s为漆包线的截面积(mm2)。 线圈绕制完成后,其电阻......
陶瓷电容的介质类型分类;生活中我们所用的手机、电脑、电视、冰箱等是由不同的电子元器件组成的。电子元器件里包括了电阻、电容、电感、电位器、电子管、散热器、机电元件等。而电容器也分为安规电容、超级......
玻璃微珠、石墨、银的硅化物、碳化硅、碳化钨、碳化镍、碳化钯等，部分导电粒子材料的电阻率如表1所示。 表1 部分导电粒子材料的电阻率......
对力矩电机控制器的理解;力矩电机控制器是一种电流限制元件，在电路中连接电阻时，可以限制其支路的电流大小。小型化的力矩马达控制器通常装在塑壳碳布中，而大的力矩马达控制器则装在电阻率大的磁芯中。扭矩电机控制器的欧姆电阻......
钢片(带)表面绝缘电阻的测量方法》 ASTM A717 / A717M《单片样品表面绝缘电阻率的标准试验方法》 JIS 2550-4-2011《电工钢条和电工钢板试验方法.第4部分:测定......
”现象和快速响应的性能，它与普通电动机相比，应具有转子电阻大和转动惯量小这两个特点。目前应用较多的转子结构有两种形式：一种是采用高电阻率的导电材料做成的高电阻率导条的鼠笼转子，为了......
R=ρ×L/S 其中：ρ-导体电阻率(铜芯电缆ρ=0.01740，铝导体ρ=0.0283)；L-线路长度(米)；S-电缆......
%。 另外，在A股市场，看好氮化镓的逻辑有以下3点： 第一、技术优势：相比传统的硅材料，氮化镓具有更高的电子迁移率和更低的电阻率......
后级基准严格相等，因此，需直截接至被测地网电极，P1、P2为信号通道，二者可以互换，C2和C1不能互换。 4．哪些因素影响土壤电阻率测量？土壤电阻率不仅随土壤的类型变化，且随温度、湿度、含盐......
用上可作为穿戴设备，传感器，充电设备等。 对二维/石墨烯材料，通常使用四探针法或范德堡法测试电阻率，用霍尔效应测测试载流子迁移率及载流子浓度。 二维/石墨烯材料及电子器件电性能测试挑战 二维/石墨......
吉时利5½ 位6485型皮安表的主要参数指标及特点优势;6487除包含6485的所有功能外增加了500V的电压源以适用高电阻和电阻率测量。它比6485有更高的精度和更快的上升时间，也有......
熔断盒和泵电机里能实现可靠的过温保护和控制。传感器的最大R25为120Ω，最高电压为30V，散热因数为5mW/K，快速热时间常数为6秒。 PTCSL03系列器件由中电阻率的掺钛酸钡陶瓷片和包铜的钢质引线构成。传感......
球电力和先进材料领域专家美尔森达成战略合作，携手为电动汽车市场开发多晶碳化硅（poly-SiC）系列衬底。 Soitec 和美尔森在衬底和材料领域有着深厚的积淀。双方将携手开发具有极低电阻率的多晶碳化硅衬底，借助 Soitec 的......
微电子等。 随着瑶光半导体等布局企业增加，国内激光退火设备竞争将更加激烈，同时，更多企业共同推动能有效促进行业技术升级，加快缩短国内企业与国际大厂之间的差距，为争取更多市场份额、实现国产替代做准备。 优睿谱成功推出晶圆电阻率......
测量是对高阻进行测量，用于评估物体的特性，比如半导体的特性，表面・体积电阻率测量等等。其电阻值自身是有意义的，所以精度更好，能够宽量程的进行测量。 ......
面积，与传统双封装型器件相比进一步减小电阻率。这种设计使MOSFET适合用于24 V系统和工业应用双向开关，包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动器、白色家电、机器人、安防/监视......
码器内部磁敏元件的磁阻效应通常分为以下几类：AMR（各向异性磁阻效应）：铁磁材料的电阻率随自身磁化强度和电流方向夹角改变而变化。GMR（巨磁阻效应）：巨磁阻效应是指磁性材料的电阻率......
吉时利6517B静电计的功能特点及应用;吉时利5½位显示的6517B提供的精度和灵敏度指标是高于其他同类型仪表。它丰富的功能使测量高阻和绝缘材料电阻率变得简单。 6517B具有425读数/秒的......
目的只是为了测量设计的设备的绝缘程度，电阻值自身并没很大的意义。 而超绝缘电阻测量是对高阻进行测量，用于评估物体的特性，比如半导体的特性，表面・体积电阻率测量等等。其电阻值自身是有意义的，所以精度更好，能够宽量程的进行测量。 ......
℃超耐低温性能，格力钛电池储能系统在英国、德国、芬兰、瑞典等高纬度欧洲国家热销。北欧客户评价道，格力钛不仅提供高安全的产品，还为他们提供全方位的技术支持和售后服务，“我们合作多年，从未......
陶瓷电容是属于陶瓷电容的一种，是用以高介电常数的陶瓷（钛酸钡—氧化钛）挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，涂敷金属薄膜（通常为银）经高温烧结而形成电极，用镀锡铜包钢引线，外表涂以保护磁漆，或用环氧树脂包封而成。外形......

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