资讯
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为晶体管。
MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由管......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍(2023-12-25)
人员展示了首款专为液氮冷却优化的先进 CMOS 晶体管。
据了解，液氮沸点极低，只有 -196°C，是目前主流电子器件无法承受的超低温。然而，在如此严寒的环境下，晶体管的电阻和漏电电流都会大幅降低，从而......
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型，性能可较室温翻倍(2023-12-25 16:02)
将硅通道切割成薄薄的纳米片层，并用栅极完全包围，实现了更有效的电场控制。这种结构不但能将 500 亿个晶体管塞进指甲盖大小的区域，而且在液氮冷却下，性能更是惊人地翻了一番。低温......
组成开漏形式的电路有哪些特点？(2024-09-03)
简单的做逻辑操作等。push-pull是现在CMOS电路里面用得最多的输出级设计方式。
当然open drain也不是没有代价，这就是输出的驱动能力很差。输出的驱动能力很差的说法不准确，驱动能力取决于IC中的末级晶体管......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
，是FD-SOI晶体管的剖面图。
另外，1989年，Hitachi公司的工程师Hisamoto对传统的平面型晶体管的结构作出改变提出的基于体硅衬底，采用局部氧化绝缘隔离衬底技术制造出全耗尽的侧向沟道三维晶体管......
基于零维材料的光电探测器原子结构(2023-04-07)
光电导体的胶体量子点探测器的原理图；（c）基于光电二极管的胶体量子点探测器的原理图；（d）基于场效应光电晶体管的胶体量子点探测器的原理图
基于二维材料的光电探测器：目前的二维材料探测器大多采用以下三种......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
.什么是IGBT中的漂移层？IGBT 的漂移区（电场或电荷移动）作为PNP 晶体管的基极。晶体管的电流增益取决于晶体管的宽度和掺杂水平。
14、IGBT的结构是怎样的？IGBT 的结构与PMOSFET......
Ameya360：平面MOSFET与超级结MOSFET区别(2023-03-13)
-MOSFET根据制造工艺可分为平面MOSFET和。简而言之，就是在功率晶体管的范围，为超越平面结构的极限而开发的就是超级结结构。
如下图所示，平面结构是平面性地构成晶体管。这种结构当耐压提高时，漂移......
美国这两天又搞EDA断供，到底断供了什么？(2022-08-13)
无法进行有效的静电控制。
来源：Lam Research
所以FinFET结构晶体管出现了，“Fin”（鳍）伸了出来，如上图所示。这种结构有效增大了沟道接触面积。只要把Fin做得更高，就能......
国产5nm碳纳米管研究新突破，摩尔定律有救了(2017-01-21)
米管CMOS器件与传统半导体器件的比较。A： 基于碳管阵列的场效应晶体管结构示意图；B-D：碳管CMOS器件（蓝色、红色和橄榄色的星号）与传统材料晶体管的亚阈值摆幅（SS），本征......
英特尔、三星和台积电演示3D堆叠晶体管，三大巨头现已能够制造互补场效应晶体管（C(2023-12-18)
英特尔、三星和台积电演示3D堆叠晶体管，三大巨头现已能够制造互补场效应晶体管（C;在本周的IEEE国际电子器件大会上，台积电展示了他们对（用于CMOS芯片的逻辑堆栈）的理解。 是一种将CMOS逻辑所需的两种类型的晶体管堆叠在一起的结构......
晶体管低频放大器(2023-06-25)
、Ube、Ic、Uce在静态工作点Q 附近只作微量的变化。其中Ib、Ube为晶体管的输入变量，面Ic、Uce为输出变量。若把晶体管看作含受控源的二端口网络，就可以用四个h参数模拟晶体管的物理结构，从而得出晶体管的......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-14 10:10)
与PowerVia和背面触点三种技术结合在了一起，证明了这项技术最终可能在晶体管密度微缩发挥作用。为什么是背面供电背面供电（BSP/BS-PDN），就是将原先和晶体管一同排布的供电网络直接转移到晶体管的......
背面供电再迎创新：IEDM2023英特尔放出一个“王炸”(2023-12-13)
与PowerVia和背面触点三种技术结合在了一起，证明了这项技术最终可能在晶体管密度微缩发挥作用。
为什么是背面供电
背面供电（BSP/BS-PDN），就是将原先和晶体管一同排布的供电网络直接转移到晶体管的......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案;因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连，或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准，于是......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
适应于制备高压大电流器件，相较于制备水平结构的MBE样品，其材料具有较低成本。
氧化镓垂直晶体管的若干种结构中，FinFET虽然性能较为优异，但工艺难度大，难以实现大规模量产。因此急需设计新结构氧化镓垂直型晶体管......
IBM展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管(2023-12-22 15:59)
IBM展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管;IBM在2023年12月早些时候的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管。纳米片晶体管......
IBM展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管(2023-12-22)
IBM展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管;在2023年12月早些时候的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS。纳米......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
和工作原理有大致的了解。
BJT
双极性晶体管，俗称三极管。内部结构(以PNP型BJT为例)如下图所示。
BJT内部结构......
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代(2024-06-03)
。
但随着晶体管的尺寸不断缩小，特别是沟道的尺寸也随之缩小，人们面临的问题也随之增加，比如漏电就是其中之一。人们的解决方案是改变晶体管的结构——从二维平面变为三维立体，FinFET架构......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
向时则会和这个由材料差异引起的介面能阶差互相对冲以致无法流过去。不过当电压大于能阶差的时候还是会打穿的，基纳二极体就是利用这个效应工作的整压二极体。
▲P型半导体的结构示意
▲N型半导体的结构示意
三极晶体管的由来
三极晶体管的......
5nm被IBM攻破！摩尔定律有救了？(2017-06-06)
工艺的进度能够非常及时的应用于并推动这些技术的发展。
IBM的研究小组进行5nm结构的研究
5nm的突破在哪里
几十年来，全球的半导体产业一直痴迷于晶体管的小型化。如何以更低的成本将更多的晶体管......
适应数据爆炸时代的新策略，迄今最小最快纳米激子晶体管问世(2023-04-18)
会损失热能并限制信号传输速度，从而降低性能。韩国浦项科技大学与俄罗斯圣彼得堡国立信息技术、机械学与光学研究型大学共同开发出一种纳米激子晶体管，该晶体管使用基于异质结构的半导体中的层内和层间激子，克服了现有晶体管的......
8051单片机的四组I/O端口(2023-10-30)
端口的结构较P0端口简单很多，其输出电路采用了一个晶体管，在晶体管的漏极接了一只内部上拉电阻，所以在 P1端口引脚外部可以不接上拉电阻。
图2 P1端口的内部结构电路图
3.2 P1端口......
单片机IO结构详解(2023-04-06)
电源通过1k电阻加到右边的三极管上，右边的三极管导通（即相当于一个开关闭合）；当左端的输入为“1”时，前面的三极管导通，而后面的三极管截止（相当于开关断开）。
我们先来说说集电极开路输出的结构。集电极开路输出的结构......
意法半导体发布创新红外传感器，提升楼宇自动化的人员存在和移动检测性能(2023-07-31 15:47)
是在移动还是静止无关。亚阈工作模式的另一个好处是晶体管的功耗很低，基于STHS34PF80的传感器的电池续航时间更长，因此需要的充电次数或电池数量更少。此外，标准CMOS制造......
意法半导体发布创新红外传感器，提升楼宇自动化的人员存在和移动检测性能(2023-07-31 15:47)
是在移动还是静止无关。亚阈工作模式的另一个好处是晶体管的功耗很低，基于STHS34PF80的传感器的电池续航时间更长，因此需要的充电次数或电池数量更少。此外，标准CMOS制造......
AD976数据手册和产品信息(2024-11-11 09:19:47)
高性能双极性器件和CMOS晶体管的优点。
二者均提供超小型28引脚DIP、SSOP和SOIC三种封装。......
意法半导体发布创新红外传感器，提升楼宇自动化的人员存在和移动检测性能(2023-07-31)
意法半导体发布创新红外传感器，提升楼宇自动化的人员存在和移动检测性能;带有微加工热敏晶体管的高集成度、超低功耗传感器可取代传统的被动红外探测器
2023年7月31日，中国 – 服务......
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件(2022-12-12)
组杨雅芬博士为第一作者，复旦大学微电子学院为第一单位。
该工作将单层石墨烯二维金属系统集成于MoS2晶体管的栅极结构中，构建负量子电容晶体管（NQCFET）器件，利用单层石墨烯在低态密度条件下产生的负电子压缩效应，通过......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
应用过程中，我们用GaN器件和当前主流的SJ MOSFET在开关特性和动态特性上做了一个对比，更详细的了解其差异所在。
表二 GaN 器件DC参数
从上图GaN晶体管的DC参数可以看到，其在......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。
IGCT 是将GTO 芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
）。
栅极电荷损失
所有MOSFET都有一层绝缘层，可以防止电流流过栅极端子——这也是它们与其他类型场效应晶体管的区别所在。然而，严格地说，这种绝缘只能阻挡稳态电流。如图3所示，MOSFET的绝缘栅极是电容结构......
关于半导体工艺节点演变，看这一篇就够了(2017-02-20)
说的，诸如，台积电16nm工艺的Nvidia GPU、英特尔14nm工艺的i5，等等，这个长度的含义，具体的定义需要详细的给出晶体管的结构图才行，简单地说，在早期的时候，可以姑且认为是相当于晶体管的......
科普丨十大最常用电子元器件介绍(2024-10-22 09:33:32)
接法。为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。名称共发射极电路共集电极电路(射极输出器)共基极电路输入阻抗中(几百欧～几千欧)大(几十千欧以上)小(几欧～几十欧)输出......
ST发布创新红外传感器，提升楼宇自动化的人员存在和移动检测性能(2023-07-31)
新型人体存在和移动检测芯片，可提升传统使用被动红外(PIR)传感技术的安保监视系统、家庭自动化设备和物联网设备的监测性能。
带有微加工热敏晶体管的......
中国科研团队在集成电路领域研究取得新进展(2024-11-05)
性能FPGA平台上进行了实验验证。
随着集成电路技术节点的不断发展，3D的晶体管结构和先进材料的使用增强了晶体管的自热效应，加速了缺陷产生，降低了驱动电流，增大了晶体管功耗，进而使得晶体管......
数字音频选择器开关电路分享(2023-05-25)
路图所示，编号为1-10的10个输入信号分别通过电容器C1-C10施加到晶体管T1-T10的基极。晶体管的偏置电压借助R1-R10获得。根据应用于IC1的二进制状态，其输出之一Q0-Q9变为低电平。例如，如果......
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管;传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。
例如7nm节点......
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术(2023-10-09)
仅为提高空间使用提供解决方案，还促进更精简 CMOS 逻辑电路布局，有利提高设计效率。
CFET 既有结构可能会减少寄生效应，逐渐提高性能和功率效率。结合适应性设计与背面供电等创新，可简化制程复杂性，使 CFET 成为晶体管......
英特尔量子芯片如何能够重新转换基于硅的计算(2025-01-14)
,有助于识别和纠正制造流程的具体过程步骤中的缺陷。
利用大体积晶体管的制造方法,将量子点与平面结构结合起来,获得了更高的收益率。在优化的设备版本中,两层......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的......
意法半导体发布创新红外传感器，提升楼宇自动化的人员存在和移动检测性能(2023-07-31)
是在移动还是静止无关。
亚阈工作模式的另一个好处是晶体管的功耗很低，基于STHS34PF80的传感器的电池续航时间更长，因此需要的充电次数或电池数量更少。此外，标准CMOS制造技术能够确保晶圆成本效益和良率，同时利用亚微米晶体管......
索尼图像传感器出货量超过200亿颗(2024-12-18)
该公司没有放慢发展速度的计划。
Yoshihiro Yamaguchi称，索尼的发展历史很长，可以追溯到索尼开始制造晶体管的时候。20世纪80年代，我们从生产CCD（电荷耦合器件）图像传感器开始，发展......
可控硅控制器工作原理(2024-01-22)
用于各种频率和波形的脉宽调制电路以及作为其它电力电子变换器的功率元件等.
常见的几种类型
(1)普通型双极型晶体管
双极型晶体管的两个电极各有一个沟道和两个基极组成一个p沟道结构和一个n沟道结构的双极型晶体管称为普通双极性晶体......
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管(2022-12-12)
突破！复旦团队发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管;传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。
例如......
世界半导体极简编年史(2023-01-02)
1948年：结型晶体管的构想
威廉·肖克利（William Shockley）基于对P-N结效应的理论理解，构想了一种改进的晶体管结构......
台积电：2nm 制程 2025 年量产，N3P 2024 年下半年量产(2023-04-27)
别在 2024 年下半年和 2025 年投入量产。这些工艺都将采用 FinFET 结构，也就是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）结构。这种结构已经被台积电使用了多年，并且......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-10)
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点;在IEDM 2023上，英特尔展示了结合背面供电和直接背面触点的3D堆叠CMOS晶体管，这些开创性的技术进展将继续推进摩尔定律。
2023年......
还不会设计晶体管施密特触发器？不要错过(2024-06-21)
电压轨，则可以使用基于 CMOS 逻辑（例如 HC14）的施密特触发器，也可以使用比较器。
但这里显而易见的方法是使用 +24v 电源轨的基于晶体管的设计，我主要会选择几个容易获得的 30v npn......
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. 通用逻辑IC（CMOS逻辑IC） e. 通用线性IC（运放和比较器,马达驱动IC,电源IC, etc） f. 光电半导体（LD,LED,光传感器,光耦合和光中继,etc） g. 晶体管（小信号双极晶体管
;欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信
;结型场效应管 欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信
的服务管理，向世界知名品牌公司看齐，确保所生产的晶体管达到专业化,高端华,精品化。成世界上晶体管的主要生产商之一。 SPTECH晶体管主要应用于加湿器、变频器、打印机、电源、汽车电子、点火器、发电机、无线
产品涉及各个领域，与俄罗斯、台湾的大型相关企业有着良好的交流与合作。公司涉及生产高频低噪声中小功率晶体管、场效应管中小功率晶体管、中小功率晶体管场效应管中小功率晶体管、带阻晶体管、开关二极管、变容二极管、肖特
;深圳市福田区腾盛电子;;腾盛电子有限公司创建于二零零零年，专业代理销售三端稳压IC、场效应管、可控硅集成电路、二、三极晶体管等电子元器件。 公司以“信誉为本、质量第一、服务真诚”的经营理念。“质优
;深圳市海德特种结构陶瓷有限公司;;深圳市海德特种结构陶瓷有限公司是一家机械及行业设备的企业，是经国家相关部门批准注册的企业。主营氧化铝、氧化锆、氮化硅结构陶瓷零件，公司
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
、TO-252、TO-126、TO-220、 TO-3等封装形式的三极管、可控硅、场效应管,高反压晶体管等.产品执行国际IEC标准,工厂生产严格按ISO9001质量体系运行,产品性能优越,质量稳定可靠,广泛
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能